JP2012246456A - フッ素化アルキルリン酸オニウム塩系酸発生剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記一般式(1)で表されるフッ素化アルキルリン酸オニウム塩であって、当該オニウム塩中のアルカリ金属成分の含有量が100ppm以下であることを特徴とする酸発生剤。
【化1】
[式(1)中、AはVIA族〜VIIA族(CAS表記)の原子価nの元素を表し、nは1または2である。R1はAに結合している有機基であり、R1の個数はn+1である。Rfは水素原子の80%以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。bはその個数を示し、1〜5の整数である。]
【選択図】なし
Description
本発明は、第2に、当該酸発生剤を含有するエネルギー線硬化性組成物及びこれを硬化させて得られる硬化体に関する。
本発明は、第3に、当該酸発生剤を含有する化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物及びこれを硬化させて得られる硬化体に関する。
また、これらのオニウム塩は、熱あるいは活性エネルギー線照射によって酸を発生するので酸発生剤とも称され、レジストや感光性材料にも使用されている(特許文献11〜13)。
本発明の第2の目的は、上記酸発生剤を利用したエネルギー線硬化性組成物及び硬化体を提供することである。
本発明の第3の目的は、上記酸発生剤を利用した化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物及び硬化体を提供することである。
すなわち、本発明は、下記一般式(1)で表されるフッ素化アルキルリン酸オニウム塩であって、当該オニウム塩中のアルカリ金属成分の含有量が100ppm以下であることを特徴とする酸発生剤である。
これらのアルカリ金属成分の対アニオンとしては、従来公知のアニオンであり例えば、本発明の酸発生剤の対アニオンであるフッ素化アルキルリン酸アニオン、F-、Cl-、Br-、I-などのハロゲンイオン;OH-;ClO4 -;FSO3 -、ClSO3 -、CH3SO3 -、C6H5SO3 -、CF3SO3 -などのスルホン酸イオン類;HSO4 -、SO4 2-などの硫酸イオン類;HCO3 -、CO3 2-などの炭酸イオン類;H2PO4 -、HPO4 2-、PO4 3-などのリン酸イオン類; PF6 -、PF5OH-などのフルオロリン酸イオン類;BF4 -、B(C6F5)4 -、B(C6H4CF3)4 -などのホウ酸イオン類;AlCl4 -;BiF6 -;SbF6 -、SbF5OH-などのフルオロアンチモン酸イオン類;AsF6 -、AsF5OH-などのフルオロヒ素酸イオン類が挙げられる。
これらのアルカリ金属成分のカチオンとして、式(1)で表されるフッ素化アルキルリン酸オニウム塩中に100ppmを超えて含有するとそれを用いたエネルギー線硬化性組成物および化学増幅ネガ型レジスト組成物の硬化物が着色する。
硬化物の着色の観点から、アルカリ金属成分のカチオン含有量は、好ましくは100ppm以下であり、さらに好ましくは10ppm以下、特に好ましくは5ppm以下である。
MFcとしては従来公知のものが挙げられ、その具体例としては、BF4、AlF4、PF6、GaF6、AsF6、SbF6、BiF4、BiF6などが挙げられる。
Mとしてこれらの元素のうち好ましいのは、上記酸発生剤を使用したエネルギー線硬化性組成物および化学増幅ネガ型レジスト組成物の硬化物における着色の観点から、B(ホウ素)、P(リン)、Sb(アンチモン)であり、対応するアニオンとしては、BF4、PF6、SbF6である。特に好ましくは毒性元素(Sb)を含有しないBF4、PF6である。
併用する式(2)のオニウム塩がスルホニウム塩、ヨードニウム塩の場合、式(1)で表される酸発生剤と同一カチオン構造であっても、異なってもいても良いが、製造上の簡便さから同一カチオン構造が好ましい。
エネルギー線硬化性組成物中のアルカリ金属含量は、硬化物の着色の観点から1.5ppm以下が好ましい。
これらのポリオルガノシロキサンは、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、これらの混合物であってもよい。
光安定剤としては、公知の光安定剤等が使用でき、紫外線吸収型安定剤{ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、サリチレート、シアノアクリレート及びこれらの誘導体等};ラジカル補足型安定剤{ヒンダードアミン等};及び消光型安定剤{ニッケル錯体等}等が挙げられる。
酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤等が使用でき、フェノール系酸化防止剤(モノフェノール系、ビスフェノール系及び高分子フェノール系等)、硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤等が挙げられる。
密着性付与剤としては、公知の密着性付与剤等が使用でき、カップリング剤、シランカップリング剤及びチタンカップリング剤等が挙げられる。
イオン補足剤としては、公知のイオン補足剤等が使用でき、有機アルミニウム(アルコキシアルミニウム及びフェノキシアルミニウム等)等が挙げられる。
着色防止剤としては、公知の着色防止剤が使用でき、一般的には酸化防止剤が有効であり、フェノール系酸化防止剤(モノフェノール系、ビスフェノール系及び高分子フェノール系等)、硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤等が挙げられるが、高温時の耐熱試験時の着色防止にはほとんど効力がない。
エネルギー線としては、本発明の酸発生剤の分解を誘発するエネルギーを有する限りいかなるものでもよいが、低圧、中圧、高圧若しくは超高圧の水銀灯、メタルハライドランプ、LEDランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ、蛍光灯、半導体固体レーザ、アルゴンレーザ、He−Cdレーザ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ又はF2レーザ等から得られる紫外〜可視光領域(波長:約100〜約800nm)のエネルギー線が好ましい。なお、エネルギー線には、電子線又はX線等の高エネルギーを有する放射線を用いることもできる。
