JP6877010B2 - Mounting board and its manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、絶縁基板上の導電パターン間及びその外輪部にシリコーン樹脂によるリフレクタ部を形成し、発光素子の光の反射率を向上させると共に、耐熱性を向上させる実装基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a mounting substrate and a method for manufacturing the same, in which a reflector portion made of a silicone resin is formed between conductive patterns on an insulating substrate and an outer ring portion thereof to improve the light reflectance of a light emitting element and the heat resistance.
従来の半導体発光装置用樹脂パッケージとして、エポキシ樹脂に白色顔料を混ぜてトランスファモールドで形成したリフレクタを用いるものが多く見られる(例えば、特許文献1参照。)。 As a conventional resin package for a semiconductor light emitting device, many use a reflector formed by a transfer mold in which a white pigment is mixed with an epoxy resin (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記特許文献1に記載のパッケージ構造では、エポキシ樹脂は耐熱性が悪く、発光素子を固着する電極とリフレクタとを離間して設けて、製造過程での熱的な変質を十分に配慮する必要があった。このため、エポキシ樹脂より遥かに熱的に安定したシリコーン樹脂を用いる試みがされてきた。このシリコーン樹脂でリフレクタを形成したパッケージ構造として、下記の特許文献2に示すパッケージ構造が提案されている。
However, in the package structure described in Patent Document 1, the epoxy resin has poor heat resistance, and the electrode to which the light emitting element is fixed and the reflector are provided at a distance from each other to give sufficient consideration to thermal deterioration in the manufacturing process. I needed it. For this reason, attempts have been made to use a silicone resin that is far more thermally stable than an epoxy resin. As a package structure in which a reflector is formed of this silicone resin, the package structure shown in
図14は、上記提案された従来の半導体発光装置用樹脂パッケージ100(以下、「樹脂パッケージ100」と呼ぶ。)を説明する断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating the proposed
図14に示す如く、樹脂パッケージ100は、主に、回路基板101と、回路基板101の第1のプリント配線部102上面に固着される発光素子103と、回路基板101表面に形成されるリフレクタ部104と、発光素子103を封止する封止材105と、を有している。
As shown in FIG. 14, the
回路基板101は、ベース材料となる絶縁基板106と、絶縁基板106の表裏面に形成される第1のプリント配線部102及び第2のプリント配線部107と、から構成されている。そして、絶縁基板106は、例えば、ガラスエポキシ基板等から形成され、第1のプリント配線部102及び第2のプリント配線部107は、銅合金等の電気良導体をパターニングして形成される。
The
リフレクタ部104は、液状熱硬化性シリコーン樹脂(以下、「シリコーン樹脂」と呼ぶ。)により形成され、第1のプリント配線部102を囲むように形成されている。リフレクタ部104は、シリコーン樹脂により形成されることで、発光素子103からの光の反射率が向上される。また、第1のプリント配線部102の表面には、発光素子103からの光の反射率を向上させるために金属メッキ(図示せず)が施されている(例えば、特許文献2参照。)。
The
樹脂パッケージ100では、リフレクタ部104の材料としてエポキシ樹脂ではなく、シリコーン樹脂が用いられている。エポキシ樹脂は、シリコーン樹脂と比較すると、絶縁基板106との密着性が良いというメリットを有するが、発光素子103からの光の反射率が悪く、耐熱性も悪いというデメリットもある。
In the
そこで、樹脂パッケージ100のリフレクタ部104が、シリコーン樹脂から形成されることで、発光素子103からの光の反射率を向上させると共に、耐熱性を向上させることができる。しかしながら、シリコーン樹脂は、絶縁基板106や第1のプリント配線部102との密着性が悪く、リフレクタ部104が、絶縁基板106から製造過程で容易に剥離するので、安定して絶縁基板106等に固定し難く、シリコーン樹脂をリフレクタに使用し難い要因となっている。
Therefore, by forming the
樹脂パッケージ100では、リフレクタ部104下面の絶縁基板106に貫通孔108を形成し、貫通孔108にリフレクタ部104の一部を埋設して固定している。しかしながら、上記シリコーン樹脂の特性により、シリコーン樹脂が貫通孔108の内面と密着し難いため、上記構造においても、リフレクタ部104が、絶縁基板106から容易に剥離し易いという問題を解決するには至っていない。
In the
また、第1のプリント配線部102の表面にメッキ層が形成されることで、発光素子103からの光の反射率を向上させることができる。しかしながら、第1のプリント配線部102間の空間部109は、封止材105により埋設されているため、空間部109は、上記反射率の向上へは寄与しない領域となり、光の反射率を更に向上させ難いという問題がある。
Further, by forming the plating layer on the surface of the first printed
上記問題を解決するために、空間部109もシリコーン樹脂にて埋設することも考えられるが、第1のプリント配線部102は膜厚も薄く、上記シリコーン樹脂の特性により、絶縁基板106から剥離し難い構造を採用しなければならないという問題がある。
In order to solve the above problem, it is conceivable that the
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、絶縁基板上の導電パターン間及びその外輪部にシリコーン樹脂によるリフレクタ部を形成し、発光素子の光の反射率を向上させると共に、耐熱性を向上させる実装基板及びその製造方法を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a reflector portion made of a silicone resin is formed between the conductive patterns on the insulating substrate and the outer ring portion thereof to improve the light reflectance of the light emitting element and heat resistance. It provides a mounting substrate which improves the property and a method for manufacturing the same.
本発明の実装基板では、絶縁基板の一主面側に形成される第1の導電パターンと、前記絶縁基板の他の主面側に形成されると共に、前記第1の導電パターンと電気的に接続する第2の導電パターンと、前記絶縁基板の少なくとも前記一主面側を被覆するシリコーン樹脂層と、を備え、前記第1の導電パターンの厚みは、前記第2の導電パターンの厚みよりも厚く形成し、前記シリコーン樹脂層は、前記絶縁基板の前記一主面側に形成され、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、前記絶縁基板の前記一主面側に前記第1のリフレクタ部と一体にモールド形成され、前記第1の導電パターンの周囲を囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を有し、前記第1のリフレクタ部は、前記第1の導電パターンの厚み方向の側面にウェットエッチングにて形成される内側へと湾曲する窪み部内も埋設して形成されることで、前記第2のリフレクタ部と共に前記絶縁基板に係止されることを特徴とする。
In the mounting substrate of the present invention, the first conductive pattern formed on one main surface side of the insulating substrate and the other main surface side of the insulating substrate are electrically formed and electrically connected to the first conductive pattern. A second conductive pattern to be connected and a silicone resin layer covering at least the one main surface side of the insulating substrate are provided, and the thickness of the first conductive pattern is larger than the thickness of the second conductive pattern. The silicone resin layer is formed thickly on the one main surface side of the insulating substrate, and is formed on the one main surface side of the insulating substrate and the first reflector portion for embedding between the first conductive patterns. The first reflector portion is molded integrally with the first reflector portion and has an outer ring-shaped second reflector portion that surrounds the periphery of the first conductive pattern, and the first reflector portion is the first conductive portion. and characterized in that in also curved to dent portion inwardly which is formed by wet etching on the side surface in the thickness direction of the pattern is formed by embedding Rukoto, it is locked to said insulating substrate with the second reflector portion To do.
