JP2012227293A - Solder resist, solder resist raw material, led substrate, light-emitting module, apparatus with light-emitting module, manufacturing method for led substrate, manufacturing method for light-emitting module, and manufacturing method for apparatus with light-emitting module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a solder resist that is suitable for LED elements excellent in electric insulation and having no degradation against light; an LED substrate using the solder resist; a light-emitting module using the LED substrate; an apparatus with the light-emitting module; a solder resist raw material for forming the solder resist; a manufacturing method for the LED substrate; a manufacturing method for light-emitting module; and a manufacturing method for the apparatus with light-emitting module.SOLUTION: A solder resist comprises titanium oxide particles each having an average particle diameter of 0.1-10 μm and silicone resin.

Description

本発明は、ソルダーレジスト、ソルダーレジスト原料、ＬＥＤ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ＬＥＤ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法に関する。   The present invention relates to a solder resist, a solder resist raw material, an LED substrate, a light emitting module, a device having a light emitting module, a method for manufacturing an LED substrate, a method for manufacturing a light emitting module, and a method for manufacturing a device having a light emitting module.

ＬＥＤ(発光ダイオード)ライト、又はＬＥＤ照明等に使われる発光素子を実装するための様々のＬＥＤ基板が開発されている。特許文献１には、基材と、基材上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された回路と、回路上に形成されたニッケル層又はアルミニウム層と、絶縁層上及び回路上に形成されたソルダーレジスト層（ソルダーレジスト）と、を有するＬＥＤ基板が開示されている。特許文献1に記載のＬＥＤ基板は、ソルダーレジスト層は、酸化亜鉛又はルチル型酸化チタンを含有するエポキシ樹脂又はアクリル樹脂からなる。   Various LED substrates have been developed for mounting LED (light emitting diode) lights or light emitting elements used for LED lighting and the like. Patent Document 1 discloses a base material, an insulating layer formed on the base material, a circuit formed on the insulating layer, a nickel layer or an aluminum layer formed on the circuit, an insulating layer, and a circuit. An LED substrate having a solder resist layer (solder resist) formed thereon is disclosed. In the LED substrate described in Patent Document 1, the solder resist layer is made of an epoxy resin or an acrylic resin containing zinc oxide or rutile type titanium oxide.

特開２００９−１３０２３４号公報JP 2009-130234 A

しかしながら、特許文献１に記載されている従来のソルダーレジストとしては、青色単色光又は青色単色光を含む光と酸化チタンの触媒作用によって、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂が黄色あるいは褐色に変色する課題が知見される。   However, as the conventional solder resist described in Patent Document 1, there is a problem that the epoxy resin or acrylic resin turns yellow or brown due to the catalytic action of titanium oxide with light containing blue monochromatic light or blue monochromatic light. Is done.

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、ソルダーレジストとして必要な電気絶縁性を備え、光に対して劣化がなく、ＬＥＤ素子に好適なソルダーレジスト、そうしたソルダーレジストを用いたＬＥＤ基板、そのＬＥＤ基板を用いた発光モジュール、及びこうした発光モジュールを有する機器を提供することを目的とする。また、そうしたソルダーレジストを形成するためのソルダーレジスト原料、そうしたＬＥＤ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法を提供することを他の目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and has a necessary electrical insulation as a solder resist, has no deterioration with respect to light, and is suitable for LED elements, and an LED substrate using such a solder resist An object of the present invention is to provide a light emitting module using the LED substrate and a device having such a light emitting module. Another object of the present invention is to provide a solder resist raw material for forming such a solder resist, a method for manufacturing such an LED substrate, a method for manufacturing a light emitting module, and a method for manufacturing a device having a light emitting module.

本発明に係るソルダーレジストは、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成される。   The solder resist according to the present invention is composed of titanium oxide particles having an average particle diameter of 0.1 to 10 μm and a silicone resin.

前記酸化チタン粒子の含有量は、５０〜８０重量％の範囲にある、ことが好ましい。   The content of the titanium oxide particles is preferably in the range of 50 to 80% by weight.

前記酸化チタン粒子は、アナターゼ型の酸化チタン粒子である、ことが好ましい。   The titanium oxide particles are preferably anatase type titanium oxide particles.

前記ソルダーレジストは、波長５００ｎｍ以下の単色光もしくは５００ｎｍ以下の単色光を含む光を反射する、ことが好ましい。   The solder resist preferably reflects monochromatic light having a wavelength of 500 nm or less or light containing monochromatic light having a wavelength of 500 nm or less.

前記ソルダーレジストは、気孔を有する、ことが好ましい。   The solder resist preferably has pores.

本発明に係るソルダーレジスト原料は、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂前駆体組成物から構成される。   The solder resist raw material according to the present invention is composed of titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm and a silicone resin precursor composition.

前記酸化チタン粒子の含有量は、５０〜８０重量％の範囲にある、ことが好ましい。   The content of the titanium oxide particles is preferably in the range of 50 to 80% by weight.

前記酸化チタン粒子は、アナターゼ型の酸化チタン粒子である、ことが好ましい。   The titanium oxide particles are preferably anatase type titanium oxide particles.

本発明に係るＬＥＤ基板は、基板上に発光素子を実装するための導体層が形成されてなり、当該基板上にソルダーレジスト層が設けられてなり、前記ソルダーレジスト層は、前記本発明に係るソルダーレジストであり、前記ソルダーレジスト層には、前記導体層を露出させるための開口が形成されてなる。   The LED substrate according to the present invention includes a conductive layer for mounting a light emitting element on the substrate, and a solder resist layer is provided on the substrate. The solder resist layer is related to the present invention. An opening for exposing the conductor layer is formed in the solder resist layer.

前記基板は、無機材料からなる補強材を含有する樹脂基板である、ことが好ましい。   The substrate is preferably a resin substrate containing a reinforcing material made of an inorganic material.

前記無機材料は、ガラス繊維である、ことが好ましい。   The inorganic material is preferably glass fiber.

前記樹脂基板は、エポキシ樹脂からなる、ことが好ましい。   The resin substrate is preferably made of an epoxy resin.

前記樹脂基板は、前記樹脂基板を貫通する孔を有し、前記樹脂基板を貫通する孔に導体が充填されてなるフィルド導体を有する、ことが好ましい。   It is preferable that the resin substrate has a hole that penetrates the resin substrate, and a filled conductor in which a conductor is filled in the hole that penetrates the resin substrate.

前記フィルド導体は、銅からなる、ことが好ましい。   The filled conductor is preferably made of copper.

本発明に係る発光モジュールは、ＬＥＤ基板上に発光素子が実装された発光モジュールであって、前記ＬＥＤ基板は、前記本発明に係るＬＥＤ基板である。   The light emitting module according to the present invention is a light emitting module in which a light emitting element is mounted on an LED substrate, and the LED substrate is the LED substrate according to the present invention.

本発明に係る発光モジュールを有する機器において、前記発光モジュールは前記本発明に係る発光モジュールである。   In the apparatus having the light emitting module according to the present invention, the light emitting module is the light emitting module according to the present invention.

本発明に係るＬＥＤ基板の製造方法は、基板上に発光素子を実装するための導体層を形成する工程と、当該基板上に、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成されるソルダーレジスト層を設ける工程と、を含む。   The method for producing an LED substrate according to the present invention includes a step of forming a conductor layer for mounting a light emitting element on a substrate, and a titanium oxide particle having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm on the substrate. And a step of providing a solder resist layer made of a silicone resin.

さらに、前記ソルダーレジスト層に前記導体層を露出させるための開口を形成する工程を含み、前記導体層を形成する工程、前記ソルダーレジスト層を設ける工程、前記開口を形成する工程の順で行われる、ことが好ましい。   Furthermore, it includes a step of forming an opening for exposing the conductor layer in the solder resist layer, and is performed in the order of the step of forming the conductor layer, the step of providing the solder resist layer, and the step of forming the opening. Is preferable.

さらに、前記ソルダーレジスト層に前記導体層を露出させるための開口を形成する工程を含み、前記導体層を形成する工程、前記開口を形成する工程、前記ソルダーレジスト層を設ける工程の順で行われる、ことが好ましい。   Furthermore, it includes a step of forming an opening for exposing the conductor layer in the solder resist layer, and is performed in the order of the step of forming the conductor layer, the step of forming the opening, and the step of providing the solder resist layer. It is preferable.

前記基板は、無機材料からなる補強材を含有する樹脂基板である、ことが好ましい。   The substrate is preferably a resin substrate containing a reinforcing material made of an inorganic material.

前記無機材料は、ガラス繊維である、ことが好ましい。   The inorganic material is preferably glass fiber.

前記樹脂基板は、エポキシ樹脂からなる、ことが好ましい。   The resin substrate is preferably made of an epoxy resin.

前記樹脂基板を貫通する孔を形成する工程と、前記樹脂基板を貫通する孔に導体が充填されてなるフィルド導体を形成する工程と、をさらに含む、ことが好ましい。   Preferably, the method further includes a step of forming a hole penetrating the resin substrate, and a step of forming a filled conductor in which a hole penetrating the resin substrate is filled with a conductor.

前記フィルド導体は、銅からなる、ことが好ましい。   The filled conductor is preferably made of copper.

本発明に係る発光モジュールの製造方法は、ＬＥＤ基板に発光素子を実装する発光モジュールの製造方法であって、前記ＬＥＤ基板は、前記本発明に係るＬＥＤ基板の製造方法により製造されたＬＥＤ基板である。   A method for manufacturing a light emitting module according to the present invention is a method for manufacturing a light emitting module in which a light emitting element is mounted on an LED substrate, and the LED substrate is an LED substrate manufactured by the method for manufacturing an LED substrate according to the present invention. is there.

本発明に係る発光モジュールを有する機器の製造方法において、前記発光モジュールは、前記本発明に係る発光モジュールの製造方法により製造された発光モジュールである。   In the method for manufacturing a device having a light emitting module according to the present invention, the light emitting module is a light emitting module manufactured by the method for manufacturing a light emitting module according to the present invention.

本発明によれば、ソルダーレジストが酸化チタンを含有しているので、青色、紫外光に対して高い反射率を有している。また、ソルダーレジストがシリコーン樹脂を含有しているので、酸化チタンの光触媒作用を受けても、青色、紫外光に対して劣化することがない。さらに、シリコーン樹脂は、酸化チタンと親和性が低いので、酸化チタンを混合すると、内部に気孔が形成されやすくなり、内部で光を乱反射させ易くでき、ソルダーレジストの反射率を高くすることができる。ソルダーレジストに含まれる酸化チタンの平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にあるので、気孔が分散し連続気孔を形成しにくく、電気絶縁性を低下しにくいソルダーレジストを提供することができる。またそうしたソルダーレジストを用いたＬＥＤ基板、そのＬＥＤ基板を用いた発光モジュール、その発光モジュールを有する機器を提供することができる、また本発明によれば、そうしたソルダーレジストを形成するためのソルダーレジスト原料、そうしたＬＥＤ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、又はその発光モジュールを有する機器の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, since the solder resist contains titanium oxide, it has a high reflectance with respect to blue and ultraviolet light. Further, since the solder resist contains a silicone resin, it does not deteriorate with respect to blue and ultraviolet light even if it receives the photocatalytic action of titanium oxide. Furthermore, since the silicone resin has a low affinity with titanium oxide, when titanium oxide is mixed, pores are easily formed inside, and light can be diffusely reflected inside, and the reflectance of the solder resist can be increased. . Since the average particle diameter of the titanium oxide contained in the solder resist is in the range of 0.1 to 10 μm, it is possible to provide a solder resist in which the pores are dispersed and it is difficult to form continuous pores, and the electrical insulation property is hardly lowered. Also, an LED substrate using such a solder resist, a light emitting module using the LED substrate, and a device having the light emitting module can be provided. According to the present invention, a solder resist raw material for forming such a solder resist is provided. Further, it is possible to provide a method for manufacturing such an LED substrate, a method for manufacturing a light emitting module, or a method for manufacturing a device having the light emitting module.

本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the LED board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光モジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light emitting module which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板におけるフィルド導体の配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the filled conductor in the LED substrate which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る発光モジュールの動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the light emitting module which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板における異なる材料からなる各ソルダーレジストについて、所定の波長範囲における光の反射率を示すグラフである。It is a graph which shows the reflectance of the light in a predetermined wavelength range about each solder resist which consists of a different material in the LED substrate which concerns on embodiment of this invention. 実施例１、比較例１に係る各試料の内容を示す図表である。4 is a chart showing the contents of each sample according to Example 1 and Comparative Example 1. 本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板におけるアナターゼ型の二酸化チタンからなるソルダーレジストと、ルチル型の二酸化チタンからなるソルダーレジストとについて、所定の波長範囲における光の反射率を示すグラフである。It is a graph which shows the reflectance of the light in a predetermined wavelength range about the soldering resist which consists of anatase type titanium dioxide in the LED substrate which concerns on embodiment of this invention, and the soldering resist which consists of rutile type titanium dioxide. 実施例２−１、２−２に係る各試料の内容を示す図表である。It is a graph which shows the content of each sample which concerns on Examples 2-1 and 2-2. 本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板における異なる材料からなる各ソルダーレジスト層についての所定の波長を有する光の反射率の経時変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time-dependent change of the reflectance of the light which has a predetermined wavelength about each soldering resist layer which consists of a different material in the LED substrate which concerns on embodiment of this invention. 実施例３−１、３−２、比較例３に係る各試料の内容を示す図表である。It is a graph which shows the content of each sample which concerns on Example 3-1, 3-2, and the comparative example 3. FIG. 本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the LED board which concerns on embodiment of this invention. 図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおける絶縁基板を準備する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of preparing the insulated substrate in the flowchart which shows the manufacturing method shown in FIG. （ａ）は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおける絶縁基板にスルーホールを形成する工程を説明するための図である。（ｂ）は、図１１に示す製造方法における絶縁基板に非貫通孔を形成する変形例の工程を説明するための図である。(A) is a figure for demonstrating the process of forming a through hole in the insulated substrate in the flowchart which shows the manufacturing method shown in FIG. (B) is a figure for demonstrating the process of the modification which forms a non-through-hole in the insulated substrate in the manufacturing method shown in FIG. 図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおけるめっき工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the plating process in the flowchart which shows the manufacturing method shown in FIG. 図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおけるエッチングレジストを形成する工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of forming the etching resist in the flowchart which shows the manufacturing method shown in FIG. 図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおける導体層をエッチングする工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the process of etching the conductor layer in the flowchart which shows the manufacturing method shown in FIG. 図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおけるソルダーレジスト層を形成する第１の工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st process of forming the soldering resist layer in the flowchart which shows the manufacturing method shown in FIG. 図１７の第１の工程の後の第２の工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd process after the 1st process of FIG. 本発明の他の実施形態において、導体層よりも厚いソルダーレジスト層を有するＬＥＤ基板を示す断面図である。In other embodiment of this invention, it is sectional drawing which shows the LED board which has a soldering resist layer thicker than a conductor layer. 本発明の実施形態に係る発光モジュールにおいて、異なる態様で発光素子が実装された別例を示す図である。In the light emitting module which concerns on embodiment of this invention, it is a figure which shows the other example by which the light emitting element was mounted in the different aspect. 本発明の他の実施形態に係る配線パターン層を形成する第１の工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st process of forming the wiring pattern layer which concerns on other embodiment of this invention. 図２１Ａの第１の工程の後の第２の工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd process after the 1st process of FIG. 21A. 図２１Ｂの第２の工程の後の第３の工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 3rd process after the 2nd process of FIG. 21B. 本発明の実施形態のソルダーレジストの一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the soldering resist of embodiment of this invention.

