JP2012224676A - 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール - Google Patents
熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012224676A JP2012224676A JP2011091205A JP2011091205A JP2012224676A JP 2012224676 A JP2012224676 A JP 2012224676A JP 2011091205 A JP2011091205 A JP 2011091205A JP 2011091205 A JP2011091205 A JP 2011091205A JP 2012224676 A JP2012224676 A JP 2012224676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive sheet
- heat
- resin composition
- boron nitride
- heat conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】熱硬化性樹脂と、窒化ホウ素の二次焼結粒子とを含む熱伝導性シート用樹脂組成物において、熱伝導性シートの121℃でのプレッシャークッカーテストにおける72時間後の抽出水のpHが6.5以上8.5以下となるように両性酸化物のナノ粒子を配合することを特徴とする熱伝導性シート用樹脂組成物とする。
【選択図】なし
Description
また、本発明は、熱伝導性及び電気絶縁性だけでなく放熱部材との接着性にも優れた熱伝導性シートを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、熱放散性及び電気絶縁性に優れ、信頼性の高いパワーモジュールを提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、熱硬化性樹脂と、窒化ホウ素の二次焼結粒子とを含む熱伝導性シート用樹脂組成物において、熱伝導性シートの121℃でのプレッシャークッカーテストにおける72時間後の抽出水のpHが6.5以上8.5以下となるように両性酸化物のナノ粒子を配合することを特徴とする熱伝導性シート用樹脂組成物である。
さらに、本発明は、一方の放熱部材に搭載された電力半導体素子と、前記電力半導体素子で発生する熱を外部に放熱する他方の放熱部材と、前記電力半導体素子で発生する熱を前記一方の放熱部材から前記他方の放熱部材に伝達する、上記の熱伝導性シートとを備えることを特徴とするパワーモジュールである。
また、本発明によれば、熱伝導性及び電気絶縁性だけでなく放熱部材との接着性にも優れた熱伝導性シートを提供することができる。
さらに、本発明によれば、熱放散性及び電気絶縁性に優れ、信頼性の高いパワーモジュールを提供することができる。
本実施の形態の熱伝導性シート用樹脂組成物(以下、「樹脂組成物」と略す。)は、窒化ホウ素の二次焼結粒子及び熱硬化性樹脂に加えて、両性酸化物のナノ粒子を含む。
両性酸化物は、酸性及び塩基性の両方の特性を示す両性物質である。つまり、両性酸化物は、酸性溶液中では塩基性物質として働き、塩基性溶液中では酸性物質として働く。そのため、両性酸化物の配合により、ロットごとに異なる窒化ホウ素の不純物の種類及び含有量に起因する樹脂組成物のpH変動を抑制することが可能になる。その結果、樹脂組成物の硬化反応の速度が安定化し、Bステージ状態の硬化の度合いを一定に保つことができ、放熱部材との接着性に優れた熱伝導性シートを得ることが可能になる。
窒化ホウ素の一次粒子は、鱗片状の結晶構造を有している。また、窒化ホウ素の一次粒子は、長径方向(結晶方向)の熱伝導性が大きく、短径方向(層方向)の熱伝導性が小さいという熱的異方性を有しており、結晶のa軸方向(面方向)の熱伝導性は、c軸方向(厚み方向)の熱伝導性の数倍から数十倍と言われている。このような特徴を有する窒化ホウ素の一次粒子を樹脂組成物に配合して熱伝導性シートを一般的な方法によって作製すると、窒化ホウ素の長径方向がシート面方向と一致するように配向され易いため、シート厚み方向の熱伝導性は向上しない。
そこで、本発明では、等方的な熱伝導性を有する窒化ホウ素の二次焼結粒子を配合することにより、シート厚み方向の熱伝導性を向上させている。
二次焼結粒子の平均粒径は、好ましくは20μm以上180μm以下、より好ましくは40μm以上130μm以下である。ここで、本明細書において「二次焼結粒子の平均粒径」とは、熱硬化性樹脂中に二次焼結粒子が分散された熱伝導性シートを実際に作製した後、この熱伝導性シートを、電気炉を用いて500℃〜800℃の温度で空気雰囲気中にて5〜10時間程度熱処理して灰化することによって得た二次焼結粒子について、レーザー回折・散乱法による粒度分布測定によって得られた粒径の平均値を意味する。二次焼結粒子の平均粒径が20μm未満であると、所望の熱伝導性を有する熱伝導性シートが得られないことがある。一方、二次焼結粒子の平均粒径が180μmを超えると、二次焼結粒子を樹脂組成物中に混合分散させることが困難となり、作業性や成形性に支障を生じることがある。
また、製造する熱伝導性シートの厚さに対する二次焼結粒子の最大粒径が大きすぎる場合、界面を伝って絶縁性が低下するおそれがある。そのため、二次凝集粒子の最大粒径は、製造する熱伝導性シートの厚さの約9割以下であることが好ましい。
硬化剤の配合量は、使用する熱硬化性樹脂や硬化剤の種類などに応じて適宜設定すればよいが、一般的に100質量部の熱硬化性樹脂に対して0.1質量部以上200質量部以下である。
カップリング剤の配合量は、使用する熱硬化性樹脂やカップリング剤の種類などに応じて適宜設定すればよいが、一般的に100質量部の熱硬化性樹脂に対して0.01質量部以上1質量部以下である。
溶剤の配合量は、混練が可能な量であれば特に限定されず、一般的に熱硬化性樹脂と無機充填剤との合計100質量部に対して40質量部以上85質量部以下である。
