JP2012253116A5 - - Google Patents

Description

本発明の半導体装置は、配線基板と、前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、前記壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材の他方に固定され、前記壁部材には、前記配線基板と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする。

Claims (8)

1. 配線基板と、
   前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
   前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、
   前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、
   前記壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材の他方に固定され、
   前記壁部材には、前記配線基板と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、
   前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、
   前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする半導体装置。
2. 前記通気孔に設けられた前記柱部材は、高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記柱部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 開口部を有する第１の配線基板と、
   前記第１の配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
   前記開口部を通じて前記保護部材に相対する位置に配置され、前記第１の配線基板と電気的に接続された第２の配線基板と、
   前記第２の配線基板において前記開口部に対応する位置に実装された半導体素子と、
   前記半導体素子を囲うように前記第１の配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、
   前記壁部材の高さ方向の一端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材の他方に固定され、
   前記壁部材には、前記第２の配線基板と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、
   前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、
   前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする半導体装置。
4. 前記通気孔に設けられた前記柱部材は、高さ方向の一端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記柱部材の高さ方向の他端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 配線基板と、
   前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
   前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、
   前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に固定された枠体と、
   前記半導体素子を囲うように前記枠体と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、
   前記壁部材の高さ方向の一端が、前記枠体及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材の他方に固定され、
   前記壁部材には、前記配線基板と前記枠体と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、
   前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、
   前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする半導体装置。
6. 前記通気孔に設けられた前記柱部材は、高さ方向の一端が、前記枠体及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記柱部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記柱部材の高さ方向の一端が、前記常温よりも高い温度において先細り形状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記常温とは２５℃であり、前記常温よりも高い温度とは６０℃以上の温度であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。