JP2015225974A - Canパッケージ半導体レーザ用治具 - Google Patents

Canパッケージ半導体レーザ用治具 Download PDF

Info

Publication number
JP2015225974A
JP2015225974A JP2014110543A JP2014110543A JP2015225974A JP 2015225974 A JP2015225974 A JP 2015225974A JP 2014110543 A JP2014110543 A JP 2014110543A JP 2014110543 A JP2014110543 A JP 2014110543A JP 2015225974 A JP2015225974 A JP 2015225974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
pedestal
package semiconductor
jig
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014110543A
Other languages
English (en)
Inventor
田村 健一
Kenichi Tamura
健一 田村
須永 義則
Yoshinori Sunaga
義則 須永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP2014110543A priority Critical patent/JP2015225974A/ja
Priority to US14/469,034 priority patent/US9401581B2/en
Publication of JP2015225974A publication Critical patent/JP2015225974A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232Lead-frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/0014Measuring characteristics or properties thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】外形や寸法の異なるCANパッケージ半導体レーザを同一の装置や機器で取り扱い可能とする。
【解決手段】台座に搭載された半導体レーザと、前記台座の一面に被せられ、前記半導体レーザを覆うキャップと、前記半導体レーザと電気的に導通し、前記台座の他面から突出するリードピンと、を備えるCANパッケージ半導体レーザを取り扱うための治具1であって、前記台座が嵌合する凹部20が設けられたベース部10と、凹部底面20bに設けられ、前記リードピンと接触する端子パッド23と、端子パッド23と電気的に導通し、ベース部10から突出する端子ピン11と、を有する。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関するものであり、特に、半導体レーザ装置を取り扱うための治具に関する。
半導体レーザ装置の1つにCANタイプの半導体レーザ装置がある。CANタイプの半導体レーザ装置は、台座と、台座に搭載された半導体レーザと、半導体レーザを覆う金属製のキャップと、半導体レーザと電気的に導通する複数本のリードピンと、を有する。換言すれば、台座及びキャップからなる金属容器内に半導体レーザが収容されている。以下の説明では、上記のようなCANタイプの半導体レーザ装置を「CANパッケージ半導体レーザ」と呼ぶ。
CANパッケージ半導体レーザは、例えば光通信モジュールの光源として用いられる(特許文献1)。そのため、伝送特性を向上させるために小型化が求められている。具体的には、信号伝送距離をなるべく短くして伝送損失を低減させるべく、リードピンやボンディングワイヤ等を短くすることが求められている。例えば、現在普及している「TO−56CAN」と呼ばれるCANパッケージ半導体レーザは、直径が約5.6mm、高さが3〜4mmである。しかし、上記要求に応じて、TO−56CANやその他のCANパッケージ半導体レーザよりも小型のCANパッケージ半導体レーザが開発され、実用化されることが予想される。
特開2008−85259号公報
上記のように、CANパッケージ半導体レーザの小型化が予想される。一方、CANパッケージ半導体レーザの製造工程の多くは自動化されており、製造装置によって大量のCANパッケージ半導体レーザが製造される。また、CANパッケージ半導体レーザについては、その出荷前や実装前にスクリーング試験その他の試験が行われるが、かかる試験は検査装置を用いて行われる。特に、CANパッケージ半導体レーザについては、全ての製品に対してバーンイン試験が行われるのが通常である。さらに、CANパッケージ半導体レーザは、搬送装置によって製造装置から取り出されたり、検査装置にセットされたりする。