本発明に係るソルダーレジストは、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成される。   The solder resist according to the present invention is composed of titanium oxide particles having an average particle diameter of 0.1 to 10 μm and a silicone resin.

本発明に係るソルダーレジスト原料は、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂前駆体組成物から構成される。   The solder resist raw material according to the present invention is composed of titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm and a silicone resin precursor composition.

本発明に係るＬＥＤ基板は、基板上に発光素子を実装するための導体層が形成されてなり、当該基板上にソルダーレジスト層が設けられてなり、前記ソルダーレジスト層は、前記本発明に係るソルダーレジストであり、前記ソルダーレジスト層には、前記導体層を露出させるための開口が形成されてなる。   The LED substrate according to the present invention includes a conductive layer for mounting a light emitting element on the substrate, and a solder resist layer is provided on the substrate. The solder resist layer is related to the present invention. An opening for exposing the conductor layer is formed in the solder resist layer.

本発明に係る発光モジュールを有する機器において、前記発光モジュールは前記本発明に係る発光モジュールである。   In the apparatus having the light emitting module according to the present invention, the light emitting module is the light emitting module according to the present invention.

本発明に係るＬＥＤ基板の製造方法は、基板上に発光素子を実装するための導体層を形成する工程と、当該基板上に、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成されるソルダーレジスト層を設ける工程と、を含む。   The method for producing an LED substrate according to the present invention includes a step of forming a conductor layer for mounting a light emitting element on a substrate, and a titanium oxide particle having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm on the substrate. And a step of providing a solder resist layer made of a silicone resin.

本発明に係る発光モジュールの製造方法は、ＬＥＤ基板に発光素子を実装する発光モジュールの製造方法であって、前記ＬＥＤ基板は、前記本発明に係るＬＥＤ基板の製造方法により製造されたＬＥＤ基板である。   A method for manufacturing a light emitting module according to the present invention is a method for manufacturing a light emitting module in which a light emitting element is mounted on an LED substrate, and the LED substrate is an LED substrate manufactured by the method for manufacturing an LED substrate according to the present invention. is there.

本発明に係る発光モジュールを有する機器の製造方法において、前記発光モジュールは、前記本発明に係る発光モジュールの製造方法により製造された発光モジュールである。   In the method for manufacturing a device having a light emitting module according to the present invention, the light emitting module is a light emitting module manufactured by the method for manufacturing a light emitting module according to the present invention.

本発明によれば、ソルダーレジストが酸化チタンを含有しているので、青色、紫外光に対して高い反射率を有している。また、ソルダーレジストがシリコーン樹脂を含有しているので、酸化チタンの光触媒作用を受けても、青色、紫外光に対して劣化することがない。さらに、シリコーン樹脂は、酸化チタンと親和性が低いので、酸化チタンを混合すると、内部に気孔が形成されやすくなり、内部で光を乱反射させ易くでき、ソルダーレジストの反射率を高くすることができる。ソルダーレジストに含まれる酸化チタンの平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にあるので、気孔が分散し連続気孔を形成しにくく、電気絶縁性を低下しにくいソルダーレジストを提供することができる。またそうしたソルダーレジストを用いたＬＥＤ基板、そのＬＥＤ基板を用いた発光モジュール、その発光モジュールを有する機器を提供することができる、また本発明によれば、そうしたソルダーレジストを形成するためのソルダーレジスト原料、そうしたＬＥＤ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、又はその発光モジュールを有する機器の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, since the solder resist contains titanium oxide, it has a high reflectance with respect to blue and ultraviolet light. Further, since the solder resist contains a silicone resin, it does not deteriorate with respect to blue and ultraviolet light even if it receives the photocatalytic action of titanium oxide. Furthermore, since the silicone resin has a low affinity with titanium oxide, when titanium oxide is mixed, pores are easily formed inside, and light can be diffusely reflected inside, and the reflectance of the solder resist can be increased. . Since the average particle diameter of the titanium oxide contained in the solder resist is in the range of 0.1 to 10 μm, it is possible to provide a solder resist in which the pores are dispersed and it is difficult to form continuous pores, and the electrical insulation property is hardly lowered. Also, an LED substrate using such a solder resist, a light emitting module using the LED substrate, and a device having the light emitting module can be provided. According to the present invention, a solder resist raw material for forming such a solder resist is provided. Further, it is possible to provide a method for manufacturing such an LED substrate, a method for manufacturing a light emitting module, or a method for manufacturing a device having the light emitting module.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ基板の主面（表裏面）の法線方向に相当する基板の厚み方向を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれＺ方向に直交する基板の側方を指す。基板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、基板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the figure, arrows Z1 and Z2 indicate the thickness direction of the substrate corresponding to the normal direction of the main surface (front and back surfaces) of the substrate. On the other hand, arrows X1, X2 and Y1, Y2 indicate the sides of the substrate orthogonal to the Z direction. The main surface of the substrate is an XY plane. Further, the side surface of the substrate is an XZ plane or a YZ plane.

相反する法線方向を向いた基板の２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。直下とは、Ｚ方向（Ｚ１側又はＺ２側）を意味する。   The two main surfaces of the substrate facing the opposite normal directions are referred to as a first surface (Z1 side surface) and a second surface (Z2 side surface). Directly below means the Z direction (Z1 side or Z2 side).

導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。   The conductor layer is a layer composed of one or more conductor patterns. The conductor layer may include a conductor pattern that constitutes an electric circuit, for example, a wiring (including a ground), a pad, a land, or the like, or a planar conductor pattern that does not constitute an electric circuit.

孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。   The hole is not limited to a through hole, and includes a non-through hole.

めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）及びＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。   In addition to wet plating such as electrolytic plating, plating includes dry plating such as PVD (Physical Vapor Deposition) and CVD (Chemical Vapor Deposition).

光は、可視光に限られない。光には、可視光のほか、紫外線及びＸ線等の短い波長の電磁波及び赤外線等の長い波長の電磁波も含まれる。   Light is not limited to visible light. In addition to visible light, light includes short-wave electromagnetic waves such as ultraviolet rays and X-rays and long-wave electromagnetic waves such as infrared rays.

「用意すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。   “Preparing” includes not only purchasing materials and parts and manufacturing them, but also purchasing and using finished products.

「Ａ及びＢから構成される」には、Ａ及びＢ以外に少量のＣが含まれている場合も含まれる。例えば「酸化チタン粒子及びシリコーン樹脂から構成される」には、酸化チタン粒子及びシリコーン樹脂以外に、シリカ又はジルコニアなどのセラミック粒子が少量含まれている場合も含まれる。   “Composed of A and B” includes a case where a small amount of C is included in addition to A and B. For example, “consisting of titanium oxide particles and silicone resin” includes a case where a small amount of ceramic particles such as silica or zirconia is contained in addition to titanium oxide particles and silicone resin.

以下に本発明の実施形態のソルダーレジストについて説明する。   Below, the soldering resist of embodiment of this invention is demonstrated.

本実施形態のソルダーレジストは、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成される。   The solder resist of this embodiment is composed of titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm and a silicone resin.

本実施形態のソルダーレジストは、シリコーン樹脂によって酸化チタン粒子を結合している。酸化チタン粒子は、光触媒作用があるため、光によって樹脂を劣化させる作用がある。このため、Ｃ−Ｃ又はＣ−Ｏ等の結合を多く含むエポキシ樹脂などの有機材料は、劣化し易く、黄色や褐色に変色し易くなると考えられる。しかしながら、シリコーン樹脂はこれらの結合が少ない（又は無い）ので、黄色や褐色に変色しにくいと考えられる。このため、酸化チタン粒子とシリコーン樹脂とからなるソルダーレジストは、光に対する反応性が低いため、ソルダーレジストの劣化が防止され、ＬＥＤ基板のソルダーレジストとして好適に利用することができる。   In the solder resist of the present embodiment, titanium oxide particles are bonded with a silicone resin. Since the titanium oxide particles have a photocatalytic action, they have an action of deteriorating the resin by light. For this reason, it is considered that an organic material such as an epoxy resin containing many bonds such as C—C or C—O is likely to be deteriorated and easily changed to yellow or brown. However, since the silicone resin has few (or no) of these bonds, it is considered that the silicone resin hardly changes to yellow or brown. For this reason, since the solder resist which consists of a titanium oxide particle and a silicone resin has low reactivity with respect to light, deterioration of a solder resist is prevented and it can utilize suitably as a solder resist of a LED board.

本実施形態のシリコーン樹脂は、主鎖が「−Ｓｉ−Ｏ−」の繰り返しででき、他の物質又は光に反応し易い官能基がなくても樹脂を構成できるので、他の物質又は光と反応しやすい官能基を基本骨格には持っていない。このためエポキシのように他の物質との親和性を持っておらず、酸化チタンなどの物質と混ざりにくい。このため、本実施形態の酸化チタンと混合すると、酸化チタン粒子とシリコーン樹脂が濡れずにくくなる。こうして得られたソルダーレジストには、酸化チタン粒子とシリコーン樹脂が濡れずに硬化した全反射しやすい境界面を得やすくすることができる。   The silicone resin of the present embodiment can be composed of a repeating main chain of “—Si—O—”, and can form a resin even without other substances or functional groups that easily react with light. The basic skeleton does not have functional groups that are easy to react. For this reason, it does not have affinity with other substances like epoxy, and is difficult to mix with substances such as titanium oxide. For this reason, when mixed with the titanium oxide of the present embodiment, the titanium oxide particles and the silicone resin are less likely to get wet. In the solder resist thus obtained, it is possible to easily obtain a boundary surface where titanium oxide particles and the silicone resin are cured without getting wet and are easy to totally reflect.

本実施形態のソルダーレジストの酸化チタン粒子の含有量は、５０〜８０重量％であることが好ましい。酸化チタン粒子の含有量が５０重量％以上であれば、光を透過しにくい酸化チタンの比率が相対的に多くなるので、高い反射率のソルダーレジストを得ることができる。酸化チタンの含有量が、８０重量％以下であれば、相対的にシリコーン樹脂の比率が多くなり、酸化チタン粒子とシリコーン樹脂とを強く結合させることができるので、緻密な強度の強いソルダーレジストを得ることができる。このため、光の透過しやすい空隙が出来にくいので高い反射率のソルダーレジストを得ることができる。また、酸化チタン粒子の含有量が、８０重量％以下であれば、結合材となるシリコーン樹脂の比率が高められるので、剥離しにくいソルダーレジストを得ることができる。   The content of titanium oxide particles in the solder resist of the present embodiment is preferably 50 to 80% by weight. If the content of the titanium oxide particles is 50% by weight or more, the ratio of titanium oxide that hardly transmits light is relatively increased, so that a solder resist having a high reflectance can be obtained. If the content of titanium oxide is 80% by weight or less, the ratio of the silicone resin is relatively increased, and the titanium oxide particles and the silicone resin can be strongly bonded. Can be obtained. For this reason, since the space | gap which is easy to permeate | transmit light cannot be made easily, a highly resistable solder resist can be obtained. Moreover, since the ratio of the silicone resin used as a binder will be raised if content of a titanium oxide particle is 80 weight% or less, the soldering resist which cannot peel easily can be obtained.

本実施形態のソルダーレジストの酸化チタン粒子は、アナターゼ型の酸化チタン粒子であることが好ましい。アナターゼ型の酸化チタン粒子であれば、３７５〜４２０ｎｍの範囲で高い反射率を有しているので、青から紫外域においてルチル型の酸化チタン粒子よりも高い反射率のソルダーレジストを得ることができる。   The titanium oxide particles of the solder resist of the present embodiment are preferably anatase type titanium oxide particles. Since the anatase type titanium oxide particles have a high reflectance in the range of 375 to 420 nm, a solder resist having a higher reflectance than the rutile type titanium oxide particles in the blue to ultraviolet region can be obtained. .

本実施形態のソルダーレジストは、波長５００ｎｍ以下の単色光もしくは波長５００ｎｍ以下の単色光を含む光を反射することができるソルダーレジストであることが好ましい。本発明のソルダーレジストであれば、波長５００ｎｍ以下の領域において高い反射率を有する酸化チタン粒子を含有しているので、波長５００ｎｍ以下の単色光もしくは波長５００ｎｍ以下の単色光を含む光であっても、高い反射率を得ることができる。またソルダーレジストを構成するシリコーン樹脂が光によって劣化しにくく、黄色あるいは褐色に変色しにくいので、ソルダーレジストに反射した光の色を変えずに性能を維持しやすくすることができる。   The solder resist of this embodiment is preferably a solder resist that can reflect monochromatic light with a wavelength of 500 nm or less or light containing monochromatic light with a wavelength of 500 nm or less. Since the solder resist of the present invention contains titanium oxide particles having a high reflectance in a wavelength region of 500 nm or less, even if the light contains monochromatic light having a wavelength of 500 nm or less or monochromatic light having a wavelength of 500 nm or less. High reflectance can be obtained. Further, since the silicone resin constituting the solder resist is hardly deteriorated by light and hardly changes to yellow or brown, the performance can be easily maintained without changing the color of the light reflected on the solder resist.

本実施形態のソルダーレジストは、気孔を有する。   The solder resist of this embodiment has pores.

本実施の形態の気孔とは、主に酸化チタン粒子の周囲に付着する気孔で構成される。このため、気孔の平均気孔直径は、酸化チタン粒子の平均粒子直径よりも小さい。   The pores in the present embodiment are mainly composed of pores attached around the titanium oxide particles. For this reason, the average pore diameter of the pores is smaller than the average particle diameter of the titanium oxide particles.

図２２は、本実施形態のソルダーレジストの一例を示す模式図である。酸化チタン粒子３００１は、シリコーン樹脂３００２と親和性が小さいので、酸化チタン粒子３００１の周囲に気孔３００３が形成されやすい。   FIG. 22 is a schematic diagram showing an example of the solder resist of the present embodiment. Since the titanium oxide particles 3001 have a low affinity with the silicone resin 3002, pores 3003 are easily formed around the titanium oxide particles 3001.

シリコーン樹脂は、主鎖が「−Ｓｉ−Ｏ−」の繰り返しででき、他の物質又は光と反応しやすい官能基を基本骨格には持っていない。このためエポキシのように他の物質との親和性を持っておらず、酸化チタンなどの物質と混ざりにくい。このため、混合すると気泡を含有しやすくなり、硬化すると気孔となる。ソルダーレジストの内部に気孔を含有すると、水分、不純物が内部に浸透し、ソルダーレジストの絶縁性が低下する。しかしながら、酸化チタンの平均粒子半径が０．１〜１０μｍの範囲にあることにより、独立気泡となり電気絶縁性の低下を防止することができる。   The silicone resin is made of a repeating main chain of “—Si—O—” and does not have a functional group easily reacting with other substances or light in the basic skeleton. For this reason, it does not have affinity with other substances like epoxy, and is difficult to mix with substances such as titanium oxide. For this reason, when it mixes, it will become easy to contain a bubble, and when it hardens | cures, it will become a pore. If pores are contained in the solder resist, moisture and impurities penetrate into the solder resist, and the insulating properties of the solder resist are lowered. However, when the average particle radius of titanium oxide is in the range of 0.1 to 10 μm, it becomes a closed cell and can prevent deterioration of electrical insulation.

