JP2012253089A - 透光性凹凸基板、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも大きな微粒子と小さな微粒子の2種類を含有し、各微粒子がバインダーで基板1の一主面である下地面上に固定されている下地層2を有する透光性凹凸基板であって、前記大きな微粒子の平均粒径は0.4μm以上1.5μm以下であり、かつ、大きな微粒子は基板の粒子被覆率が10%以上80%以下となるように下地層中に単層で存在し、前記小さな微粒子の平均粒径は50nm以上150nm以下であり、さらに、前記大きな微粒子の上部に存在する前記小さな微粒子の量は、その他の部分に存在する小さな微粒子の量に対して20%以下であることを特徴とする、透光性凹凸基板。
【選択図】図1
Description
前記大きな微粒子は、基板の粒子被覆率が、10%以上80%以下、更には20%以上60%以下であることが好ましい。なぜなら、この範囲外では基板上での表面凹凸形成効果が少なく、十分な拡散透過率を得ることができないからである。なお、本発明で言う粒子被覆率とは、基板表面に対する基板表面上に塗布された微粒子の占有面積である。算出方法としては、微粒子が塗布された基板表面を基板表面に対して垂直の方向から観察した画像にて算出できる。例えば、走査型電子顕微鏡(SEMともいう)で基板表面に対して垂直の方向から観察した画像において、画像解析ソフトであるイメージメトロロジー社製のSPIPで、バックグラウンドノイズを除去処理した後に、粒子部分に相当する白色部分を画像全体に占める割合から割り出すことがあげられる。
厚さ4mmの旭硝子株式会社製の白板ガラス基板の片面にカネロン化学工業株式会社製のBE705フィルムを用いてマスキングし、もう片面をセリコ洗浄してガラス表面を親水性にした後、シリカ微粒子6重量%濃度、引き上げ速度100mm/minの条件におけるディッピング法で、平均粒径1080nmのシリカ微粒子を粒子被覆率20%で塗布した。なお、シリカ微粒子の数平均粒径はSEM画像から求めた。ディッピングにおける塗布液の成分は、シリカ微粒子の他にイソプロパノール、水、エチルシリケート40加水分解物(平均4量体のテトラエトキシシラン加水分解部分縮合物)、濃塩酸である。なお、各成分の重量はシリカ微粒子780g、イソプロパノール12kg、水690g、エチルシリケート40加水分解物240g、濃塩酸24gである。
実施例1と同様にして、粒子被覆率20%で平均粒径1080nmの大きなシリカ微粒子を塗布した厚さ4mmのガラス基板に、ディッピング法の引き上げ速度を275mm/min、1000mm/min、とそれぞれ変えて平均粒径80nmの小さなシリカ微粒子をディッピング塗布したサンプルを2点作製(実施例2、3)し、さらに引き上げ速度1000mm/minでディッピング塗布を2度繰り返したサンプルを1点(実施例4)作製した。なお、ディッピング塗布を繰り返す際には、1度目と2度目のディッピング塗布の間に80℃の雰囲気下で30分の加熱乾燥を行った。さらに、比較例1として平均粒径80nmシリカ微粒子を塗布しなかったサンプルも1点作製した。これら4点のサンプルの微粒子層に水を滴下し、カバーガラスをかけて、カバーガラスとは反対の面のガラス基板側から波長400〜1200nmまでの平均透過率を測定した。なお、本方法のような液体を凹凸部に滴下して測定した透過率を、以後浸液透過率と記載する。
また、図6はガラス基板上に大きな微粒子である平均粒径450nmの微粒子のみを塗布し、ZnOの透明導電膜を製膜した断面透過型電子顕微鏡(TEMともいう)画像であり、微粒子間に空洞を確認できる。平均粒径450nmのシリカ微粒子200gを使用し、シリカ微粒子の重量パーセント濃度1.5%、その他の成分としてイソプロパノール12kg、水690g、エチルシリケート40加水分解物(平均4量体のテトラエトキシシラン加水分解部分縮合物)240g、塩酸24gを含む塗布液に、引き上げ速度700mm/minの条件で、比較例1と同様にディップし、透明導電膜を製膜したサンプルである。
実施例5〜7および比較例2として、図1に示されているようなシングル型薄膜太陽電池を作成した。実施例2〜4および比較例1で作製した4つの透明電極基板それぞれに厚さ10nmのp型微結晶シリコン層と厚さ15nmのp型非晶質シリコンカーバイト層との積層からなるp型層、厚さ350nmのi型非晶質シリコン光電変換層及び厚さ15nmのn型微結晶シリコン層を順次プラズマCVD法により積層して光電変換ユニットを形成した。その後、5×5個ある1cm角の金属製マスクを製膜したシリコンに貼り付け、厚さ90nmのAlドープZnO層と厚さ200nmのAg層をスパッタ法にて順次堆積した。金属製マスクを取り外した後に、スパッタ製膜された1cm角部分の周囲を半田で透明電極層まで貫通させ、1cm角のセルを作成した。こうして得られたシングル型薄膜太陽電池セルにAM1.5の光を100mW/cm2の光量で照射して出力特性を測定した。得られた出力特性結果を表1に示す。
実施例9および比較例3として、図2に示されているようなガラス基板の光入射面に反射防止層(ARコート)を有するハイブリッド型の薄膜太陽電池を作製した。すなわち、本実験例9、比較例3においては、ガラス基板1上に、大小のシリカ微粒子層(下地層)2、透明電極層3、非晶質シリコン光電変換ユニット4、結晶質シリコン光電変換ユニット6、および裏面電極層5を順次形成することによってハイブリッド型薄膜太陽電池を作製し、レーザースクライブを利用して、ハイブリッド型薄膜太陽電池モジュールを作成した。なお、レーザースクライブは図3に示されるように実施した。
