JP2012205360A - 発光素子駆動用のスイッチング電源の制御回路、発光素子の駆動回路、およびそれらを用いた発光装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】gmアンプ21は、電流駆動回路8(CSi)に生ずる検出電圧VLEDと基準電圧VREFの誤差に応じた電流を生成する。フィードバックスイッチSW1は、フィードバックキャパシタCFBが接続されるフィードバック端子FBとgmアンプ21の出力端子との間に設けられ、調光用パルス信号PWMに応じてオンする。ソフトスタート回路32は、時間とともに変化するソフトスタート電圧VSSを生成する。クランプ回路40は、スイッチング電源4の動作開始からある期間、アクティブとなり、フィードバック端子FBに生ずるフィードバック電圧VFBを、検出電圧VLEDのレベルにかかわらずソフトスタート電圧VSSと等しくなるように制御する。
【選択図】図2
Description
スタンバイ信号STBがローレベルのとき、制御IC1100はシャットダウンしており、出力電圧VOUTは0Vとなっている。また起動直後において、フィードバック電圧VFBもゼロである。
スイッチングトランジスタM1は、バースト調光の点灯期間TONにのみスイッチングするため、調光用パルス信号PWMのデューティ比が小さい場合、出力キャパシタC1に電荷が供給される時間が短くなるため、出力電圧VOUTの上昇速度が遅くなり、起動時間が長くなる。
第1端子は、電界効果トランジスタ(FET)のソース、バイポーラトランジスタのエミッタであり、第2端子はFETのドレイン、バイポーラトランジスタのコレクタであり、制御端子は、FETのゲート、バイポーラトランジスタのベースであってもよい。
この場合、発光素子に所定レベルの駆動電流が流れ始めると、通常のフィードバック制御に移行させることができる。
駆動トランジスタの制御端子の電位は、駆動電流が増大するにしたがい低下する。したがってしきい値レベルを適切に設定することにより、所定レベルの駆動電流が流れはじめたことを好適に検出できる。
駆動トランジスタの制御端子の電位が低下すると、PチャンネルMOSFETのゲートソース間電圧が大きくなる。この態様によれば、MOSFETのゲートソース間しきい値電圧を利用することにより駆動電流が流れ始めたことを検出できる。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
ILEDi=VDIM/R21
図5は、図2の発光装置3の動作を示す波形図である。時刻t1にスタンバイ信号STBがハイレベルに遷移し、スイッチング電源4の起動が指示される。起動開始とともにソフトスタート電圧VSSが上昇し始める。このときクランプ回路40はアクティブであり、フィードバック電圧VFBも、ソフトスタート電圧VSSに追従して上昇する。これによりパルス信号SPWMのデューティ比は、ソフトスタート電圧VSSに応じて増大していく。
この発光装置3によれば、スタンバイ状態からの復帰時に、調光用パルス信号PWMのデューティ比が小さい場合であっても、フィードバック電圧VFB、つまりパルス信号SPWMのデューティ比を、ソフトスタート電圧VSSに追従して増大させることができ、出力電圧VOUTを短時間で上昇させる。また、スイッチング電源4の動作開始からある期間が経過した後に、クランプ回路40を非アクティブとしてソフトスタート電圧VSSに応じたフィードバック電圧VFBの制御を解除することにより、検出電圧VLEDが基準電圧VREFと近づくようなフィードバック制御に移行させることができる。
あるいは、電流検出抵抗R21に生ずる電圧降下VR21にもとづいてアクティブ、非アクティブを切りかえてもよい。
Claims (21)
- 発光素子の第1端子に駆動電圧を供給するスイッチング電源を制御するとともに、前記発光素子に流れる駆動電流を生成する制御回路であって、
前記発光素子の第2端子に接続され、調光用パルス信号に応じた間欠的な駆動電流を前記発光素子に供給する電流駆動回路と、
前記電流駆動回路の両端間に生ずる検出電圧と所定の基準電圧の誤差に応じた電流を生成するトランスコンダクタンスアンプと、
フィードバックキャパシタが接続されるべきフィードバック端子と、