化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物中のアルカリ金属含量は、硬化物の着色の観点から1.3ppm以下が好ましい。
本発明における「フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂」(以下、「フェノール樹脂(B)」という。)としては、例えば、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及び(メタ)アクリル酸誘導体の共重合体、フェノール−キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール−キシリレングリコール縮合樹脂、フェノール−ジシクロペンタジエン縮合樹脂、フェノール性水酸基を含有するポリイミド樹脂等が用いられる。これらのなかでも、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体、ヒドロキシスチレン、スチレン及び(メタ)アクリル酸誘導体の共重合体、フェノール−キシリレングリコール縮合樹脂が好ましい。尚、これらのフェノール樹脂(B)は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
上記フェノール性低分子化合物としては、例えば、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル等が挙げられる。
本発明における架橋剤(C)は、前記フェノール樹脂(B)と反応する架橋成分(硬化成分)として作用するものであれば、特に限定されない。上記架橋剤(C)としては、例えば、分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物、分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化されたベンゼンを骨格とする化合物、オキシラン環含有化合物、チイラン環含有化合物、オキセタニル基含有化合物、イソシアネート基含有化合物(ブロック化されたものを含む)、ビニルエーテル基含有化合物等を挙げることができる。
また、アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物及びオキシラン環含有化合物を併用する際、オキシラン環含有化合物の含有割合は、アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物及びオキシラン環含有化合物の合計を100重量%とした場合に、50重量%以下であることが好ましく、より好ましくは5〜40重量%、特に好ましくは5〜30重量%である。
この場合、得られる硬化膜は、高解像性を損なうことなく耐薬品性にも優れるため好ましい。
本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、得られる硬化物の耐久性や熱衝撃性を向上させるために架橋微粒子(D)を更に含有させることができる。
架橋微粒子(D)としては、この架橋微粒子を構成する重合体のガラス転移温度(Tg)が0℃以下であれば特に限定されないが、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性モノマー(以下、単に「架橋性モノマー」という。)と、架橋微粒子(D)のTgが0℃以下となるように選択される1種又は2種以上の「他のモノマー」と、を共重合したものが好ましい。
特に、上記他のモノマーを2種以上併用し、且つ他のモノマーのうちの少なくとも1種が、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、イソシアネート基、ヒドロキシル基等の重合性基以外の官能基を有するものであることが好ましい。
他のモノマーとして、上記ブタジエン等のジエン化合物が全モノマー100重量%に対して20〜80重量%で共重合される場合には、架橋微粒子(D)がゴム状の軟らかい微粒子となり、得られる硬化膜にクラック(割れ)が発生するのを防止でき、耐久性に優れた硬化膜を得ることができる。
この架橋微粒子(D)の粒径のコントロール方法は特に限定されないが、例えば、乳化重合により架橋微粒子を合成する場合、使用する乳化剤の量により乳化重合中のミセルの数を制御し、粒径をコントロールすることができる。
尚、架橋微粒子(D)の平均粒径とは、光散乱流動分布測定装置等を用い、架橋微粒子の分散液を常法に従って希釈して測定した値である。
また、本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、基材との密着性を向上させるために、密着助剤を含有させることができる。
上記密着助剤としては、例えば、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基等の反応性置換基を有する官能性シランカップリング剤等が挙げられる。
また、本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、樹脂組成物の取り扱い性を向上させたり、粘度や保存安定性を調節するために溶剤を含有させることができる。
上記溶剤は、特に制限されないが、具体例は前記載のものが挙げられる。
また、本発明の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物には、必要に応じて他の添加剤を本発明の特性を損なわない程度に含有させることができる。このような他の添加剤としては、無機フィラー、クエンチャー、レベリング剤・界面活性剤等が挙げられる。
前述の本発明にかかる化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物は、残膜率が高く、解像性に優れていると共に、その硬化物は電気絶縁性、熱衝撃性、耐熱着色性(透明性)等に優れているため、その硬化物は特に透明性が要求される半導体素子、半導体パッケージやディスプレイ等の電子部品の表面保護膜、平坦化膜、層間絶縁膜材料等として好適に使用することができる。
