JP2012199566A - 基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板処理方法、クリーニング方法及び処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の製造方法は、反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程とを有し、前記反応管内をクリーニングする工程は、前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程とを含む。
【選択図】図2
Description
図1に、本発明の実施の形態に係る熱処理装置10の一例を示す。この熱処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体12を有する。この筺体12の正面側には、ポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚の被処理基板としてのウエハが収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
なお、以下の説明において、熱処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ70により制御される。
クリーニング工程は、上述した酸化工程により、反応管42内壁、基板支持具30、第1の断熱部材52、第2の断熱部材54及びガス導入ノズル66等に所定膜厚の酸化珪素膜が形成された場合に実施される。
まず、熱処理装置10において酸化工程(アニール工程を含む)を実施した。この酸化工程における酸化(又はアニール)温度は1350℃、酸化時間は750時間(連続使用時間)とした。続いて、熱処理装置10においてクリーニング工程を実施した。すなわち、コントローラ70の制御により、ガス供給ライン60及びガス導入ノズル66を介して反応管40内にクリーニングガスを所定時間供給した。続いて、コントローラ70の制御により、ガス供給ライン60及びガス導入ノズル66を介して反応管40内に不活性ガスを所定時間供給した(パージした)。本実施例におけるクリーニングガス種は、フッ化水素(HF)ガスとアルゴン(Ar)ガスとの混合ガス(HF+Ar)とした。
まず、熱処理装置10において上記実施例同様の酸化工程(アニール工程を含む)を実施した。続いて、クリーニング工程を実施した。本比較例におけるクリーニング工程は、反応管42、基板支持具30、ガス導入ノズル66、第1の断熱部材52等の各部材を作業員2名で取り外し、クリーニング液により該各部材に形成された酸化珪素膜を除去し、各部材を水洗い及び乾燥させた後、作業員2名で反応炉40内に該各部材を取り付け及び調整し、反応炉40を加熱(空焼き)するものである。本比較例におけるクリーニング液種は、フッ化水素(HF)とフッ化アンモニウム水溶液(NH4F)との混合液(HF+NH4F)とした。また、クリーニング後の水洗いには水(H2O)を使用した。
SOI(Silicon On Insulator)ウエハの一種であるSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)ウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用する例について説明する。
30 基板支持具
42 反応管
54 基板
60 ガス供給ライン
66 ガス導入ノズル
Claims (5)
- 反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、
酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程と
を有し、
前記反応管内をクリーニングする工程は、
前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程と
を含む
ことを特徴とする基板の製造方法。 - 反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、
酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程と
を有し、
前記反応管内をクリーニングする工程は、
前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程と
を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、
酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程と
を有し、
前記反応管内をクリーニングする工程は、
前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程と
を含む
ことを特徴とする基板処理方法。 - 反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する処理を行った後の前記反応管内をクリーニングする方法であって、
前記反応管内をクリーニングする工程は、
前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程と
を含む
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 基板を処理する反応菅と、
前記反応管内で基板を支持する支持具と、
前記反応管に設けられ、前記反応管内に基板に酸化膜を形成するための酸化性ガスを導入するガス導入ノズルと
を有し、
前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去するためのフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給するクリーニングガス供給ラインと、
前記所定の温度を維持しながら前記反応管内に不活性ガスを供給するパージガス供給ラインと
が設けられる
ことを特徴とする処理装置。
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