JP2012249144A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素アレイ部11は、光電変換した電荷を蓄積する画素12がマトリックス状に配置され、垂直信号線VLIN1〜VLINMは、画素12から読み出された画素信号を垂直方向に伝送し、垂直選択回路17は、画素アレイ部11の各選択行に対して電子シャッタ状態および読み出し状態を時分割多重で設定し、パルスセレクタ回路18は、選択行に属する画素12を電子シャッタ状態および前記読み出し状態に応じて駆動し、タイミングジェネレータ回路19は、垂直選択回路17およびパルスセレクタ回路18の動作タイミングを制御する。
【選択図】 図1
Description
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、この固体撮像装置には、光電変換した電荷を蓄積する画素12がロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部11、各画素12の信号成分をCDSにてデジタル化するアナログ/デジタル変換回路13、アナログ/デジタル変換回路13にてデジタル化された各画素12の信号成分を1ライン分だけラッチするラッチ回路14、ラッチ回路14にてラッチされた各画素12の信号成分を1ライン分だけ保存するラインメモリ15、読み出し対象となる画素12を水平方向に走査する水平シフトレジスタ回路16、画素アレイ部11の各選択行に対して電子シャッタ状態および読み出し状態を時分割多重で設定する垂直選択回路17、画素アレイ部11の選択行に属する画素12を電子シャッタ状態および読み出し状態に応じて駆動するパルスセレクタ回路18、各画素12の読み出しや蓄積のタイミングを制御するタイミングジェネレータ回路19が設けられている。なお、タイミングジェネレータ回路19には水平同期パルスPHが入力される。
図2において、垂直選択回路17には、行選択値DECと行番号1〜Nをそれぞれ比較する比較器1−1〜1−Nおよび比較器1−1〜1−Nによる比較結果をそれぞれ保持するレジスタ2−1〜2−Nが行ごとに設けられている。なお、図2の例では、比較器1−1〜1−NとしてAND回路、レジスタ2−1〜2−Nとしてフリップフロップを用いた場合を示した。ここで、各比較器1−1〜1−Nおよびレジスタ2−1〜2−Nは、電子シャッタ状態および読み出し状態においてそれぞれ共用される。
図3において、パルスセレクタ回路18には、リセット用AND回路3−1−1〜3−1−Nおよびリード用AND回路3−2−1〜3−2−Nが行ごとに設けられている。ここで、各リセット用AND回路3−1−1〜3−1−Nおよび各リード用AND回路3−2−1〜3−2−Nは、電子シャッタ状態および読み出し状態においてそれぞれ共用される。
図4において、例えば、選択行L1では期間TS1、TR1、TZ1に分割され、選択行L2では期間TS2、TR2、TZ2に分割され、選択行L3では期間TS3、TR3、TZ3に分割される。なお、期間TS1〜TS3では電子シャッタ状態が設定され、期間TR1〜TR3では読み出し状態が設定され、期間TZ1〜TZ3では検出ノードを垂直信号線VLIN1〜VLINMから電気的に切り離す処理が行われる。
次に、期間TS2において、行選択値DECが1に設定された状態でラッチイネーブル信号LTCH_ENが立ち上がると、図2の比較器1−1〜1−Nにて行選択値DECと行番号1〜Nとが比較される。この結果、比較器1−1において行選択値DECと行番号1とが一致し、比較器1−1の出力が立ち上がる。このため、レジスタ2−1の出力が立ち上がり、行選択信号VSEL_1が立ち上がることで選択行L1では期間TZ1に移行する。
次に、期間TS3において、行選択値DECが2に設定された状態でラッチイネーブル信号LTCH_ENが立ち上がると、図2の比較器1−1〜1−Nにて行選択値DECと行番号1〜Nとが比較される。この結果、比較器1−2において行選択値DECと行番号2とが一致し、比較器1−2の出力が立ち上がる。このため、レジスタ2−2の出力が立ち上がり、行選択信号VSEL_2が立ち上がることで選択行L2では期間TZ2に移行する。