また、本発明の実装基板では、前記第2のリフレクタ部下面の前記絶縁基板には、前記絶縁基板を厚み方向に貫通するスルーホールが形成され、前記シリコーン樹脂層は、前記スルーホールを埋設すると共に、前記スルーホールの開口面積よりも広く、前記絶縁基板の前記他の主面側に前記第2のリフレクタ部と一体に形成されるアンカー部を有し、前記アンカー部は、前記第2のリフレクタ部を前記絶縁基板に係止させることを特徴とする。
Further, in the mounting substrate of the present invention, a through hole is formed in the insulating substrate on the lower surface of the second reflector portion in the thickness direction, and the through hole is embedded in the silicone resin layer. At the same time, it has an anchor portion that is wider than the opening area of the through hole and is formed integrally with the second reflector portion on the other main surface side of the insulating substrate, and the anchor portion is the second. The reflector portion is locked to the insulating substrate.
また、本発明の実装基板では、前記第1の導電パターンは、発光素子が固着されるランド部と、前記発光素子の電極と電気的に接続される電極部と、を有し、前記ランド部は、前記電極部と分離した島状に形成されると共に、前記ランド部の側面には、環状の前記窪み部が形成されていることを特徴とする。 Further, in the mounting substrate of the present invention, the first conductive pattern has a land portion to which the light emitting element is fixed and an electrode portion electrically connected to the electrode of the light emitting element, and the land portion. Is characterized in that it is formed in an island shape separated from the electrode portion, and an annular recess portion is formed on the side surface of the land portion.
また、本発明の実装基板では、前記第1の導電パターンと前記第2の導電パターンにて形成される個別セルは、前記絶縁基板に行列状に多数個配列されることを特徴とする。 Further, the mounting substrate of the present invention is characterized in that a large number of individual cells formed by the first conductive pattern and the second conductive pattern are arranged in a matrix on the insulating substrate.
本発明の実装基板の製造方法では、その一主面に貼着される第1の導電箔及びその他の主面に貼着される第2の導電箔を有し、前記第1の導電箔の厚みを前記第2の導電箔の厚みよりも厚く形成した絶縁基板を準備する工程と、前記第2の導電箔を選択的にエッチングし、前記第2の導電箔をマスクとして前記絶縁基板を貫通し、前記第1の導電箔の裏面を露出する複数のスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールを電解メッキにより埋設して前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔と接続する第1のメッキ層を形成する工程と、前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔を選択的にウェットエッチングし、前記第1の導電箔の厚み方向の側面に内側へと湾曲する窪み部を有する第1の導電パターン及び第2の導電パターンを形成する工程と、前記第1の導電パターン及び前記第2の導電パターンの表面に第2のメッキ層を形成する工程と、前記絶縁基板を金型内に配置し、前記金型内にシリコーン樹脂を注入し、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、前記絶縁基板の前記一主面側に前記第1の導電パターンの周囲を囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を一体にモールドで形成し、前記第1のリフレクタ部を前記第1の導電パターンの前記窪み部に係止させる工程と、を備えることを特徴とする。
The method for manufacturing a mounting substrate of the present invention has a first conductive foil to be attached to one main surface thereof and a second conductive foil to be attached to the other main surface of the first conductive foil. The step of preparing an insulating substrate having a thickness thicker than that of the second conductive foil, and the step of selectively etching the second conductive foil and penetrating the insulating substrate using the second conductive foil as a mask. A step of forming a plurality of through holes that expose the back surface of the first conductive foil, and a first step of burying the through holes by electrolytic plating and connecting the first conductive foil and the second conductive foil. The step of forming the plating layer 1 and the recessed portion in which the first conductive foil and the second conductive foil are selectively wet-etched and curved inward on the side surface in the thickness direction of the first conductive foil. The step of forming the first conductive pattern and the second conductive pattern having the above, the step of forming the second plating layer on the surface of the first conductive pattern and the second conductive pattern, and the insulating substrate. A first reflector portion that is arranged in a mold, injects a silicone resin into the mold, and is embedded between the first conductive patterns, and the first conductive portion on the one main surface side of the insulating substrate. A step of integrally forming an outer ring-shaped second reflector portion surrounding the periphery of the pattern with a mold and locking the first reflector portion to the recessed portion of the first conductive pattern is provided. It is characterized by.
また、本発明の実装基板の製造方法では、前記スルーホールを形成する工程では、前記第2のリフレクタ部の形成領域に同時に前記絶縁基板を貫通する追加のスルーホールを形成し、前記スルーホールを前記第1のメッキ層にて埋設する工程では、前記追加のスルーホールには絶縁材料を埋設し、前記追加のスルーホールが前記第1のメッキ層にて埋設されることを防止した後、前記絶縁材料を除去し、単なる貫通孔として維持し、前記金型内に前記シリコーン樹脂を注入する工程では、前記追加のスルーホールに前記シリコーン樹脂を充填して、前記絶縁基板の前記他の主面側に前記第2のリフレクタ部と一体となるアンカー部を形成することを特徴とする。 Further, in the method for manufacturing a mounting substrate of the present invention, in the step of forming the through hole, an additional through hole penetrating the insulating substrate is simultaneously formed in the formation region of the second reflector portion, and the through hole is formed. In the step of embedding in the first plating layer, an insulating material is embedded in the additional through holes to prevent the additional through holes from being embedded in the first plating layer, and then the above. In the step of removing the insulating material, maintaining it as a mere through hole, and injecting the silicone resin into the mold, the additional through hole is filled with the silicone resin to fill the other main surface of the insulating substrate. It is characterized in that an anchor portion integrated with the second reflector portion is formed on the side.