現在使用されているCANパッケージ半導体レーザの製造装置、検査装置及び搬送装置は、現在のCANパッケージ半導体レーザの外形や寸法に応じて設計されている。したがって、CANパッケージ半導体レーザが小型化されたり、外形が変更されたりすると、現在使用されている各種装置が使用できなくなってしまう。一方、CANパッケージ半導体レーザの小型化や外形の変更に応じて製造装置等を一新するには多くのコストがかかる。また、CANパッケージ半導体レーザは今後さらに小型化されることが予想され、CANパッケージ半導体レーザの小型化が実現される度に製造装置等を一新するにはさらに多くのコストがかかる。ここでは、製造装置、検査装置及び搬送装置について言及したが、CANパッケージ半導体レーザを扱う他の装置や機器においても同様の課題がある。
本発明の目的は、外形や寸法の異なるCANパッケージ半導体レーザを同一の装置や機器で取り扱い可能とすることである。
本発明のCANパッケージ半導体レーザ用治具は、台座に搭載された半導体レーザと、前記台座の一面に被せられ、前記半導体レーザを覆うキャップと、前記半導体レーザと電気的に導通し、前記台座の他の一面から突出するリードピンと、を備えるCANパッケージ半導体レーザを取り扱うための治具である。この治具は、前記台座が嵌合する凹部が設けられたベース部と、前記凹部の底面に設けられ、前記リードピンと接触する端子パッドと、前記端子パッドと電気的に導通し、前記ベース部から突出する端子ピンと、を有する。
本発明の一態様では、前記凹部の内側面に設けられ、前記台座と係合する位置決め突起または位置決め溝が設けられる。
本発明の他の態様では、前記ベース部を貫通する貫通孔が設けられ、前記台座が前記凹部に嵌合されると、前記台座によって前記貫通孔の少なくとも一部が覆われる。
本発明によれば、同一の装置や機器で外形や寸法の異なるCANパッケージ半導体レーザを取り扱い可能となる。
(a)はCANパッケージ半導体レーザの一例を示す斜視図であり、(b)は(a)に示されるCANパッケージ半導体レーザの内部構造を示す透視図である。 CANパッケージ半導体レーザ用治具の一例を示す斜視図である。 図2に示されるCANパッケージ半導体レーザ用治具の他の斜視図である。 CANパッケージ半導体レーザがセットされた、図2に示されるCANパッケージ半導体レーザ用治具の斜視図である。 図2に示されるCANパッケージ半導体レーザ用治具とこれにセットされたCANパッケージ半導体レーザとの電気的接続状態を示す模式的断面図である。
本発明のCANパッケージ半導体レーザ用治具は、製造装置,検査装置,搬送装置その他の装置や機器においてCANパッケージ半導体レーザを取り扱う際に使用される治具である。CANパッケージ半導体レーザの構造については既に概説した通りであるが、本発明の理解を容易にすべく、CANパッケージ半導体レーザのさらに詳細な構造について予め説明する。
図1(a)に示されるように、CANパッケージ半導体レーザ50は、金属製の台座51と、台座51の一面に被せられた金属製のキャップ52と、を有する。図示されているように、台座51は円板状であり、キャップ52は円筒状であって、台座51よりも直径が小さい。尚、台座51の直径(d)は2〜3mmであり、台座51の厚みを含むCANパッケージ半導体レーザ50の高さ(h)も2〜3mmである。また、台座51の側面には、断面略三角形の位置決め溝53が形成されている。
キャップ52の天井には、円形の開口部54が設けられており、天井の内側には、開口部54を覆う円板状のカバーガラス55が貼られている。すなわち、キャップ52はガラス窓を備えている。
図1(b)に示されるように、キャップ52が被せられている台座51の一面には、半導体レーザ(半導体レーザチップ)56が搭載されている。具体的には、台座51の一面に断面略扇形のステム57が設けられ、このステム57の側面に半導体レーザ56が取り付けられている。以下の説明では、ステム57が設けられている台座51の一面を“台座上面51a”と呼び、台座上面51aと反対側の他の一面を“台座下面51b”と呼ぶ。また、位置決め溝53が設けられている台座51の他の一面(側面)を“台座外側面51c”と呼ぶ。
CANパッケージ半導体レーザ50には、台座51を貫通する複数本のリードピンが設けられている。図1(b)に示されているリードピン58aはアノード用、リードピン58bはカソード用、リードピン58cはモニタ用である。図示はされていないが、リードピン58a,58b,58cに加えて、グランド用のリードピンも設けられている。
リードピン58a,58b,58cの一端側は、台座上面51aからキャップ52内に突出しており、他端側は台座下面51bから突出している。一方、不図示のグランド用のリードピンの一端側は台座上面51aから突出することなくステム57と電気的に接続され、他端側は台座下面51bから突出している。以下の説明では、図示されているリードピン58a,58b,58c及び不図示のグランド用のリードピンを“リードピン58”と総称する場合がある。すなわち、CANパッケージ半導体レーザ50には、4本のリードピン58が設けられている。各リードピン58と半導体レーザ56とは、必要に応じてボンディングワイヤ等を介して適宜接続される。半導体レーザ56から出射されたレーザ光は、図1(a)に示されるカバーガラス55を通して出力される。
次に、本実施形態に係るCANパッケージ半導体レーザ用治具(以下「治具」と略称する。)について説明する。図2に示されるように、治具1は、円板状のベース部10と、ベース部10から延びる複数本の端子ピン11と、を有する。ベース部10及び端子ピン11の外形及び寸法は、既存のCANパッケージ半導体レーザの外形及び寸法と一致又は略一致している。本実施形態に係る治具1のベース部10及び端子ピン11の外形及び寸法は、TO−56CANの台座及びリードピンの外形及び寸法と一致又は略一致している。