酸化チタンの平均粒子直径が０．１μｍ未満であると、酸化チタン粒子の比表面積が大きくなり、混入する気泡の量が多くなるため、連続気孔を形成しやすくなる。酸化チタンの平均粒子直径が１０μｍを越えると酸化チタンの粒子の周囲に大きな気孔を形成し、連続気孔ができやすくなる。   When the average particle diameter of the titanium oxide is less than 0.1 μm, the specific surface area of the titanium oxide particles increases and the amount of air bubbles mixed in increases, so that continuous pores are easily formed. When the average particle diameter of titanium oxide exceeds 10 μm, large pores are formed around the titanium oxide particles, and continuous pores are easily formed.

次に本発明の実施形態のソルダーレジスト原料について説明する。   Next, the solder resist raw material of the embodiment of the present invention will be described.

本発明の実施形態のソルダーレジスト原料は、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂前駆体組成物からなる。   The solder resist raw material of the embodiment of the present invention comprises titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm and a silicone resin precursor composition.

シリコーン樹脂前駆体組成物は、重合されると主鎖が「−Ｓｉ−Ｏ−」の繰り返し構造となるこのため、他の物質又は光と反応しやすい官能基を基本骨格には持っていない。このためエポキシのように他の物質との親和性を持っておらず、酸化チタンなどの物質と混ざりにくい。このため、混合すると気泡を含有しやすくなり、硬化すると気孔となる。ソルダーレジストの内部に気孔を含有すると、水分、不純物が内部に浸透し、ソルダーレジストの絶縁性が低下する。しかしながら、酸化チタンの平均粒子半径が０．１〜１０μｍの範囲にあることにより、独立気泡となり電気絶縁性の低下を防止することができる。   When the silicone resin precursor composition is polymerized, the main chain has a repeating structure of “—Si—O—”. Therefore, the basic skeleton does not have a functional group that easily reacts with other substances or light. For this reason, it does not have affinity with other substances like epoxy, and is difficult to mix with substances such as titanium oxide. For this reason, when it mixes, it will become easy to contain a bubble, and when it hardens | cures, it will become a pore. If pores are contained in the solder resist, moisture and impurities penetrate into the solder resist, and the insulating properties of the solder resist are lowered. However, when the average particle radius of titanium oxide is in the range of 0.1 to 10 μm, it becomes a closed cell and can prevent deterioration of electrical insulation.

酸化チタンの平均粒子直径が０．１μｍ未満であると、酸化チタン粒子の比表面積が大きくなり、混入する気泡の量が多くなるため、連続気孔を形成しやすくなる。酸化チタンの平均粒子直径が１０μｍを越えると酸化チタンの粒子の周囲に沿って気泡を形成し、これらがつながって連続気孔ができやすくなる。   When the average particle diameter of the titanium oxide is less than 0.1 μm, the specific surface area of the titanium oxide particles increases and the amount of air bubbles mixed in increases, so that continuous pores are easily formed. When the average particle diameter of the titanium oxide exceeds 10 μm, bubbles are formed along the periphery of the titanium oxide particles, and these are connected to facilitate the formation of continuous pores.

本実施形態のソルダーレジスト原料の酸化チタン粒子の平均粒子直径は、レーザー回折式粒度分布計で測定することができる。   The average particle diameter of the titanium oxide particles of the solder resist raw material of this embodiment can be measured with a laser diffraction particle size distribution meter.

本実施形態のソルダーレジスト原料のシリコーン樹脂前駆体組成物は、未硬化、半硬化のシリコーン樹脂前駆体組成物の何れであっても良い。   The silicone resin precursor composition of the solder resist raw material of this embodiment may be any of an uncured and semi-cured silicone resin precursor composition.

本実施形態のソルダーレジスト原料は、酸化チタン粒子を、ゲル化する前のシリコーン樹脂前駆体組成物に混合することによって得ることができる。酸化チタンを混合するゲル化する前のシリコーン樹脂前駆体組成物は、モノマーであってもオリゴマーであっても良い。   The solder resist raw material of this embodiment can be obtained by mixing the titanium oxide particles with the silicone resin precursor composition before gelation. The silicone resin precursor composition before gelation in which titanium oxide is mixed may be a monomer or an oligomer.

本実施形態のシリコーン樹脂組成物は、市販の電子部品用シリコーン樹脂原料を利用できる。例えば、信越シリコーン社製「ＫＪＲ６３２」を利用できる。なお、本実施形態ではソルダーレジスト原料の脱気を行わないか、脱気条件を緩和することでソルダーレジスト原料内に気孔の原料となる気泡を導入しやすくすることができる。脱気の条件としては絶対圧力が２ｋＰａ以上の条件で行うことにより、酸化チタン粒子の周囲に気泡を残すことができ、気孔として残留させることができる。   The silicone resin composition of this embodiment can utilize a commercially available silicone resin raw material for electronic components. For example, “KJR632” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd. can be used. In the present embodiment, it is possible to easily introduce bubbles as a raw material of pores into the solder resist raw material by not degassing the solder resist raw material or by relaxing the degassing conditions. By carrying out the deaeration under the condition that the absolute pressure is 2 kPa or more, bubbles can be left around the titanium oxide particles and can remain as pores.

本実施形態のソルダーレジスト原料の酸化チタン粒子の含有量は、５０〜８０重量％であることが好ましい。酸化チタン粒子の含有量が５０重量％以上であれば、光を透過しにくい酸化チタンの比率が相対的に多くなるので、本実施形態のソルダーレジスト原料を硬化することにより高い反射率のソルダーレジストを得ることができる。酸化チタンの含有量が、８０重量％以下であれば、相対的にシリコーン樹脂の比率が多くなり、酸化チタン粒子とシリコーン樹脂とを強く結合させることができるので、本実施形態のソルダーレジスト原料を硬化することにより緻密で強度が強く剥離しにくいソルダーレジストを得ることができる。このため、光の透過しやすい領域(透明な窓)が出来にくいので高い反射率のソルダーレジストを得ることができる。   The content of titanium oxide particles in the solder resist raw material of the present embodiment is preferably 50 to 80% by weight. If the content of the titanium oxide particles is 50% by weight or more, the ratio of titanium oxide that hardly transmits light is relatively increased. Therefore, by curing the solder resist raw material of the present embodiment, the solder resist having a high reflectance is obtained. Can be obtained. If the content of titanium oxide is 80% by weight or less, the ratio of the silicone resin is relatively increased, and the titanium oxide particles and the silicone resin can be strongly bonded. By curing, a solder resist that is dense, strong and difficult to peel can be obtained. For this reason, since it is difficult to form a region (transparent window) through which light is easily transmitted, a solder resist having a high reflectance can be obtained.

本実施形態のソルダーレジスト原料の酸化チタン粒子は、アナターゼ型の酸化チタン粒子であることが好ましい。アナターゼ型の酸化チタン粒子であれば、青から紫外域で高い反射率を有しているので、本実施形態のソルダーレジスト原料を硬化することにより３７５〜４２０ｎｍの範囲でルチル型の酸化チタン粒子よりも高い反射率のソルダーレジストを得ることができる（後述の図７、図８参照）。   The titanium oxide particles of the solder resist raw material of the present embodiment are preferably anatase type titanium oxide particles. Since anatase type titanium oxide particles have a high reflectance in the blue to ultraviolet region, by curing the solder resist raw material of the present embodiment, the rutile type titanium oxide particles in the range of 375 to 420 nm. Can be obtained (see FIGS. 7 and 8 to be described later).

次に、本実施形態のＬＥＤ基板について説明する。   Next, the LED substrate of this embodiment will be described.

図１に、本実施形態に係るＬＥＤ基板１００の概略構造を示す。また、図２に、本実施形態に係る発光モジュール１０００の概略構造を示す。図１は、本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板を示す断面図である。図２は、本発明の実施形態に係る発光モジュールを示す断面図である。   FIG. 1 shows a schematic structure of an LED substrate 100 according to this embodiment. FIG. 2 shows a schematic structure of the light emitting module 1000 according to the present embodiment. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an LED substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting module according to an embodiment of the present invention.

ＬＥＤ基板１００は、図１に示すように、基板１０と、ソルダーレジスト１１と、導体層２１（導体パターン２１ａ、耐食膜２１ｂ）及び導体層２２（導体パターン２２ａ、耐食膜２２ｂ）と、を有する。以下、基板１０の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。ＬＥＤ基板１００は、図２に示すように、発光素子２００が実装されることで、発光モジュール１０００となる。本実施形態では、発光素子２００が、基板１０の第１面Ｆ１側に実装される（図２参照）。   As shown in FIG. 1, the LED substrate 100 includes a substrate 10, a solder resist 11, a conductor layer 21 (conductor pattern 21a, corrosion-resistant film 21b) and a conductor layer 22 (conductor pattern 22a, corrosion-resistant film 22b). . Hereinafter, one of the front and back surfaces (two main surfaces) of the substrate 10 is referred to as a first surface F1, and the other is referred to as a second surface F2. As shown in FIG. 2, the LED substrate 100 becomes a light emitting module 1000 by mounting the light emitting element 200. In the present embodiment, the light emitting element 200 is mounted on the first surface F1 side of the substrate 10 (see FIG. 2).

本発明の本実施形態の基板は、樹脂からなるが、セラミックス基板、絶縁層のあるメタル基板などであっても良い。   The substrate of this embodiment of the present invention is made of resin, but may be a ceramic substrate, a metal substrate with an insulating layer, or the like.

以下、樹脂基板からなるＬＥＤ基板について説明する。   Hereinafter, an LED substrate made of a resin substrate will be described.

本実施形態の、樹脂からなる基板１０は、その高い柔軟性により割れにくくなるため、アルミナ又はＡｌＮ（窒化アルミニウム）等からなるセラミック基板に比べて薄くし易く、薄くしても割れることがない。このため、本実施形態のＬＥＤ基板は、薄くしても、耐落下衝撃性に優れる。本実施形態のＬＥＤ基板は、割れにくいので、発光素子を実装する際あるいは発光モジュールを機器に実装する際も、容易に取り扱うことができる。また、本実施形態の発光素子はセラミック基板に比べて、樹脂基板は、低コストで入手し易く、穴あけ等の加工が容易である。
さらに樹脂からなる基板は、柔軟性がありかつ復元力があるため、薄い基板であっても、銅、アルミニウム、ステンレス等からなるメタル基板のように塑性変形することなく、変形後にもとの形状に復元することができる。このため、落下による強い衝撃あるいは取り扱いによる変形が発生してももとの形状に戻ることができる。このため、ＬＥＤ基板に発光素子を実装する際あるいは発光モジュールを機器に実装する際に容易に取り扱うことができる。 The substrate 10 made of resin according to the present embodiment is less likely to break due to its high flexibility, and therefore is easier to make thinner than a ceramic substrate made of alumina, AlN (aluminum nitride), or the like, and does not crack even if made thinner. For this reason, even if the LED board of this embodiment is thin, it is excellent in drop impact resistance. Since the LED substrate of this embodiment is hard to break, it can be easily handled when mounting a light emitting element or mounting a light emitting module on a device. In addition, the resin substrate of the light-emitting element of this embodiment is easier to obtain at a lower cost than the ceramic substrate, and processing such as drilling is easy.
Furthermore, since the substrate made of resin is flexible and has a restoring force, even if it is a thin substrate, it does not plastically deform like a metal substrate made of copper, aluminum, stainless steel, etc. Can be restored. For this reason, even if a strong impact due to dropping or deformation due to handling occurs, the original shape can be restored. For this reason, when mounting a light emitting element on a LED board, or when mounting a light emitting module in an apparatus, it can be easily handled.

本実施形態の樹脂からなる基板１０は、絶縁性を有する例えば矩形状の基板である。本実施形態では、基板１０が、ガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）からなる補強材を含有するエポキシ樹脂からなる。詳しくは、基板１０は、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。ここで、エポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂である。補強材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。基板１０にガラス繊維を含ませることで、樹脂基板１０でのクラックを抑制することが可能になる。   The substrate 10 made of the resin of the present embodiment is a rectangular substrate having an insulating property, for example. In this embodiment, the board | substrate 10 consists of an epoxy resin containing the reinforcing material which consists of glass fiber (for example, glass cloth or a glass nonwoven fabric). Specifically, the substrate 10 is made of glass fiber impregnated with an epoxy resin (hereinafter referred to as glass epoxy). Here, the epoxy resin is a thermosetting resin. The reinforcing material is a material having a smaller coefficient of thermal expansion than the main material (in the present embodiment, epoxy resin). By including glass fiber in the substrate 10, it is possible to suppress cracks in the resin substrate 10.

なお、補強材を構成する材料はガラス繊維に限られず、ガラス繊維に代えて、他の無機材料を用いてもよい。例えばアラミド繊維（例えばアラミド不織布）又はシリカフィラーからなる補強材を用いてもよい。   In addition, the material which comprises a reinforcing material is not restricted to glass fiber, It may replace with glass fiber and may use another inorganic material. For example, you may use the reinforcing material which consists of an aramid fiber (for example, an aramid nonwoven fabric) or a silica filler.

また、基板を構成する樹脂も任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。   The resin constituting the substrate is also arbitrary. For example, instead of an epoxy resin, a polyester resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), an imide resin (polyimide), a phenol resin, an allylated phenylene ether resin (A-PPE resin), or the like may be used.

導体層２１は、発光素子２００の配線又はパッドとして機能し得る配線パターン２１ｃ及び２１ｄを含む。図２に示すように、配線パターン２１ｃは、例えば発光素子２００のアノード（又はカソード）に電気的に接続され、配線パターン２１ｄは、例えば発光素子２００のカソード（又はアノード）に電気的に接続される。   The conductor layer 21 includes wiring patterns 21 c and 21 d that can function as wirings or pads of the light emitting element 200. As shown in FIG. 2, the wiring pattern 21c is electrically connected to the anode (or cathode) of the light emitting element 200, for example, and the wiring pattern 21d is electrically connected to the cathode (or anode) of the light emitting element 200, for example. The

基板１０には、基板１０を貫通する孔１０ａ（スルーホール）が形成されている。そして、孔１０ａに例えば銅のめっきが充填されることで、フィルド導体１０ｂ（導体柱、サーマルビアともいう）が形成される。本実施形態では、配線パターン２１ｃにフィルド導体で接続された配線パターン２２ｃは、電源層（グランド層）となり、配線パターン２１ｄにフィルド導体で接続された配線パターン２２ｄは、グランド層（電源層）となり、電源層及びグランド層から発光素子に電力を供給することができる。（図２参照）
本実施形態において、フィルド導体１０ｂの形状は、ＬＥＤ実装面側（第１面：Ｚ１側）に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、フィルド導体１０ｂの形状は、ＬＥＤ実装裏側（第２面：Ｚ２側）に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）、あるいは第１面、第２面からそれぞれ中央に向かって縮径されるようにテーパした中央のくびれた形状などであってもよい。 A hole 10 a (through hole) penetrating the substrate 10 is formed in the substrate 10. Then, the filled conductor 10b (also referred to as a conductor pillar or a thermal via) is formed by filling the hole 10a with, for example, copper plating. In the present embodiment, the wiring pattern 22c connected to the wiring pattern 21c with a filled conductor serves as a power supply layer (ground layer), and the wiring pattern 22d connected to the wiring pattern 21d with a filled conductor serves as a ground layer (power supply layer). Power can be supplied to the light emitting element from the power supply layer and the ground layer. (See Figure 2)
In this embodiment, the shape of the filled conductor 10b is a tapered cylinder (conical frustum) tapered so as to be reduced in diameter toward the LED mounting surface side (first surface: Z1 side). However, the shape of the filled conductor 10b is not limited to this, and the shape of the filled conductor 10b is a tapered cylinder (conical frustum) tapered so as to be reduced in diameter toward the LED mounting back side (second surface: Z2 side), or the first surface, second surface. It may be a constricted shape of the center tapered so as to be reduced in diameter from the surface toward the center.