2 大小の微粒子層(下地層)
3 透明電極層
4 非晶質光電変換ユニット
41 一導電型層
42 真性光電変換層
43 逆導電型層
5 裏面電極層
6 結晶質光電変換ユニット
61 一導電型層
62 真性光電変換層
63 逆導電型層
101 分離溝
102 接続溝
103 分離溝
Claims (5)
- 少なくとも大きな微粒子と小さな微粒子の2種類を含有し、各微粒子がバインダーで基板の一主面である下地面上に固定されている下地層を有する透光性凹凸基板であって、
前記大きな微粒子の平均粒径は0.4μm以上1.5μm以下であり、かつ、大きな微粒子は基板の粒子被覆率が10%以上80%以下となるように下地層中に単層で存在し、
前記小さな微粒子の平均粒径は50nm以上150nm以下であり、かつ小さな微粒子は実質的に前記大きな微粒子の周囲に隣接して存在し、
さらに、前記大きな微粒子の上部に存在する前記小さな微粒子の量は、その他の部分に存在する小さな微粒子の量に対して20%以下であることを特徴とする、透光性凹凸基板。 - 前記の大きな微粒子と小さな微粒子が同一の材料からなることを特徴とする、請求項1に記載の透光性凹凸基板。
- 前記小さな微粒子が前記下地面とは反対側の基板の一主面にも固定されており、前記下地面とは反対側の基板の一主面における反射率が2%以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の透光性凹凸基板。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の透光性凹凸基板の製造方法であって、下地面に大きな微粒子を固定した後、小さな微粒子を含有する溶液中に当該基板をディッピングして小さな微粒子を固定することを特徴とする、透光性凹凸基板の製造方法。
- 前記大きな微粒子をディッピング法で下地面に塗布し、固定することを特徴とする、請求項4に記載の透光性凹凸基板の製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243676A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JP2003253435A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 凹凸膜形成方法および光電変換素子製造方法 |
WO2005052956A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-09 | Teijin Limited | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
JP2006332711A (ja) * | 2000-03-02 | 2006-12-07 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置 |
WO2007032205A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corporation | 透明導電性フィルム、タッチパネル用電極板およびタッチパネル |
WO2009142156A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置用基板とそれを含む薄膜光電変換装置、並びに薄膜光電変換装置用基板の製造方法 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332711A (ja) * | 2000-03-02 | 2006-12-07 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置 |
JP2003243676A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JP2003253435A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 凹凸膜形成方法および光電変換素子製造方法 |
WO2005052956A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-09 | Teijin Limited | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
WO2007032205A1 (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Nitto Denko Corporation | 透明導電性フィルム、タッチパネル用電極板およびタッチパネル |
WO2009142156A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置用基板とそれを含む薄膜光電変換装置、並びに薄膜光電変換装置用基板の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013175506A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Shimane Univ | 光散乱膜及びその製造方法、太陽電池 |
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