ベース部10の上面10aには、CANパッケージ半導体レーザ50の台座51が嵌合される凹部20が設けられている。凹部20は、台座51よりも若干直径の大きな丸穴であって、その中心はベース部10の中心と一致している。また、凹部20の深さは台座51の厚みと略同一である。以下の説明では、ベース部10の上面10aを“ベース部上面10a”と呼び、ベース部上面10aと反対側の一面を“ベース部下面10b”と呼ぶ。すなわち、凹部20はベース部上面10aには設けられ、端子ピン11はベース部下面10bに設けられている。
図3に示されるように、凹部20の内側面20aには、凹部20の中心へ向かって突出する三角柱形状の位置決め突起21が設けられている。位置決め突起21は、凹部20の底面20bから凹部20の深さ方向に沿って延びており、その上端面はベース部上面10aと面一である。また、凹部20の底面20bには、4つの端子パッド23が設けられている。それぞれの端子パッド23は所定の端子ピン11と電気的に接続されている。以下の説明では、凹部20の内側面20aを“凹部内側面20a”と呼び、凹部20の底面20bを“凹部底面20b”と呼ぶ。
凹部底面20bには、ベース部10を貫通する貫通孔24が形成されており、凹部内側面20aには、貫通孔24と連通する半円弧状の切り欠き部25が形成されている。切り欠き部25は、凹部底面20bから凹部20の深さ方向に沿って延びており、一端は貫通孔24に連通し、他端はベース部上面10aに開口している。切り欠き部25は、位置決め突起21と略180度異なる位置に形成され、位置決め突起21と平行に延びている。
図2に示されるように、CANパッケージ半導体レーザ50は、治具1の上方から治具1にセットされる。具体的には、CANパッケージ半導体レーザ50の台座51は、ベース部10の上方から凹部20に嵌合される。上記の通り、凹部20の直径は台座51の直径と略同一であり、凹部20の深さは台座51の厚みと略同一である。よって、図4に示されるように、CANパッケージ半導体レーザ50が治具1にセットされると、凹部内側面20a(図2)と台座外側面51c(図2)とは、略隙間なく対向する。また、ベース部上面10aと台座上面51aとは略面一となる。
図2に示されるように、CANパッケージ半導体レーザ50が治具1にセットされる際には、凹部内側面20aに設けられている位置決め突起21が台座外側面51cに設けられている位置決め溝53に挿入され、位置決め溝53と係合する。位置決め突起21と位置決め溝53との係合によって、治具1に対してCANパッケージ半導体レーザ50が位置決めされ、所定のリードピン58が所定の端子パッド23(図3)に接触する。具体的には、図5に示されるように、CANパッケージ半導体レーザ50が治具1にセットされると、所定のリードピン58の下端面が所定の端子パッド23の上面に重なる。この結果、治具1の所定の端子ピン11とCANパッケージ半導体レーザ50の所定のリードピン58とが端子パッド23を介して電気的に導通する。ここで、CANパッケージ半導体レーザ50のリードピン58は、信号伝送距離を短くすべく、従来のCANパッケージ半導体レーザが備えるリードピンに比べて短くなっている。しかし、リードピン58の下端は台座下面51bから僅かに突出している。すなわち、リードピン58の下端面は台座下面51bと面一ではない。したがって、リードピン58の下端面が端子パッド23の上面に重なると、凹部底面20bと台座下面51bとの間には、リードピン58の突出長に応じた隙間が生じる。
尚、図5では、端子パッド23の下面から端子ピン11が延びているが、端子パッド23とは別のパッドから端子ピン11が延びている実施形態もある。例えば、ベース部10に設けられたスルーホールやビアプラグ等を介して端子パッド23と接続されたパッドをベース部下面10bに形成し、このパッドから端子ピン11を延ばしてもよい。
尚、図4に示されるように、位置決め突起21及び位置決め溝53は、治具1にセットされたCANパッケージ半導体レーザ50の回転を防止し、CANパッケージ半導体レーザ50の位置を固定する役割も果たす。
図5に示されるように、CANパッケージ半導体レーザ50が治具1にセットされると、CANパッケージ半導体レーザ50の台座下面51bによって貫通孔24の少なくとも一部が覆われる。本実施形態では、貫通孔24の略半分が台座下面51bによって覆われる。換言すれば、台座下面51bの一部が貫通孔24内に露出する。よって、ベース部10の下方から貫通孔24の内側に棒状の押出し具30を挿入して台座51を凹部20から押し上げ、CANパッケージ半導体レーザ50を治具1から取り出すことができる。もっとも、ベース部上面10aから突出しているCANパッケージ半導体レーザ50のキャップ52を摘んで、CANパッケージ半導体レーザ50を治具1から取り出すこともできる。しかし、キャップ52を摘むと、カバーガラス55に応力が発生し、カバーガラス55が損傷する虞がある。よって、カバーガラス55の損傷を確実に回避するためには、押出し具30によってCANパッケージ半導体レーザ50を押し上げる方法が好ましい。尚、貫通孔24に圧縮空気を供給してCANパッケージ半導体レーザ50を押し上げることも可能であり、かかる方法によってもカバーガラス55の損傷を回避しつつ、CANパッケージ半導体レーザ50を治具1から取り出すことができる。