図３に、本実施形態のＬＥＤ基板１００におけるフィルド導体１０ｂの配置を示す。図３は、本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板におけるフィルド導体の配置を示す平面図である。   FIG. 3 shows the arrangement of the filled conductor 10b in the LED substrate 100 of the present embodiment. FIG. 3 is a plan view showing an arrangement of filled conductors in the LED substrate according to the embodiment of the present invention.

図３に示されるように、本実施形態では、フィルド導体１０ｂの全てが、発光素子２００の実装領域（図３中に破線で示す領域）の近傍に配置される。すなわち、発光素子２００の実装領域（発光素子２００の直下）近傍に、フィルド導体１０ｂが存在し、発光素子から発生した熱を、フィルド導体を通してＬＥＤ基板のＬＥＤ実装裏側（第２面：Ｚ２側）に速やかに逃がすことができる。なお、発光素子２００の実装領域は、実装された発光素子２００の投影領域に相当する。   As shown in FIG. 3, in the present embodiment, all of the filled conductors 10 b are arranged in the vicinity of the mounting region of the light emitting element 200 (the region indicated by the broken line in FIG. 3). That is, the filled conductor 10b exists in the vicinity of the mounting region of the light emitting element 200 (just below the light emitting element 200), and heat generated from the light emitting element is passed through the filled conductor to the LED mounting back side (second surface: Z2 side) of the LED substrate. You can escape quickly. Note that the mounting area of the light emitting element 200 corresponds to a projection area of the mounted light emitting element 200.

図２に示されるように、本実施形態では、矩形状の配線パターン２１ｄと矩形状の配線パターン２１ｃとが、所定の間隔をあけて配置され、ソルダーレジスト層１１の一部が、配線パターン２１ｃと配線パターン２１ｄとの間に位置する。発光素子２００は、そのソルダーレジスト層１１の一部を跨いで配線パターン２１ｃ及び２１ｄ上に配置される。これにより、ソルダーレジスト層１１の一部は、発光素子２００の直下（実装領域）に配置される。ただしこれに限られず、導体層２１（配線パターン層）の形状は任意である。   As shown in FIG. 2, in the present embodiment, a rectangular wiring pattern 21d and a rectangular wiring pattern 21c are arranged at a predetermined interval, and a part of the solder resist layer 11 is formed on the wiring pattern 21c. And the wiring pattern 21d. The light emitting element 200 is disposed on the wiring patterns 21 c and 21 d across a part of the solder resist layer 11. Thereby, a part of the solder resist layer 11 is disposed immediately below the light emitting element 200 (mounting region). However, the shape of the conductor layer 21 (wiring pattern layer) is not limited to this and is arbitrary.

図２に示すように、本実施形態の発光モジュール１０００では、フリップチップ方式で、発光素子２００が実装される。これにより、発光素子２００の電極が、半田２００ａ（図２）を介して、導体層２１の配線パターン２１ｃ及び２１ｄと電気的に接続される。   As shown in FIG. 2, in the light emitting module 1000 of this embodiment, the light emitting element 200 is mounted by a flip chip method. Thereby, the electrode of the light emitting element 200 is electrically connected to the wiring patterns 21c and 21d of the conductor layer 21 via the solder 200a (FIG. 2).

本実施形態では、基板１０の第２面Ｆ２上に、導体層２２が形成されている。導体層２２は、導体パターン２２ａ（下層）及び耐食膜２２ｂ（上層）から構成される。耐食膜２２ｂは、導体パターン２２ａの表面に形成され、導体パターン２２ａを保護する。導体層２１と導体層２２とは、フィルド導体１０ｂを介して、互いに電気的に接続される。導体層２２は、導体層２１のＬＥＤ用配線パターンと電気的に接続される配線パターン及びパッドを含む。   In the present embodiment, the conductor layer 22 is formed on the second surface F2 of the substrate 10. The conductor layer 22 includes a conductor pattern 22a (lower layer) and a corrosion-resistant film 22b (upper layer). The corrosion resistant film 22b is formed on the surface of the conductor pattern 22a and protects the conductor pattern 22a. The conductor layer 21 and the conductor layer 22 are electrically connected to each other through the filled conductor 10b. The conductor layer 22 includes a wiring pattern and a pad that are electrically connected to the LED wiring pattern of the conductor layer 21.

導体パターン２１ａ及び２２ａはそれぞれ、例えば銅箔（下層）及び銅めっき（上層）から構成される（後述の図１２〜図１５参照）。また、耐食膜２１ｂ及び２２ｂはそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる。耐食膜２１ｂ及び２２ｂはそれぞれ、電解めっき又は無電解めっき及びスパッタリング等により形成することができる。しかしこれに限定されず、導体層２１及び２２の材料及び形状は任意である。例えば導体パターン２１ａ及び２２ａはそれぞれ、めっき膜のみから構成されていてもよい（後述の図２１Ａ〜図２１Ｃ参照）。また、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservatives）処理（有機保護膜、耐熱水溶性プリフラックス、プリフラックス等の処理のことをいう）を行うことにより、有機保護膜からなる耐食膜２１ｂ又は２２ｂを形成してもよい。さらに、耐食膜２１ｂ及び２２ｂは必須の構成ではなく、必要がなければ割愛してもよい。   Each of the conductor patterns 21a and 22a is composed of, for example, a copper foil (lower layer) and a copper plating (upper layer) (see FIGS. 12 to 15 described later). Further, each of the corrosion resistant films 21b and 22b is made of, for example, a Ni / Au film. The corrosion resistant films 21b and 22b can be formed by electrolytic plating or electroless plating and sputtering, respectively. However, it is not limited to this, The material and shape of the conductor layers 21 and 22 are arbitrary. For example, each of the conductor patterns 21a and 22a may be composed only of a plating film (see FIGS. 21A to 21C described later). Further, even if an OSP (Organic Solderability Preservatives) process (referring to an organic protective film, a heat-resistant water-soluble preflux, a preflux process, etc.) is performed, the corrosion resistant film 21b or 22b made of an organic protective film is formed. Good. Furthermore, the corrosion resistant films 21b and 22b are not essential components and may be omitted if not necessary.

基板１０の第１面Ｆ１上には、導体層２１だけでなく、ソルダーレジスト層１１も形成されている。ソルダーレジスト層１１は、導体層２１の隙間（非導体部）に形成されている。ソルダーレジスト層１１は酸化チタン粒子を含有しているので、基板１０の色及び材質にかかわらず、反射率を高めることが可能になる。本実施形態では、ソルダーレジスト層１１が、反射膜として機能し得る。   On the first surface F1 of the substrate 10, not only the conductor layer 21 but also the solder resist layer 11 is formed. The solder resist layer 11 is formed in a gap (non-conductor portion) between the conductor layers 21. Since the solder resist layer 11 contains titanium oxide particles, the reflectance can be increased regardless of the color and material of the substrate 10. In the present embodiment, the solder resist layer 11 can function as a reflective film.

本実施形態では、ソルダーレジスト層１１が、酸化チタン粒子を含有するシリコーン樹脂から構成される。本実施形態では、酸化チタン粒子が、アナターゼ型の酸化チタン粒子からなる。また、本実施形態では、アナターゼ型の酸化チタンが反射材粒子として機能し、シリコーン樹脂が結合材として機能する。   In the present embodiment, the solder resist layer 11 is composed of a silicone resin containing titanium oxide particles. In the present embodiment, the titanium oxide particles are made of anatase-type titanium oxide particles. In this embodiment, anatase-type titanium oxide functions as reflector particles, and a silicone resin functions as a binder.

本実施形態の樹脂からなる基板１０の厚さは、０．０５ｍｍ〜０．５０ｍｍの範囲にあることが好ましい。基板１０の厚さが０．０５ｍｍ未満であると、樹脂からなる基板１０に無機材料からなる補強材を含有させることが難しくなる。また、樹脂からなる基板１０の厚さが０．５０ｍｍを超えると、基板１０のフィルド導体１０ｂが長くなることにより、後述の放熱効果（図４参照）が得られにくくなる。   The thickness of the substrate 10 made of the resin of this embodiment is preferably in the range of 0.05 mm to 0.50 mm. If the thickness of the substrate 10 is less than 0.05 mm, it becomes difficult to contain a reinforcing material made of an inorganic material in the substrate 10 made of resin. Further, if the thickness of the substrate 10 made of resin exceeds 0.50 mm, the filled conductor 10b of the substrate 10 becomes long, and it becomes difficult to obtain a heat radiation effect (see FIG. 4) described later.

本実施形態では、基板１０が、ガラエポからなる。ガラエポは、セラミック基板よりも高い柔軟性を有する上に、ガラス繊維が樹脂基板を強化しているのでＬＥＤ基板１００を薄くしても高強度が得られ易い。   In the present embodiment, the substrate 10 is made of glass epoxy. The glass epoxy has higher flexibility than the ceramic substrate, and the glass fiber reinforces the resin substrate. Therefore, even if the LED substrate 100 is thinned, high strength is easily obtained.

図４は、本発明の実施形態に係る発光モジュールの動作を説明するための図である。本実施形態の発光モジュール１０００は、図４に示すように、発光素子２００より、例えば光ＬＴ１〜ＬＴ３を発する。光の波長（又は発光素子２００の種類）は、発光モジュール１０００の用途によって、任意のものを採用することができる。発光モジュール１０００の光は、例えば白色光である。白色光は、例えば青色ＬＥＤ（発光素子２００）と蛍光体とを組み合わせることで、つくることができる。詳しくは、青色ＬＥＤが発した青色の光を黄色の蛍光体に当てることで、白色が出来る。白色光を発する発光モジュール１０００は、照明（電球又は自動車のヘッドライト等）、又は液晶ディスプレイのバックライト（大型ディスプレイ又は携帯電話のディスプレイ等）などに用いることができる。   FIG. 4 is a view for explaining the operation of the light emitting module according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the light emitting module 1000 of the present embodiment emits light LT <b> 1 to LT <b> 3 from the light emitting element 200, for example. Any wavelength of light (or the type of the light emitting element 200) can be adopted depending on the use of the light emitting module 1000. The light of the light emitting module 1000 is white light, for example. White light can be produced, for example, by combining a blue LED (light emitting element 200) and a phosphor. Specifically, white light can be produced by applying blue light emitted from a blue LED to a yellow phosphor. The light emitting module 1000 that emits white light can be used for illumination (such as a light bulb or a car headlight) or a backlight of a liquid crystal display (such as a large display or a mobile phone display).

発光素子２００から発せられる光は、例えば発光素子２００上方への光ＬＴ１、発光素子２００側方への光ＬＴ２、及び発光素子２００直下への光ＬＴ３を含む。本実施形態の発光モジュール１０００では、光ＬＴ２及びＬＴ３がそれぞれ、ソルダーレジスト１１で反射される。これにより、発光素子２００の光が樹脂からなる基板１０に当たりにくくなり、その光に起因した樹脂からなる基板１０の劣化（特に樹脂の劣化）が抑制される。また、本実施形態では、ソルダーレジスト層１１の一部が、発光素子２００の直下又はその近傍に配置される。このため、特に樹脂からなる基板１０を劣化させ易いと考えられる光ＬＴ３も、ソルダーレジスト層１１で反射される。   The light emitted from the light emitting element 200 includes, for example, the light LT1 upward of the light emitting element 200, the light LT2 toward the side of the light emitting element 200, and the light LT3 immediately below the light emitting element 200. In the light emitting module 1000 of the present embodiment, the light LT2 and LT3 are reflected by the solder resist 11, respectively. Thereby, it becomes difficult for the light of the light emitting element 200 to hit the substrate 10 made of resin, and deterioration of the substrate 10 made of resin due to the light (particularly deterioration of the resin) is suppressed. In the present embodiment, a part of the solder resist layer 11 is disposed directly under or near the light emitting element 200. For this reason, the light LT 3 which is considered to deteriorate the substrate 10 made of resin in particular is also reflected by the solder resist layer 11.

また、光ＬＴ２及びＬＴ３はそれぞれ、ソルダーレジスト層１１で反射され、光ＬＴ１と同じ方向の光になるため、発光モジュール１０００の発光効率を高め易くなる。   Moreover, since the light LT2 and LT3 are each reflected by the solder resist layer 11 and become light in the same direction as the light LT1, the light emission efficiency of the light emitting module 1000 can be easily increased.

本実施形態では、フィルド導体１０ｂが、サーマルビアとして機能し得る。以下、図４を参照して、フィルド導体１０ｂの放熱効果について説明する。   In the present embodiment, the filled conductor 10b can function as a thermal via. Hereinafter, the heat radiation effect of the filled conductor 10b will be described with reference to FIG.

本実施形態では、銅からなる導体層２１が、銅からなるフィルド導体１０ｂを介して、銅からなる導体層２２と電気的に接続される。金属（例えば銅）は熱を伝え易いため、発光素子２００が発熱すると、その熱は、図４中に矢印Ｈ１で示すように、発光素子２００の電極から、半田２００ａ、導体層２１、及びフィルド導体１０ｂを通じて、導体層２２に伝わると考えられる。そして、導体層２２（特にパッド）で熱が拡散される。その結果、発光素子２００の放熱性が高まり、発光素子２００の温度は上がりにくくなる。   In the present embodiment, the conductor layer 21 made of copper is electrically connected to the conductor layer 22 made of copper via the filled conductor 10b made of copper. Since metal (for example, copper) easily transmits heat, when the light emitting element 200 generates heat, the heat is transmitted from the electrode of the light emitting element 200 to the solder 200a, the conductor layer 21, and the filled field as indicated by an arrow H1 in FIG. It is considered that it is transmitted to the conductor layer 22 through the conductor 10b. Then, heat is diffused by the conductor layer 22 (particularly the pad). As a result, the heat dissipation of the light emitting element 200 is enhanced, and the temperature of the light emitting element 200 is difficult to increase.

次に、本実施形態のＬＥＤ基板を使用した発光モジュールについて説明する。
本実施形態のＬＥＤ基板に発光素子２００が実装されることで、発光モジュール１０００となる。本実施形態では、発光素子２００が、樹脂基板１０の第１面Ｆ１側に実装される（図２参照）。 Next, a light emitting module using the LED substrate of this embodiment will be described.
The light emitting module 1000 is obtained by mounting the light emitting element 200 on the LED substrate of the present embodiment. In the present embodiment, the light emitting element 200 is mounted on the first surface F1 side of the resin substrate 10 (see FIG. 2).