まず、所定量の熱硬化性樹脂と、この熱硬化性樹脂を硬化させるために必要な量の硬化剤とを混合する。次に、この混合物に溶剤を加えた後、二次焼結粒子及び両性酸化物のナノ粒子を加えて予備混合する。なお、樹脂組成物の粘度が低い場合には、溶剤を加えなくてもよい。次に、この予備混合物を3本ロールやニーダなどを用いて混練することによって樹脂組成物を得ることができる。なお、樹脂組成物にカップリング剤を配合する場合、カップリング剤は混練工程前までに加えればよい。
本実施の形態の熱伝導性シートは、上記の樹脂組成物をシート状に成形した後、硬化してなるものである。すなわち、本実施の形態の熱伝導性シートは、熱硬化性樹脂の硬化物中に窒化ホウ素の二次焼結粒子を含み、熱伝導性シートの121℃でのプレッシャークッカーテストにおける72時間後の抽出水のpHが6.5以上8.5以下となるように両性酸化物のナノ粒子を配合している。
図1は、本実施の形態における熱伝導性シートの断面図である。図1において、熱伝導性シート1は、熱硬化性樹脂の硬化物2と、この熱硬化性樹脂の硬化物2中に分散された窒化ホウ素の二次焼結粒子3及び両性酸化物のナノ粒子5とから構成されている。そして、窒化ホウ素の二次焼結粒子3は、窒化ホウ素の一次粒子4から構成されている。
ここで、基材としては、特に限定されず、例えば、離型処理された樹脂シートやフィルムなどの公知の離型性基材が挙げられる。また、熱伝導性シート1を放熱部材上に直接形成する場合には、放熱部材を基材として用いてもよい。ここで、放熱部材としては特に限定されないが、例えば、リードフレーム、ヒートシンク、ヒートスプレッダなどが挙げられる。
樹脂組成物の塗布方法としては、特に限定されず、ドクターブレード法などの公知の方法を用いることができる。
塗布した樹脂組成物の乾燥は、周囲温度で行ってよいが、溶剤の揮発を促進させる観点から、必要に応じて80℃以上150℃以下に加熱してもよい。
塗布乾燥物の硬化温度は、使用する熱硬化性樹脂の種類にあわせて適宜設定すればよいが、一般的に150℃以上250℃以下である。また、硬化時間は、特に限定されないが、一般的に2分以上24時間以下である。
本実施の形態のパワーモジュールは、上記の樹脂組成物から得られる熱伝導性シートを具備する。すなわち、本実施の形態のパワーモジュールは、一方の放熱部材に搭載された電力半導体素子と、電力半導体素子で発生する熱を外部に放熱する他方の放熱部材と、半導体素子で発生する熱を一方の放熱部材から他方の放熱部材に伝達する、上記の熱伝導性シートとを備えることを特徴とする。
図2は、本実施の形態のパワーモジュールの断面図である。図2において、パワーモジュール10は、一方の放熱部材であるリードフレーム12と、他方の放熱部材であるヒートシンク14と、リードフレーム12とヒートシンク14との間に配置された熱伝導性シート11と、リードフレーム12に搭載された電力半導体素子13及び制御用半導体素子15とを備えている。そして、電力半導体素子13と制御用半導体素子15との間、及び電力半導体素子13とリードフレーム12との間は、金属線16によってワイヤボンディングされている。また、リードフレーム12の外部接続部、及びヒートシンク14の外部放熱部以外は封止樹脂17で封止されている。
ワイドバンドギャップ半導体によって形成された電力半導体素子13は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、電力半導体素子13の小型化が可能となる。そして、このように小型化された電力半導体素子13を用いることにより、電力半導体素子13を組み込んだパワーモジュールの小型化も可能になる。
また、ワイドバンドギャップ半導体により形成された電力半導体素子13は、耐熱性も高いため、リードフレーム12やヒートシンク14などの放熱部材などの小型化にもつながり、パワーモジュールの一層の小型化が可能になる。
さらに、ワイドバンドギャップ半導体により形成された電力半導体素子13は、電力損失も低いため、素子としての高効率化も可能となる。
また、ヒートシンク14に熱伝導性シート11を直接形成した場合、電力半導体素子13などの各種部品を搭載したリードフレーム12を熱伝導性シート11上に配置した後、これをトランスファーモールド成型用金型に配置し、トランスファーモールド成型装置を用いて封止樹脂17を金型に流し込み、加圧及び加熱して封止すればよい。
なお、上記では、トランスファーモールド法による封止方法を説明したが、それ以外の公知の方法(例えば、プレス成形法、射出成形法、押出成形法)などを用いてもよい。
実施例及び比較例で用いた両性酸化物のナノ粒子(以下、「酸化チタン」と略す。)の種類及びその比表面積を表1に示す。
液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂(熱硬化性樹脂、ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコート828)100質量部と、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール(硬化剤、四国化成工業株式会社製キュアゾール2PN−CN)1質量部とを混合した後、メチルエチルケトン(溶剤)166質量部をさらに加えて混合攪拌した。次に、この混合物に、二次焼結粒子a又はbを287質量部加えて混合した後、酸化チタンCを15.2質量部さらに加えて混合した。次に、この混合物を三本ロールにて混練し、二次焼結粒子a又はb及び酸化チタンCが均一に分散された2種類の樹脂組成物を得た。
次に、基材上に形成したBステージ状態の熱伝導性シートを、熱伝導性シート側が内側になるように2枚重ねた後、120℃で1時間加熱し、さらに160℃で3時間加熱することで、熱硬化性樹脂を完全に硬化させ、2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
酸化チタンCの配合量を3質量部に変えたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
(実施例3)
酸化チタンCの配合量を9質量部に変えたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
(実施例4)
酸化チタンCの配合量を32質量部に変えたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
