JP2012199464A - Manufacturing method of semiconductor device and lead frame - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、及びリードフレームに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a lead frame.
複数の半導体チップを搭載したリードフレームを、封止樹脂でモールドする工程において、ランナを介して個々のキャビティに封止樹脂を流入させる方法が採られている。この方法では、金型に封止樹脂を充填させて硬化させる際に、ランナに残留する封止樹脂がリードフレーム上で固着してしまうので、このランナ部分の封止樹脂を確実に除去することが望まれる。 In a step of molding a lead frame on which a plurality of semiconductor chips are mounted with a sealing resin, a method is adopted in which the sealing resin is caused to flow into individual cavities via runners. In this method, when the mold is filled with the sealing resin and cured, the sealing resin remaining on the runner is fixed on the lead frame, so that the sealing resin in the runner portion is surely removed. Is desired.
例えば、特許文献1では、リードフレームに設けた開口穴から、ピンでランナ部分の封止樹脂を押し出すことにより、不要部分を除去する方法が提案されている。 For example, Patent Document 1 proposes a method of removing unnecessary portions by extruding a sealing resin at a runner portion with a pin from an opening hole provided in a lead frame.
しかし、特許文献1に記載の方法では、ランナとリードフレームの密着力が強い場合、ランナの一部の封止樹脂が、打ち抜きピンで押し出しても剥離しきれず、リードフレームの表面に残存してしまう可能性があった。 However, in the method described in Patent Document 1, when the adhesion between the runner and the lead frame is strong, a part of the sealing resin of the runner cannot be peeled off even if pushed out by a punching pin, and remains on the surface of the lead frame. There was a possibility.
本発明によれば、
リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
前記リードフレームを金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、
封止された前記リードフレームを前記金型から取り出す工程と、
前記封止樹脂の不要部分を除去する除去工程と、
を有し、
前記モールド工程前において、前記リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成する工程を有し、
前記モールド工程において、前記半導体チップを内包するキャビティに前記封止樹脂を案内するランナを、前記半抜き加工部の上を通るように配置し、
前記不要部分は、前記ランナに残留した前記封止樹脂であり、
前記除去工程において、前記半抜き加工部を除去することにより前記不要部分を除去する半導体装置の製造方法、が提供される。
According to the present invention,
Mounting a semiconductor chip on the die pad of the lead frame;
A molding step of placing the lead frame in a mold and sealing with a sealing resin;
Removing the sealed lead frame from the mold;
A removal step of removing unnecessary portions of the sealing resin;
Have
Before the molding step, the method includes a step of forming a half punched portion surrounded by a groove on at least one surface of the support frame of the lead frame,
In the molding step, a runner that guides the sealing resin into a cavity that encloses the semiconductor chip is disposed so as to pass over the half-punched portion,
The unnecessary portion is the sealing resin remaining in the runner,
In the removing step, a method of manufacturing a semiconductor device is provided in which the unnecessary portion is removed by removing the half-punched portion.
本発明によれば、
少なくとも一つ以上のダイパッドと、
前記ダイパッドを支持する吊りリードと、
前記吊りリードを支持する支持フレームと、
を有し、
前記支持フレームは、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を有するリードフレーム、が提供される。
According to the present invention,
At least one die pad;
A suspension lead for supporting the die pad;
A support frame for supporting the suspension leads;
Have
The support frame is provided with a lead frame having a half-punched portion surrounded by a groove on at least one side.
本発明によれば、モールド工程前において、リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成し、ランナに残留した封止樹脂と固着させる。その後の除去工程において、半抜き加工部を切断する。これにより、不要部分を容易に除去することができる。以上により、リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。 According to the present invention, before the molding step, a half-cut portion surrounded by the groove is formed on at least one surface of the support frame of the lead frame, and is fixed to the sealing resin remaining on the runner. In the subsequent removal step, the half-punched portion is cut. Thereby, an unnecessary part can be removed easily. As described above, unnecessary sealing resin can be reliably removed without leaving the lead frame.
