JP2012222045A - 半導体光デバイスの製造方法及び半導体光デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の空孔生成領域、および、第1の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる2種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第1の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第1領域を形成し、半導体層の領域に第1領域よりも混晶度の小さい第2領域を形成する工程とを備える製造方法。
【選択図】図2
Description
特許文献1 特開2007−242718号公報
Claims (15)
- 半導体光デバイスの製造方法であって、
空孔を生成する第1の空孔生成領域、および、前記第1の空孔生成領域より水素との親和性が高く、前記空孔の拡散を促進する空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、
密度の異なる2種類の誘電体膜を前記半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、
アニール処理により、対応する前記誘電体膜の密度に応じた密度の空孔を前記第1の空孔生成領域に生成させ、且つ、生成した前記空孔を前記空孔拡散促進領域を介して前記半導体層に拡散させて、前記2種類の誘電体膜のうち、密度のより小さい誘電体膜が堆積された前記半導体層の領域を混晶化して第1領域を形成し、密度のより大きい誘電体膜が堆積された前記半導体層の領域に前記第1領域よりも混晶度の小さい第2領域を形成する工程と
を備える製造方法。 - 前記アニール処理により、前記空孔拡散促進領域は、前記第2領域の水素濃度が前記第1領域の水素濃度より高くなる請求項1に記載の製造方法。
- 前記空孔拡散促進領域を形成する工程は、第1の温度でエピタキシャル成長により前記空孔拡散促進領域を形成し、
前記第1の空孔生成領域を形成する工程は、前記第1の温度より高い第2の温度でエピタキシャル成長により前記第1の空孔生成領域を形成する請求項1または2に記載の製造方法。 - 前記第1の空孔生成領域を形成する工程は、第1のp型ドーパントを前記半導体層にドーピングする工程を含み、前記空孔拡散促進領域を形成する工程は、第2のp型ドーパントを前記半導体層にドーピングする工程を含み、前記第2のp型ドーパントは前記第1のp型ドーパントより水素との親和性が高い請求項3に記載の製造方法。
- 前記空孔拡散促進領域を形成する工程は、前記第2のp型ドーパントのドーピング効率が成長温度の増加に対して減少する温度で前記エピタキシャル成長を行なう請求項4に記載の製造方法。
- 前記空孔拡散促進領域を形成する工程は、第1の成長レートでエピタキシャル成長により前記空孔拡散促進領域を形成し、
前記第1の空孔生成領域を形成する工程は、前記第1の成長レートより遅い第2の成長レートでエピタキシャル成長により前記第1の空孔生成領域を形成する請求項3から5のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記空孔拡散促進領域を形成する工程の前に、前記第1のp型ドーパントのドーパント量が前記第1の空孔生成領域より低い第2の空孔生成領域を形成する工程をさらに備える請求項4に記載の製造方法。
- 前記第1のp型ドーパントは、Zn、MgまたはBeを含む請求項4に記載の製造方法。
- 前記第2のp型ドーパントは、炭素を含む請求項4または8に記載の製造方法。
- 前記第1の空孔生成領域、および、前記空孔拡散促進領域の全ドーパント量は、1.0E+15(atoms/cm2)以下である請求項4から9のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記空孔拡散促進領域のドーパント量は、前記第1の空孔生成領域のドーパント量より少ない請求項4から10のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第1の空孔生成領域、および、前記空孔拡散促進領域は、1回のエピタキシャル成長工程により形成される請求項1から11のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第1の温度は、680℃より低い請求項3から11のいずれか一項に記載の製造方法。
- 半導体光デバイスであって、
第1領域および第2領域を有し、光を生成する半導体層を備え、
前記第1領域の混晶度は、前記第2領域の混晶度の5倍以上である半導体光デバイス。 - 前記第1領域の混晶度が25meV以上であり、
前記第2領域の混晶度が5meV以下である
請求項14に記載の半導体光デバイス。
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