前記フィードバック端子と前記トランスコンダクタンスアンプの出力端子との間に設けられ、前記調光用パルス信号に応じてオンするフィードバックスイッチと、
時間とともに変化するソフトスタート電圧を生成するソフトスタート回路と、
前記スイッチング電源の動作開始からある期間、アクティブとなり、前記フィードバック端子に生ずるフィードバック電圧を、前記検出電圧のレベルにかかわらず前記ソフトスタート電圧と等しくなるように制御するクランプ回路と、
前記フィードバック電圧に応じたデューティ比を有するパルス信号を生成するパルス変調器と、
前記調光用パルス信号が点灯を指示する期間、前記パルス信号にもとづき前記スイッチング電源のスイッチング素子を駆動し、前記調光用パルス信号が消灯を指示する期間、前記スイッチング素子をオフするドライバと、
を備えることを特徴とする制御回路。 - 前記フィードバックスイッチは、前記クランプ回路が非アクティブであり、かつ前記調光用パルス信号が点灯を指示する期間においてオンすることを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
- 前記クランプ回路は、
その第1端子が前記フィードバック端子に接続された第1トランジスタと、
その第1端子が前記第1トランジスタの制御端子に接続され、その制御端子に前記ソフトスタート電圧が入力された、第1トランジスタと相補的な第2トランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 - 前記クランプ回路は、前記クランプ回路が非アクティブの期間に、前記第1トランジスタの制御端子の電位を、前記第1トランジスタがオフするレベルに固定するオフ回路をさらに含む請求項3に記載の制御回路。
- 前記クランプ回路は、
前記フィードバック端子と固定電圧端子の間に設けられ、前記クランプ回路がアクティブの期間にオンするインピーダンス回路をさらに含むことを特徴とする請求項3または4に記載の制御回路。 - 前記クランプ回路は、前記スイッチング電源の起動開始後、前記発光素子に流れる前記駆動電流が所定レベルに達するまでの期間、アクティブとなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の制御回路。
- 前記電流駆動回路は、
前記発光素子の前記第2端子と固定電圧端子の間に設けられた駆動トランジスタおよび電流検出抵抗と、
その反転入力端子が前記駆動トランジスタおよび前記電流検出抵抗の接続点と接続され、その非反転入力端子に前記駆動電流を指示する制御電圧が印加された演算増幅器と、
を含み、
前記制御回路は、前記調光用パルス信号が点灯を指示する期間における前記駆動トランジスタの制御端子の電位を、所定の電圧レベルと比較することにより、前記発光素子に流れる前記駆動電流が所定レベルに達したことを検出する点灯検出回路をさらに備えることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の制御回路。 - 前記電流駆動回路は、前記駆動トランジスタの制御端子と前記固定電圧端子の間に設けられ、前記調光用パルス信号に応じてオン、オフが制御される調光用スイッチをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の制御回路。
- 前記点灯検出回路は、
そのソースが前記演算増幅器の上側電源端子に接続され、そのゲートが前記駆動トランジスタの制御端子に接続されたPチャンネルMOSFETと、
前記PチャンネルMOSFETのドレインと前記演算増幅器の下側電源端子の間に設けられた電流源と、
そのゲートが、前記PチャンネルMOSFETのドレインに接続され、そのソースが前記下側電源端子に接続されたNチャンネルMOSFETと、
前記NチャンネルMOSFETのドレインと前記上側電源端子の間に設けられた負荷と、
を含み、
前記調光用パルス信号が点灯を指示する期間における前記NチャンネルMOSFETのドレイン電位に応じた信号を、検出結果を示す信号として出力することを特徴とする請求項7に記載の制御回路。 - 前記点灯検出回路は、
そのデータ端子に前記NチャンネルMOSFETのドレイン電位が入力され、そのクロック端子に、前記調光用パルス信号と同期クロック信号の論理積に応じた信号が入力されたフリップフロップをさらに含み、前記フリップフロップの出力信号を、検出結果を示す信号として出力することを特徴とする請求項9に記載の制御回路。 - 前記クランプ回路は、前記スイッチング電源の起動開始後、前記スイッチング電源の出力電圧に応じた電圧が、所定のレベルより低い期間、アクティブとなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の制御回路。
- 前記クランプ回路は、前記スイッチング電源の出力電圧が前記発光素子が点灯するレベルより低い期間、アクティブとなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の制御回路。
- 前記クランプ回路は、前記ソフトスタート電圧が所定のしきい値電圧より低い期間、アクティブとなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の制御回路。
- 前記パルス変調器は、
所定の周波数を有する三角波または鋸波の周期電圧を生成する発振器と、
前記フィードバック電圧と、前記周期電圧を比較することによりパルス信号を生成するパルス幅変調用コンパレータと、
を含むことを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載の制御回路。 - 発光素子と、
前記発光素子の一端に駆動電圧を供給するスイッチング電源と、
を備え、前記スイッチング電源は、
スイッチング素子を含む出力回路と、
前記スイッチング素子を駆動する請求項1から14のいずれかに記載の制御回路と、
を含むことを特徴とする発光装置。 - 液晶パネルと、
前記液晶パネルのバックライトとして設けられた請求項15に記載の発光装置と、
を備えることを特徴とする電子機器。 - 発光素子の第2端子に接続され、調光用パルス信号に応じた間欠的な駆動電流を前記発光素子に供給する電流駆動回路と、
前記発光素子が発光可能な状態となったことを検出する点灯検出回路と、
を備え、
前記電流駆動回路は、
前記発光素子の前記第2端子と固定電圧端子の間に設けられた駆動トランジスタおよび電流検出抵抗と、
その反転入力端子が前記駆動トランジスタおよび前記電流検出抵抗の接続点と接続され、その非反転入力端子に前記駆動電流を指示する制御電圧が印加された演算増幅器と、
を含み、
前記点灯検出回路は、前記調光用パルス信号が点灯を指示する期間における前記駆動トランジスタの制御端子の電位を所定の電圧レベルと比較することにより、前記発光素子に流れる前記駆動電流が所定レベルに達したことを検出することを特徴とする発光素子の駆動回路。 - 前記点灯検出回路は、
そのソースが前記演算増幅器の上側電源端子に接続され、そのゲートが前記駆動トランジスタの制御端子に接続されたPチャンネルMOSFETと、
前記PチャンネルMOSFETのドレインと前記演算増幅器の下側電源端子の間に設けられた電流源と、
そのゲートが、前記PチャンネルMOSFETのドレインに接続され、そのソースが前記下側電源端子に接続されたNチャンネルMOSFETと、
前記NチャンネルMOSFETのドレインと前記上側電源端子の間に設けられた負荷と、
を含み、
前記調光用パルス信号が点灯を指示する期間における前記NチャンネルMOSFETのドレイン電位に応じた信号を、検出結果を示す信号として出力することを特徴とする請求項17に記載の駆動回路。 - 前記点灯検出回路は、
そのデータ端子に前記NチャンネルMOSFETのドレイン電位が入力され、そのクロック端子に、前記調光用パルス信号と同期クロック信号の論理積に応じた信号が入力されたフリップフロップをさらに含み、前記フリップフロップの出力信号を、検出結果を示す信号として出力することを特徴とする請求項18に記載の駆動回路。 - 発光素子と、
前記発光素子を駆動する請求項17から19のいずれかに記載の駆動回路と、
を備えることを特徴とする発光装置。 - 液晶パネルと、
前記液晶パネルのバックライトとして設けられた請求項20に記載の発光装置と、
を備えることを特徴とする電子機器。
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