本発明の実装基板は、絶縁基板の表面側に形成された第1の導電パターンと、絶縁基板の裏面側に形成された第2の導電パターンと、少なくとも絶縁基板の表面側を被覆するシリコーン樹脂層と、を有している。シリコーン樹脂層は、第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、第1の導電パターンの周囲に外輪状に形成された第2のリフレクタ部と、を有している。第1のリフレクタ部は、第1の導電パターンの側面に形成された窪み部内も埋設する。この構造により、シリコーン樹脂層は、アンカー効果が得られ、絶縁基板から抜け落ち難い構造を実現すると共に、第1のリフレクタ部の下面反射により発光素子からの光の反射率も大幅に向上させることができる。具体的には、第1のリフレクタ部で第1の導電パターン以外を埋め尽くすので、第1のリフレクタ部の面積分の下面反射が起きて約10%以上の発光輝度を上げることができる。 The mounting substrate of the present invention has a first conductive pattern formed on the front surface side of the insulating substrate, a second conductive pattern formed on the back surface side of the insulating substrate, and a silicone resin that covers at least the front surface side of the insulating substrate. It has a layer and. The silicone resin layer has a first reflector portion that is embedded between the first conductive patterns, and a second reflector portion that is formed in an outer ring shape around the first conductive pattern. The first reflector portion is also embedded in the recessed portion formed on the side surface of the first conductive pattern. With this structure, the silicone resin layer can obtain an anchor effect and realize a structure that does not easily come off from the insulating substrate, and the reflectance of light from the light emitting element can be significantly improved by the bottom surface reflection of the first reflector portion. it can. Specifically, since the first reflector portion fills up other than the first conductive pattern, bottom surface reflection corresponding to the surface integral of the first reflector portion occurs, and the emission brightness can be increased by about 10% or more.
また、本発明の実装基板では、第1の導電パターンの厚みが、第2の導電パターンの厚みよりも厚く形成されている。この構造により、第1の導電パターンの側面の中間位置に形成された窪み部の深さが深くなり、第1のリフレクタ部が、絶縁基板から抜け落ち難い構造を実現することができる。 Further, in the mounting substrate of the present invention, the thickness of the first conductive pattern is formed to be thicker than the thickness of the second conductive pattern. With this structure, the depth of the recessed portion formed at the intermediate position of the side surface of the first conductive pattern becomes deep, and it is possible to realize a structure in which the first reflector portion does not easily come off from the insulating substrate.
また、本発明の実装基板では、シリコーン樹脂層は、絶縁基板の裏面側を被覆するアンカー部を有し、アンカー部は、絶縁基板のスルーホールを介して第2のリフレクタ部と一体に形成されている。この構造により、アンカー部は、第2のリフレクタ部が実装基板に係止される係止部としての役割を成し、シリコーン樹脂層が、絶縁基板から抜け落ち難い構造を実現することができる。 Further, in the mounting substrate of the present invention, the silicone resin layer has an anchor portion that covers the back surface side of the insulating substrate, and the anchor portion is integrally formed with the second reflector portion through the through hole of the insulating substrate. ing. With this structure, the anchor portion serves as a locking portion in which the second reflector portion is locked to the mounting substrate, and a structure in which the silicone resin layer does not easily come off from the insulating substrate can be realized.
また、本発明の実装基板では、第1の導電パターンは、発光素子が固着されるランド部と、前記発光素子の電極と電気的に接続される電極部と、を有している。そして、ランド部は、電極部から分離した島状に形成されると共に、その側面には、一環状の窪み部が形成されている。この構造により、第1のリフレクタ部が、絶縁基板から抜け落ち難い構造を実現すると共に、発光素子の全周囲に第1のリフレクタ部が形成され、光の反射率が大幅に向上される。 Further, in the mounting substrate of the present invention, the first conductive pattern has a land portion to which the light emitting element is fixed and an electrode portion electrically connected to the electrode of the light emitting element. The land portion is formed in an island shape separated from the electrode portion, and a monocyclic recess is formed on the side surface thereof. With this structure, the first reflector portion realizes a structure in which the first reflector portion does not easily come off from the insulating substrate, and the first reflector portion is formed around the entire periphery of the light emitting element, so that the reflectance of light is greatly improved.
また、本発明の実装基板では、複数のセルが行列状に配列され、シリコーン樹脂層が一体に形成された集積ブロックを有している。この構造により、1枚の実装基板から多数の発光装置を形成することができる。 Further, the mounting substrate of the present invention has an integrated block in which a plurality of cells are arranged in a matrix and a silicone resin layer is integrally formed. With this structure, a large number of light emitting devices can be formed from one mounting substrate.
本発明の実装基板の製造方法では、絶縁基板に第1の導電パターンと第2の導電パターンとをメッキ層にて接続させるための複数のスルーホールを形成する。そして、第1の導電パターンを形成する際に、必要最小限の領域のみを残し、第1の導電パターン間にシリコーン樹脂層の第1のリフレクタ部を形成する。この製造方法により、絶縁基板の表面側に発光素子を囲むように多くの第1のリフレクタ部を配置し、発光素子からの光の反射率を大幅に向上させることができる。更に、第1の導電パターン以外を耐熱性のあるシリコーン樹脂にて埋設することで、発光素子を第1の導電パターン上に固着する際に800度程度まで加熱することができ、製造工程上の制約をなくすことができる。 In the method for manufacturing a mounting substrate of the present invention, a plurality of through holes for connecting the first conductive pattern and the second conductive pattern with a plating layer are formed on the insulating substrate. Then, when the first conductive pattern is formed, only the minimum necessary region is left, and the first reflector portion of the silicone resin layer is formed between the first conductive patterns. According to this manufacturing method, many first reflector portions are arranged on the surface side of the insulating substrate so as to surround the light emitting element, and the reflectance of light from the light emitting element can be significantly improved. Further, by embedding a non-first conductive pattern with a heat-resistant silicone resin, the light emitting element can be heated to about 800 degrees when fixed on the first conductive pattern, which can be used in the manufacturing process. You can remove the restrictions.