以上のように、本実施形態に係る治具1にCANパッケージ半導体レーザ50をセットすると、全体の外形及び寸法が既存のCANパッケージ半導体レーザ(本実施形態ではTO−56CAN)の外形及び寸法と同一又は略同一となる。したがって、TO−56CANの外形及び寸法に合わせて設計され、使用されている既存の製造装置,検査装置,搬送装置その他の装置や機器をそのまま継続して使用することができる。もっとも、治具1のベース部10や端子ピン11の外形及び寸法は、TO−56CANの台座やリードピンの外形及び寸法に限定されるものではなく、任意に決定することができる。すなわち、治具1によれば、CANパッケージ半導体レーザの外形や寸法を任意に変換することができる。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、アノード用リードピン又はカソード用リードピンがグランド用リードピンを兼ねているCANパッケージ半導体レーザもある。また、モニタ用リードピンが設けられていないCANパッケージ半導体レーザもある。そこで、取り扱い対象であるCANパッケージ半導体レーザが備えるリードピンの本数に応じて端子ピンの数を適宜増減させることができる。一方、予想される最大数の端子ピンを予め設けておくこともできる。例えば、上記実施形態に係る治具1は4本の端子ピン11を備えている。よって、取り扱い対象であるCANパッケージ半導体レーザが備えるリードピンが3本以下である場合には、4本の端子ピン11のうちの何本かは、CANパッケージ半導体レーザと接続されないダミーピンとなる。
上記実施形態では、治具1に位置決め突起21が設けられ、CANパッケージ半導体レーザ50に位置決め溝53が設けられていた。しかし、治具1に位置決め溝を設け、CANパッケージ半導体レーザ50に位置決め突起を設けてもよい。また、治具1及びCANパッケージ半導体レーザ50に、位置決め突起及び位置決め溝の双方を設けてもよい。
図5に示される押出し具30の形状は一例である。押出し具30は、貫通孔24に挿入可能であって、CANパッケージ半導体レーザ50を凹部20から押出可能であればよく、その形状は特定の形状に限定されない。
1 CANパッケージ半導体レーザ用治具(治具)
10 ベース部
10a ベース部上面
10b ベース部下面
11 端子ピン
20 凹部
20a 凹部内側面
20b 凹部底面
21 位置決め突起
23 端子パッド
24 貫通孔
25 切り欠き部
30 押出し具
50 CANパッケージ半導体レーザ
51 台座
51a 台座上面
51b 台座下面
51c 台座外側面
52 キャップ
53 位置決め溝
54 開口部
55 カバーガラス
56 半導体レーザ
57 ステム
58 リードピン

Claims (3)

  1. 台座に搭載された半導体レーザと、前記台座の一面に被せられ、前記半導体レーザを覆うキャップと、前記半導体レーザと電気的に導通し、前記台座の他の一面から突出するリードピンと、を備えるCANパッケージ半導体レーザを取り扱うための治具であって、
    前記台座が嵌合する凹部が設けられたベース部と、
    前記凹部の底面に設けられ、前記リードピンと接触する端子パッドと、
    前記端子パッドと電気的に導通し、前記ベース部から突出する端子ピンと、を有する、
    CANパッケージ半導体レーザ用治具。
  2. 請求項1に記載のCANパッケージ半導体レーザ用治具であって、
    前記凹部の内側面に設けられ、前記台座と係合する位置決め突起または位置決め溝を有する、
    CANパッケージ半導体レーザ用治具。
  3. 請求項1又は2に記載のCANパッケージ半導体レーザ用治具であって、
    前記ベース部を貫通する貫通孔を有し、
    前記台座が前記凹部に嵌合されると、前記台座によって前記貫通孔の少なくとも一部が覆われる、
    CANパッケージ半導体レーザ用治具。
JP2014110543A 2014-05-28 2014-05-28 Canパッケージ半導体レーザ用治具 Pending JP2015225974A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014110543A JP2015225974A (ja) 2014-05-28 2014-05-28 Canパッケージ半導体レーザ用治具
US14/469,034 US9401581B2 (en) 2014-05-28 2014-08-26 Jig for CAN-package semiconductor laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014110543A JP2015225974A (ja) 2014-05-28 2014-05-28 Canパッケージ半導体レーザ用治具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015225974A true JP2015225974A (ja) 2015-12-14

Family

