JP2012212811A - 配線構造、表示装置、および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Cu合金層とを備えた配線構造であって、前記Cu合金層は、基板側から順に、合金成分としてMnと、X(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、SnおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種)を含有する第一層と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層、とを含む積層構造である。
【選択図】図7
Description
Cu−Mn−X合金層は、合金成分としてMnと、X(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、SnおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種)を含有する合金層である。すなわち、本発明の第一層は、密着性向上元素であるMnと、特にCu−Mn合金の電気抵抗率の低減に寄与するAg、Au、C、W、Ca、Mg、Al、SnおよびNiよりなる群から選択される少なくとも1種のX元素と、を両方含んでいるところに特徴がある。このようなCu−Mn−X合金層を第一層とすることによって、密着性向上、及び熱処理後の低電気抵抗率を達成できる。
本発明におけるCu合金層において、第二層は第一層の上(直上)に形成されており、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって上記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金で構成されている。このような第二層を設けることにより、Cu合金層全体の電気抵抗率を低く抑えることができる。ここで、第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金とは、X元素を含むCu−Mn−X合金で構成されている第一層に比べて電気抵抗率が低くなるように合金元素の種類および/または含有量を適切に制御すれば良い。電気抵抗率が低い元素(おおむね、純Cu合金並みに低い元素)は、文献に記載の数値などを参照し、公知の元素から容易に選択することができる。ただし、電気抵抗率が高い元素であっても含有量を少なくすれば(おおむね、0.05〜1原子%程度)電気抵抗率を低減できるため、第二層に適用可能な合金元素は、必ずしも電気抵抗率が低い元素に限定されない。具体的には、例えばCu−0.5原子%Ni、Cu−0.5原子%Zn、Cu−0.3原子%Mnなどが好ましく用いられる。また、第二層に適用可能な合金としては、酸素ガスや窒素ガスなどのガス成分を含むものであってもよく、例えばCu−OやCu−Nなどを用いることができる。
本発明に係るTFTの第1の実施形態を図1Aに示す。図1Aは、TFT用基板の上に第1の半導体層を有し、その上に直接(N、C、F、O)層とCu−Si拡散層とからなる2層の積層構造を有しており、その上に直接Cu合金層(第一層と第二層を含む)が形成された構造を有している。図1Aの構造は、基板から純に、第1の半導体層、(N、C、F、O)層を形成した後、第2の半導体層、次いでCu合金層(第一層、第二層)、を形成し、その後に約150℃以上の熱履歴を加えることによって得られる。
第1の実施形態において、(N、C、F、O)層は窒素、炭素、フッ素、および酸素の少なくとも1種の元素を含有している。この(N、C、F、O)層は半導体層の表面全体をほぼ覆うように形成されているため、Cu合金層と第1の半導体層との界面におけるCuとSiの相互拡散を防止するためのバリアとして有効に作用する。好ましくは窒素含有層である。詳細には、上記層を構成する窒素、炭素、フッ素、酸素は第1の半導体層のSiと結合し、主にSi窒化物、Si炭化物、Siフッ化物、Si酸化物を主に含有している。ここで、Si窒化物、Si炭化物、およびSiフッ化物は更に酸素を含有していてもよく、例えばSi窒化物は酸素を更に含有するSiの酸窒化物の複合化合物も含み得る。Siの酸窒化物などの酸素含有複合化合物は、例えば、窒素含有層の形成過程などで不可避的に導入させる酸素(O)と結合して得られる。
Cu−Si拡散層は、上記(N、C、F、O)層を大気による汚染から保護する作用を有し、(N、C、F、O)層が汚染されることによるTFT特性の低下、コンタクト抵抗の上昇、またはこれらのバラツキを抑止する効果を有する。
本発明に係るTFTの第2の実施形態は、特許文献8に記載されている(N、C、F、O)層を複数有する形態、即ち、前述の第1の実施形態における2層の積層構造を構成する(N、C、F、O)層を有する形態であって、TFT用基板上に、半導体層、(N、C、F、O)層、半導体層、(N、C、F、O)層を有している例である。詳細には、図2に示すように、TFT用基板の上に半導体層、(N、C、F、O)層、半導体層を有し、その上に直接、(N、C、F、O)層とCu−Si拡散層とからなる2層の積層構造を有しており、その上に直接、Cu合金層(第一層と第二層)が形成された構造を有している。