また、本発明の実装基板の製造方法では、第2のリフレクタ部下面の絶縁基板に、絶縁基板を貫通するスルーホールを形成し、当該スルーホールを介して絶縁基板の裏面側にシリコーン樹脂を流し、シリコーン樹脂層のアンカー部を形成する。この製造方法により、アンカー部は、第2のリフレクタ部と一体に形成されると共に、第2のリフレクタ部が、実装基板に係止される係止部としての役割を成す。 Further, in the method for manufacturing a mounting substrate of the present invention, a through hole penetrating the insulating substrate is formed in the insulating substrate on the lower surface of the second reflector portion, and a silicone resin is poured on the back surface side of the insulating substrate through the through hole. , Form the anchor part of the silicone resin layer. According to this manufacturing method, the anchor portion is integrally formed with the second reflector portion, and the second reflector portion serves as a locking portion for being locked to the mounting substrate.
また、本発明の実装基板の製造方法では、第1の導電パターンを形成する第1の導電箔の膜厚を第2の導電パターンを形成する第2の導電箔の膜厚よりも厚くする。この製造方法により、第1の導電パターンの側面に深さの深い窪み部を形成し、第1のリフレクタ部がその窪み部を埋設することで、第1のリフレクタ部が絶縁基板から抜け落ち難い構造を実現することができる。 Further, in the method for manufacturing a mounting substrate of the present invention, the film thickness of the first conductive foil forming the first conductive pattern is made thicker than the film thickness of the second conductive foil forming the second conductive pattern. By this manufacturing method, a deep recess is formed on the side surface of the first conductive pattern, and the first reflector is embedded in the recess, so that the first reflector is hard to come off from the insulating substrate. Can be realized.
以下、本発明の一実施形態に係る実装基板10を図面に基づき詳細に説明する。尚、本実施形態の説明の際には、同一の部材には原則として同一の符番を用い、繰り返しの説明は省略する。また、以下の説明では、Y軸方向は実装基板10の縦幅方向を示し、X軸方向は実装基板10の横幅方向を示し、Z軸方向は実装基板10の厚み幅方向を示している。
Hereinafter, the mounting
図1は、本実施形態の実装基板10を説明する上面図である。図2は、本実施形態の実装基板10を構成するセル17を拡大して説明する上面図である。図3(A)は、図2に示す本実施形態の実装基板10のセル17のA−A線方向の断面図である。図3(B)は、図2に示す本実施形態の実装基板10のセル17のB−B線方向の断面図である。図3(C)は、図2に示す本実施形態の実装基板10のセル17のC−C線方向の断面図である。図4は、本実施形態の実装基板10を説明する背面図である。図5は、本実施形態の実装基板10を構成するセル17を拡大して説明する背面図である。
FIG. 1 is a top view for explaining the mounting
図1に示す如く、実装基板10は、主に、絶縁基板11と、絶縁基板11の表面側に形成される第1の導電パターン12と、絶縁基板11の裏面側に形成される第2の導電パターン13(図3(A)参照)と、絶縁基板11の表裏面を被覆するシリコーン樹脂層14と、を有している。実装基板10には、例えば、共通のシリコーン樹脂層14にてモールドされた2つの集積ブロック15、16が形成され、各集積ブロック15、16には、点線にて示すように、それぞれ8行×28列の計224個のセル17が形成されている。
As shown in FIG. 1, the mounting
図示したように、各集積ブロック15、16の共通のシリコーン樹脂層14は格子状に形成され、各セル17では、外輪状のシリコーン樹脂層14の間から第1の導電パターン12の一部が露出している。詳細は後述するが、実装基板10の各セル17に対して、第1の導電パターン12上に発光素子42(図12参照)を固着し、発光素子42と第1の導電パターン12とを金属細線45(図12参照)にて電気的に接続した後、隣接する各セル17間の共通のシリコーン樹脂層14をダイシングすることで、個片化された発光装置47(図13参照)が形成される。
As shown in the figure, the common silicone resin layers 14 of the
図2では、実装基板10を表面側から見たセル17を拡大して示している。第1の導電パターン12は、セル17の中央領域に露出するランド部12Aと、ランド部12Aの周囲に露出する電極部12B、12Cと、を有している。そして、ランド部12Aは、発光素子42の実装領域として用いられ、電極部12Bはアノード電極として用いられ、電極部12Cはカソード電極として用いられる。尚、第1の導電パターン12の表面には、メッキ層20(図3(A)参照)が形成されている。
In FIG. 2, the
シリコーン樹脂層14は、例えば、白色であり、第1の導電パターン12間、つまり、ランド部12Aと電極部12B、12Cとの間を埋設する第1のリフレクタ部14Aと、第1の導電パターン12を囲む外輪状の第2のリフレクタ部14Bと、を有している。そして、第1のリフレクタ部14Aと第2のリフレクタ部14Bとは、同一工程のトランスファモールドにより、絶縁基板11の表面側に一体に形成されている。
The
図3(A)は、図2に示す実装基板10を構成するセル17のA−A線方向の断面を示している。シリコーン樹脂層14は、絶縁基板11の裏面側に形成されたアンカー部14Cを有している。
FIG. 3A shows a cross section of the
第1の導電パターン12は、絶縁基板11の表面に接着剤にて加熱圧着して貼り付けられたCuの導電箔31(図6参照)をパターニングして形成されている。同様に、第2の導電パターン13は、絶縁基板11の裏面に接着剤にて加熱圧着して貼り付けられたCuの導電箔32(図6参照)をパターニングして形成されている。そして、第1の導電パターン12の膜厚は、例えば、350μmであり、第2の導電パターン13の膜厚は、例えば、100μmである。つまり、第1の導電パターン12の膜厚は、第2の導電パターン13の膜厚よりも数倍に厚くなっている。
The first