酸化チタンCの代わりに酸化チタンAを用いたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
(実施例6)
酸化チタンCの代わりに酸化チタンBを用いたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
(実施例7)
酸化チタンCの代わりに酸化チタンDを用いたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
酸化チタンCの代わりに酸化チタンEを用いたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
(実施例9)
酸化チタンCの代わりに酸化チタンFを用いたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
酸化チタンCを配合しないこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
(比較例2)
酸化チタンCの配合量を1.8質量部に変えたこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物及び2つの基材に挟まれた熱伝導性シートを得た。
熱伝導性シート1g及び純水20gをそれぞれ秤量して容器に入れ、その容器を密封した後、121℃で72時間かけて加熱抽出し、室温まで冷却してから抽出液のpHをpH測定器で測定した。また、異なる二次焼結粒子を用いた場合に抽出液のpHにどの程度のバラツキが出るのかを示すために、各実施例及び比較例で作製した2種類の熱伝導性シート間のpHの差の絶対値を算出した。これらの結果を表3に示す。なお、各実施例及び比較例で使用した成分の種類や配合量などについても表3にまとめた。ここで、配合量は、特に単位を明記しない限りは質量部である。
一方、比較例1の熱伝導性シートは、酸化チタンを配合していないため、プレッシャークッカーテストにおける抽出液のpHを特定の範囲に制御することができず、不純物の含有量が異なる二次焼結粒子を用いた2種類の熱伝導性シート間のpHの差も大きかった。また、比較例2の熱伝導性シートは、酸化チタンを配合しているものの、その配合量が適切でないため、プレッシャークッカーテストにおける抽出液のpHを特定の範囲に制御することができず、不純物の含有量が異なる二次焼結粒子を用いた2種類の熱伝導性シート間のpHの差も大きかった。このように、不純物の含有量が異なる二次焼結粒子によってpHが変化すると、樹脂組成物の硬化反応速度のバラツキを抑えることができないため、放熱部材との接着性が低下してしまうと考えられる。
図3のグラフに示されるように、酸化チタンCを用いた場合は、その質量割合を1質量%以上とすることで、pH差を小さくすることができ、樹脂組成物の硬化反応速度のバラツキを抑えることができると考えられる。
図4のグラフに示されるように、酸化チタンの比表面積が大きくなると、pH差が小さくなる傾向にある。酸化チタンの比表面積が17m2/gでもpH差は十分に小さいが、より一層pH差を小さくして樹脂組成物の硬化反応速度のバラツキを抑えるには、酸化チタンの比表面積を20m2/g以上とすることが好ましいと考えられる。
Claims (9)
- 熱硬化性樹脂と、窒化ホウ素の二次焼結粒子とを含む熱伝導性シート用樹脂組成物において、
熱伝導性シートの121℃でのプレッシャークッカーテストにおける72時間後の抽出水のpHが6.5以上8.5以下となるように両性酸化物のナノ粒子を配合することを特徴とする熱伝導性シート用樹脂組成物。 - 前記窒化ホウ素の二次焼結粒子及び前記両性酸化物のナノ粒子の合計質量に対する前記両性酸化物のナノ粒子の質量割合が1質量%以上であることを特徴とする請求項1に記載の熱伝導性シート用樹脂組成物。
- 前記両性酸化物のナノ粒子の比表面積が20m2/g以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱伝導性シート用樹脂組成物。
- 熱硬化性樹脂の硬化物中に窒化ホウ素の二次焼結粒子を含む熱伝導性シートにおいて、
熱伝導性シートの121℃でのプレッシャークッカーテストにおける72時間後の抽出水のpHが6.5以上8.5以下となるように両性酸化物のナノ粒子を配合することを特徴とする熱伝導性シート。 - 前記窒化ホウ素の二次焼結粒子及び前記両性酸化物のナノ粒子の合計質量に対する前記両性酸化物のナノ粒子の質量割合が1質量%以上であることを特徴とする請求項4に記載の熱伝導性シート。
- 前記両性酸化物のナノ粒子の比表面積が20m2/g以上であることを特徴とする請求項4又は5に記載の熱伝導性シート。
- 一方の放熱部材に搭載された電力半導体素子と、前記電力半導体素子で発生する熱を外部に放熱する他方の放熱部材と、前記電力半導体素子で発生する熱を前記一方の放熱部材から前記他方の放熱部材に伝達する、請求項4〜6のいずれか一項に記載の熱伝導性シートとを備えることを特徴とするパワーモジュール。
- 前記電力半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項7に記載のパワーモジュール。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドであることを特徴とする請求項8に記載のパワーモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091205A JP5653280B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091205A JP5653280B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012224676A true JP2012224676A (ja) | 2012-11-15 |