本発明によれば、リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。 According to the present invention, unnecessary sealing resin can be reliably removed without leaving the lead frame.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
(第一の実施形態)
図1は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図1を用いて、第一の実施形態で用いられるリードフレーム200について説明する。本実施形態のリードフレーム200は、少なくとも一つ以上のダイパッド210と、ダイパッド210を支持する吊りリード220と、吊りリード220を支持する支持フレーム240と、を有する。支持フレーム240は、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を有している。この半抜き加工部260は、後述するように、ランナ(図3の340)に残留した封止樹脂と固着する。以下、詳細を説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment. A
図1は、半導体チップ100が搭載されたリードフレーム200を示している。なお、図1(a)は平面図である。また、図1(b)は図1(a)のA−A'線断面図である。また、図1(c)は図1(b)のC部を拡大した断面図である。図1(a)のように、リードフレーム200は、ダイパッド210と、吊りリード220と、リード230と、支持フレーム240を有している。
FIG. 1 shows a
また、ダイパッド210は、吊りリード220によって支持されている。ダイパッド210上には、半導体チップ100が固定されている。リード230は、半導体チップ100上の電極パッド(非表示)とボンディングワイヤ120により接続されている。
The die
図1(a)のように、支持フレーム240には、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260が形成されている。なお、図1(a)の半抜き加工部260を囲む実線部が、溝の形成部分に相当する。
As shown in FIG. 1A, the
また、図1(c)のように、本実施形態では、支持フレーム240の両面側から溝が形成されている。これにより、半抜き加工部260が形成されている。この半抜き加工部260は、後述するように、たとえば、プレス加工により形成されている。
Further, as shown in FIG. 1C, in this embodiment, grooves are formed from both sides of the
また、図1(b)のように、リードフレーム200には、複数の半抜き加工部260と開口部280が、第一の方向に沿って、交互に繰り返し形成されている。また、第一の方向とは、例えば、後述する封止樹脂を案内するランナ(340)の延伸方向である。
Further, as shown in FIG. 1B, the
次に、図1〜5を用いて、第一の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図2〜図5は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。まず、リードフレーム200のダイパッド210上に半導体チップ100を搭載する。次いで、リードフレーム200を金型内に配置して封止樹脂により封止する(モールド工程)。次いで、封止されたリードフレーム200を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分600を除去する(除去工程)。ここで、モールド工程前において、リードフレーム200の支持フレーム240の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。次いで、モールド工程において、半導体チップ100を内包するキャビティ380に封止樹脂を案内するランナ340を、半抜き加工部260の上を通るように配置して封止する。また、不要部分600とは、ランナ340に残留した封止樹脂である。また、除去工程において、半抜き加工部260を除去することにより、不要部分600を除去する。以下、詳細を説明する。
Next, the manufacturing method of the semiconductor device of the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, and FIGS. 2 to 5 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment. The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment includes the following steps. First, the
図2(a)〜図2(d)は、半抜き加工部260の形成工程を示している。少なくともモールド工程よりも前において、下記のような半抜き加工部260の形成工程を行う。
FIG. 2A to FIG. 2D show a process of forming the
まず、図2(a)のように、ダイ740上に、支持フレーム240が所定のプレス加工位置に来るように、リードフレーム200を載置する。
First, as shown in FIG. 2A, the
次いで、図2(b)のように、リードフレーム200の片側から、パンチ720によりプレス加工を行う。このとき、片面側から支持フレーム240における板厚の30%以上50%以下にプレス加工する。この範囲内のプレス加工を施すことにより、モールド工程までは、後述する半抜き加工部260を支持フレーム240に固定しておくことができる。また、除去工程において、半抜き加工部260を容易に除去することができる。
Next, as shown in FIG. 2B, press working is performed from one side of the
次いで、図2(c)のように、図2(b)と逆の方向からプレス加工を行う。これにより、支持フレーム240の平坦化を行う。
Next, as shown in FIG. 2 (c), pressing is performed from the opposite direction to FIG. 2 (b). Thereby, the
このようにして、図2(d)のように、支持フレーム240の少なくとも片面(本実施形態では両面)に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。なお、この半抜き加工部260の形成工程は、後述する半導体チップ100をリードフレーム200に搭載する工程の後で行ってもよい。