詳細は後述するが、導電箔31、32は、ウェットエッチングによりパターニングされることで、ランド部12Aの厚み幅方向(紙面Z軸方向)の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成されている。ここで、図2及び図3(A)に示すように、ランド部12Aは島状に形成され、ランド部12Aの側面には、一環状の窪み部18が形成されている。同様に、窪み部18は、第1の導電パターン12の外周の側面に沿って形成されている。そして、第1の導電パターン12を第2の導電パターン13の膜厚より数倍厚く形成する理由は窪み部18をオーバーエッチングにより第2の導電パターン13よりも顕著に形成したいためである。
Although details will be described later, the conductive foils 31 and 32 are patterned by wet etching to form an inwardly
この構造により、第1の導電パターン12間を埋設する第1のリフレクタ部14Aは、第1の導電パターン12の窪み部18内まで埋設する。そして、シリコーン樹脂は、絶縁基板11や導電箔31、32に対して密着し難いという特徴を有しているが、第1の導電パターン12の中間に位置する窪み部18まで配設されることで、シリコーン樹脂が窪み部18を輪ゴムで締めるようなアンカー効果を発生させ、第1のリフレクタ部14Aは、実装基板10から抜け落ち難い構造となる。
With this structure, the
また、図示したように、第2のリフレクタ部14B下面の絶縁基板11には、絶縁基板11を貫通するスルーホール11Aが形成され、スルーホール11Aが、アンカー部14Cにて埋設されることで、アンカー部14Cは、第2のリフレクタ部14Bと一体に形成されている。
Further, as shown in the drawing, a through
この構造により、第2のリフレクタ部14Bは、第1の導電パターン12の窪み部18によるアンカー効果及びアンカー部14Cによる絶縁基板11への係止効果により、実装基板10から抜け落ち難い構造となる。そして、第1のリフレクタ部14Aと第2のリフレクタ部14Bとは一体に形成されると共に、それぞれのアンカー効果や係止効果により、シリコーン樹脂層14の実装基板10から抜け落ち難い構造が実現される。
With this structure, the
また、ランド部12A及び電極部12B下面の絶縁基板11には、絶縁基板11を貫通するスルーホール11Bがそれぞれ形成されている。詳細は後述するが、スルーホール11Bは、電解メッキ法によるCuメッキ層19により埋設され、Cuメッキ層19は、第2の導電パターン13と接続している。
Further, through
図3(B)は、図2に示す実装基板10を構成するセル17のB−B線方向の断面を示している。図3(A)を用いて上述したように、第1の導電パターン12及び第2の導電
パターン13の厚み幅方向(紙面Z軸方向)の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成されている。そして、電極部12C下面の絶縁基板11には、絶縁基板11を貫通するスルーホール11Bが形成されている。上述したように、スルーホール11Bは、電解メッキ法によるCuメッキ層19により埋設され、Cuメッキ層19は、第2の導電パターン13と接続している。
FIG. 3B shows a cross section of the
また、第2のリフレクタ部14B下面の絶縁基板11の裏面側にも、シリコーン樹脂層14のアンカー部14Cが形成されている。図3(A)にも示すように、アンカー部14Cは、平面的にも、スルーホール11Aよりも広い面積を有する様に形成されている。
Further, the
図3(C)は、図2に示す実装基板10を構成するセル17のC−C線方向の断面を示している。図3(A)を用いて上述したように、第1の導電パターン12及び第2の導電
パターン13の厚み幅方向(紙面Z軸方向)の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成されている。尚、図3(C)に示す断面では、シリコーン樹脂層14のアンカー部14Cは形成されていないが、窪み部18を利用したアンカー効果を高めるために、絶縁基板11の裏面側にアンカー部14Cを形成する場合でも良い。
FIG. 3C shows a cross section of the
図3(A)から図3(C)に示すように、アンカー部14Cは、少なくともスルーホール11A及びその周辺領域の絶縁基板11の裏面側を覆うように形成されている。この構造により、アンカー部14Cは、第2のリフレクタ部14Bが、絶縁基板11から抜け落ちることを防止するための係止部としての役割を担っている。
As shown in FIGS. 3A to 3C, the
また、図3(A)〜図3(C)に示すように、第1の導電パターン12及び第2の導電パターン13の表面には、例えば、Agメッキからなるメッキ層20が形成されている。第1のリフレクタ部14Aは、上記メッキ層20と、実質、同一の平坦面を形成している。つまり、第2のリフレクタ部14Bの傾斜面の内側では、第1の導電パターン12は、ランド部12A及び電極部12B、12C上面のメッキ層20のみが露出する構造となり、その他の領域は、第1のリフレクタ部14Aが形成されている。
Further, as shown in FIGS. 3A to 3C, for example, a
この構造により、発光素子から発光された光は、第2のリフレクタ部14Bだけでなく、第1のリフレクタ部14Aによっても反射することで、発光装置としての光の反射率を大幅に向上させることができる。具体的には、第1のリフレクタ部14Aで第1の導電パターン12以外を埋め尽くすので、第1のリフレクタ部14Aの面積分の下面反射が起きて約10%以上の発光輝度を上げることができる。
With this structure, the light emitted from the light emitting element is reflected not only by the
図4に示す如く、実装基板10の裏面側には、図1に示す実装基板10の表面側と同様に、集積ブロック15、16毎に、点線にて示すように、それぞれ8行×28列の計224個のセル17が形成されている。そして、ダイシングにより発光装置47(図13参照)に個片化された後、発光装置47の裏面側は、固着領域として用いられるため、第2の導電パターン13が露出している。
As shown in FIG. 4, on the back surface side of the mounting
図5では、実装基板10を裏面側から見たセル17を拡大して示している。第2の導電パターン13は、アノード電極として用いられる電極部13Aと、カソード電極として用いられる電極部13Bと、を有している。図3(A)を用いて説明したように、電極部13Aは、第1の導電パターン12のランド部12A及び電極部12BとCuメッキ層19を介して接続している。また、電極部13Bは、第1の導電パターン12の電極部12CとCuメッキ層19を介して接続している。尚、電極部13A、13Bの上面にはメッキ層20が形成されている。
In FIG. 5, the
また、絶縁基板11の裏面側には、アンカー部14Cが形成されるが、アンカー部14Cは、紙面X軸方向の両端部の第2の導電パターン13にて囲まれた領域にのみ形成されている。
この構造により、絶縁基板11の裏面側では、第2の導電パターン13の露出領域が増大し、発光素子42(図12参照)の放熱性が向上される。また、アンカー部14Cが、絶縁基板11を平面的にみて、スルーホール11Aの開口面積よりも広い面積を有する様に形成されることで、アンカー部14Cは、第2のリフレクタ部14Bが、絶縁基板11から抜け落ちることを防止することができる。