ＬＥＤ素子の実装は、どのように実装しても良い。ＬＥＤ基板上に、ＬＥＤ素子をワイヤーボンディング実装し、ワイヤーボンドで給電してもよく、ＬＥＤ素子をフリップチップ実装してハンダで給電しても良い。   The LED element may be mounted in any way. The LED element may be mounted on the LED substrate by wire bonding and power may be supplied by wire bonding, or the LED element may be flip-chip mounted and supplied by solder.

本実施形態の発光モジュールは、基板上に発光素子を実装するための導体層が形成されており、当該基板上に、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成されるソルダーレジスト層が設けられてなるとともに、前記ソルダーレジスト層には、前記導体層を露出させるための開口が形成されてなる。ＬＥＤ基板のソルダーレジスト層には平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子が含まれているので、ＬＥＤ素子から発せられる光を効率良く反射することができる。また、ＬＥＤ基板のソルダーレジスト層にはシリコーン樹脂が含まれているので、ＬＥＤ素子から発せられる光によって黄色あるいは褐色に劣化することがない。このため、反射した光の色を変えずに性能を維持しやすくすることができる。   In the light emitting module of this embodiment, a conductor layer for mounting a light emitting element is formed on a substrate, and on the substrate, titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm, and A solder resist layer made of a silicone resin is provided, and an opening for exposing the conductor layer is formed in the solder resist layer. Since the solder resist layer of the LED substrate contains titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm, light emitted from the LED element can be efficiently reflected. Further, since the solder resist layer of the LED substrate contains a silicone resin, it does not deteriorate to yellow or brown by light emitted from the LED element. For this reason, it is possible to easily maintain the performance without changing the color of the reflected light.

次に、本実施形態のＬＥＤ基板を使用した発光モジュールを有する機器について説明する。   Next, a device having a light emitting module using the LED substrate of the present embodiment will be described.

本実施形態の発光モジュールを有する機器は、本実施形態の発光モジュールを有して構成される。   A device having the light emitting module of the present embodiment includes the light emitting module of the present embodiment.

本実施形態の発光モジュールを有する機器はどのようなものでもよく、照明（電球又は自動車のヘッドライト等）、又は液晶ディスプレイのバックライト（大型ディスプレイ又は携帯電話のディスプレイ等）などが挙げられる。照明であれば、例えば電源回路と発光モジュールと筐体等を組み立てて構成される。液晶ディスプレイのバックライトであれば、例えば液晶板と偏光板と発光モジュールと電源回路と液晶の制御回路とからなる。
本実施形態の発光モジュールを有する機器は、ＬＥＤ基板のソルダーレジスト層の電気絶縁性が低下しにくいので、ＬＥＤ素子に効率良く電力を供給することができ、高い効率でＬＥＤ素子を発光させることができる。本実施形態の発光素子のソルダーレジスト層は、黄色あるいは褐色に変色しにくいので、高い反射率を維持することができる。本実施形態の発光素子のソルダーレジスト層は、黄色あるいは褐色に変色しにくいので、発光モジュールから発せられる光の色を維持しやすくすることができる。 The device having the light emitting module of the present embodiment may be any device, and examples thereof include illumination (such as a light bulb or a car headlight) or a backlight of a liquid crystal display (such as a large display or a mobile phone display). In the case of illumination, for example, a power supply circuit, a light emitting module, a housing and the like are assembled. A backlight for a liquid crystal display includes, for example, a liquid crystal plate, a polarizing plate, a light emitting module, a power supply circuit, and a liquid crystal control circuit.
In the device having the light emitting module of the present embodiment, the electrical insulation of the solder resist layer of the LED substrate is not easily lowered, so that power can be efficiently supplied to the LED element, and the LED element can emit light with high efficiency. it can. Since the solder resist layer of the light emitting device of this embodiment hardly changes to yellow or brown, high reflectance can be maintained. Since the solder resist layer of the light emitting device of this embodiment is not easily changed to yellow or brown, it is possible to easily maintain the color of light emitted from the light emitting module.

以下、実施例１、２−１、２−２、３−１、３−２及び比較例１、３を参照して、ソルダーレジストの材質と反射率との関係などについて説明する。なお、ＬＥＤ基板、発光モジュール及び発光モジュールを有する機器のソルダーレジスト層を構成するソルダーレジストについても同様の関係にあると言える。   Hereinafter, the relationship between the material of the solder resist and the reflectance will be described with reference to Examples 1, 2-1, 2-2, 3-1, 3-2 and Comparative Examples 1 and 3. In addition, it can be said that it has the same relationship also about the soldering resist which comprises the soldering resist layer of the apparatus which has a LED board, a light emitting module, and a light emitting module.

図６は、実施例１、比較例１に係る各試料の内容を示す図表である。図８は、実施例２−１、２−２に係る各試料の内容を示す図表である。図１０は、実施例３−１、３−２及び比較例３に係る各試料の内容を示す図表である。   6 is a chart showing the contents of each sample according to Example 1 and Comparative Example 1. FIG. FIG. 8 is a chart showing the contents of each sample according to Examples 2-1 and 2-2. FIG. 10 is a chart showing the contents of each sample according to Examples 3-1 and 3-2 and Comparative Example 3.

実施例１：図６に示すように、実施例１のソルダーレジスト層は、反射材粒子（５０重量部）が主にルチル型二酸化チタンで構成され、結合材（５０重量部）が主にシリコーン樹脂で構成される。   Example 1 As shown in FIG. 6, in the solder resist layer of Example 1, the reflector particles (50 parts by weight) are mainly composed of rutile titanium dioxide, and the binder (50 parts by weight) is mainly silicone. Consists of resin.

比較例１：図６に示すように、比較例１のソルダーレジスト層は、反射材粒子（８０重量部）が主にルチル型二酸化チタンで構成され、結合材（２０重量部）が主にエポキシ樹脂で構成される。   Comparative Example 1: As shown in FIG. 6, in the solder resist layer of Comparative Example 1, the reflector particles (80 parts by weight) are mainly composed of rutile titanium dioxide, and the binder (20 parts by weight) is mainly epoxy. Consists of resin.

実施例２−１：図８に示すように、実施例２−１のソルダーレジストは、反射材粒子（５０重量部）が主にアナターゼ型の二酸化チタンで構成され、結合材（５０重量部）が主に有機珪素化合物であるシリコーン樹脂で構成される。   Example 2-1 As shown in FIG. 8, in the solder resist of Example 2-1, the reflector particles (50 parts by weight) are mainly composed of anatase-type titanium dioxide, and the binder (50 parts by weight). Is mainly composed of a silicone resin which is an organosilicon compound.

実施例２−２：図８に示すように、実施例２−２のソルダーレジストは、反射材粒子（５０重量部）が主にルチル型の二酸化チタンで構成され、結合材（５０重量部）が主に有機珪素化合物であるシリコーン樹脂で構成される。   Example 2-2: As shown in FIG. 8, in the solder resist of Example 2-2, the reflector particles (50 parts by weight) are mainly composed of rutile titanium dioxide, and the binder (50 parts by weight). Is mainly composed of a silicone resin which is an organosilicon compound.

実施例３−１：図１０に示すように、実施例３−１のソルダーレジスト層は、反射材粒子（５０重量部）が主にルチル型の二酸化チタンで構成され、結合材（５０重量部）が主にシリコーン樹脂で構成される。   Example 3-1 As shown in FIG. 10, the solder resist layer of Example 3-1 is composed mainly of rutile-type titanium dioxide in the reflector particles (50 parts by weight), and the binder (50 parts by weight). ) Is mainly composed of silicone resin.

実施例３−２：図１０に示すように、実施例３−２のソルダーレジスト層は、反射材粒子（６０重量部）が主にルチル型二酸化チタンで構成され、結合材（４０重量部）が主にシリコーン樹脂で構成される。   Example 3-2: As shown in FIG. 10, in the solder resist layer of Example 3-2, the reflector particles (60 parts by weight) are mainly composed of rutile titanium dioxide, and the binder (40 parts by weight). Is mainly composed of silicone resin.

比較例３：図１０に示すように、比較例３のソルダーレジスト層は、反射材粒子（８０重量部）が主にルチル型の二酸化チタンで構成され、結合材（２０重量部）が主にエポキシ樹脂で構成される。   Comparative Example 3: As shown in FIG. 10, in the solder resist layer of Comparative Example 3, the reflector particles (80 parts by weight) are mainly composed of rutile titanium dioxide, and the binder (20 parts by weight) is mainly used. Consists of epoxy resin.

＜光の反射率の測定＞
光の異なる材料からなるソルダーレジストの光の反射率は、所定の波長範囲における分光反射率を以下の方法により測定した。 <Measurement of light reflectance>
The light reflectance of a solder resist made of a material having different light was measured by the following method for spectral reflectance in a predetermined wavelength range.

透明な１ｍｍのガラス板に各ソルダーレジスト原料を塗布し硬化させて、厚さ２０μｍの各ソルダーレジスト層を備えた測定サンプルを作製した。そして、分光光度計ＵＶ−３１５０（株式会社島津製作所）を用いて、波長２５０ｎｍ〜７００ｎｍにおける測定サンプルの反射率を測定した。   Each solder resist raw material was applied to a transparent 1 mm glass plate and cured to prepare a measurement sample including each solder resist layer having a thickness of 20 μm. And the reflectance of the measurement sample in wavelength 250nm -700nm was measured using spectrophotometer UV-3150 (Shimadzu Corporation).

＜光の反射率の経時変化の測定＞
各ソルダーレジスト層について耐久試験（エージング試験）を行った結果を示す。この耐久試験では、温度１５０℃でソルダーレジスト層を処理し、発光素子２００を長時間動作させ、所定のタイミング（０時間、１００時間、２００時間）で、発光素子２００から発せられる光を想定した波長４５０ｎｍの光に対する各ソルダーレジスト層の反射率を測定した。具体的には、異なる材料からなる各ソルダーレジスト層について、透明な１ｍｍのガラス板に各ソルダーレジスト層の材料を塗布し硬化させて厚さ２０μｍの各ソルダーレジスト層を備えた測定サンプルを作成した。そして、各測定サンプルについて、１５０℃で、０時間、１００時間、２００時間処理した後における４５０ｎｍにおける反射率を分光光度計ＵＶ−３１５０（株式会社島津製作所）を用いて測定し、反射率とした。 <Measurement of light reflectance over time>
The result of having performed the durability test (aging test) about each soldering resist layer is shown. In this durability test, the solder resist layer was processed at a temperature of 150 ° C., the light emitting element 200 was operated for a long time, and light emitted from the light emitting element 200 was assumed at a predetermined timing (0 hour, 100 hours, 200 hours). The reflectance of each solder resist layer with respect to light having a wavelength of 450 nm was measured. Specifically, for each solder resist layer made of different materials, the material of each solder resist layer was applied to a transparent 1 mm glass plate and cured to prepare a measurement sample including each solder resist layer having a thickness of 20 μm. . And about each measurement sample, the reflectance in 450 nm after processing for 0 hours, 100 hours, and 200 hours at 150 degreeC was measured using spectrophotometer UV-3150 (Shimadzu Corporation), and it was set as the reflectance. .

図５は、本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板における異なる材料からなる各ソルダーレジストについて、所定の波長範囲における光の反射率を示すグラフである。図５は、実施例１、比較例１についての測定結果を示すグラフである。すなわち、図７は、本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板におけるアナターゼ型の二酸化チタンからなるソルダーレジストと、ルチル型の二酸化チタンからなるソルダーレジストとについて、所定の波長範囲における光の反射率を示すグラフである。図７は、実施例２−１〜２−２についての測定結果を示すグラフである。   FIG. 5 is a graph showing the reflectance of light in a predetermined wavelength range for each solder resist made of different materials in the LED substrate according to the embodiment of the present invention. FIG. 5 is a graph showing measurement results for Example 1 and Comparative Example 1. That is, FIG. 7 shows light reflectance in a predetermined wavelength range for a solder resist made of anatase-type titanium dioxide and a solder resist made of rutile-type titanium dioxide in the LED substrate according to the embodiment of the present invention. It is a graph. FIG. 7 is a graph showing measurement results for Examples 2-1 to 2-2.

図５及び図７のグラフはそれぞれ、実施例１、２−１、２−２、比較例１の本実施形態のソルダーレジストの材質に対する所定の波長範囲における光の反射率を示す。   The graphs of FIGS. 5 and 7 show the reflectance of light in a predetermined wavelength range with respect to the materials of the solder resists of the present embodiment of Examples 1, 2-1, 2-2 and Comparative Example 1, respectively.

図５のグラフに示すように反射率の大幅に低下する短波長域を除く４３０〜７００ｎｍの波長における実施例１（線Ｌ１−１）の反射率は９０〜９９％であり、比較例１（線Ｌ１−２）の反射率は８０〜９５％であった。   As shown in the graph of FIG. 5, the reflectance of Example 1 (line L1-1) at a wavelength of 430 to 700 nm excluding a short wavelength region in which the reflectance is greatly reduced is 90 to 99%, and Comparative Example 1 ( The reflectance of the line L1-2) was 80 to 95%.

図５中、線Ｌ１−１は実施例１、線Ｌ１−２は比較例についての測定結果をそれぞれ示している。   In FIG. 5, the line L1-1 shows the measurement results for Example 1, and the line L1-2 shows the measurement results for the comparative example.

図５に示されるように、実施例１（線Ｌ１−１）では、４３０〜７００ｎｍの波長において、比較例と同等以上の高い反射率が得られた。図５のグラフに示す結果から、シリコーン樹脂に反射材粒子（図５の例では、ルチル型二酸化チタン）を含ませたソルダーレジスト層は樹脂基板に薄い皮膜として形成した場合であっても十分な反射率が得られ易くなると考えられる。   As shown in FIG. 5, in Example 1 (line L1-1), a high reflectance equal to or higher than that of the comparative example was obtained at a wavelength of 430 to 700 nm. From the results shown in the graph of FIG. 5, the solder resist layer in which the reflective resin particles (rutile titanium dioxide in the example of FIG. 5) are included in the silicone resin is sufficient even when formed as a thin film on the resin substrate. It is considered that the reflectance is easily obtained.

図７のグラフ中、線Ｌ２−１は実施例２−１、線Ｌ２−２は実施例２−２についての測定結果をそれぞれ示している。   In the graph of FIG. 7, the line L2-1 shows the measurement results for Example 2-1, and the line L2-2 shows the measurement results for Example 2-2.

反射率が５０％に低下する下限の波長は、実施例２−１では３７５ｎｍであり、実施例２−２では４００ｎｍであった。   The lower limit wavelength at which the reflectance drops to 50% was 375 nm in Example 2-1, and 400 nm in Example 2-2.

実施例２−１では、実施例２−２よりも短い波長で高い反射率が得られる。詳しくは、３７５ｎｍ〜４２０ｎｍの波長範囲で、ルチル型の二酸化チタンを主材料とするソルダーレジスト（実施例２−２）よりも、アナターゼ型の二酸化チタンを主材料とするソルダーレジスト（実施例２−１）の方が、反射率が高くなることが判る。   In Example 2-1, a high reflectance is obtained at a shorter wavelength than in Example 2-2. Specifically, in a wavelength range of 375 nm to 420 nm, a solder resist mainly composed of anatase titanium dioxide (Example 2-) rather than a solder resist mainly composed of rutile titanium dioxide (Example 2-2). It can be seen that the reflectance is higher in 1).