In this way, as shown in FIG. 2D, the half-
次いで、図1(a)に示すように、リードフレーム200のダイパッド210上に半導体チップ100を搭載する。次いで、半導体チップ上の電極パッド(非表示)とリード230とを、ボンディングワイヤ120により接続する。
Next, as shown in FIG. 1A, the
次いで、以下のように、モールド工程を行う。まず、リードフレーム200を金型内に投入する。ここで、図3は、金型内に配置したリードフレーム200を示している。
Next, a molding process is performed as follows. First, the
また、図4(a)は、図3のA−A'線断面図を示している。また、図4(b)は、図2のB−B'線断面図を示している。なお、図3、図4中の太実線部は、金型の内壁形状を示している。図3、図4(b)のように、半導体チップ100を内包するキャビティ380に封止樹脂を案内するランナ340を、半抜き加工部260の上を通るように配置する。
FIG. 4A shows a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. FIG. 4B is a sectional view taken along line BB ′ in FIG. 3 and 4 indicate the shape of the inner wall of the mold. As shown in FIGS. 3 and 4B, a
次いで、図4(a)のプランジャ460により、封止樹脂をカル320からキャビティ380まで充填させる。次いで、加熱して封止樹脂を硬化させる。このとき、図4(a)のように、ランナ340は半抜き加工部260や開口部280の上を通るように配置されている。このため、支持フレーム240本体のうち、ランナ340に残留した封止樹脂と固着する部分は小さい。
Next, the sealing resin is filled from the
次いで、封止樹脂を硬化した後、上金型420と下金型440を外して、リードフレーム200を取り出す。
Next, after the sealing resin is cured, the
次いで、以下のように、不要部分600の除去工程を行う。図5(a)、図5(b)は、第一の実施形態における除去工程で不要部分600を分離したときを示している。ここで、不要部分600とは、ランナ340に残留した封止樹脂のことである。
Next, a removal process of the
図5(a)のように、半抜き加工部260及び開口部280の直上に、半抜き加工部260及び開口部280に対して挿入できる範囲で大きい断面を有する打ち抜きピン540を配置する。次いで、プッシャプレート520を下降させる。これにより、打ち抜きピン540は、半抜き加工部260を切断するとともに、不要部分600を押し出す。
As shown in FIG. 5A, a
このとき、上記したように、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が小さい。ここで、支持フレーム240本体のうち、ランナ340に残留した「封止樹脂と固着する部分」とは、半抜き加工部260以外の支持フレーム240と接する部分、およびキャビティ380に接続するゲート(不図示)と接する部分である。なお、上記した「封止樹脂と固着する部分」は、固着面積が小さいため、弱い力をかけるだけで簡単に剥離することができる。また、半抜き加工部260の裏面において封止樹脂と固着する部分は、半抜き加工部260を切断することにより、半抜き加工部260とともに除去される。
At this time, as described above, the portion of the
このように、半抜き加工部260を切断することにより、ランナ340の封止樹脂(不要部分600)を容易に除去することができる。
In this way, by cutting the half-punched
したがって、図5(b)のように、半導体パッケージ部620をリードフレーム200に残しつつ、不要部分600だけを的確に除去することができる。
Therefore, as shown in FIG. 5B, it is possible to accurately remove only the
その後、リードフレーム200における吊りリード220とリード230を切断し、各々の半導体装置を得る。
Thereafter, the suspension leads 220 and the
次に、図6を用いて、本実施形態の効果について説明する。図6は、上記した不要部分600の除去工程後の平面図を示している。なお、図6(a)は、比較例として、本実施形態のような半抜き加工部260を設けない場合を示しており、図6(b)は、本実施形態の場合を示している。
Next, the effect of this embodiment is demonstrated using FIG. FIG. 6 shows a plan view after the above-described
図6(a)のように、比較例では半抜き加工部260が形成されていない。これにより、モールド工程において、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が大きい。このため、除去工程において、開口部280に設置された打ち抜きピン540で押し出しても完全に剥離しきれない場合が生じる。このようにして、支持フレーム240には、封止樹脂の一部(残存部640)が残存してしまう。このような残存部640がある状態では、後工程での搬送不具合が生じる可能性がある。また、除去工程後の意図しないときにおいて残存部640が剥離することにより、半導体パッケージ部620に異物が付着してしまうなどの不具合が生じる可能性がある。
As shown in FIG. 6A, in the comparative example, the half-punched
一方、本実施形態によれば、モールド工程前において、リードフレーム200の支持フレーム240の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。次いで、モールド工程において、半抜き加工部260を、ランナ340に残留した封止樹脂と固着させる。これにより、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が小さくなる。
On the other hand, according to the present embodiment, before the molding process, the
したがって、図6(b)のように、除去工程において、半抜き加工部260を切断することにより、残存部640を生じることなく、不要部分600を容易に除去することができる。