図5において、例えば、選択行L1では期間TS1、TR1、TZ1に分割され、選択行L2では期間TS2、TR2、TZ2に分割され、選択行L3では期間TS3´´、TR3´´、TZ3´´に分割され、選択行L4では期間TS4、TR4、TZ4に分割され、選択行L5では期間TS5、TR5、TZ5に分割され、選択行L6では期間TS6、TR6、TZ6に分割され、選択行L7では期間TS7、TR7、TZ7に分割され、選択行L8では期間TS8、TR8、TZ8に分割される。なお、期間TS1、TS2、TS3´´、TS4〜TS8では電子シャッタ状態が設定され、期間TR1、TR2、TR3´´、TR4〜TR8では読み出し状態が設定され、期間TZ1、TZ2、TZ3´´、TZ4〜TZ8では読み出し状態の経過後に検出ノードを垂直信号線VLIN1〜VLINMから電気的に切り離す処理が行われる。
図6は、第2実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図6において、この固体撮像装置では、図1の固体撮像装置の画素アレイ部11、パルスセレクタ回路18およびタイミングジェネレータ回路19の代わりに画素アレイ部11´、パルスセレクタ回路18´およびタイミングジェネレータ回路19´が設けられている。
図7において、パルスセレクタ回路18´には、リセット用AND回路4−1−1〜4−1−N、リード用AND回路4−2−1〜4−2−Nおよびアドレス用AND回路4−3−1〜4−3−Nが行ごとに設けられている。ここで、各リセット用AND回路4−1−1〜4−1−N、各リード用AND回路4−2−1〜4−2−Nおよび各アドレス用AND回路4−3−1〜4−3−Nは、電子シャッタ状態および読み出し状態においてそれぞれ共用される。
図8において、例えば、選択行L1では期間TS1´、TR1´に分割され、選択行L2では期間TS2´、TR2´に分割され、選択行L3では期間TS3´、TR3´に分割され、選択行L4では期間TS4´、TR4´に分割される。なお、期間TS1´〜TS4´では電子シャッタ状態が設定され、期間TR1´〜TR4´では読み出し状態が設定される。
Claims (5)
- 光電変換した電荷を蓄積する画素がマトリックス状に配置された画素アレイ部と、
前記画素から読み出された画素信号を垂直方向に伝送する垂直信号線と、
前記画素アレイ部の各選択行に対して電子シャッタ状態および読み出し状態を時分割多重で設定する垂直選択回路と、
前記選択行に属する画素を前記電子シャッタ状態および前記読み出し状態に応じて駆動するパルスセレクタ回路と、
前記垂直選択回路および前記パルスセレクタ回路の動作タイミングを制御するタイミングジェネレータ回路とを備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記垂直選択回路は、
前記電子シャッタ状態および前記読み出し状態において共用され、行選択値と行番号を比較する比較器と、
前記電子シャッタ状態および前記読み出し状態において共用され、前記比較器による比較結果を保持するレジスタとを備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記パルスセレクタ回路は、前記電子シャッタ状態に応じて前記画素を駆動する駆動回路と、前記読み出し状態に応じて前記画素を駆動する駆動回路とが共用されていることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記画素は、
光電変換を行うフォトダイオードと、
前記フォトダイオードに蓄積された電荷に応じた信号を検出する検出ノードと、
前記フォトダイオードに蓄積された電荷を前記検出ノードに読み出す読み出しトランジスタと、
前記検出ノードにて検出された信号を増幅する増幅トランジスタと、
前記検出ノードをリセットするリセットトランジスタとを備え、
前記垂直選択回路は、前記電子シャッタ状態を設定する期間と、前記読み出し状態を設定する期間と、前記読み出し状態の経過後に前記検出ノードを前記垂直信号線から電気的に切り離す期間とを時分割多重することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記画素は、
光電変換を行うフォトダイオードと、
前記フォトダイオードに蓄積された電荷に応じた信号を検出する検出ノードと、
前記フォトダイオードに蓄積された電荷を前記検出ノードに読み出す読み出しトランジスタと、
前記検出ノードにて検出された信号を増幅する増幅トランジスタと、
前記検出ノードをリセットするリセットトランジスタと、
前記選択行の前記増幅トランジスタを動作させる行選択トランジスタとを備え、
前記垂直選択回路は、前記電子シャッタ状態を設定する期間と、前記読み出し状態を設定する期間とを時分割多重することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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