ID=54702874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014110543A Pending JP2015225974A (ja) 2014-05-28 2014-05-28 Canパッケージ半導体レーザ用治具

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9401581B2 (ja)
JP (1) JP2015225974A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017017864A1 (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 三菱電機株式会社 レーザ光源装置
CN110676687A (zh) * 2018-07-02 2020-01-10 潍坊华光光电子有限公司 一种半导体激光器管帽焊接用装帽装置及装帽方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6841733B2 (en) * 2002-02-14 2005-01-11 Finisar Corporation Laser monitoring and control in a transmitter optical subassembly having a ceramic feedthrough header assembly
US6700138B2 (en) * 2002-02-25 2004-03-02 Silicon Bandwidth, Inc. Modular semiconductor die package and method of manufacturing thereof
US7939368B2 (en) * 2006-03-07 2011-05-10 Stats Chippac Ltd. Wafer level chip scale package system with a thermal dissipation structure
JP2008085259A (ja) 2006-09-29 2008-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd 光双方向通信モジュール
US7972068B2 (en) * 2009-07-20 2011-07-05 Finisar Corporation Header assembly for communications module
JP5756675B2 (ja) * 2011-05-10 2015-07-29 新光電気工業株式会社 光半導体素子用パッケージ及び光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9401581B2 (en) 2016-07-26
US20150349489A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9831632B2 (en) Laser component and method of producing it
KR102434896B1 (ko) 전지들의 직렬 연결을 위한 전지 커넥터 및 이를 포함하는 전지팩
KR102520051B1 (ko) 테스트 소켓 및 반도체 패키지 테스트 방법
KR20110101986A (ko) 반도체 테스트 소켓
KR20130122869A (ko) 검사용 탐침장치 및 검사용 탐침장치의 제조방법
KR101782600B1 (ko) 반도체 패키지 테스트 장치
CN110137139A (zh) 半导体器件封装壳体及激光器系统
KR20170019836A (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
KR101641276B1 (ko) 반도체 패키지 검사용 소켓 및 그 제조 방법
JP2015225974A (ja) Canパッケージ半導体レーザ用治具
KR20110076855A (ko) 반도체 검사용 소켓
KR101627172B1 (ko) 하나의 절연성 몸체로 구성되는 소켓
KR102187265B1 (ko) 반도체 칩 테스트 소켓
KR101350606B1 (ko) 인서트 조립체
KR20170000572A (ko) 전자 디바이스 테스트용 탐침 장치
KR102287237B1 (ko) 반도체 패키지를 수납하기 위한 인서트 조립체 및 이를 포함하는 테스트 트레이
JP2008235434A (ja) 半導体パッケージ
KR101421048B1 (ko) 능동소자 칩이 탑재된 반도체 검사 장치
KR101901893B1 (ko) 엘이디 패키지용 수직형 프로브 카드
US10274535B2 (en) Electric component socket
KR101366670B1 (ko) 인터포저조립체와 이를 포함한 프로브 카드
WO2020189664A1 (ja) ソケット及び検査用ソケット
JP2006092999A (ja) 同軸コネクタ及びそれに用いるキャップ
KR20160044737A (ko) 전자 부품을 수납하기 위한 인서트 조립체
KR101008562B1 (ko) 동축접촉시스템