Therefore, as shown in FIG. 6B, the
以上により、本実施形態によれば、リードフレーム200に不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。
As described above, according to the present embodiment, unnecessary sealing resin can be reliably removed without leaving the
以上、本実施形態では、リードフレーム200の支持フレーム240の両面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する場合を説明したが、たとえば、片面にビク刃によって溝を形成してもよい。また、たとえば、片面にハーフエッチング加工することにより溝を形成してもよい。
As described above, in the present embodiment, the case where the half-
また、本実施形態では、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する場合を説明したが、その溝の一部に貫通開口部を有していてもよい。本実施形態では、半抜き加工部260が長方形の場合を説明したが、形状が限定されるわけではなく、たとえば円状でもよい。
Further, in the present embodiment, the case of forming the
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.
100 半導体チップ
120 ボンディングワイヤ
200 リードフレーム
210 ダイパッド
220 吊りリード
230 リード
240 支持フレーム
260 半抜き加工部
280 開口部
320 カル
340 ランナ
380 キャビティ
420 上金型
440 下金型
460 プランジャ
520 プッシャプレート
540 打ち抜きピン
600 不要部分
620 半導体パッケージ部
640 残存部
720 パンチ
740 ダイ
100
Claims (3)
前記リードフレームを金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、
封止された前記リードフレームを前記金型から取り出す工程と、
前記封止樹脂の不要部分を除去する除去工程と、
を有し、
前記モールド工程前において、前記リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成する工程を有し、
前記モールド工程において、前記半導体チップを内包するキャビティに前記封止樹脂を案内するランナを、前記半抜き加工部の上を通るように配置し、
前記不要部分は、前記ランナに残留した前記封止樹脂であり、
前記除去工程において、前記半抜き加工部を除去することにより前記不要部分を除去する半導体装置の製造方法。 Mounting a semiconductor chip on the die pad of the lead frame;
A molding step of placing the lead frame in a mold and sealing with a sealing resin;
Removing the sealed lead frame from the mold;
A removal step of removing unnecessary portions of the sealing resin;
Have
Before the molding step, the method includes a step of forming a half punched portion surrounded by a groove on at least one surface of the support frame of the lead frame,
In the molding step, a runner that guides the sealing resin into a cavity that encloses the semiconductor chip is disposed so as to pass over the half-punched portion,
The unnecessary portion is the sealing resin remaining in the runner,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein in the removing step, the unnecessary portion is removed by removing the half-punched portion.
前記半抜き加工部を形成する工程において、片面側から前記支持フレームにおける板厚の30%以上50%以下にプレス加工した後、逆面側からプレス加工して平坦化させる半導体装置の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein in the step of forming the half punched portion, after pressing from 30% to 50% of the plate thickness of the support frame from one side, pressing is performed from the opposite side to flatten.
前記ダイパッドを支持する吊りリードと、
前記吊りリードを支持する支持フレームと、
を有し、
前記支持フレームは、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を有するリードフレーム。 At least one die pad;
A suspension lead for supporting the die pad;
A support frame for supporting the suspension leads;
Have
The support frame is a lead frame having a half punched portion surrounded by a groove on at least one side.
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JP2011063665A JP2012199464A (en) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | Manufacturing method of semiconductor device and lead frame |
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