With this structure, the exposed region of the second
次に、本発明の他の実施形態に係る実装基板10の製造方法を図面に基づき詳細に説明する。尚、本実施形態の説明の際には、同一の部材には原則として同一の符番を用い、繰り返しの説明は省略する。また、本実施形態の説明では、図1から図5を用いて上述した実装基板10の説明を適宜参照し、同一の部材には原則として同一の符番を用い、繰り返しの説明は省略する。
Next, a method of manufacturing the mounting
図6から図13は、本実施形態の実装基板10の製造方法を説明する断面図であり、図2に示す実装基板10を構成するセル17のA−A線方向の断面を用いて説明する。そのため、図12及び図13に示す断面では、金属細線45が途切れて図示しているが、実際には電極部12Cと接続している。
6 to 13 are cross-sectional views for explaining the manufacturing method of the mounting
図6に示す如く、第1工程では、両主面にCuの導電箔31、32が加熱圧着された絶縁基板11を準備する。
As shown in FIG. 6, in the first step, an insulating
第1の導電パターン12(図2参照)を構成するCuの導電箔31を準備し、絶縁基板11の表面側に接着剤を介してCuの導電箔31を加熱圧着し、貼り付ける。同時に、第2の導電パターン13(図5参照)を構成するCuの導電箔32を準備し、絶縁基板11の裏面側に接着剤を介してCuの導電箔32を加熱圧着し、貼り付ける。
A Cu
絶縁基板11としては、例えば、FR4またはBT樹脂からなる基板、ガラスエポキシ基板またはガラスポリイミド基板、場合によってはフッ素基板、ガラスPPO基板またはセラミック基板等、フレキシブルシート、フィルム等でも良い。尚、本実施形態では、一例として、その厚さが100μm程度のBT樹脂基板を採用している。
The insulating
また、Cuの導電箔31、32は、金属箔であり、Cuの導電箔31の膜厚は、例えば、350μmであり、Cuの導電箔32の膜厚は、例えば、100μmである。そして、Cuの導電箔31をCuの導電箔32よりも厚くすることで、上述したように、第1の導電パターン12の側面に深く湾曲する窪み部18(図2参照)を形成し、第1のリフレクタ部14A及び第2のリフレクタ部14Bが絶縁基板11から抜け落ち難い構造が実現される。
Further, the Cu conductive foils 31 and 32 are metal foils, the thickness of the Cu
図7に示す如く、第2工程では、絶縁基板11のスルーホール11A、11Bを形成する領域のCuの導電箔32を選択的に除去し、絶縁基板11の裏面側を露出させる。
As shown in FIG. 7, in the second step, the
詳細は後述するが、本実施形態では一例として、レーザを用いたドライエッチング(レーザビア加工)によりスルーホール11A、11Bを形成する。その際に、レーザが照射される領域にCuの導電箔32が存在すると、Cuの導電箔32に対してレーザが反射されるので、マスクとして利用することができる。
Details will be described later, but in this embodiment, through
そこで、Cuの導電箔31、32の表面にレジスト層33を形成し、Cuの導電箔32側のレジスト層33を所望の形状にパターニングした後、レジスト層33をマスクとして用い、例えば、ドライエッチングによりCuの導電箔32を選択的に除去する。このエッチング工程により、Cuの導電箔32には開口部34が形成され、開口部34からは絶縁基板11が露出する。
Therefore, a resist
図8に示す如く、第3の工程では、絶縁基板11を貫通する複数のスルーホール11A、11Bを形成し、スルーホール11A、11BからCuの導電箔31の裏面側を露出させる。
As shown in FIG. 8, in the third step, a plurality of through
第2工程に用いたレジスト層33を除去した後、Cuの導電箔32をマスクとして用い、開口部34から露出する絶縁基板11をドライエッチングする。本実施形態では、ドライエッチングとしてレーザを用いたエッチング(レーザビア加工)を採用する。レーザは、例えば、YAGレーザ、CO2レーザ等であり、BT樹脂の絶縁基板11をエッチング可能であると共に、Cuの導電箔31を溶融しない程度の条件にて用いられる。
After removing the resist
レーザビア加工法としては、Cuの導電箔32の開口部34の直径に対して同等のレーザ加工を行うコンフォーマル加工法や、開口部34の直径より小さくレーザ加工を行うラージウィンドウ加工法等がある。
Examples of the laser via processing method include a conformal processing method in which laser processing equivalent to the diameter of the
開口部34から露出した絶縁基板11にレーザを照射する。そして、絶縁基板11が除去され、Cuの導電箔31の裏面(絶縁基板11との当接面)の露出を検出し、エッチング(レーザ照射)を停止する。この工程により、絶縁基板11をその厚み方向に貫通する複数のスルーホール11A、11Bが形成され、スルーホール11A、11Bを介してCuの導電箔31の裏面の一部が露出する。尚、スルーホール11A、11Bの側壁は、平坦な垂直面として形成される。また、スルーホール11A、11Bの開口形状は、円形状、楕円形状、正方形形状、あるいは多角形形状等に形成される。
The insulating
図9に示す如く、第4の工程では、電解メッキ法により、スルーホール11Bを埋設するCuメッキ層19を形成する。
As shown in FIG. 9, in the fourth step, the
先ず、スルーホール11Aは、後工程のシリコーン樹脂の充填作業にて樹脂が流通する孔として用いるため、スルーホール11Aを石膏等の絶縁物35にて埋設する。そして、本工程の電解メッキ法において、スルーホール11A内には、メッキ液が浸入することがなく、Cuメッキ層19が形成されることがないため、貫通状態を維持することができる。
First, since the through
次に、スルーホール11Bのみが開口するようにCuの導電箔31、32及び絶縁物35の上面にフィルム層36を形成する。フィルム層36としては、ドライフィルムであり、本実施形態では、その一例として、リストン社製のFRA063シリーズを用いる。
Next, the
そして、スルーホール11Bを除いてフィルム層36が形成された状態において、Cuの導電箔31のみをマイナス電極として電解メッキを行う。これにより、スルーホール11Bの底面に露出したCuの導電箔31が電解メッキの電極として働き、Cuメッキ層19が析出され、時間とともに成長し、スルーホール11B及び開口部34を埋設する。この電解メッキにより、Cuの導電箔31とCuの導電箔32とは、Cuメッキ層19を介して接続した状態となる。
Then, in a state where the
図10に示す如く、第5の工程では、Cuの導電箔31、32を選択的に除去し、第1の導電パターン12及び第2の導電パターン13を形成する。
As shown in FIG. 10, in the fifth step, the conductive foils 31 and 32 of Cu are selectively removed to form the first
第4工程に用いたフィルム層36及びスルーホール11A内の絶縁物35を除去した後、Cuの導電箔31、32の表面にレジスト層37を形成し、レジスト層37を所望の形状にパターニングした後、レジスト層37をマスクとして用い、例えば、ウェットエッチングによりCuの導電箔31、32を選択的に除去する。
After removing the
このエッチング工程により、絶縁基板11の表面側では、Cuの導電箔31がパターニングされ、第1の導電パターン12のランド部12A及び電極部12B、12Cが形成される。一方、絶縁基板11の裏面側では、Cuの導電箔32がパターニングされ、第2の導電パターン13の電極部13A、13Bが形成される。
By this etching step, the
また、図示したように、ランド部12A及び電極部12B、12Cの厚み幅方向の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成される。そして、第1の導電パターン12を構成するCuの導電箔31の膜厚は、例えば、350μmであり、第2の導電パターン13を構成するCuの導電箔32の膜厚は、例えば、100μmである。つまり、本実施形態では、Cuの導電箔31の膜厚をCuの導電箔32の膜厚よりも数倍厚くすることで、第1の導電パターン12の窪み部18の深さを深く形成している。この工程ではCuの導電箔31が厚く形成されているので、ウェットエッチングをする際に第1の導電パターン12の側面を大きくサイドエッチされることで窪み部18を形成できる。
Further, as shown in the drawing, inwardly curved recessed
上述したように、シリコーン樹脂は、絶縁基板11やCuの導電箔31、32に対して密着し難いという特徴を有しているが、ランド部12A及び電極部12B、12Cの側面に窪み部18を形成し、シリコーン樹脂層14が係止される領域として用いることで、シリコーン樹脂の密着性の悪い特性を補うことができる。
As described above, the silicone resin has a feature that it is difficult to adhere to the insulating
尚、図5を用いて上述したように、絶縁基板11の裏面側では、シリコーン樹脂層14のアンカー部14Cのみを配設し、放熱性の効果を優先する構造としているため、第2の導電パターン13の電極部13A、13Bの厚み幅方向の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成される場合でも、形成されない場合でも良い。
As described above with reference to FIG. 5, on the back surface side of the insulating
図11に示す如く、第6の工程では、第1の導電パターン12及び第2の導電パターン13の表面にメッキ層20を形成した後、トランスファモールドにより、絶縁基板11の表裏面側にシリコーン樹脂層14を形成する。
As shown in FIG. 11, in the sixth step, after forming the
先ず、電解メッキ法により、第1の導電パターン12のランド部12A及び電極部12B、12C及び第2の導電パターン13の電極部13A、13Bの表面にメッキ層20を形成する。尚、メッキ層20としては、電解メッキ法によるAgメッキ層や電解メッキ法やスパッタリング法等を用い、Ni−Au層、Ni−Ag層、Ni−Pd層、Ag−Pd層等を形成する場合でも良い。
First, the
次に、実装基板10を金型38のキャビティ39内に配置する。金型38の下金型40の型面40Aは平坦面であり、実装基板10の裏面側が、型面40Aと当接するように実装基板10は配置される。一方、金型38の上金型41はセル17毎にキャビティ39側へと突出した突出部41Aを有し、突出部41Aの型面41Bが、ランド部12A及び電極部12B、12Cのメッキ層20と当接している。
Next, the mounting
その後、金型38のゲート(図示せず)からシリコーン樹脂を注入し、シリコーン樹脂層14を形成する。シリコーン樹脂は、絶縁基板11と上金型41との間のキャビティ39を流れ、スルーホール11Aを介して絶縁基板11の裏面側のキャビティ39へも流れ込む。図2を用いて上述したように、上金型41の突出部41Aの下面では、シリコーン樹脂は、第1の導電パターン12間を流れ、その空間を充填していく。そして、シリコーン樹脂は、第1の導電パターン12の側面の窪み部18にも充填され、シリコーン樹脂層14の第1のリフレクタ部14Aは、第1の導電パターン12のランド部12Aと電極部12B、12Cとの間を埋設する様に形成される。
After that, the silicone resin is injected from the gate (not shown) of the
また、第2のリフレクタ部14Bは、上金型41の突出部41Aの周囲の空間を充填して形成され、絶縁基板11の表面側に第1の導電パターン12を囲む様に外輪状に形成される。図5を用いて上述したように、絶縁基板11の裏面側には、アンカー部14Cが、スルーホール11Aを埋設すると共に、隣接するセル17の電極部13A、13Bの間の空間のみを充填するように形成される。尚、このトランスファモールド工程により、第1のリフレクタ部14A、第2のリフレクタ部14B及びアンカー部14Cは、一体のシリコーン樹脂層14として形成される。
Further, the
特に、第1のリフレクタ部14Aは、島状に形成されたランド部12Aを囲んで形成されると共に、ランド部12Aの一環状の窪み部18内も埋設することで、絶縁基板11から抜け落ち難い構造が実現される。
In particular, the
図12に示す如く、第7の工程では、ランド部12Aの上面に発光素子42を固着した後、発光素子42の電極43、44と電極部12B、12Cとを金属細線45にて接続する。
As shown in FIG. 12, in the seventh step, after the
Agペースト等の導電性ペーストを用いて発光素子42をランド部12A上面に固着する。その後、発光素子42のアノード用の電極43と電極部12Bとを金属細線45にて接続する。同様に、発光素子42のカソード用の電極44と電極部12Cとを金属細線45にて接続する。その後、実装基板10を高温に加熱してリフローし、発光素子42の実装信頼性を向上させる。上述したように、シリコーン樹脂を用いてシリコーン樹脂層14を形成することで、発光素子42を固着する際に約800度程度まで加熱することができ、製造工程上の制約をなくすと共に、上記高温加熱によりシリコーン樹脂層14が劣化することを防止できる。
The
図13に示す如く、第8の工程では、実装基板10に形成された多数個のセル17をダイシングライン46に沿ってダイシングし、個別の発光装置47を形成する。
As shown in FIG. 13, in the eighth step, a large number of
図2に示すように、実装基板10には多数個のセル17が行列状に配列されている。そして、実装基板10の周囲に形成された位置合わせ孔48を利用してダイシングライン46を特定し、隣接するセル17間に設けられたダイシングライン46に沿ってダイシングを行う。このダイシング工程により、実装基板10に配列された多数個のセル17が個片化され、個別の発光装置47が形成される。
As shown in FIG. 2, a large number of
尚、本実施形態では、本発明の要旨を逸脱しない範囲にて種々の変更が可能である。 In the present embodiment, various changes can be made without departing from the gist of the present invention.
10 実装基板
11 絶縁基板
11A、11B スルーホール
12 第1の導電パターン
12A ランド部
12B、12C 電極部
13 第2の導電パターン
13A、13B 電極部
14 シリコーン樹脂層
14A 第1のリフレクタ部
14B 第2のリフレクタ部
14C アンカー部
17 セル
18 窪み部
19 Cuメッキ層
20 メッキ層
31、32 導電箔
42 発光素子
47 発光装置
10 Mounting
Claims (6)
前記絶縁基板の他の主面側に形成されると共に、前記第1の導電パターンと電気的に接続する第2の導電パターンと、
前記絶縁基板の少なくとも前記一主面側を被覆するシリコーン樹脂層と、を備え、
前記第1の導電パターンの厚みは、前記第2の導電パターンの厚みよりも厚く形成し、
前記シリコーン樹脂層は、
前記絶縁基板の前記一主面側に形成され、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、
前記絶縁基板の前記一主面側に前記第1のリフレクタ部と一体にモールド形成され、前記第1の導電パターンの周囲を囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を有し、
前記第1のリフレクタ部は、前記第1の導電パターンの厚み方向の側面にウェットエッチングにて形成される内側へと湾曲する窪み部内も埋設して形成されることで、前記第2のリフレクタ部と共に前記絶縁基板に係止されることを特徴とする実装基板。 The first conductive pattern formed on one main surface side of the insulating substrate and
A second conductive pattern formed on the other main surface side of the insulating substrate and electrically connected to the first conductive pattern,
A silicone resin layer that covers at least one main surface side of the insulating substrate is provided.
The thickness of the first conductive pattern is formed to be thicker than the thickness of the second conductive pattern.
The silicone resin layer is
A first reflector portion formed on the one main surface side of the insulating substrate and embedded between the first conductive patterns, and a first reflector portion.
It has an outer ring-shaped second reflector portion that is integrally molded with the first reflector portion and surrounds the periphery of the first conductive pattern on the one main surface side of the insulating substrate.
Wherein the first reflector portion, with the first conductive curved recesses section a pattern inwardly formed on the side surface in the thickness direction by wet etching also formed by embedding Rukoto, the second reflector portion A mounting board characterized by being locked to the insulating board together with the insulating board.
前記シリコーン樹脂層は、前記スルーホールを埋設すると共に、前記スルーホールの開口面積よりも広く、前記絶縁基板の前記他の主面側に前記第2のリフレクタ部と一体に形成されるアンカー部を有し、
前記アンカー部は、前記第2のリフレクタ部を前記絶縁基板に係止させることを特徴とする請求項1に記載の実装基板。 A through hole that penetrates the insulating substrate in the thickness direction is formed in the insulating substrate on the lower surface of the second reflector portion.
The silicone resin layer has an anchor portion that is wider than the opening area of the through hole and is integrally formed with the second reflector portion on the other main surface side of the insulating substrate while embedding the through hole. Have and
The mounting substrate according to claim 1, wherein the anchor portion locks the second reflector portion to the insulating substrate.
前記ランド部は、前記電極部と分離して島状に形成されると共に、前記ランド部の側面には、環状の前記窪み部が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の実装基板。 The first conductive pattern has a land portion to which the light emitting element is fixed and an electrode portion electrically connected to the electrode of the light emitting element.
Claim 1 or claim 2 is characterized in that the land portion is formed in an island shape separately from the electrode portion, and the annular recess portion is formed on the side surface of the land portion. The mounting board described in.
前記第2の導電箔を選択的にエッチングし、前記第2の導電箔をマスクとして前記絶縁基板を貫通し、前記第1の導電箔の裏面を露出する複数のスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールを電解メッキにより埋設して前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔と接続する第1のメッキ層を形成する工程と、
前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔を選択的にウェットエッチングし、前記第1の導電箔の厚み方向の側面に内側へと湾曲する窪み部を有する第1の導電パターン及び第2の導電パターンを形成する工程と、
前記第1の導電パターン及び前記第2の導電パターンの表面に第2のメッキ層を形成する工程と、
前記絶縁基板を金型内に配置し、前記金型内にシリコーン樹脂を注入し、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、前記絶縁基板の前記一主面側に前記第1の導電パターンの周囲を囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を一体にモールドで形成し、前記第1のリフレクタ部を前記第1の導電パターンの前記窪み部に係止させる工程と、を備えることを特徴とする実装基板の製造方法。 It has a first conductive foil to be attached to one main surface and a second conductive foil to be attached to the other main surface, and the thickness of the first conductive foil is the thickness of the second conductive foil. The process of preparing an insulating substrate formed thicker than
A step of selectively etching the second conductive foil, penetrating the insulating substrate using the second conductive foil as a mask, and forming a plurality of through holes exposing the back surface of the first conductive foil.
A step of burying the through hole by electrolytic plating to form a first plating layer to be connected to the first conductive foil and the second conductive foil.
A first conductive pattern and a second conductive pattern in which the first conductive foil and the second conductive foil are selectively wet-etched and have recesses curved inward on the side surface of the first conductive foil in the thickness direction. And the process of forming the conductive pattern of
A step of forming a second plating layer on the surfaces of the first conductive pattern and the second conductive pattern, and
The insulating substrate is arranged in a mold, a silicone resin is injected into the mold, a first reflector portion for embedding between the first conductive patterns, and the insulating substrate on the one main surface side. A step of integrally forming a second reflector portion having an outer ring shape surrounding the periphery of the first conductive pattern by a mold, and locking the first reflector portion to the recessed portion of the first conductive pattern. A method for manufacturing a mounting board, which comprises.
前記スルーホールを前記第1のメッキ層にて埋設する工程では、前記追加のスルーホールには絶縁材料を埋設し、前記追加のスルーホールが前記第1のメッキ層にて埋設されることを防止した後、前記絶縁材料を除去し、単なる貫通孔として維持し、
前記金型内に前記シリコーン樹脂を注入する工程では、前記追加のスルーホールに前記シリコーン樹脂を充填して、前記絶縁基板の前記他の主面側に前記第2のリフレクタ部と一体となるアンカー部を形成することを特徴とする請求項5に記載の実装基板の製造方法。
In the step of forming the through hole, an additional through hole penetrating the insulating substrate is simultaneously formed in the forming region of the second reflector portion.
In the step of burying the through holes in the first plating layer, an insulating material is embedded in the additional through holes to prevent the additional through holes from being embedded in the first plating layer. After that, the insulating material is removed and maintained as a mere through hole.
In the step of injecting the silicone resin into the mold, the additional through holes are filled with the silicone resin, and an anchor integrated with the second reflector portion is provided on the other main surface side of the insulating substrate. The method for manufacturing a mounting substrate according to claim 5 , wherein a portion is formed.
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