本発明に係るMOSFETの第3の実施形態を図4に示す。図4は、単結晶Siの上に直接、(N、C、F、O)層とCu−Si拡散層とからなる2層の積層構造を有しており、その上に直接、Cu合金層(第一層と第二層を含む)が形成された構造を有している。このような構造は図5に示す工程により形成される。すなわち、イオン注入法などによりN、C、F、Oのうち例えば窒素を単結晶Si基板中に打ち込む。このとき、注入された窒素はある深さ(飛程と呼ばれる)を中心にほぼガウス分布の深さ方向分布を有する。注入された窒素のダメージによりSiの一部はアモルファス化する。次にCu合金層(第1層と第2層)をスパッタとメッキにより成膜し、その後アニールなどの熱処理を施すことでCu合金層(第1層と第2層含む)/Cu−Si拡散層/窒素含有層/単結晶Siの構造が形成される。
試料1:第二の半導体層/窒素含有層/第一の半導体層/基板
ガラス基板上に、プラズマCVD法により、膜厚約200nmの不純物(P)をドーピングした低抵抗のアモルファスシリコン膜(n−a−Si:H)を成膜した(第一の半導体層)。この低抵抗アモルファスシリコン膜は、SiH4、PH3を原料としたプラズマCVDを行うことによって形成した。プラズマCVDの成膜温度は320℃とした。続いて、同一のプラズマCVD装置内にて、窒素ガスのみを供給してプラズマを発生させ、上記低抵抗アモルファスシリコン膜の表面を窒素プラズマにて30秒間処理し、窒素含有層を形成した。このプラズマに印加したRFパワー密度は約0.3W/cm2、成膜温度は320℃、ガス圧力は67Paとした。表面をRBS法、及びXPS法で分析した結果、厚さ約1nmの窒素含有層が形成されていることが確認された。その後、さらにプラズマCVD法により、膜厚約1nmの不純物(P)をドーピングした低抵抗のアモルファスシリコン膜(n−a−Si:H)を成膜した(第二の半導体層)。
上記試料1と同様に、ガラス基板上に低抵抗アモルファスシリコン膜を成膜し(第一の半導体層)、続いて窒素含有層を形成した。
上記試料1と同様に、ガラス基板上に低抵抗アモルファスシリコン膜を成膜し(第一の半導体層)、続いて同一のプラズマCVD装置内にて、酸素ガスのみを供給してプラズマを発生させ、該低抵抗アモルファスシリコン膜の表面をプラズマにて30秒間処理し、酸素含有層を形成した。なお、プラズマに印加したRFパワー密度は約0.3W/cm2、成膜温度は320℃、ガス圧力は67Paとした。
上記試料1〜3を用いて、第一層(Cu−Mn−X合金)の膜厚、Mn濃度、X濃度、及び第二層(純Cu)の膜厚が表1に示す値となるように、成膜条件を適宜変更して、スパッタリング法によって順次成膜し、密着性評価用試料を作製した。
(試料の作製)
上記試料1〜3を用いて、第一層(Cu−Mn−X合金)の膜厚、Mn濃度、X濃度、及び第二層(純Cu)の膜厚が表1に示す値となるように、成膜条件を適宜変更して、スパッタリング法によって順次成膜し、電気抵抗率評価用試料を作製した。
○: 4.0μΩcm以下
△: 4.0μΩcm超〜4.2μΩcm以下
×: 4.2μΩcm超
Claims (10)
- 基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Cu合金層とを備えた配線構造であって、
前記Cu合金層は、基板側から順に、合金成分としてMnと、X(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、およびNiよりなる群から選択される少なくとも一種)を含有するCu−Mn−X合金層(第一層)と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる層(第二層)と、を含む積層構造であることを特徴とする配線構造。 - 前記Cu−Mn−X合金層におけるMnの含有量が1.0〜20原子%である請求項1に記載の配線構造。
- 前記Cu−Mn−X合金層におけるX含有量が0.2〜10原子%である請求項1または2に記載の配線構造。
- 前記半導体層と前記Cu合金層との間に、窒素、炭素、フッ素、及び酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する(N、C、F、O)層を含むものである請求項1〜3のいずれかに記載の配線構造。
- 前記半導体層と前記Cu合金層との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、及び酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する(N、C、F、O)層と、CuおよびSiを含むCu−Si拡散層との積層構造を含むものである請求項1〜3のいずれかに記載の配線構造。
- 前記Cu−Si拡散層は、前記(N、C、F、O)層、半導体層、および前記Cu合金層をこの順序で基板側から順に形成した後、熱履歴を加えることによって得られるものである請求項5に記載の配線構造。
- 前記Cu−Mn−X合金層の膜厚が5〜100nmである請求項1〜6のいずれかに記載の配線構造。
- 前記半導体層は、水素化アモルファスシリコン、またはアモルファスシリコンである請求項1〜7のいずれかに記載の配線構造。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の配線構造を有する表示装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の配線構造を有する半導体装置。
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