露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、g線ステッパー、h線ステッパー、i線ステッパー、gh線ステッパー、ghi線ステッパー等の紫外線や電子線、レーザー光線等が挙げられる。また、露光量としては使用する光源や樹脂膜厚等によって適宜選定されるが、例えば、高圧水銀灯からの紫外線照射の場合、樹脂膜厚1〜50μmでは、100〜50000J/m2程度である。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−K1]の合成
(複分解法)
このトリフレートをジクロロメタン55部に溶かし,10%トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸カリウム水溶液42部中に投入してから,室温(約25℃)で3時間撹拌し,ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後,ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより,[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−K1]を収率88%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は200ppmであった。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−K2]の合成
複分解法の「水で3回洗浄」を「水で4回洗浄」に変更したこと以外、製造例1と同様にして、[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−K2]を収率88%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は100ppmであった。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−K3]の合成
複分解法の「水で3回洗浄」を「水で6回洗浄」に変更したこと以外、製造例1と同様にして、[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−K3]を収率86%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は10ppmであった。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−L1]の合成
複分解法の「10%トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸カリウム水溶液42部」を「10%トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸リチウム水溶液43部」」に変更したこと以外、製造例1と同様にして、[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−L1]を収率87%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、Li含量は250ppmであった。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−L2]の合成
複分解法の「10%トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸カリウム水溶液42部」を「10%トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸リチウム水溶液43部」」に、「水で3回洗浄」を「水で6回洗浄」に変更したこと以外、製造例1と同様にして、[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−1−L2]を収率87%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、Li含量は10ppmであった。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート[P(2)−1]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は1ppmであった。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム テトラフルオロボレート[P(2)−2]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は1ppmであった。
[4−(4−ビフェニリルチオ)フェニル]−4−ビフェニリルフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート[P(2)−3]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は2ppmであった。
ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−2−K1]の合成
(複分解法)
このトリフレートをジクロロメタン45部に溶かし,10%トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸カリウム水溶液42部中に投入してから,室温(約25℃)で3時間撹拌し,ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後,ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより,ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−2−K1]を収率86%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は250ppmであった。
ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−2−K2]の合成
複分解法の「水で3回洗浄」を「水で6回洗浄」に変更したこと以外、製造例9と同様にして、ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート[P(1)−2−K2]を収率84%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は10ppmであった。
ジフェニル[4−(フェニルチオ)フェニル]スルホニウム ヘキサフルオロホスフェート[P(2)−4]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は1ppmであった。
4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル) トリフルオロホスフェート[P(1)−3−K1]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は220ppmであった。
4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル) トリフルオロホスフェート[P(1)−3−K2]の合成
「水で3回洗浄」を「水で6回洗浄」に変更したこと以外、製造例12と同様にして、4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル) トリフルオロホスフェート[P(1)−3−K2]を収率87%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は10ppmであった。
4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート[P(2)−5]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は1ppmであった。
4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム トリス(ペンタフルオロエチル) トリフルオロホスフェート[P(1)−4−K1]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は260ppmであった。
4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム トリス(ペンタフルオロエチル) トリフルオロホスフェート [P(1)−4−K2]の合成
「水で3回洗浄」を「水で6回洗浄」に変更したこと以外、製造例15と同様にして、4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム トリス(ペンタフルオロエチル) トリフルオロホスフェート[P(1)−4−K2]を収率84%で得た。
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は10ppmであった。
4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム ヘキサフルオロホスフェート[P(2)−6]の合成
このもののアルカリ金属含量を原子吸光法にて測定し、K含量は1ppmであった。
カチオン重合性化合物であるエポキシド(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル化学工業株式会社製、セロキサイド2021P)に酸発生剤(P(1)−1、2およびP(2)−1〜4)を、表1に示した配合量で均一混合して、エネルギー線硬化性組成物(実施例C1〜C13および比較例C1〜C3)を調製した。
尚、酸発生剤中のアルカリ金属含量及び組成物中のアルカリ金属含量は原子吸光測定方法にて定量した。
上記で得た組成物をアプリケーターにてポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に膜厚40μmで塗布した。上記塗布後のPETフィルムに紫外線照射装置を用いて、フィルターによって波長を限定した紫外光を照射した。なお、フィルターはIRCF02フィルター(アイグラフィックス株式会社製、340nm未満の光をカットするフィルター)を使用した。照射後、40分後の塗膜硬度を鉛筆硬度(JIS K5600−5−4:1999)にて測定し、以下の基準により評価した結果を表2に示す。鉛筆硬度が高いほど、エネルギー線硬化性組成物の感度(カチオン重合硬化性)が良好であることを示す。
◎:鉛筆硬度が2H以上
○:鉛筆硬度がH〜B
△:鉛筆硬度が2B〜4B
×:液状〜タックがあり、鉛筆硬度を測定できない
・紫外線照射装置:ベルトコンベア式UV照射装置(アイグラフィックス株式会社製)
・ランプ:1.5kW高圧水銀灯
・照度(365nmヘッド照度計で測定):190mW/cm2
・積算光量(365nmヘッド照度計で測定):800mJ/cm2
上記で得た組成物をアプリケーターにてスライドガラス上に膜厚25μmで塗布した。上記塗布後のスライドガラスに紫外線照射装置を用いて、紫外線を照射した。
(紫外光の照射条件)
・紫外線照射装置:ベルトコンベア式UV照射装置(アイグラフィックス株式会社製)
・ランプ:1.5kW高圧水銀灯
・照度(365nmヘッド照度計で測定):190mW/cm2
・積算光量(365nmヘッド照度計で測定):800mJ/cm2
照射後30分間室温で硬化させた後、ホットプレートにて120℃×30分間アフターキュアーして耐熱試験用のサンプルを作成した。
このサンプルを240℃に温調したホットプレートにて15分間加熱し、塗膜の色相を目視で評価した。評価基準は下記の通り。
◎:無色(塗膜の黄変なし)
○:淡黄色〜黄色
×:褐色
カチオン重合性化合物であるエポキシド(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ダイセル化学工業株式会社製、セロキサイド2021P)に酸発生剤を、表3に示した配合量で均一混合して、エネルギー線硬化性組成物(実施例C1〜C4および比較例C1〜2)を調製した。
UV硬化性評価−1で、露光時に使用したフィルターを熱線カットフィルター(アイグラフィックス株式会社製)に、紫外光の照射条件を、積算光量(365nmヘッド照度計で測定):300mJ/cm2とした以外は同様にして評価した。
