JP2012243936A - 半導体素子および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。
【選択図】図1
Description
1.第1の実施の形態(有機半導体層の上面の層を金属により構成し、この層と同一の材料により配線層を構成した例)
2.第2の実施の形態(有機半導体層の上面の層を金属により構成し、この層と異なる材料により配線層を構成した例)
3.第3の実施の形態(有機半導体層の上面の層を金属酸化物により構成した例)
4.第4の実施の形態(有機半導体層の上面の層を導電性高分子により構成した例)
5.表示装置および適用例
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る半導体素子である有機TFT100の構成を表したものである。この有機TFT100は、例えば表示装置のアクティブマトリクス回路などに用いられるトップコンタクト・スタッガード型のものである。有機TFT100は、例えば、基板11上に、ゲート電極20,ゲート絶縁膜30,有機半導体層40,上面層50,ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dをこの順に有している。ここで、上面層50は、本開示における「有機半導体層の上面に設けられた層」の一具体例に対応し、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dは、本開示における「配線層」の一具体例に対応している。
図7は、本開示の第2の実施の形態に係る有機TFT100の構成を表したものである。本実施の形態は、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dを上面層50とは異なる金属により構成したものである。このことを除いては、本実施の形態の有機TFT100は、上記第1の実施の形態の有機TFT100と同一の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dの構成材料として、第1の実施の形態よりも低コストな金属を選択可能な可能性があり、それにより完成物である有機TFT100の低コスト化につながる。有機半導体の場合、半導体と良好なオーミック接触を得るために、一般的に仕事関数〜5eVの金属を選択することが望まれる場合が多い。しかしながら、このような仕事関数を持ち、かつウェットエッチング可能である性質をもつ金属には限りがある。このような性質をもつ代表的な金属は金(Au)であるが、これは高コストな材料である。そのため、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dと上面層50とをともに金により構成した場合には、配線材料のコストが大きくなってしまう。ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dを上面層50とは異なる材料により構成するようにすれば、金よりなる上面層50により良好なオーミック接触を確保しつつ、材料コストを低減させることが可能となる。
後述する製造方法において、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dの成膜方法として、第1の実施の形態で選択した方法とは違う、より高速な成膜方法を選択可能な場合があり、これにより更にタクトタイムの短い成膜工程を導入できる可能性がある。これも、結果的には完成物である有機TFT100の低コスト化につながる。
ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dの構成材料として、第1の実施の形態とは違う付着力をもつ金属を選択することが可能となる。例えば、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dを金(Au)により構成した場合、一般的に金(Au)は下地との付着力が弱く、部分的に剥がれてソース電極60Sおよびドレイン電極60Dなどの配線に断線が生じる可能性がある。そこで、例えば、ソース電極60Sおよびドレイン電極60Dを積層構造とし、その積層構造の下層にチタン(Ti)やクロム(Cr)等の付着力の強い材料を導入すれば、金よりなる上面層50により良好なオーミック接触を確保しつつ、ソース電極60Sおよびドレイン電極60D等の配線を剥がれにくくすることが可能となる。
以下、本開示の第3の実施の形態について説明する。本実施の形態の有機TFT100は、上面層50を金属酸化物により構成したことを除いては、上記第2の実施の形態において図7を参照して説明した有機TFT100と同一の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
以下、本開示の第4の実施の形態について説明する。本実施の形態の有機TFT100は、上面層50を導電性高分子により構成したことを除いては、上記第2の実施の形態において図7を参照して説明した有機TFT100と同一の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図9は、上述の有機TFT100を備えた表示装置の概略構成を模式的に表したものであり、図9(B)は平面構成(上面構成)を、図9(A)は、図9(B)におけるIXA−IXA線に沿った矢視断面構成を、それぞれ表している。この表示装置1は、基板111、TFT層112、表示層113および透明基板114をこの順に積層したものである。具体的には、基板111における表示領域110A上には、TFT層112、表示層113および透明基板114が積層される一方、基板111における額縁領域(非表示領域)110B上には、これらのTFT層112、表示層113および透明基板114は積層されていない。
続いて、図10〜図15を参照して、表示装置1の適用例について説明する。表示装置1は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置1は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
図10(A)および図10(B)はそれぞれ、表示装置1が適用される電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部210および非表示部220を有しており、この表示部210が表示装置1により構成されている。
図11は、表示装置1が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300が表示装置1により構成されている。
図12は、表示装置1が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、この表示部420が表示装置1により構成されている。
図13は、表示装置1が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、この表示部530が表示装置1により構成されている。
図14は、表示装置1が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有している。そして、この表示部640が表示装置1により構成されている。
図15は、表示装置1が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そして、これらのうちのディスプレイ740またはサブディスプレイ750が、表示装置1により構成されている。
(1)
有機半導体層と、前記有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、
前記層の外形線は、前記有機半導体層の外形線よりも内側にある
半導体素子。
(2)
前記層は、金属により構成されている
前記(1)記載の半導体素子。
(3)
前記層が設けられた前記有機半導体層の上面および側面に配線層が設けられており、
前記層は、前記有機半導体層と前記配線層とのコンタクト層である
前記(2)記載の半導体素子。
(4)
前記配線層は、前記層と同一の材料により構成されている
前記(3)記載の半導体素子。
(5)
前記配線層は、前記層と異なる材料により構成されている
前記(3)記載の半導体素子。
(6)
前記層は、金属酸化物により構成されている
前記(1)記載の半導体素子。
(7)
前記層は、導電性高分子により構成されている
前記(1)記載の半導体素子。
(8)
半導体素子を備えた電子機器であって、
前記半導体素子は、
有機半導体層と、前記有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、
前記層の外形線は、前記有機半導体層の外形線よりも内側にある
電子機器。
Claims (8)
- 有機半導体層と、前記有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、
前記層の外形線は、前記有機半導体層の外形線よりも内側にある
半導体素子。 - 前記層は、金属により構成されている
請求項1記載の半導体素子。 - 前記層が設けられた前記有機半導体層の上面および側面に配線層が設けられており、
前記層は、前記有機半導体層と前記配線層とのコンタクト層である
請求項2記載の半導体素子。 - 前記配線層は、前記層と同一の材料により構成されている
請求項3記載の半導体素子。 - 前記配線層は、前記層と異なる材料により構成されている
請求項3記載の半導体素子。 - 前記層は、金属酸化物により構成されている
請求項1記載の半導体素子。 - 前記層は、導電性高分子により構成されている
請求項1記載の半導体素子。 - 半導体素子を備えた電子機器であって、
前記半導体素子は、
有機半導体層と、前記有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、
前記層の外形線は、前記有機半導体層の外形線よりも内側にある
電子機器。
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