JP5653280B2 JP5653280B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=47275231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011091205A Expired - Fee Related JP5653280B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5653280B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014152299A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、その製造方法及びそれを備えるパワーモジュール |
WO2014199650A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | 三菱電機株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シートの製造方法、及びパワーモジュール |
US9293390B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-03-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Heat radiation structure for semiconductor device |
JP2016135732A (ja) * | 2014-02-05 | 2016-07-28 | 三菱化学株式会社 | 窒化ホウ素凝集粒子含有組成物、該窒化ホウ素凝集粒子含有樹脂組成物を用いた成形体 |
EP3104404A4 (en) * | 2014-02-03 | 2017-12-27 | Sumitomo Bakelite Co.,Ltd. | Thermally conductive sheet and semiconductor device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004256687A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性反応硬化型樹脂成形体及びその製造方法 |
JP2005272814A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-10-06 | Nippon Shokubai Co Ltd | 熱伝導性組成物及び熱伝導性フィルム |
JP2011006586A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール |
-
2011
- 2011-04-15 JP JP2011091205A patent/JP5653280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004256687A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性反応硬化型樹脂成形体及びその製造方法 |
JP2005272814A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-10-06 | Nippon Shokubai Co Ltd | 熱伝導性組成物及び熱伝導性フィルム |
JP2011006586A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9293390B2 (en) | 2013-01-11 | 2016-03-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Heat radiation structure for semiconductor device |
JP2014152299A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、その製造方法及びそれを備えるパワーモジュール |
WO2014199650A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | 三菱電機株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シートの製造方法、及びパワーモジュール |
JP6022061B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2016-11-09 | 三菱電機株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シートの製造方法、及びパワーモジュール |
US10351728B2 (en) | 2013-06-14 | 2019-07-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Thermosetting resin composition, method of producing thermal conductive sheet, and power module |
EP3104404A4 (en) * | 2014-02-03 | 2017-12-27 | Sumitomo Bakelite Co.,Ltd. | Thermally conductive sheet and semiconductor device |
JP2016135732A (ja) * | 2014-02-05 | 2016-07-28 | 三菱化学株式会社 | 窒化ホウ素凝集粒子含有組成物、該窒化ホウ素凝集粒子含有樹脂組成物を用いた成形体 |
US10106413B2 (en) | 2014-02-05 | 2018-10-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Agglomerated boron nitride particles, production method for agglomerated boron nitride particles, resin composition including agglomerated boron nitride particles, moulded body, and sheet |