このことから、ソルダーレジストは、反射材粒子として、アナターゼ型の二酸化チタンを含むことが好ましいと考えられる。アナターゼ型の二酸化チタンを含むソルダーレジストによれば、短波長（特に３７５ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲にある波長）の発光素子２００を使用した場合にも、高い割合でその光を反射することが可能になり、基板１０の劣化（特に樹脂の劣化）を抑制し易くなる。このためソルダーレジストの反射材粒子は、主にアナターゼ型の二酸化チタンから構成されることが特に好ましい。具体的には、ソルダーレジストを構成する反射材粒子の５０重量％以上が、アナターゼ型の二酸化チタンであることが好ましく、中でも、８０重量％以上がアナターゼ型の二酸化チタンであることがより好ましいと考えられる。   From this, it is considered that the solder resist preferably contains anatase type titanium dioxide as the reflector particles. According to the solder resist containing anatase type titanium dioxide, even when the light emitting device 200 having a short wavelength (especially in the range of 375 nm to 420 nm) is used, the light can be reflected at a high rate. The deterioration of the substrate 10 (particularly the deterioration of the resin) can be easily suppressed. Therefore, it is particularly preferable that the reflector particles of the solder resist are mainly composed of anatase-type titanium dioxide. Specifically, 50% by weight or more of the reflector particles constituting the solder resist is preferably anatase-type titanium dioxide, and more preferably 80% by weight or more is anatase-type titanium dioxide. Conceivable.

アナターゼ型の二酸化チタンを使用した場合には、結合材としてシリコーン樹脂を用いることが好ましい。発光素子は、素子自体の発する光のみならず、屋外で使用した場合などには特に外部より波長の短い光（例えば３１５〜４００ｎｍ）の含まれる太陽光も照射される。アナターゼ型の二酸化チタンは光触媒作用が強いので、Ｃ−Ｃ又はＣ−Ｏ等の結合を多く含むエポキシ樹脂などの有機材料は発光素子の光又は太陽光に反応して劣化し易いが、シリコーン樹脂は、これらの結合が少ない（又は無い）ので、変質しにくいと考えられる。   When anatase type titanium dioxide is used, it is preferable to use a silicone resin as a binder. The light emitting element is irradiated not only with light emitted from the element itself but also with sunlight including light having a shorter wavelength than the outside (for example, 315 to 400 nm) when used outdoors. Since anatase-type titanium dioxide has a strong photocatalytic action, an organic material such as an epoxy resin containing many bonds such as C—C or C—O easily deteriorates in response to light or sunlight of a light-emitting element. Is considered to be difficult to alter because these bonds are few (or absent).

図９は、本発明の実施形態に係るソルダーレジストおよび、異なる材料からなる比較例のソルダーレジストについて、ソルダーレジスト層を形成し所定の波長を有する光の反射率の経時変化を示すグラフである。   FIG. 9 is a graph showing temporal changes in the reflectance of light having a predetermined wavelength when a solder resist layer is formed for a solder resist according to an embodiment of the present invention and a solder resist of a comparative example made of different materials.

図９のグラフ中、線Ｌ３−１は実施例３−１、線Ｌ３−２は実施例３−２、線Ｌ３−３は比較例３についての測定結果をそれぞれ示している。   In the graph of FIG. 9, the line L3-1 shows the measurement results for Example 3-1, the line L3-2 shows the measurement results for Example 3-2, and the line L3-3 shows the measurement results for Comparative Example 3.

各実施例及び比較例、参考例の０時間後、１００時間後、２００時間後の反射率は以下の結果であった。   The reflectivity of each example, comparative example, and reference example after 0 hours, 100 hours, and 200 hours was as follows.

実施例３−１（線Ｌ３−１）の反射率は９０〜９３％で、ソルダーレジスト層の劣化がなかった。実施例３−２（線Ｌ３−２）の反射率は９５〜９８％で、ソルダーレジスト層の劣化がなかった。比較例３（線Ｌ３−４）の反射率は８５〜９３％で、ソルダーレジスト層の経時的な劣化が見られた。   The reflectance of Example 3-1 (line L3-1) was 90 to 93%, and the solder resist layer was not deteriorated. The reflectance of Example 3-2 (line L3-2) was 95 to 98%, and the solder resist layer was not deteriorated. The reflectance of Comparative Example 3 (line L3-4) was 85 to 93%, and the solder resist layer deteriorated with time.

図９のグラフに示されるように、結合材としてシリコーン樹脂を用いた実施例３−１、３−２（線Ｌ３−１、Ｌ３−２）、は、ほとんど劣化していない。このことから、シリコーン樹脂から構成されるソルダーレジスト層は、高い反射率を得やすく、しかも劣化しにくいと考えられる。このため、こうしたソルダーレジスト層を用いることで、ＬＥＤ基板１００の耐久性、ひいては信頼性が向上すると考えられる。   As shown in the graph of FIG. 9, Examples 3-1 and 3-2 (lines L3-1 and L3-2) using a silicone resin as a binder are hardly deteriorated. From this, it is considered that the solder resist layer composed of the silicone resin is easy to obtain a high reflectance and hardly deteriorates. For this reason, using such a solder resist layer is considered to improve the durability and consequently the reliability of the LED substrate 100.

以下、図１１〜図１８を参照して、ＬＥＤ基板１００の製造方法について説明する。図１１は、本発明の実施形態に係るＬＥＤ基板の製造方法を示すフローチャートであり、ＬＥＤ基板１００の製造方法の概略的な内容及び手順について説明する。本実施形態のＬＥＤ基板１００の製造方法では、１つのパネルで多数のＬＥＤ基板１００を製造した後（ステップＳ１１〜Ｓ１７）、それらを個別に切り出す（ステップＳ１８）こととする。   Hereinafter, a method for manufacturing the LED substrate 100 will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a flowchart showing a method for manufacturing an LED substrate according to an embodiment of the present invention, and the schematic contents and procedure of the method for manufacturing the LED substrate 100 will be described. In the manufacturing method of the LED board 100 of this embodiment, after manufacturing many LED boards 100 with one panel (steps S11-S17), they shall be cut out separately (step S18).

図１２は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおける絶縁基板を準備する工程を説明するための図である。図１３（ａ）は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおける絶縁基板にスルーホールを形成する工程を説明するための図である。図１３（ｂ）は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおける絶縁基板に非貫通孔を形成する変形例の工程を説明するための図である。図１４は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおけるめっき工程を説明するための図である。図１５は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおけるエッチングレジストを形成する工程を説明するための図である。図１６は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおける導体層をエッチングする工程を説明するための図である。図１７は、図１１に示す製造方法を示すフローチャートにおけるソルダーレジスト層を形成する第１の工程を説明するための図である。図１８は、図１７の第１の工程の後の第２の工程を説明するための図である。   FIG. 12 is a diagram for explaining a step of preparing an insulating substrate in the flowchart showing the manufacturing method shown in FIG. FIG. 13A is a view for explaining a process of forming a through hole in the insulating substrate in the flowchart showing the manufacturing method shown in FIG. FIG. 13B is a diagram for explaining a process of a modification in which a non-through hole is formed in the insulating substrate in the flowchart showing the manufacturing method shown in FIG. FIG. 14 is a view for explaining a plating step in the flowchart showing the manufacturing method shown in FIG. FIG. 15 is a diagram for explaining a step of forming an etching resist in the flowchart showing the manufacturing method shown in FIG. FIG. 16 is a diagram for explaining a step of etching the conductor layer in the flowchart showing the manufacturing method shown in FIG. FIG. 17 is a view for explaining a first step of forming a solder resist layer in the flowchart showing the manufacturing method shown in FIG. 11. FIG. 18 is a diagram for explaining a second step after the first step of FIG.

ステップＳ１１（樹脂基板の準備）では、図１２に示すように、出発材料として両面銅張積層板２０００を準備する。両面銅張積層板２０００は、基板１０と、基板１０の第１面Ｆ１上に形成された銅箔１００１と、基板１０の第２面Ｆ２上に形成された銅箔１００２と、から構成される。本実施形態では、この段階において、基板１０が、完全に硬化した状態のガラエポからなる。   In step S11 (preparation of resin substrate), as shown in FIG. 12, a double-sided copper-clad laminate 2000 is prepared as a starting material. The double-sided copper-clad laminate 2000 includes a substrate 10, a copper foil 1001 formed on the first surface F1 of the substrate 10, and a copper foil 1002 formed on the second surface F2 of the substrate 10. . In this embodiment, at this stage, the substrate 10 is made of a glass epoxy that is completely cured.

続けて、図１１のフローチャートのステップＳ１２（スルーホールの形成、デスミア）で、例えばＣＯ２レーザを用いて、第２面Ｆ２側からレーザを両面銅張積層板２０００に照射することにより、図１３（ａ）に示すように、両面銅張積層板２０００を貫通する孔１０ａを形成する。（図３参照）。その後、孔１０ａについてデスミアを行う。なお、孔１０ａの形成は、ドリル又はエッチングなど、レーザ以外の方法で行ってもよい。また、図１３（ａ）に示すスルーホールを形成する工程に代えて、図１３（ｂ）に示すように、レーザ光による加工が、銅箔１００２及び基板１０を貫通し、銅箔１００１で止まるように、両面銅張積層板２０００に対してレーザ照射を行い、非貫通孔１０ｃを形成してもよい。この場合も、図１１のステップＳ１３以降の処理は、スルーホールを形成した場合と同様に行うことができる。 Subsequently, in step S12 (formation of through hole, desmear) in the flowchart of FIG. 11, the double-sided copper-clad laminate 2000 is irradiated with a laser from the second surface F2 side using, for example, a CO 2 laser. As shown to (a), the hole 10a which penetrates the double-sided copper clad laminated board 2000 is formed. (See FIG. 3). Thereafter, desmearing is performed on the hole 10a. The hole 10a may be formed by a method other than laser, such as drilling or etching. Further, in place of the step of forming the through hole shown in FIG. 13A, as shown in FIG. 13B, processing by laser light penetrates the copper foil 1002 and the substrate 10 and stops at the copper foil 1001. As described above, the double-sided copper-clad laminate 2000 may be irradiated with laser to form the non-through hole 10c. Also in this case, the process after step S13 of FIG. 11 can be performed similarly to the case where the through hole is formed.

続けて、図１１のフローチャートのステップＳ１３（めっき）で、例えばパネルめっき法により、図１４に示すように、銅箔１００１、１００２上及び孔１０ａ内に、めっき膜１００３を形成する。具体的には、例えば銅の無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けて無電解めっき膜をシード層として例えば銅の電解めっきを行うことにより、電解めっきを形成する。これにより、孔１０ａにめっき膜（無電解めっき膜及び電解めっき膜）が充填され、フィルド導体１０ｂが形成される。   Subsequently, in step S13 (plating) of the flowchart of FIG. 11, a plating film 1003 is formed on the copper foils 1001 and 1002 and in the holes 10a as shown in FIG. 14, for example, by panel plating. Specifically, for example, electroless plating of copper is performed to form an electroless plating film, and then electrolytic plating is performed by performing, for example, copper electroplating using the electroless plating film as a seed layer. Thereby, the hole 10a is filled with the plating film (electroless plating film and electrolytic plating film), and the filled conductor 10b is formed.

続けて、図１１のフローチャートのステップＳ１４（導体層のパターニング）で、基板１０の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層のパターニングを行う。   Subsequently, in step S14 (conductor layer patterning) in the flowchart of FIG. 11, the conductor layers formed on the first surface F1 and the second surface F2 of the substrate 10 are patterned.

具体的には、図１５に示すように、例えばリソグラフィ技術により、第１面Ｆ１側の主面（めっき膜１００３上）に、開口部１００４ａを有するエッチングレジスト１００４を、また、第２面Ｆ２側の主面（めっき膜１００３上）に、開口部１００５ａを有するエッチングレジスト１００５を、それぞれ形成する。開口部１００４ａ、１００５ａはそれぞれ、導体層２１、２２（図１）に対応したパターンを有する。   Specifically, as shown in FIG. 15, an etching resist 1004 having an opening 1004a on the main surface (on the plating film 1003) on the first surface F1 side, for example, by a lithography technique, and the second surface F2 side An etching resist 1005 having an opening 1005a is formed on each main surface (on the plating film 1003). The openings 1004a and 1005a have patterns corresponding to the conductor layers 21 and 22 (FIG. 1), respectively.

続けて、例えばエッチング液を用いて、基板１０の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２に形成された各導体層（銅箔１００１、１００２、めっき膜１００３の、エッチングレジスト１００４、１００５で覆われない部分（開口部１００４ａ、１００５ａで露出する部位）を除去する。これにより、図１６に示すように、基板１０（絶縁層）の第１面Ｆ１、第２面Ｆ２上にそれぞれ、発光素子２００（図２）の配線として機能し得る導体パターン２１ａ、２２ａが形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。   Subsequently, the conductive layers (copper foils 1001 and 1002, plating film 1003, etching resists 1004 and 1005 are not covered with the etching layers, for example, using the etching solution, for example, on the first surface F1 and the second surface F2 of the substrate 10. The portions (sites exposed at the openings 1004a and 1005a) are removed, whereby the light emitting element 200 (on the first surface F1 and the second surface F2 of the substrate 10 (insulating layer), respectively, as shown in FIG. 2), conductor patterns 21a and 22a that can function as wiring are formed, and the etching is not limited to wet, but may be dry.

続けて、図１１のフローチャートのステップＳ１５（ソルダーレジストの形成）で、例えばスクリーン印刷により、図１７に示すように、基板１０（絶縁層）の第１面Ｆ１上にソルダーレジスト層１１（ソルダーレジストともいう）を形成する。具体的には、例えば未硬化のシリコーン樹脂前駆体組成物に、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にあるアナターゼ型の酸化チタン粒子（白色顔料）を混合し、樹脂基板１０の第１面Ｆ１上に印刷する。続けて、例えば１００〜１５０℃、１０〜６０分間保持して未硬化のシリコーン樹脂前駆体組成物を硬化させる。これにより、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にあるアナターゼ型の酸化チタンを含有するシリコーン樹脂から構成されるソルダーレジスト層１１が得られる。この段階では、ソルダーレジスト層１１は、導体パターン２１ａよりも厚く、そして、導体パターン２１ａを覆うように形成される。   Subsequently, in step S15 (formation of solder resist) of the flowchart of FIG. 11, the solder resist layer 11 (solder resist) is formed on the first surface F1 of the substrate 10 (insulating layer) by screen printing, for example, as shown in FIG. (Also called). Specifically, for example, an anatase-type titanium oxide particle (white pigment) having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm is mixed with an uncured silicone resin precursor composition, and the first resin substrate 10 is first. Print on surface F1. Subsequently, for example, the uncured silicone resin precursor composition is cured by holding at 100 to 150 ° C. for 10 to 60 minutes. Thereby, the soldering resist layer 11 comprised from the silicone resin containing the anatase type titanium oxide which exists in the range whose average particle diameter is 0.1-10 micrometers is obtained. At this stage, the solder resist layer 11 is thicker than the conductor pattern 21a and is formed so as to cover the conductor pattern 21a.

