JP5850612B2 - 発光素子の駆動回路、ならびにそれらを用いた発光装置、電子機器 - Google Patents

発光素子の駆動回路、ならびにそれらを用いた発光装置、電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、発光素子の駆動技術に関する。
近年、液晶パネルのバックライトや照明機器として、LED(発光ダイオード)をはじめとする発光素子を利用した発光装置が利用される。図1は、比較技術に係る発光装置の構成例を示す回路図である。発光装置3rは、複数のLEDストリング6_1〜6_nと、スイッチング電源(DC/DCコンバータ)4rと、電流駆動回路8を備える。
各LEDストリング6は、直列に接続された複数のLEDを含む。スイッチング電源4rは、入力電圧VINを昇圧してLEDストリング6_1〜6_nの一端に駆動電圧VOUTを供給する。
電流駆動回路8は、LEDストリング6_1〜6_nごとに設けられた電流源CS〜CSを備える。各電流源CSは、対応するLEDストリング6に、目標輝度に応じた駆動電流ILEDを供給する。
LEDストリング6の輝度を調節するために、駆動電流ILEDはPWM(Pulse Width Modulation)制御される。具体的には、電流駆動回路8のPWMコントローラ9は、輝度に応じたデューティ比を有するバースト調光パルスPWM〜PWMを生成し、それぞれに対応する電流源CS〜CSをスイッチング制御する。このような制御を、バースト調光あるいはバースト制御とも称する。
スイッチング電源4rは、出力回路102と、制御IC100rを備える。出力回路102は、インダクタL1、スイッチングトランジスタM1、整流ダイオードD1、出力キャパシタC1を含む。
制御IC100rは、LEDストリング6_1〜6_nそれぞれのカソード端子に生ずる電圧(検出電圧という)VLED1〜VLEDnのうち最も低いひとつが目標電圧VREFに近づくように、スイッチングトランジスタM1のオン、オフのデューティ比をフィードバック制御する。その結果、スイッチング電源4rの出力電圧VOUTは、(VREF+Vf)に安定化される。Vfは、LEDストリング6の順方向電圧(電圧降下)である。
具体的には、制御IC100rは、フィードバック回路10、誤差増幅器12、パルス変調器14、ドライバ16を備える。フィードバック回路10は、各チャンネルの検出電圧VLED1〜VLEDnを分圧比K1(K1はパラメータ)にて分圧し、後段の誤差増幅器12に供給する。またフィードバック回路10は、i番目のチャンネルのバースト調光パルスPWMが消灯期間(ネゲート)を示すとき、そのチャンネルの検出電圧VLEDiを、強制的にその他のチャンネルより高くすることにより、フィードバック制御から除外する。
誤差増幅器12は、フィードバック回路10からの分圧された各チャンネルの検出電圧VLED1’〜VLEDn’(’は分圧されたことを示す)のうち最も低いひとつと、目標電圧VREFの誤差を増幅する。たとえば誤差増幅器12はgmアンプであり、誤差に応じた電流を、FB端子に接続される位相補償用抵抗R7および位相補償用キャパシタC3に供給する。FB端子には、誤差に応じたフィードバック電圧VFBが発生する。
パルス変調器14は、フィードバック電圧VFBに応じたデューティ比を有するパルス信号SPWMを生成する。たとえばパルス変調器14は、パルス幅変調器である。ドライバ16は、パルス信号SPWMに応じて、スイッチング端子SWOUTに接続されるスイッチングトランジスタM1をスイッチングする。
この構成によって、LEDストリング6の共通のアノードに供給される駆動電圧VOUTを安定化できる。
特開2006−114324号公報
ここで制御IC100rのフィードバックループは、有限の応答速度を有している。具体的には、検出電圧VLEDの変化に対して、フィードバック電圧VFBは遅れて変化する。本発明者は、このような発光装置3rについて検討した結果、以下の課題を認識するに至った。図2は、図1の発光装置3rの動作を示す波形図である。本明細書における波形図やタイムチャートの縦軸および横軸は、理解を容易とするために適宜拡大、縮小したものであり、また示される各波形も、理解の容易のために簡略化されている。
図2のタイムチャートは、2チャンネル(n=2)の場合を示す。また説明の簡略化のため、バースト調光は行っていないものとする。期間t0−t1では、フィードバックが正常に動作している。この間、検出電圧VLED1’〜VLED2’のうち低い方VLED2’がフィードバックの対象となり、それが基準電圧VREFと一致するようにフィードバックがかかる。このとき、駆動電圧VOUTは、VREF/K1+Vに安定化される。ここでVは、LEDストリング6_2の電圧降下(順方向電圧)である。