US20180354793A1 (en) | 2014-02-05 | 2018-12-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | Agglomerated boron nitride particles, production method for agglomerated boron nitride particles, resin composition including agglomerated boron nitride particles, moulded body, and sheet |
US10414653B2 (en) | 2014-02-05 | 2019-09-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Agglomerated boron nitride particles, production method for agglomerated boron nitride particles, resin composition including agglomerated boron nitride particles, moulded body, and sheet |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5653280B2 (ja) | 2015-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6022061B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シートの製造方法、及びパワーモジュール | |
JP5036696B2 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5208060B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP5340202B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、bステージ熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5184543B2 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5225303B2 (ja) | 熱伝導性シートの製造方法 | |
JP4089636B2 (ja) | 熱伝導性樹脂シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法 | |
JP5063710B2 (ja) | パワーモジュール | |
WO2012070289A1 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP5791488B2 (ja) | 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP2008153430A (ja) | 放熱基板並びに熱伝導性シートおよびこれらを用いたパワーモジュール | |
JP6000749B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シートの製造方法と熱伝導性樹脂シート、並びに電力用半導体装置 | |
JP2011178894A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP2014152299A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、その製造方法及びそれを備えるパワーモジュール | |
JP2008255186A (ja) | 熱伝導性樹脂シート及びパワーモジュール | |
JP5653280B2 (ja) | 熱伝導性シート用樹脂組成物、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP6025966B2 (ja) | 熱伝導性絶縁シート、パワーモジュール及びその製造方法 | |
JPWO2012002505A1 (ja) | セラミックス混合物、及びそれを用いたセラミックス含有熱伝導性樹脂シート | |
JP2015196823A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート及びその製造方法、並びにパワーモジュール | |
JP2016155946A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シート、回路基板及びパワーモジュール | |
JP5274007B2 (ja) | 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール | |
JPWO2019124147A1 (ja) | ガラス被覆窒化アルミニウム粒子、その製造方法およびそれを含む放熱性樹脂組成物 | |
JP2008010897A (ja) | 絶縁シートおよびこれを用いたパワーモジュール | |
WO2015159720A1 (ja) | 熱伝導性シート用コンパウンドの製造方法、熱伝導性シートの製造方法、熱伝導性シート用コンパウンド、熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
JP2016204669A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱伝導性樹脂シートの製造方法と熱伝導性樹脂シート、並びに電力用半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141021 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5653280 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |