JP2012238640A5 - - Google Patents
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以下開示の一観点によれば、中央部に光半導体素子を実装するための実装領域を有し、前記光半導体素子を接続するための素子用電極と、前記素子用電極に接続された外部接続電極とを備えたセラミックス配線基板部と、前記セラミックス配線基板部の上に設けられ、中央部に前記素子用電極及び前記実装領域を露出させる開口部を備え、かつ開口部の外周部に、上方に突出するリング状突出部が設けられた金属シールリングとを有し、前記金属シールリングの外形は、前記セラミックス配線基板部の外形より大きい光半導体素子用パッケージが提供される。
実施形態に係るセラミックス配線基板部５では、最上の第３セラミックス配線基板部１４の中央部に厚み方向に貫通するキャビティＣ（凹部）が設けられている。キャビティＣ（凹部）は、中央部に設けられて面発光レーザが配置される第１キャビティＣ１と、第１キャビティＣ１の一端に連通して形成されて受光素子が配置される第２キャビティＣ２とを有する。
上側グランドプレーン２２と下側グランドプレーン２３との間にアルミナセラミックス（誘電体）を介して配線層（不図示）が配置されて、ストリップラインが形成されている。このようにして、発光素子が接続される第１、第２素子用電極２０ａ，２０ｂから配線層（不図示）を介して第１、第２外部接続電極３０ａ，３０ｂまでの伝送経路の特性インピーダンスは５０Ωに設定される。これにより、高速信号を伝達させる経路として機能させることができる。
なお、第３、第４素子用電極２０ｃ，２０ｄから配線層（不図示）を介して第３、第４外部接続電極３０ｃ，３０ｄまでの伝送経路は、発光素子の光モニタ用の受光素子に接続されるので、必ずしも厳密に特性インピーダンスを考慮する必要はない。
実施形態の光半導体装置１では、前述したようにセラミックス配線基板部５を採用することにより、面発光レーザ５０と第１、第２素子用電極２０ａ，２０ｂとの距離を予備的事項のステム１００を使用する場合より短くすることができる。
Claims (10)
- 中央部に光半導体素子を実装するための実装領域を有し、前記光半導体素子を接続するための素子用電極と、前記素子用電極に接続された外部接続電極とを備えたセラミックス配線基板部と、
前記セラミックス配線基板部の上に設けられ、中央部に前記素子用電極及び前記実装領域を露出させる開口部を備え、かつ開口部の外周部に、上方に突出するリング状突出部が設けられた金属シールリングとを有し、
前記金属シールリングの外形は、前記セラミックス配線基板部の外形より大きいことを特徴とする光半導体素子用パッケージ。 - 前記セラミックス配線基板部の外形は、六角形又は八角形であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子用パッケージ。
- 前記セラミックス配線基板部の側壁の下端から上側に凹部が設けられており、前記外部接続電極は前記凹部の内面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子用パッケージ。
- 前記セラミックス配線基板部の前記実装領域にキャビティが設けられており、前記光半導体素子は前記キャビティの底部にサブマウントを介して実装されること特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体素子用パッケージ。
- 前記素子用電極は、前記セラミックス配線基板部の内部に形成された配線層を介して前記外部接続電極に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体素子用パッケージ。
- 請求項１乃至５のいずれかの光半導体素子用パッケージと、
前記実装領域に実装された前記光半導体素子と、
前記光半導体素子の電極と前記素子用電極とを接続する金属ワイヤと、
前記金属シールリングの上に設けられ、中央部にガラス窓を備えて前記光半導体素子を気密封止する金属キャップとを有することを特徴とする光半導体装置。 - 前記セラミックス配線基板の前記実装領域にキャビティが設けられており、前記光半導体素子は前記キャビティの底部にサブマウントを介して実装され、
前記光半導体素子の電極の高さは前記素子用電極の高さと同一に設定されていることを特徴とする請求項６に記載の光半導体装置。 - 前記金属シールリングの前記開口部及び前記金属キャップは円形であり、前記金属キャップの内径が前記金属シールリングの前記リング状突出部の外径に対応していることを特徴とする請求項６又は７に記載の光半導体装置。
- 前記セラミックス配線基板部の側壁の下端から上側に凹部が設けられており、前記外部接続電極は前記凹部の内面に設けられており、
前記光半導体装置が実装基板に実装される際に、前記外部接続電極の側方に導電性接合材が設けられて前記実装基板に電気的に接続されることを特徴とする請求項６又は７に記載の光半導体装置。 - 前記光半導体素子は、面発光レーザ及び該面発光レーザから出射される光をモニタする受光素子、あるいは外部から入射される光を受ける受光素子であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の光半導体装置。
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