時刻t1に、オープン故障などの何らかの異常が発生し、第2チャンネルの検出電圧VLED2が接地電圧(0V)にドロップしたとする。制御IC100rは、チャンネルごとのオープン検出機能を備える。あるチャンネルでオープン異常を検出すると、制御IC100rは、ショートされたチャンネルを、フィードバックの対象から除外する(オープン保護)。
ところが、オープン故障が発生してから、オープン保護が働くタイミングt2までには、ある遅延τが存在する。この遅延τの期間t1−t2の間、制御IC100は、接地電圧にドロップした検出電圧VLED2’が基準電圧VREFに近づくようにフィードバックを行う。検出電圧VLED2は接地電圧付近を維持するため、誤差が大きくなり、フィードバック電圧VFBが制御IC100rの電源電圧VDD付近まで上昇し、スイッチングトランジスタM1のデューティ比は最大となる。その結果、出力キャパシタC1に過剰なエネルギーが供給され、駆動電圧VOUTが上昇する。
時刻t2に第2チャンネルがフィードバックから除外されると、第1チャンネルの検出電圧VLED1’がフィードバックの対象となる。その結果、検出電圧VLED1’が基準電圧VREFに近づくように上昇し、駆動電圧VOUTもそれに追従して上昇していく。
ところが、検出電圧VLED1’が基準電圧VREFに達した後も、フィードバック電圧VFBは高い状態を維持する。これは、位相補償用の抵抗R7、キャパシタC3によってフィードバック電圧VFBの変化が遅れることによる。その結果、駆動電圧VOUTが十分なレベルに達しているにもかかわらず、パルス信号SPWMのデューティ比は高い値を維持し続ける。その結果、駆動電圧VOUTがオーバーシュートする。
図1の発光装置3rでは、オープン故障に限らず、さまざまな状況において、フィードバックループの応答の遅延によって、駆動電圧VOUTがオーバーシュート、あるいはアンダーシュートし、駆動電圧VOUTの変動が大きくなってしまう。
なお、この認識を本発明の分野における共通の一般知識の範囲として捉えてはならない。さらに言えば、上記検討自体が、本出願人がはじめて想到したものである。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、駆動電圧の変動を抑制可能な制御回路の提供にある。
本発明のある態様は、それぞれが複数のチャンネルに割り当てられる複数の発光素子を駆動する駆動回路に関する。この駆動回路は、複数の発光素子の共通に接続された第1端子に駆動電圧を供給するスイッチング電源と、それぞれが複数のチャンネルごとに設けられ、対応する発光素子の第2端子に接続され、対応する発光素子に駆動電流を供給する、複数の電流ドライバと、を備える。スイッチング電源の制御回路は、複数の電流ドライバそれぞれの両端間の電圧に応じた検出電圧のうち、フィードバックの対象であるチャンネル内で最も低い電圧と所定の基準電圧の誤差に応じたフィードバック電圧を生成する誤差増幅器と、フィードバック電圧に応じたデューティ比を有するスイッチングパルス信号を生成するパルス変調器と、スイッチングパルス信号にもとづき、スイッチング電源のスイッチング素子を駆動するドライバと、それぞれが複数のチャンネルごとに設けられ、対応する検出電圧を所定のしきい値電圧と比較し、対応する検出電圧がしきい値電圧より高いときアサートされる比較信号を生成する、複数の比較回路と、複数の比較回路から出力される比較信号のうち、フィードバックの対象であるすべてのチャンネルの比較信号がアサートされるとき、スイッチング電源のスイッチング素子の駆動を停止させる電圧変動抑制回路と、を含む。
パルス変調器が生成するスイッチングパルス信号のデューティ比は、駆動電圧すなわち検出電圧が十分に高い状態にもかかわらず、応答遅れによってフィードバック電圧が、デューティ比が高くなるようなレベルを維持し続けるような状況において、スイッチング素子の駆動を停止することにより、駆動電圧がさらに上昇するのを防止でき、駆動電圧の安定性を高めることができる。
ある態様の制御回路は、それぞれが複数のチャンネルごとに設けられ、対応する検出電圧が所定のオープン検出用しきい値電圧より低いときにアサートされるオープン検出信号を生成する、複数のオープン検出回路と、あるチャンネルのオープン検出信号がアサートされた後、ある時間の経過後に、そのチャンネルを、フィードバックの対象から除外するオープン保護回路と、をさらに含んでもよい。
この態様によれば、あるチャンネルにおいてオープン故障が発生した場合に、そのチャンネルがフィードバックから除外された後に、駆動電圧がオーバーシュートするのを防止できる。
制御回路は、駆動電圧に応じた電圧を所定の過電圧検出用のしきい値電圧と比較し、駆動電圧が当該しきい値電圧より高いときアサートされる過電圧検出信号を生成する、ヒステリシスを有する過電圧検出コンパレータをさらに備えてもよい。オープン保護回路は、過電圧検出信号がアサートされると、オープン検出信号がアサートされたチャンネルを、フィードバックの対象から除外してもよい。
電圧変動抑制回路は、複数の比較回路からの複数の比較信号の論理積を生成する論理ゲートを含み、当該論理ゲートの出力にもとづき、スイッチング素子の駆動を停止してもよい。
比較回路は、対応する発光素子の第2端子と接地端子の間に順に直列に設けられた第1抵抗、対応するバースト調光パルスがアサートされる期間オンするトランジスタおよび第2抵抗と、第2抵抗の両端間の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、比較信号を生成するコンパレータと、を含んでもよい。
誤差増幅器は、誤差に応じた電流を生成するトランスコンダクタンスアンプと、誤差増幅器の出力端子と接地端子の間に直列に設けられた位相補償用の抵抗およびキャパシタと、を含み、誤差増幅器の出力端子に生ずる電圧を、フィードバック電圧として出力してもよい。
本発明の別の態様は、発光装置である。この装置は、複数の発光素子と、複数の発光素子を駆動する上述のいずれかの態様の駆動回路と、を備える。
本発明のさらに別の態様は、電子機器である。この電子機器は、液晶パネルと、液晶パネルのバックライトとして設けられた上述の発光装置と、を備える。
本発明のさらに別の態様は、それぞれが複数のチャンネルに割り当てられた複数の発光素子の駆動方法に関する。この方法は、スイッチング電源を用いて、複数の発光素子の共通に接続された第1端子に駆動電圧を供給するステップと、それぞれが複数の発光素子それぞれの経路上に設けられた複数の電流ドライバによって、複数の発光素子に駆動電流を供給するステップと、電流ドライバごとに、その電流ドライバの両端間に生ずる電圧に応じた検出電圧が所定のしきい値電圧より高いときアサートされる比較信号を生成するステップと、電流ドライバごとに生成される比較信号のうち、フィードバックの対象であるすべてのチャンネルの比較信号がアサートされるとき、スイッチング電源のスイッチング素子の駆動を停止するステップと、を備える。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、駆動電圧の安定性を高めることができる。
比較技術に係る発光装置の構成例を示す回路図である。 図1の発光装置の動作を示す波形図である。 実施の形態に係る発光装置を備える電子機器の構成を示す回路図である。 図3の発光装置の第1の動作例を示すタイムチャートである。 図3の発光装置の第2の動作例を示すタイムチャートである。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
図3は、実施の形態に係る発光装置を備える電子機器の構成を示す回路図である。
電子機器2は、ノートPC、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話端末、PDA(Personal Digital Assistant)などの電池駆動型の機器であり、発光装置3とLCD(Liquid Crystal Display)パネル5を備える。発光装置3はLCDパネル5のバックライトとして設けられる。
発光装置3は、それぞれが複数のチャンネルに割り当てられる発光素子であるLEDストリング6_1〜6_nと、電流駆動回路8と、スイッチング電源4と、を備える。電流駆動回路8およびスイッチング電源4は、LEDストリングの駆動回路を構成する。
各LEDストリング6は、直列に接続された複数のLEDを含む。スイッチング電源4は、昇圧型のDC/DCコンバータであり、入力端子P1に入力された入力電圧(たとえば電池電圧)VINを昇圧して、出力端子P2から出力電圧(駆動電圧)VOUTを出力する。複数のLEDストリング6_1〜6_nそれぞれの一端(アノード)は、スイッチング電源4の出力端子P2に共通に接続される。
スイッチング電源4は、制御IC100および出力回路102を備える。出力回路102は、インダクタL1、整流ダイオードD1、スイッチングトランジスタM1、出力キャパシタC1を含む。出力回路102のトポロジーは一般的であるため、説明を省略する。またそのトポロジーにさまざまな変形があることが当業者には理解され、本発明において限定されるものではない。
制御IC100のスイッチング端子SWOUTは、スイッチングトランジスタM1のゲートと接続される。制御IC100は、LEDストリング6の点灯に必要な出力電圧VOUTが得られるように、フィードバックによりスイッチングトランジスタM1のオン、オフのデューティ比を調節する。なおスイッチングトランジスタM1は制御IC100に内蔵されてもよい。
電流駆動回路8は、複数のLEDストリング6_1〜6_nの他端(カソード)と接続される。電流駆動回路8は、LEDストリング6_1〜6_nそれぞれに、目標輝度に応じた間欠的な駆動電流ILED1〜ILEDnを供給する。具体的には電流駆動回路8は、LEDストリング6_1〜6_nごとに設けられた複数の電流源CS〜CSと、PWMコントローラ9を備える。i番目の電流源CSは、対応するi番目のLEDストリング6_iのカソードと接続されている。電流源CSは、PWMコントローラ9から出力されるバースト調光パルスPWMに応じて、駆動電流ILEDiを出力する動作(アクティブ)状態φONと、駆動電流ILEDiを停止する停止状態φOFFが切りかえ可能に構成される。PWMコントローラ9は、目標輝度に応じたデューティ比を有するバースト調光パルスPWM〜PWMを生成し、電流源CS〜CSに出力する。バースト調光パルスPWMがアサート(たとえばハイレベル)される期間(点灯期間TON)、対応する電流源CSは動作状態φONとなり、LEDストリング6_iは点灯する。バースト調光パルスPWMがネゲート(たとえばローレベル)される期間(消灯期間TOFF)、対応する電流源CSは停止状態φOFFとなり、LEDストリング6_iは消灯する。点灯期間TONと消灯期間TOFFの時間比率を制御することにより、LEDストリング6_iに流れる駆動電流ILEDの実効値(時間平均値)が制御され、輝度を調節することができる。電流駆動回路8によるPWM駆動の周波数は数十〜数百Hzである。以下、バースト調光パルスPWM〜PWMは同じタイミングで遷移するものとし、それらをバースト調光パルスPWMと総称する。
制御IC100と電流駆動回路8は、単一の半導体チップに集積化されてもよいし、別々のチップに集積化されてもよい。それらは、単一のパッケージ(モジュール)を構成してもよいし、別々のパッケージを構成してもよい。
以上が発光装置3全体の構成である。続いて制御IC100の構成を説明する。制御IC100は、LEDストリング6_1〜6_nごとに設けられたLED端子LED〜LEDを備える。各LED端子LEDは、対応するLEDストリング6_iのカソード端子と接続される。
制御IC100は、LEDストリング6_1〜6_nそれぞれのカソード端子に生ずる電圧、すなわち電流源CS〜CSそれぞれの両端間の電圧VLED1〜VLEDnに応じた電圧VLED1’〜VLEDn’のうち、最も低いひとつが目標電圧VREFに近づくように、スイッチングトランジスタM1のオン、オフのデューティ比をフィードバック制御する。その結果、スイッチング電源4の出力電圧VOUTは、(VREF+Vf)に安定化される。Vfは、LEDストリング6の順方向電圧(電圧降下)である。
制御IC100は、図1で説明したフィードバック回路10、誤差増幅器12、パルス変調器14、ドライバ16に加えて、過電圧検出コンパレータ20、オープン保護回路22、オープン検出回路30、比較回路40、電圧変動抑制回路50をさらに備える。フィードバック回路10、オープン検出回路30、比較回路40は、各チャンネルで同様に構成されるため、図3には、第1チャンネルの構成のみが示される。
フィードバック回路10は、チャンネルごとに設けられる。第iチャンネルのフィードバック回路10は、対応するチャンネルの検出電圧VLEDiに応じた電圧VLEDi’を、誤差増幅器12に出力する。具体的には、フィードバック回路10は、抵抗R11、R12を含む分圧回路であり、検出電圧VLEDiを分圧比K1で分圧する。第1スイッチSW11は、対応するチャンネルのバースト調光信号PWMがアサートされる期間(点灯期間)オンし、ネゲートされる期間(消灯期間)においてオフする。また、第iチャンネルの第1スイッチSW11は、そのチャンネルがフィードバックの対象から除外されるときにはオフとなる。第2スイッチSW12は、そのチャンネルがフィードバックの対象から除外すべきときにはオンとなり、検出電圧VLEDi’をたとえば電源電圧VDDにプルアップする。これにより、そのチャンネルの検出電圧VLEDi’を、他のチャンネルの検出電圧VLEDj’(j≠i)よりも高くすることができ、フィードバックから除外できる。なお、検出電圧の分圧は、本質的な処理ではないため、以下の説明では、特に必要が無い限り、VLED’とVLEDを区別しない。
誤差増幅器12は、複数の電流ドライバCS〜CSそれぞれの両端間の電圧VLED1〜VLEDnに応じた検出電圧VLED1’〜VLEDn’のうち、フィードバックの対象であるチャンネル内で最も低い電圧と所定の基準電圧VREFの誤差に応じたフィードバック電圧VFBを生成する。
たとえば誤差増幅器12は、トランスコンダクタンスアンプ(gmアンプ)を含む。FB端子と接地端子の間には、位相補償用抵抗R7および位相補償用キャパシタC3が外付けされる。誤差増幅器12の出力端子は、スイッチSW10を介してFB端子と接続され、FB端子に生ずる電圧VFBがフィードバックとして後段のパルス変調器14に供給される。スイッチSW10は、バースト調光信号PWMがアサートされる点灯期間、オンとなる。消灯期間においては、検出電圧VLED1〜VLEDnは接地電圧まで低下するため、フィードバックを行うことができない。したがってバースト調光信号PWMがネゲートされる消灯期間においては、スイッチSW10をオフすることにより、フィードバック電圧VFBを保持する。
パルス変調器14は、フィードバック電圧VFBに応じたデューティ比を有するスイッチングパルス信号SPWMを生成する。たとえばパルス変調器14は、オシレータ24およびPWM(Pulse Width Modulation)コンパレータ26を含むパルス幅変調器であってもよい。オシレータ24は、三角波もしくはのこぎり波の周期電圧VOSCを発生する。PWMコンパレータ26は、フィードバック電圧VFBと周期電圧VOSCを比較し、2つの電圧の交点ごとにレベル遷移するスイッチングパルス信号SPWMを生成する。なおパルス変調器14の構成はこれに限定されず、別の構成のパルス幅変調器であってもよいし、パルス周波数変調器であってもよい。
ドライバ16は、スイッチングパルス信号SPWMにもとづき、スイッチング電源4のスイッチングトランジスタM1を駆動する。
複数の比較回路40〜40はそれぞれ、複数のチャンネルごとに設けられる。第iチャンネルの比較回路40は、対応する検出電圧VLEDi’を所定のしきい値電圧VTHと比較し、対応する検出電圧VLEDi’がしきい値電圧VTHより高いときにアサートされる比較信号SCOMPiを生成する。比較回路40は、LED端子の検出電圧VLEDiを分圧比K2で分圧する抵抗R41、R42を含む。スイッチSW41は、対応するチャンネルのバースト調光信号PWMがアサートされる期間(点灯期間)オンし、ネゲートされる期間(消灯期間)においてオフする。また、第iチャンネルのスイッチSW41は、そのチャンネルがフィードバックの対象から除外されるときにはオフとなる。
コンパレータ42は、分圧された検出電圧VLEDi’を、所定のしきい値電圧VTHと比較し、比較信号SCOMPiを生成する。
チャンネルごとに生成された比較信号SCOMP1〜SCOMPnは、電圧変動抑制回路50に入力される。電圧変動抑制回路50は、複数の比較回路40〜40から出力される比較信号SCOMP1〜SCOMPnのうち、フィードバックの対象であるすべてのチャンネルの比較信号SCOMPがアサートされるとき、停止信号SSTOPをアサートする。停止信号SSTOPがアサートされると、パルス変調器14は、スイッチングパルス信号SPWMの論理レベルを固定し、スイッチング電源4のスイッチングトランジスタM1の駆動を強制的にオフし、スイッチングを停止させる。
なお、各チャンネルの比較回路40において、そのチャンネルがフィードバックの対象から除外されるとき、スイッチSW41はオフし、スイッチSW42はオンする。これにより検出電圧VLED’が電源電圧VDDにプルアップされ、フィードバックの対象外のチャンネルの比較信号SCOMPはアサートされる。したがって、比較信号SCOMPおよび停止信号SSTOPのアサートがハイレベルであるとき、電圧変動抑制回路50は、複数の比較信号SCOMP1〜SCOMPnの論理積を生成するANDゲート52を含んでもよい。この構成により、フィードバックの対象であるすべてのチャンネルの比較信号SCOMPが同時にアサートされる状態を検出できる。
複数のオープン検出回路30〜30はそれぞれ、複数のチャンネルごとに設けられる。オープン検出回路30は、比較回路40と同様に構成され、抵抗R31、R32、スイッチSW31、オープン検出コンパレータ32を含む。第iチャンネルのオープン検出回路30は、抵抗R31、R32により分圧された対応する検出電圧VLEDi’が所定のオープン検出用しきい値電圧VOPENより低いときにアサートされるオープン検出信号SOPENiを生成する。第iチャンネルのスイッチSW31は、対応するチャンネルのバースト調光信号PWMがアサートされる期間(点灯期間)オンし、ネゲートされる期間(消灯期間)においてオフする。また、第iチャンネルのスイッチSW31は、そのチャンネルがフィードバックの対象から除外されるときにはオフとなる。
オープン保護回路22は、複数のチャンネルごとに生成されるオープン検出信号SOPEN1〜SOPENnを受け、オープン保護を実行する。具体的にはオープン保護回路22は、あるチャンネルiのオープン検出信号SOPENiがアサートされた後、ある時間τの経過後のタイミングにおいて、そのチャンネルiを、フィードバックの対象から除外する。たとえばオープン保護回路22は、チャンネルごとに、フィードバックの対象のときアサート(ハイレベル)、非対象のときにネゲート(ローレベル)されるイネーブル信号EN〜ENを生成する。チャンネルiがフィードバックから除外されるとき、イネーブル信号ENはネゲートされる。上述の第iチャンネルのスイッチSW11、SW12、SW31、SW41は、対応するチャンネルのイネーブル信号ENに応じて切りかえられる。
オープン保護回路22によって、オープンが発生したチャンネルのイネーブル信号ENをアサートするタイミングは、過電圧検出コンパレータ20からの信号にもとづいてもよい。駆動電圧VOUTは、抵抗R21、R22によって分圧され、制御IC100のOVP端子に入力される。過電圧検出コンパレータ20は、ヒステリシスコンパレータであり、分圧された駆動電圧VOUT’を、過電圧検出用のしきい値電圧VOVPと比較し、駆動電圧VOUT’がしきい値電圧VOVPより高いときアサートされる過電圧検出信号SOVPを生成する。しきい値電圧VOVPは、上側しきい値電圧VOVPHと下側しきい値電圧VOVPLの2値で変化する。過電圧検出信号SOVPは、パルス変調器14およびオープン保護回路22に入力される。パルス変調器14は、過電圧検出信号SOVPがアサートされる間、パルス変調器14はスイッチングパルス信号SPWMのレベルを固定し、スイッチングトランジスタM1をオフする。
オープン保護回路22は、過電圧検出信号SOVPがアサートされたタイミングにおいて、オープン検出信号SOPENがアサートされたチャンネルのイネーブル信号ENをネゲートし、そのチャンネルをフィードバックの対象から除外する。
なおオープン保護回路22は、過電圧検出信号SOVPによらずに、イネーブル信号ENをネゲートするタイミングを決定してもよい。たとえばオープン保護回路22は、あるチャンネルのオープン検出信号SOPENiが所定時間τ、連続してアサートされるとき、そのチャンネルのイネーブル信号ENをネゲートしてもよい。この場合、オープン保護回路22は、時間τを計測するタイマー回路を含んでもよい。
以上が発光装置3の構成である。続いてその動作を説明する。
図4は、図3の発光装置3の動作を示す第1のタイムチャートである。ここでは説明の簡略化と理解の容易化を目的として、2チャンネルの場合を説明する。また説明の簡略化のため、バースト調光は行っていないものとする。さらに、比較回路40および電圧変動抑制回路50の効果を明確とするために、ひとまず過電圧検出コンパレータ20の動作を無視するものとする。
期間t0−t1の動作は図2と同様であり、各チャンネルでフィードバックが正常に動作している。この間、駆動電圧VOUTは、VREF/K1+Vに安定化される。
時刻t1に、オープン故障などの何らかの異常が発生し、第2チャンネルの検出電圧VLED2が接地電圧(0V)にドロップしたとする。これを受けて、オープン検出信号SOPEN2がアサートされる。期間t1−t2においては、図2と同様に、フィードバック電圧VFBが上昇し、スイッチングパルス信号SPWMのデューティ比が大きくなる。
その後、時刻t1からある時間τ経過後の時刻t2に、オープン保護回路22は、イネーブル信号ENをネゲートし、第2チャンネルをフィードバックの対象から除外する。これにより比較信号S COMP2 がアサートされる。
時刻t2以降、有効な第1チャンネルの検出電圧VLED1が基準電圧VREF/K1と一致するようにフィードバックがかかり、検出電圧VLED1が上昇していく。
そして、検出電圧VLED1がしきい値電圧VTHを超えると、比較信号SCOMP1がアサートされる。これにより停止信号SSTOPがアサートされ、スイッチングトランジスタM1のスイッチングが停止する。スイッチングトランジスタM1のスイッチングが停止する間、検出電圧VLED1および駆動電圧VOUTは低下し、時刻t4に検出電圧VLED1がしきい値電圧VTHより低くなると、比較信号SCOMP1がネゲートされ、これを受けて停止信号SSTOPもネゲートされる。
スイッチングが停止する期間t3−t4において、フィードバック電圧VFBが低下している。したがって時刻t4にスイッチングトランジスタM1のスイッチングが再開するとき、スイッチングパルス信号SPWMのデューティ比は、図2に比べて小さくなっている。したがって、検出電圧VLED1は基準電圧VREFに応じた電圧VREF/K1に近づいていく。
もし比較回路40および電圧変動抑制回路50が設けられない場合、時刻t3以降、スイッチングトランジスタM1が大きなデューティ比でスイッチングされるため、一点鎖線で示されるように、検出電圧VLED1および駆動電圧VOUTは上昇し続ける。これに対して、実施の形態に係る発光装置3によれば、検出電圧VLED1は、しきい値電圧VTH程度までしか上昇しない。つまり駆動電圧VOUTは、VTH+VF1程度までしか上昇せず、図2に比べて、オーバーシュートを抑制することができる。
続いて、比較回路40および電圧変動抑制回路50が、過電圧検出コンパレータ20とともに駆動電圧VOUTの上昇を抑制する動作を説明する。
図5は、図3の発光装置3の第2の動作例を示すタイムチャートである。
はじめに、過電圧検出コンパレータ20のみが動作し、比較回路40および電圧変動抑制回路50が動作しない場合(設けられない場合)の問題点を説明する。このときの波形は、一点鎖線で示される。
期間t0−t1の動作は、図4と同様である。時刻t1に第2チャンネルにショート故障が発生し、その直後に第2チャンネルのオープン検出信号SOPEN2がアサートされる。時刻t1以降、フィードバック電圧VFBが高くなり、スイッチングパルス信号SPWMのデューティ比が大きくなる。その結果、駆動電圧VOUTおよび検出電圧VLED1が上昇する。時刻t2に、検出電圧VLED1がしきい値電圧VTHを超えると、第1チャンネルの比較信号SCOMP1がアサートされる。
時刻t3に、駆動電圧VOUTが上側しきい値電圧VOVPHまで上昇すると、過電圧検出コンパレータ20によって過電圧検出信号SOVPがアサートされる。これによってスイッチングトランジスタM1のスイッチングが停止し、駆動電圧VOUTが低下し始める。時刻t4に駆動電圧VOUTが下側しきい値電圧VOVPLまで低下すると、過電圧検出信号SOVPがネゲートされ、スイッチングトランジスタM1のスイッチングが再開する。このとき、フィードバック電圧VFBは依然として高いレベルを維持しているため、スイッチングトランジスタM1は大きなデューティ比でスイッチングされる。そうすると、一点鎖線で示されるように、駆動電圧VOUTが再び上昇する。
このように、比較回路40および電圧変動抑制回路50が動作しない場合、駆動電圧VOUTが、しきい値電圧VOVPHとVOVPLの間で振動し、その安定性が損なわれる。
続いて、比較回路40および電圧変動抑制回路50を動作させた場合の波形を説明する。
時刻t3に過電圧検出信号SOVPがアサートされると、第2チャンネルのイネーブル信号ENがネゲートされ、第2チャンネルがフィードバック対象から除外される。イネーブル信号ENがネゲートされると、第2チャンネルの比較信号SCOMP2がアサートされ、停止信号SSTOPがアサートされる。
停止信号SSTOPがアサートされる間、スイッチングトランジスタM1のスイッチングは停止し、駆動電圧VOUTは低下し続ける。この間、フィードバック電圧VFBも低下し、スイッチングパルス信号SPWMのデューティ比も小さくなる。そして、時刻t4に検出電圧VLED1がしきい値電圧VTHより低くなると、比較信号SCOMP1がネゲートされ、停止信号SSTOPもネゲートされる。時刻t4以降、スイッチングトランジスタM1のスイッチングが再開されるが、このときには、フィードバック電圧VFBは十分低くなっており、スイッチングパルス信号SPWMのデューティ比も小さくなっているため、駆動電圧VOUTは再び上昇せず、元のレベルに収束していく。
このように、比較回路40および電圧変動抑制回路50を、過電圧検出コンパレータ20と併用することにより、駆動電圧VOUTの振動を抑制することができる。
以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセス、それらの組み合わせには、さまざまな変形例が存在しうる。以下、こうした変形例について説明する。
実施の形態では、比較回路40および電圧変動抑制回路50を、オープン検出回路30およびオープン保護回路22と組み合わせて利用する場合を説明したが、本発明はそれに限定されず、比較回路40および電圧変動抑制回路50のみを設けてもよい。この場合であっても、駆動電圧VOUTが十分なレベルであるにもかかわらず、フィードバック電圧VFBが高いレベルを維持し続ける場合に、駆動電圧VOUTがさらに上昇するのを防止できる。
実施の形態ではインダクタを用いた非絶縁型のスイッチング電源を説明したが、本発明はトランスを用いた絶縁型のスイッチング電源にも適用可能である。
実施の形態では、発光装置3のアプリケーションとして電子機器を説明したが、用途は特に限定されず、照明などにも利用できる。
また、本実施の形態において、ハイレベル、ローレベル、アサート、ネゲートの論理信号の設定は一例であって、インバータなどによって適宜反転させることにより自由に変更することが可能である。
実施の形態にもとづき、具体的な用語を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。
2…電子機器、3…発光装置、4…スイッチング電源、5…LCDパネル、6…LEDストリング、8…電流駆動回路、9…PWMコントローラ、100…制御IC、102…出力回路、10…フィードバック回路、12…誤差増幅器、14…パルス変調器、16…ドライバ、P1…入力端子、P2…出力端子、SWOUT…スイッチング端子、20…過電圧検出コンパレータ、22…オープン保護回路、24…オシレータ、26…PWMコンパレータ、30…オープン検出回路、32…オープン検出コンパレータ、40…比較回路、42…コンパレータ、50…電圧変動抑制回路、52…ANDゲート、C3…位相補償用キャパシタ、R7…位相補償用抵抗、L1…インダクタ、C1…出力キャパシタ、D1…整流ダイオード、M1…スイッチングトランジスタ。

Claims (8)

  1. それぞれが複数のチャンネルに割り当てられる複数の発光素子を駆動する駆動回路であって、
    前記複数の発光素子の共通に接続された第1端子に駆動電圧を供給するスイッチング電源と、
    それぞれが前記複数のチャンネルごとに設けられ、対応する発光素子の第2端子に接続され、対応する発光素子に駆動電流を供給する、複数の電流ドライバと、
    を備え、
    前記スイッチング電源の制御回路は、
    前記複数の電流ドライバそれぞれの両端間の電圧に応じた検出電圧のうち、フィードバックの対象であるチャンネル内で最も低い電圧と所定の基準電圧の誤差に応じたフィードバック電圧を生成する誤差増幅器と、
    前記誤差増幅器の出力端に接続された位相補償用のキャパシタと、
    前記フィードバック電圧に応じたデューティ比を有するスイッチングパルス信号を生成するパルス変調器と、
    前記スイッチングパルス信号にもとづき、前記スイッチング電源のスイッチング素子を駆動するドライバと、
    それぞれが前記複数のチャンネルごとに設けられ、対応する検出電圧を所定のしきい値電圧と比較し、対応する検出電圧が前記しきい値電圧より高いときアサートされる比較信号を生成する、複数の比較回路と、
    前記複数の比較回路から出力される比較信号のうち、フィードバックの対象であるすべてのチャンネルの比較信号がアサートされるとき、前記スイッチング電源のスイッチング素子の駆動を停止させる電圧変動抑制回路と、
    それぞれが前記複数のチャンネルごとに設けられ、前記比較回路と、前記発光素子の第2端子のそれぞれと、の接続が切断されたことをそれぞれ検出してオープン検出信号をアサートする複数のオープン検出回路と、
    前記オープン検出回路から前記オープン検出信号がアサートされた後、ある時間の経過後に、対応する前記チャンネルの前記検出電圧を前記誤差増幅器へのフィードバック対象から除外するオープン保護回路と、
    を含むことを特徴とする駆動回路。
  2. 前記比較回路のそれぞれは、前記オープン検出回路において前記切断を検出した後に、前記対応する発光素子における電圧値に関係なく前記比較信号をアサートすることを特徴とする請求項1に記載の駆動回路。
  3. 前記制御回路は、
    前記駆動電圧に応じた電圧を所定の過電圧検出用のしきい値電圧と比較し、前記駆動電圧が当該しきい値電圧より高いときアサートされる過電圧検出信号を生成する、ヒステリシスを有する過電圧検出コンパレータをさらに備え、
    前記オープン保護回路は、前記過電圧検出信号がアサートされると、前記オープン検出信号がアサートされたチャンネルを、フィードバックの対象から除外することを特徴とする請求項1または2に記載の駆動回路。
  4. 前記電圧変動抑制回路は、前記複数の比較回路からの複数の比較信号の論理積を生成する論理ゲートを含み、当該論理ゲートの出力にもとづき、前記スイッチング素子の駆動を停止することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の駆動回路。
  5. 前記比較回路は、
    対応する発光素子の前記第2端子と接地端子の間に順に直列に設けられた第1抵抗、対応するバースト調光パルスがアサートされる期間オンするトランジスタおよび第2抵抗と、
    前記第2抵抗の両端間の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、前記比較信号を生成するコンパレータと、
    を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の駆動回路。
  6. 前記誤差増幅器は、
    前記誤差に応じた電流を生成するトランスコンダクタンスアンプと、
    前記誤差増幅器の出力端子と接地端子の間に、前記位相補償用のキャパシタと直列に設けられた位相補償用の抵抗と
    を含み、前記誤差増幅器の出力端子に生ずる電圧を、前記フィードバック電圧として出力することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の駆動回路。
  7. 複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子を駆動する請求項1から6のいずれかに記載の駆動回路と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
  8. 液晶パネルと、
    前記液晶パネルのバックライトとして設けられた請求項7に記載の発光装置と、
    を備えることを特徴とする電子機器。
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