JP2012209346A - 光電変換モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換モジュールは、一主面2aを有する第1基板2と、該第1基板2の一主面2a上に設けられた、光吸収層4を有する光電変換部1とを有する。さらに、光電変換モジュールは、光電変換部1を被覆する被覆層8と、受光面9aおよび該受光面の裏面に相当する非受光面9bを有し、該非受光面9bが被覆層8と接触するように設けられた第2基板9とを有する。そして、光電変換モジュールにおいて、第2基板9の受光面9aにおける表面圧縮応力は、第1基板2の一主面2aにおける表面圧縮応力よりも小さい。
【選択図】図2
Description
する第2基板の受光面に過度な圧力が加わって、光電変換モジュールが変形すると、第1基板よりも先に第2基板に割れが生じる。本態様では、第2基板に割れが生じても、光電変換部上に被覆層が配置されているため、光電変換部が保護される。その結果、本態様では、上記した変形が生じても光電変換部の破損を低減できる。
光電変換部1は、図1(b)に示すように、第1基板2の一主面上に設けられている。そして、この光電変換部1は、図1(b)に示すように、下部電極3と、光吸収層4およびバッファ層5を備えた光電変換層と、透光性導電層6および集電電極7を備えた上部電極とを有する。この光電変換部1では、下部電極3および上部電極で挟まれた光吸収層4およびバッファ層5により光電変換が行なわれる。
,Ga)(Se,S)2)、二イオウ化銅インジウム・ガリウム(Cu(In,Ga)S2)又は薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。なお、光吸収層4が含む化合物半導体は、上記したI-III-VI化合物半導体だけでなく、例えば、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)、硫黄(S)を含む、CZTS系のものであってもよい。このようなCZTS系化合物半導体は、例えばCu2ZnSnS4が挙げられる。CZTS系化合物半導体は、I-III-VI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。また、光吸収層4は、例えば、p型の導電形を有し、厚さが1〜3μm程度である。
よって形成され得る。透光性導電層6の厚さは、例えば、0.05μm〜3.0μmである。ここで、透光性導電層6が、1Ω・cm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層6を介して光吸収層4から電荷が良好に取り出され得る。
次に、本発明の実施形態に係る光電変換モジュールの一例について説明する。
ことなく、上述した基板の強度の大小関係を実現できる。すなわち、上述した基板の強度の大小関係を維持していれば、第1基板2の厚みを小さくすることもできる。これにより、本実施形態では、第1基板2の重量を過度に大きくしなくてもよいため、製造上の作業性が向上する。なお、本実施形態では、上述した基板の強度の大小関係を維持すべく、第2基板9の受光面9aに圧縮応力層が形成されていないガラスを用いることも可能である。このようなガラスとしては、例えば、上述したような無アルカリガラスが挙げられる。
1:光電変換部
1a、1b:光電変換セル
2:第1基板
2a:一主面
3:下部電極
4:光吸収層
5:バッファ層
6:透光性導電層
7:集電電極
7a:グリッド部
7b:接続部
8:被覆層
9:第2基板
9a:受光面
9b:非受光面
P1〜P3:分離溝
Claims (4)
- 一主面を有する第1基板と、
該第1基板の前記一主面上に設けられた、光吸収層を有する光電変換部と、
該光電変換部を被覆する被覆層と、
受光面および該受光面の裏面に相当する非受光面を有し、該非受光面が前記被覆層と接触するように設けられた第2基板とを有し、
該第2基板の前記受光面における表面圧縮応力は、前記第1基板の前記一主面における表面圧縮応力よりも小さい、光電変換モジュール。 - 前記受光面に対して垂直な方向における前記第2基板の厚みは、前記一主面に対して垂直な方向における前記第1基板の厚みよりも小さい、請求項1に記載の光電変換モジュール。
- 前記第1基板は、化学強化ガラスである、請求項1または請求項2に記載の光電変換モジュール。
- 前記光吸収層は、カルコパイライト系の半導体層を含み、
前記第1基板は、カリウムを含む、請求項3に記載の光電変換モジュール。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101790457B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2017-11-20 | 베이징 아폴로 딩 롱 솔라 테크놀로지 씨오 엘티디 | 모놀리식으로 연결되는 박층 태양 전지들의 생산을 위한 기판 상에 박층들의 레이저 구조화를 위한 방법 및 박층 태양 모듈을 생산하기 위한 방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4510344A (en) * | 1983-12-19 | 1985-04-09 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell substrate |
US4625070A (en) * | 1985-08-30 | 1986-11-25 | Atlantic Richfield Company | Laminated thin film solar module |
JPS628578A (ja) * | 1985-06-04 | 1987-01-16 | シーメンス ソーラー インダストリーズ,エル.ピー. | 薄膜太陽電池モジュール |
WO2005104242A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Nakajima Glass Co., Inc. | 太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2005106969A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Nakajima Glass Co., Inc. | 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール |
JP2008288547A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP2010143614A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | ヒンジキャップ |
JP2010180076A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 強化ガラス |
JP2010219518A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 建材、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法 |
JP2010267965A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Schott Ag | 薄膜太陽電池 |
-
2011
- 2011-03-29 JP JP2011072407A patent/JP2012209346A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4510344A (en) * | 1983-12-19 | 1985-04-09 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell substrate |
JPS628578A (ja) * | 1985-06-04 | 1987-01-16 | シーメンス ソーラー インダストリーズ,エル.ピー. | 薄膜太陽電池モジュール |
US4625070A (en) * | 1985-08-30 | 1986-11-25 | Atlantic Richfield Company | Laminated thin film solar module |
WO2005104242A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Nakajima Glass Co., Inc. | 太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2005106969A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Nakajima Glass Co., Inc. | 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール |
JP2008288547A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP2010143614A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | ヒンジキャップ |
JP2010180076A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 強化ガラス |
JP2010219518A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 建材、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法 |
JP2010267965A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Schott Ag | 薄膜太陽電池 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101790457B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2017-11-20 | 베이징 아폴로 딩 롱 솔라 테크놀로지 씨오 엘티디 | 모놀리식으로 연결되는 박층 태양 전지들의 생산을 위한 기판 상에 박층들의 레이저 구조화를 위한 방법 및 박층 태양 모듈을 생산하기 위한 방법 |
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