続けて、図１１のフローチャートのステップＳ１６（研磨）で、ソルダーレジスト層１１の表面を研磨して、図１８に示すように、ソルダーレジスト層１１を薄くする。これにより、ソルダーレジスト層１１が、導体パターン２１ａよりも薄くなる。研磨は、例えばバフ研磨等を用いることができる。すなわち、柔軟性のある素材（例えば綿布又は麻など）からなるバフに砥粒を付着させ、バフを高速回転させながら押し当ててソルダーレジスト層１１の表面を削る。本実施形態のソルダーレジスト層は、酸化チタン粒子の含有量が５０〜８０重量％である。ソルダーレジスト層の酸化チタン粒子の含有量が５０重量％以上であるので、結合材がシリコーン樹脂であっても砥粒で容易に研磨することができる。また、本実施形態のソルダーレジスト層の酸化チタン粒子の含有量が８０重量％以下であるので、シリコーン樹脂が相対的に多くなり、シリコーン樹脂が酸化チタン粒子を強く結びつけることができる。そのため、研磨によって、ソルダーレジスト層からの酸化チタン粒子の脱落、ソルダーレジスト層自体が脱落あるいは剥離しにくくすることができ、ソルダーレジスト層を、容易に研磨することができる。   Subsequently, in step S16 (polishing) in the flowchart of FIG. 11, the surface of the solder resist layer 11 is polished to thin the solder resist layer 11 as shown in FIG. Thereby, the solder resist layer 11 becomes thinner than the conductor pattern 21a. For example, buffing or the like can be used for polishing. That is, abrasive grains are attached to a buff made of a flexible material (for example, cotton cloth or hemp), and the surface of the solder resist layer 11 is shaved by pressing the buff while rotating at high speed. In the solder resist layer of this embodiment, the content of titanium oxide particles is 50 to 80% by weight. Since the content of titanium oxide particles in the solder resist layer is 50% by weight or more, even if the binder is a silicone resin, it can be easily polished with abrasive grains. Moreover, since the content of the titanium oxide particles in the solder resist layer of the present embodiment is 80% by weight or less, the silicone resin is relatively increased, and the silicone resin can strongly bind the titanium oxide particles. Therefore, the removal of the titanium oxide particles from the solder resist layer and the solder resist layer itself can be made difficult to drop or peel off by polishing, and the solder resist layer can be easily polished.

続けて、図１１のフローチャートのステップＳ１７（耐食膜の形成）で、電解めっき又はスパッタリング等により、導体パターン２１ａ、２２ａ上に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食膜２１ｂ、２２ｂ（図１）を形成する。これにより、図１に示されるような、導体層２１及び２２が形成され、ＬＥＤ基板１００が完成する。なお、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食膜２１ｂ、２２ｂを形成してもよい。   Subsequently, in step S17 (formation of corrosion resistant film) in the flowchart of FIG. 11, corrosion resistant films 21b and 22b (FIG. 1) made of, for example, a Ni / Au film are formed on the conductor patterns 21a and 22a by electrolytic plating or sputtering. Form. Thereby, the conductor layers 21 and 22 as shown in FIG. 1 are formed, and the LED substrate 100 is completed. In addition, you may form the corrosion-resistant film | membrane 21b, 22b which consists of an organic protective film by performing OSP process.

その後、図１１のフローチャートのステップＳ１８（外形加工）で、パネルに形成されたＬＥＤ基板１００の各々について外形加工を行い、個別のＬＥＤ基板１００を得る。そして、検査後、良品のみを製品とする。また、こうして得られたＬＥＤ基板１００に発光素子２００を実装することで、発光モジュール１０００を製造することができる。さらに、発光モジュールに電源回路を接続し、筐体に組み込むことで発光モジュールを有する機器を製造することができる。   Thereafter, in step S18 (outer shape processing) in the flowchart of FIG. 11, the outer shape processing is performed on each of the LED substrates 100 formed on the panel, and individual LED substrates 100 are obtained. After the inspection, only good products are used as products. Moreover, the light emitting module 1000 can be manufactured by mounting the light emitting element 200 on the LED substrate 100 thus obtained. Furthermore, a device having a light-emitting module can be manufactured by connecting a power supply circuit to the light-emitting module and incorporating it in a housing.

こうしたＬＥＤ基板１００の製造方法、発光モジュール１００の製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法であれば、光によって劣化のない、良好なＬＥＤ基板１００、発光モジュール１０００及び発光モジュールを有する機器が得られる。   If it is such a manufacturing method of the LED substrate 100, a manufacturing method of the light emitting module 100, and a manufacturing method of a device having the light emitting module, a device having a good LED substrate 100, the light emitting module 1000, and the light emitting module that is not deteriorated by light. can get.

本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the present invention can be modified as follows.

図１９は、本発明の他の実施形態において、導体層よりも厚いソルダーレジスト層を有するＬＥＤ基板を示す断面図である。ソルダーレジスト層はＬＥＤ素子と接続する開口２００ａ以外は導体層で覆っている。   FIG. 19 is a cross-sectional view showing an LED substrate having a solder resist layer thicker than the conductor layer in another embodiment of the present invention. The solder resist layer is covered with a conductor layer except for the opening 200a connected to the LED element.

上記実施形態では、ソルダーレジスト層１１が配線パターン２１ｃ、２１ｄよりも薄かったが、これに限定されない。例えば図１９に示すように、ソルダーレジスト層１１が導体層２１（配線パターン２１ｃ、２１ｄ）より厚くてもよい。   In the said embodiment, although the soldering resist layer 11 was thinner than the wiring patterns 21c and 21d, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 19, the solder resist layer 11 may be thicker than the conductor layer 21 (wiring patterns 21c and 21d).

発光素子２００の実装方法は、フリップチップに限られず任意である。図２０は、本発明の実施形態に係る発光モジュールにおいて、異なる態様でＬＥＤ素子が実装された別例を示す図である。図２０に示すように、発光モジュール１０００は、ワイヤボンディングにより、発光素子２００が実装されてもよい。図２０の例では、発光素子２００の電極が、ワイヤ２００ｂを介して、導体層２１の配線パターン２１ｃと電気的に接続される。   The mounting method of the light emitting element 200 is not limited to the flip chip and is arbitrary. FIG. 20 is a diagram illustrating another example in which LED elements are mounted in different modes in the light emitting module according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 20, in the light emitting module 1000, the light emitting element 200 may be mounted by wire bonding. In the example of FIG. 20, the electrode of the light emitting element 200 is electrically connected to the wiring pattern 21c of the conductor layer 21 via the wire 200b.

基板１０の形状及び材料は、基本的に任意である。例えば基板１０は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。また、本実施形態では、基板１０が、リジッド基板である。しかしこれに限られず、基板１０は、例えばフレキシブル基板であってもよい。   The shape and material of the substrate 10 are basically arbitrary. For example, the substrate 10 may be composed of a plurality of layers made of different materials. In the present embodiment, the substrate 10 is a rigid substrate. However, the present invention is not limited to this, and the substrate 10 may be a flexible substrate, for example.

フィルド導体１０ｂは、例えば図２１に示すように、発光素子２００の直下に配置してもよい。こうした配置によれば、前述した放熱効果（図４参照）が得られ易くなる。また、放熱効果を高める上では、フィルド導体１０ｂが、発光素子２００の実装領域（投影領域）の略全域に配置されることが好ましい。なお、フィルド導体１０ｂの数及び配置は任意である。フィルド導体１０ｂの数は、１つでも、複数でもよい。   The filled conductor 10b may be disposed immediately below the light emitting element 200, for example, as shown in FIG. According to such an arrangement, the above-described heat dissipation effect (see FIG. 4) is easily obtained. Further, in order to enhance the heat dissipation effect, it is preferable that the filled conductor 10b is disposed in substantially the entire mounting area (projection area) of the light emitting element 200. In addition, the number and arrangement | positioning of the filled conductor 10b are arbitrary. The number of filled conductors 10b may be one or plural.

ＬＥＤ基板１００を他の基板（例えばマザーボード）に実装してもよい。この場合も、ソルダーレジスト層１１がシリコーン樹脂から構成されることで、ＬＥＤ基板１００とその実装される他の基板との間で高い接続信頼性が得られ易くなる。   The LED substrate 100 may be mounted on another substrate (for example, a motherboard). Also in this case, since the solder resist layer 11 is made of a silicone resin, high connection reliability is easily obtained between the LED substrate 100 and another substrate on which the LED substrate 100 is mounted.

その他の点についても、上記ＬＥＤ基板１００及び発光モジュール１０００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。   With respect to other points as well, the configurations of the LED substrate 100 and the light emitting module 1000, and the types, performances, dimensions, materials, shapes, number of layers, and arrangements of the components are arbitrary within the scope of the present invention. Can be changed.

例えば上記実施形態では、ＬＥＤ基板１００が各主面に導体層を１つずつ（導体層２１、２２）有するプリント配線板であったが、基板１０をコア基板にして多層化された多層プリント配線板にしてもよい。   For example, in the embodiment described above, the LED substrate 100 is a printed wiring board having one conductor layer (conductor layers 21 and 22) on each main surface, but the multilayer printed wiring is multilayered with the substrate 10 as a core substrate. It may be a plate.

また、各導体層の材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えば導体層の材料として、銅以外の金属又は非金属の導体材料を用いてもよい。フィルド導体１０ｂの材料も、同様に任意である。また、フィルド導体１０ｂを割愛してもよい。   Moreover, the material of each conductor layer is not limited to said thing, It can change according to a use etc. For example, a metal material other than copper or a non-metal conductor material may be used as the material of the conductor layer. Similarly, the material of the filled conductor 10b is arbitrary. Further, the filled conductor 10b may be omitted.

ＬＥＤ基板１００及び発光モジュール１０００の製造工程は、図１１のフローチャートに示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。   The manufacturing process of the LED substrate 100 and the light emitting module 1000 is not limited to the order and contents shown in the flowchart of FIG. 11, and the order and contents can be arbitrarily changed without departing from the gist of the present invention. . Moreover, you may omit the process which is not required according to a use etc.

上記実施形態では、サブトラクティブ法で導体層２１及び２２を形成したが、各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層２１及び２２を形成してもよい。   In the said embodiment, although the conductor layers 21 and 22 were formed by the subtractive method, the formation method of each conductor layer is arbitrary. For example, any one of a panel plating method, a pattern plating method, a full additive method, a semi-additive (SAP) method, a subtractive method, a transfer method, and a tenting method, or a combination of any two or more thereof. Conductor layers 21 and 22 may be formed.

図２１Ａ〜図２１Ｃに、導体層２１及び２２をＳＡＰ法で形成する場合の一例を示す。図２１Ａは、本発明の他の実施形態に係る配線パターン層（第１配線パターン及び第２配線パターン）を形成する第１の工程を説明するための図であり、図２１Ｂは、図２１Ａの第１の工程の後の第２の工程を説明するための図であり、図２１Ｃは、図２１Ｂの第２の工程の後の第３の工程を説明するための図である。   21A to 21C show an example in which the conductor layers 21 and 22 are formed by the SAP method. 21A is a diagram for explaining a first step of forming a wiring pattern layer (first wiring pattern and second wiring pattern) according to another embodiment of the present invention, and FIG. 21B is a diagram of FIG. 21A. It is a figure for demonstrating the 2nd process after a 1st process, and FIG. 21C is a figure for demonstrating the 3rd process after the 2nd process of FIG. 21B.

この例では、上記実施形態と同様にして孔１０ａを形成した後（図１２〜図１３参照）、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、基板１０の表面に吸着させる。続けて、図２２Ａに示すように、例えば化学めっき法により、基板１０の第１面Ｆ１、第２面Ｆ２上及び孔１０ａの壁面に、例えば銅の無電解めっき膜２００１を形成する。   In this example, after the hole 10a is formed in the same manner as in the above embodiment (see FIGS. 12 to 13), a catalyst made of palladium or the like is adsorbed on the surface of the substrate 10 by, for example, immersion. Subsequently, as shown in FIG. 22A, for example, a copper electroless plating film 2001 is formed on the first surface F1, the second surface F2, and the wall surface of the hole 10a by, for example, chemical plating.

続けて、図２１Ｂに示すように、リソグラフィ技術又は印刷等により、第１面Ｆ１側の主面（無電解めっき膜２００１上）に、開口部２００２ａを有するめっきレジスト２００２を、また、第２面Ｆ２側の主面（無電解めっき膜２００１上）に、開口部２００３ａを有するめっきレジスト２００３を、それぞれ形成する。開口部２００２ａ、２００３ａはそれぞれ、導体層２１、２２（図１）に対応したパターンを有する。   Subsequently, as shown in FIG. 21B, a plating resist 2002 having an opening 2002a is formed on the main surface (on the electroless plating film 2001) on the first surface F1 side by the lithography technique or printing, and the second surface. A plating resist 2003 having an opening 2003a is formed on the main surface on the F2 side (on the electroless plating film 2001). The openings 2002a and 2003a have patterns corresponding to the conductor layers 21 and 22 (FIG. 1), respectively.

続けて、図２１Ｃに示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト２００２、２００３の開口部２００２ａ、２００３ａに、例えば銅の電解めっき２００４を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜２００１を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜２００１の表面に銅を析出させる。これにより、孔１０ａに無電解めっき膜２００１及び電解めっき２００４が充填され、フィルド導体１０ｂが形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 21C, for example, copper electroplating 2004 is formed in the openings 2002a and 2003a of the plating resists 2002 and 2003 by, for example, pattern plating. Specifically, copper, which is a material to be plated, is connected to the anode, and an electroless plating film 2001, which is a material to be plated, is connected to the cathode, and immersed in a plating solution. Then, a direct current voltage is applied between the two electrodes to pass a current, and copper is deposited on the surface of the electroless plating film 2001. Thereby, the hole 10a is filled with the electroless plating film 2001 and the electrolytic plating 2004, and the filled conductor 10b is formed.

その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト２００２及び２００３を除去し、続けて不要な無電解めっき膜２００１を除去することにより、導体層２１及び２２（図１６参照）が形成される。   Thereafter, the plating resists 2002 and 2003 are removed with, for example, a predetermined stripping solution, and then the unnecessary electroless plating film 2001 is removed, whereby the conductor layers 21 and 22 (see FIG. 16) are formed.

なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜２００１に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。   The seed layer for electrolytic plating is not limited to the electroless plating film, and a sputtered film or the like may be used as the seed layer instead of the electroless plating film 2001.

以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。   The embodiment of the present invention has been described above. However, various modifications and combinations required for design reasons and other factors are not limited to the invention described in the “claims” or the “mode for carrying out the invention”. It should be understood that it is included in the scope of the invention corresponding to the specific examples described in the above.

本発明に係るＬＥＤ基板及び発光モジュールは、照明又は液晶ディスプレイのバックライトなどの部品として使用できる。   The LED substrate and the light emitting module according to the present invention can be used as components such as lighting or a backlight of a liquid crystal display.

１０ 基板
１０ａ 孔
１０ｂ フィルド導体
１０ｃ 非貫通孔
１１ ソルダーレジスト層（反射膜）
１１ａ、１１ｂ 素子部
２１、２２ 導体層
２１ａ、２２ａ 導体パターン
２１ｂ、２２ｂ 耐食膜
２１ｃ、２１ｄ 配線パターン
１００ ＬＥＤ基板
１０１ 金属基板
１０２ 絶縁層
２００ 発光素子
２００ａ 半田
２００ｂ ワイヤ
１０００ 発光モジュール
１００１、１００２ 銅箔
１００３ めっき膜
１００４、１００５ エッチングレジスト
１００４ａ、１００５ａ 開口部
２０００ 両面銅張積層板
２００１ 無電解めっき膜
２００２、２００３ めっきレジスト
２００２ａ、２００３ａ 開口部
３００１ 酸化チタン粒子
３００２ シリコーン樹脂
３００３ 気孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate 10a Hole 10b Filled conductor 10c Non-through-hole 11 Solder resist layer (reflection film)
11a, 11b Element portion 21, 22 Conductor layer 21a, 22a Conductor pattern 21b, 22b Corrosion-resistant film 21c, 21d Wiring pattern 100 LED substrate 101 Metal substrate 102 Insulating layer 200 Light emitting element 200a Solder 200b Wire 1000 Light emitting module 1001, 1002 Copper foil 1003 Plating film 1004, 1005 Etching resist 1004a, 1005a Opening 2000 Double-sided copper-clad laminate 2001 Electroless plating film 2002, 2003 Plating resist 2002a, 2003a Opening 3001 Titanium oxide particles 3002 Silicone resin 3003 Pore

Claims (26)

平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成される、
ことを特徴とするソルダーレジスト。 Composed of titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm, and a silicone resin;
Solder resist characterized by that. 前記酸化チタン粒子の含有量は、５０〜８０重量％の範囲にある、
ことを特徴とする請求項１に記載のソルダーレジスト。 The content of the titanium oxide particles is in the range of 50 to 80% by weight.
The solder resist according to claim 1. 前記酸化チタン粒子は、アナターゼ型の酸化チタン粒子である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のソルダーレジスト。 The titanium oxide particles are anatase type titanium oxide particles.
The solder resist according to claim 1 or 2, characterized in that: 前記ソルダーレジストは、波長５００ｎｍ以下の単色光もしくは５００ｎｍ以下の単色光を含む光を反射する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のソルダーレジスト。 The solder resist reflects light containing monochromatic light having a wavelength of 500 nm or less or monochromatic light having a wavelength of 500 nm or less.
The solder resist according to any one of claims 1 to 3, wherein: 気孔を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のソルダーレジスト。 Having pores,
The solder resist according to any one of claims 1 to 4, wherein: 平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂前駆体組成物から構成される、
ことを特徴とするソルダーレジスト原料。 Composed of titanium oxide particles having an average particle diameter in the range of 0.1 to 10 μm, and a silicone resin precursor composition;
Solder resist raw material characterized by the above. 前記酸化チタン粒子の含有量は、５０〜８０重量％の範囲にある、
ことを特徴とする請求項６に記載のソルダーレジスト原料。 The content of the titanium oxide particles is in the range of 50 to 80% by weight.
The solder resist raw material according to claim 6. 前記酸化チタン粒子は、アナターゼ型の酸化チタン粒子である、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載のソルダーレジスト原料。 The titanium oxide particles are anatase type titanium oxide particles.
The solder resist raw material according to claim 6 or 7. 基板上に発光素子を実装するための導体層が形成されてなり、当該基板上にソルダーレジスト層が設けられてなり、
前記ソルダーレジスト層は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のソルダーレジストであり、
前記ソルダーレジスト層には、前記導体層を露出させるための開口が形成されてなる、
ことを特徴とするＬＥＤ基板。 A conductor layer for mounting a light emitting element is formed on a substrate, a solder resist layer is provided on the substrate,
The solder resist layer is a solder resist according to any one of claims 1 to 5,
The solder resist layer is formed with an opening for exposing the conductor layer.
The LED board characterized by the above-mentioned. 前記基板は、無機材料からなる補強材を含有する樹脂基板である、
ことを特徴とする請求項９に記載のＬＥＤ基板。 The substrate is a resin substrate containing a reinforcing material made of an inorganic material.
The LED substrate according to claim 9. 前記無機材料は、ガラス繊維である、
ことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ基板。 The inorganic material is glass fiber.
The LED substrate according to claim 10. 前記樹脂基板は、エポキシ樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＬＥＤ基板。 The resin substrate is made of an epoxy resin.
The LED substrate according to claim 10 or 11, wherein 前記樹脂基板は、前記樹脂基板を貫通する孔を有し、前記樹脂基板を貫通する孔に導体が充填されてなるフィルド導体を有する、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のＬＥＤ基板。 The resin substrate has a hole penetrating the resin substrate, and has a filled conductor in which a conductor is filled in a hole penetrating the resin substrate.
The LED substrate according to claim 10, wherein the LED substrate is a light emitting diode. 前記フィルド導体は、銅からなる、
ことを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤ基板。 The filled conductor is made of copper.
The LED substrate according to claim 13. ＬＥＤ基板上に発光素子が実装された発光モジュールであって、
前記ＬＥＤ基板は、請求項９乃至１４のいずれか一項に記載のＬＥＤ基板である、
ことを特徴とする発光モジュール。 A light emitting module in which a light emitting element is mounted on an LED substrate,
The LED substrate is the LED substrate according to any one of claims 9 to 14.
A light emitting module characterized by that. 発光モジュールを有する機器であって、
前記発光モジュールは請求項１５に記載の発光モジュールである、
ことを特徴とする発光モジュールを有する機器。 A device having a light emitting module,
The light emitting module is the light emitting module according to claim 15.
A device having a light emitting module. 基板上に発光素子を実装するための導体層を形成する工程と、
当該基板上に、平均粒子直径が０．１〜１０μｍの範囲にある酸化チタン粒子、及び、シリコーン樹脂から構成されるソルダーレジスト層を設ける工程と、
を含む、
ことを特徴とするＬＥＤ基板の製造方法。 Forming a conductor layer for mounting the light emitting element on the substrate;
On the substrate, providing a solder resist layer composed of titanium oxide particles having an average particle diameter of 0.1 to 10 μm and a silicone resin;
including,
A method for manufacturing an LED substrate. さらに、前記ソルダーレジスト層に前記導体層を露出させるための開口を形成する工程を含み、
前記導体層を形成する工程、前記ソルダーレジスト層を設ける工程、前記開口を形成する工程の順で行われる、
ことを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 Furthermore, the process includes forming an opening for exposing the conductor layer to the solder resist layer,
It is performed in the order of the step of forming the conductor layer, the step of providing the solder resist layer, and the step of forming the opening.
The manufacturing method of the LED board of Claim 17 characterized by the above-mentioned. さらに、前記ソルダーレジスト層に前記導体層を露出させるための開口を形成する工程を含み、
前記導体層を形成する工程、前記開口を形成する工程、前記ソルダーレジスト層を設ける工程の順で行われる、
ことを特徴とする請求項１７に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 Furthermore, the process includes forming an opening for exposing the conductor layer to the solder resist layer,
It is performed in the order of the step of forming the conductor layer, the step of forming the opening, and the step of providing the solder resist layer.
The manufacturing method of the LED board of Claim 17 characterized by the above-mentioned. 前記基板は、無機材料からなる補強材を含有する樹脂基板である、
ことを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか一項に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 The substrate is a resin substrate containing a reinforcing material made of an inorganic material.
The method for manufacturing an LED substrate according to any one of claims 17 to 19, wherein: 前記無機材料は、ガラス繊維である、
ことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 The inorganic material is glass fiber.
The method for manufacturing an LED substrate according to claim 20. 前記樹脂基板は、エポキシ樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項２０又は２１に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 The resin substrate is made of an epoxy resin.
The method for manufacturing an LED substrate according to claim 20 or 21, wherein: 前記樹脂基板を貫通する孔を形成する工程と、
前記樹脂基板を貫通する孔に導体が充填されてなるフィルド導体を形成する工程と、
をさらに含む、
ことを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか一項に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 Forming a hole penetrating the resin substrate;
Forming a filled conductor in which a conductor is filled in a hole penetrating the resin substrate;
Further including
The method for manufacturing an LED substrate according to any one of claims 20 to 22, wherein: 前記フィルド導体は、銅からなる、
ことを特徴とする請求項２３に記載のＬＥＤ基板の製造方法。 The filled conductor is made of copper.
The method for producing an LED substrate according to claim 23. ＬＥＤ基板に発光素子を実装する発光モジュールの製造方法であって、
前記ＬＥＤ基板は、請求項１７乃至２４のいずれか一項に記載のＬＥＤ基板の製造方法により製造されたＬＥＤ基板である、
ことを特徴とする発光モジュールの製造方法。 A method of manufacturing a light emitting module for mounting a light emitting element on an LED substrate,
The LED substrate is an LED substrate manufactured by the method for manufacturing an LED substrate according to any one of claims 17 to 24.
A method for manufacturing a light-emitting module. 発光モジュールを有する機器の製造方法であって、
前記発光モジュールは、請求項２５に記載の発光モジュールの製造方法により製造された発光モジュールである、
ことを特徴とする発光モジュールを有する機器の製造方法。 A method for manufacturing a device having a light emitting module,
The light emitting module is a light emitting module manufactured by the method of manufacturing a light emitting module according to claim 25.
The manufacturing method of the apparatus which has a light emitting module characterized by the above-mentioned.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015226056A (en) * 2014-05-28 2015-12-14 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting element
KR20160101056A (en) * 2013-12-18 2016-08-24 코닌클리케 필립스 엔.브이. Reflective solder mask layer for led phosphor package
WO2017022755A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 創光科学株式会社 Nitride semiconductor light-emitting element base and production method therefor
US9761766B2 (en) 2015-03-04 2017-09-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Chip on board type LED module
WO2017159129A1 (en) * 2016-03-15 2017-09-21 ソニー株式会社 Glass wiring substrate and method for producing same, component mounted glass wiring substrate and method for producing same, and substrate for display devices
KR20180040073A (en) * 2016-10-11 2018-04-19 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device package and lighting apparatus
JP2018536274A (en) * 2016-10-20 2018-12-06 クルーシャル マシンズ カンパニー リミテッド Laser bonding apparatus and method for three-dimensional structures
EP3451371A4 (en) * 2016-04-25 2019-10-23 KYOCERA Corporation Substrate for mounting electronic component, electronic device and electronic module
US10517465B2 (en) * 2014-06-20 2019-12-31 Olympus Corporation Cable connection structure and endoscope apparatus
KR20200006843A (en) * 2018-07-11 2020-01-21 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2022-02-17 マクセル株式会社 Alignment mask
JP2022098401A (en) * 2020-12-21 2022-07-01 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6877010B2 (en) * 2018-07-09 2021-05-26 スタンレー電気株式会社 Mounting board and its manufacturing method
US11910531B2 (en) * 2020-03-13 2024-02-20 Ascensia Diabetes Care Holdings Ag Flexible printed circuit board having a battery mounted thereto
WO2023190475A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 太陽ホールディングス株式会社 Mounting substrate, connection structure, and electronic component

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237684A (en) * 2000-12-06 2002-08-23 Ibiden Co Ltd Multilayer printed circuit board
JP2003046256A (en) * 2001-05-25 2003-02-14 Ibiden Co Ltd Method for manufacturing substrate for packaging ic chip
JP2004063927A (en) * 2002-07-31 2004-02-26 Kyocera Corp Wiring circuit board and its manufacturing method
JP2008058669A (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Asahi Kasei Chemicals Corp Three-dimensional reflector
WO2010150880A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-29 株式会社朝日ラバー White color reflecting material and process for production thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4657358B2 (en) * 2008-12-12 2011-03-23 積水化学工業株式会社 Photosensitive composition and solder resist composition

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237684A (en) * 2000-12-06 2002-08-23 Ibiden Co Ltd Multilayer printed circuit board
JP2003046256A (en) * 2001-05-25 2003-02-14 Ibiden Co Ltd Method for manufacturing substrate for packaging ic chip
JP2004063927A (en) * 2002-07-31 2004-02-26 Kyocera Corp Wiring circuit board and its manufacturing method
JP2008058669A (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Asahi Kasei Chemicals Corp Three-dimensional reflector
WO2010150880A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-29 株式会社朝日ラバー White color reflecting material and process for production thereof

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10204887B2 (en) 2013-12-18 2019-02-12 Lumileds Llc Reflective solder mask layer for LED phosphor package
KR20160101056A (en) * 2013-12-18 2016-08-24 코닌클리케 필립스 엔.브이. Reflective solder mask layer for led phosphor package
JP2017501578A (en) * 2013-12-18 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． Reflective solder mask layer for LED phosphor package
US11189601B2 (en) 2013-12-18 2021-11-30 Lumileds Llc Reflective solder mask layer for LED phosphor package
KR102305948B1 (en) 2013-12-18 2021-09-28 루미리즈 홀딩 비.브이. Reflective solder mask layer for led phosphor package
JP2015226056A (en) * 2014-05-28 2015-12-14 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting element
US10517465B2 (en) * 2014-06-20 2019-12-31 Olympus Corporation Cable connection structure and endoscope apparatus
JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2022-02-17 マクセル株式会社 Alignment mask
US9761766B2 (en) 2015-03-04 2017-09-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Chip on board type LED module
JPWO2017022755A1 (en) * 2015-08-03 2018-03-29 創光科学株式会社 Base for nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
TWI677111B (en) * 2015-08-03 2019-11-11 日商創光科學股份有限公司 Wiring substrate body and method of manufacturing the same
US10412829B2 (en) 2015-08-03 2019-09-10 Soko Kagaku Co., Ltd. Nitride semiconductor light-emitting element base and manufacturing method thereof
WO2017022755A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 創光科学株式会社 Nitride semiconductor light-emitting element base and production method therefor
US10784403B2 (en) 2016-03-15 2020-09-22 Sony Corporation Glass wiring substrate, method of producing the same, part-mounted glass wiring substrate, method of producing the same, and display apparatus substrate
WO2017159129A1 (en) * 2016-03-15 2017-09-21 ソニー株式会社 Glass wiring substrate and method for producing same, component mounted glass wiring substrate and method for producing same, and substrate for display devices
US11195971B2 (en) 2016-03-15 2021-12-07 Sony Corporation Glass wiring substrate, method of producing the same, part-mounted glass wiring substrate, method of producing the same, and display apparatus substrate
EP3451371A4 (en) * 2016-04-25 2019-10-23 KYOCERA Corporation Substrate for mounting electronic component, electronic device and electronic module
KR102455096B1 (en) * 2016-10-11 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device and light emitting device package
KR20180040073A (en) * 2016-10-11 2018-04-19 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device, light emitting device package and lighting apparatus
JP2018536274A (en) * 2016-10-20 2018-12-06 クルーシャル マシンズ カンパニー リミテッド Laser bonding apparatus and method for three-dimensional structures
US10748773B2 (en) 2016-10-20 2020-08-18 Laserssel Co., Ltd. Laser bonding apparatus for three-dimensional molded sculptures
US11813688B2 (en) 2016-10-20 2023-11-14 Laserssel Co., Ltd. Laser bonding apparatus for three-dimensional molded sculptures
KR20200006843A (en) * 2018-07-11 2020-01-21 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
KR102193700B1 (en) * 2018-07-11 2020-12-21 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
JP7153184B2 (en) 2020-12-21 2022-10-14 日亜化学工業株式会社 light emitting device
JP2022098401A (en) * 2020-12-21 2022-07-01 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device

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