耐熱性試験−1で、露光時に使用したフィルターを熱線カットフィルター(アイグラフィックス株式会社製)に、紫外光の照射条件を、積算光量(365nmヘッド照度計で測定):300mJ/cm2とした以外は同様にして評価した。
表5に示す通り、酸発生剤である成分(A)1重量部、フェノール樹脂である成分(B)として、p−ヒドロキシスチレン/スチレン=80/20(モル比)からなる共重合体(Mw=10,000)を100重量部、架橋剤である成分(C)として、ヘキサメトキシメチルメラミン(三和ケミカル社製、商品名「ニカラックMW−390」)を20重量部、架橋微粒子である成分(D)として、ブタジエン/アクリロニトリル/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼン=64/20/8/6/2(重量%)からなる共重合体(平均粒径=65nm、Tg=−38℃)を10重量部、密着助剤である成分(E)として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(チッソ社製、商品名「S510」)5重量部を溶剤−1(乳酸エチル)145重量部に均一に溶解して、本発明のネガ型フォトレジスト組成物(実施例N1、N2、比較例N1)を調製した。
シリコンウェハー基盤上に、各組成物をスピンコートした後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱乾燥して約20μmの膜厚を有する樹脂塗膜を得た。その後、TME−150RSC(トプコン社製)を用いてパターン露光(i線;500mJ/cm2)を行い、ホットプレートにより110℃で3分間の露光後加熱(PEB)を行った。その後、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた浸漬法により、2分間の現像処理を行い、流水洗浄し、窒素でブローして50μmのラインアンドスペースパターンを得た。
実施例N1、N2および比較例N1ともに現像前後の残膜の比率を示す残膜率が90%以上で、良好なパターン形状であった。
上記UV硬化性評価−3で得られたパターン付きシリコン基板を200℃に温調したホットプレートにて15分間加熱し、パターン部分の色相を目視で評価した結果を表6に示す。評価基準は下記の通り。
(評価基準)
◎:無色(塗膜の黄変なし)
○:淡黄色〜黄色
×:褐色
Claims (9)
- 下記一般式(1)で表されるフッ素化アルキルリン酸オニウム塩であって、当該オニウム塩中のアルカリ金属成分の含有量が100ppm以下であることを特徴とする酸発生剤。
- AがSまたはIである請求項1に記載の酸発生剤。
- A’がS、I、N、Pからなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項3に記載の酸発生剤。
- MがB、P、Sbからなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項3又は4に記載の酸発生剤。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含んでなるエネルギー線硬化性組成物。
- 請求項6に記載のエネルギー線硬化性組成物を硬化してなる硬化体。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の酸発生剤を含んでなる成分(A)と、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂である成分(B)と、架橋剤成分(C)とを含んでなる、化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物。
- 請求項8に記載の化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物を硬化してなる硬化体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011121560A JP5828679B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | フッ素化アルキルリン酸オニウム塩系酸発生剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011121560A JP5828679B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | フッ素化アルキルリン酸オニウム塩系酸発生剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012246456A true JP2012246456A (ja) | 2012-12-13 |
JP5828679B2 JP5828679B2 (ja) | 2015-12-09 |
Family
ID=47467220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011121560A Expired - Fee Related JP5828679B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | フッ素化アルキルリン酸オニウム塩系酸発生剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5828679B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2018186340A1 (ja) | 2017-04-05 | 2018-10-11 | 日産化学株式会社 | 電荷輸送性ワニス |
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-
2011
- 2011-05-31 JP JP2011121560A patent/JP5828679B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5828679B2 (ja) | 2015-12-09 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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