JP2012199464A - Manufacturing method of semiconductor device and lead frame - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of surely removing an unnecessary sealing resin without leaving it in a lead frame.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of mounting a semiconductor chip 100 on a die pad 210 of a lead frame 200; a molding step of placing the lead frame 200 in a mold and sealing the frame with a sealing resin; a step of taking out the sealed lead frame 200 from the mold; and a removal step of removing an unnecessary part 600 of the sealing resin. Before the molding step, a semi-punching part 260 enclosed by a groove is formed at least on one surface of a support frame 240 of the lead frame 200. The removal step removes the unnecessary part 600 by removing the semi-punching part 260.

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、及びリードフレームに関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a lead frame.

複数の半導体チップを搭載したリードフレームを、封止樹脂でモールドする工程において、ランナを介して個々のキャビティに封止樹脂を流入させる方法が採られている。この方法では、金型に封止樹脂を充填させて硬化させる際に、ランナに残留する封止樹脂がリードフレーム上で固着してしまうので、このランナ部分の封止樹脂を確実に除去することが望まれる。   In a step of molding a lead frame on which a plurality of semiconductor chips are mounted with a sealing resin, a method is adopted in which the sealing resin is caused to flow into individual cavities via runners. In this method, when the mold is filled with the sealing resin and cured, the sealing resin remaining on the runner is fixed on the lead frame, so that the sealing resin in the runner portion is surely removed. Is desired.

例えば、特許文献1では、リードフレームに設けた開口穴から、ピンでランナ部分の封止樹脂を押し出すことにより、不要部分を除去する方法が提案されている。   For example, Patent Document 1 proposes a method of removing unnecessary portions by extruding a sealing resin at a runner portion with a pin from an opening hole provided in a lead frame.

特開平03-184351号公報Japanese Patent Laid-Open No. 03-184351

しかし、特許文献1に記載の方法では、ランナとリードフレームの密着力が強い場合、ランナの一部の封止樹脂が、打ち抜きピンで押し出しても剥離しきれず、リードフレームの表面に残存してしまう可能性があった。   However, in the method described in Patent Document 1, when the adhesion between the runner and the lead frame is strong, a part of the sealing resin of the runner cannot be peeled off even if pushed out by a punching pin, and remains on the surface of the lead frame. There was a possibility.

本発明によれば、
リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
前記リードフレームを金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、
封止された前記リードフレームを前記金型から取り出す工程と、
前記封止樹脂の不要部分を除去する除去工程と、
を有し、
前記モールド工程前において、前記リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成する工程を有し、
前記モールド工程において、前記半導体チップを内包するキャビティに前記封止樹脂を案内するランナを、前記半抜き加工部の上を通るように配置し、
前記不要部分は、前記ランナに残留した前記封止樹脂であり、
前記除去工程において、前記半抜き加工部を除去することにより前記不要部分を除去する半導体装置の製造方法、が提供される。
According to the present invention,
Mounting a semiconductor chip on the die pad of the lead frame;
A molding step of placing the lead frame in a mold and sealing with a sealing resin;
Removing the sealed lead frame from the mold;
A removal step of removing unnecessary portions of the sealing resin;
Have
Before the molding step, the method includes a step of forming a half punched portion surrounded by a groove on at least one surface of the support frame of the lead frame,
In the molding step, a runner that guides the sealing resin into a cavity that encloses the semiconductor chip is disposed so as to pass over the half-punched portion,
The unnecessary portion is the sealing resin remaining in the runner,
In the removing step, a method of manufacturing a semiconductor device is provided in which the unnecessary portion is removed by removing the half-punched portion.

本発明によれば、
少なくとも一つ以上のダイパッドと、
前記ダイパッドを支持する吊りリードと、
前記吊りリードを支持する支持フレームと、
を有し、
前記支持フレームは、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を有するリードフレーム、が提供される。
According to the present invention,
At least one die pad;
A suspension lead for supporting the die pad;
A support frame for supporting the suspension leads;
Have
The support frame is provided with a lead frame having a half-punched portion surrounded by a groove on at least one side.

本発明によれば、モールド工程前において、リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成し、ランナに残留した封止樹脂と固着させる。その後の除去工程において、半抜き加工部を切断する。これにより、不要部分を容易に除去することができる。以上により、リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。 According to the present invention, before the molding step, a half-cut portion surrounded by the groove is formed on at least one surface of the support frame of the lead frame, and is fixed to the sealing resin remaining on the runner. In the subsequent removal step, the half-punched portion is cut. Thereby, an unnecessary part can be removed easily. As described above, unnecessary sealing resin can be reliably removed without leaving the lead frame.

本発明によれば、リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。   According to the present invention, unnecessary sealing resin can be reliably removed without leaving the lead frame.

第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment. 第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment. 第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。It is a top view which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment. 第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment. 第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment. 第一の実施形態の効果を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the effect of 1st embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

(第一の実施形態)
図1は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図1を用いて、第一の実施形態で用いられるリードフレーム200について説明する。本実施形態のリードフレーム200は、少なくとも一つ以上のダイパッド210と、ダイパッド210を支持する吊りリード220と、吊りリード220を支持する支持フレーム240と、を有する。支持フレーム240は、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を有している。この半抜き加工部260は、後述するように、ランナ(図3の340)に残留した封止樹脂と固着する。以下、詳細を説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment. A lead frame 200 used in the first embodiment will be described with reference to FIG. The lead frame 200 of this embodiment includes at least one die pad 210, a suspension lead 220 that supports the die pad 210, and a support frame 240 that supports the suspension lead 220. The support frame 240 has a half-punched portion 260 surrounded by a groove on at least one side. As will be described later, the half-punched portion 260 adheres to the sealing resin remaining on the runner (340 in FIG. 3). Details will be described below.

図1は、半導体チップ100が搭載されたリードフレーム200を示している。なお、図1(a)は平面図である。また、図1(b)は図1(a)のA−A'線断面図である。また、図1(c)は図1(b)のC部を拡大した断面図である。図1(a)のように、リードフレーム200は、ダイパッド210と、吊りリード220と、リード230と、支持フレーム240を有している。   FIG. 1 shows a lead frame 200 on which a semiconductor chip 100 is mounted. FIG. 1A is a plan view. Moreover, FIG.1 (b) is the sectional view on the AA 'line of Fig.1 (a). Moreover, FIG.1 (c) is sectional drawing to which the C section of FIG.1 (b) was expanded. As shown in FIG. 1A, the lead frame 200 includes a die pad 210, suspension leads 220, leads 230, and a support frame 240.

また、ダイパッド210は、吊りリード220によって支持されている。ダイパッド210上には、半導体チップ100が固定されている。リード230は、半導体チップ100上の電極パッド(非表示)とボンディングワイヤ120により接続されている。   The die pad 210 is supported by the suspension leads 220. The semiconductor chip 100 is fixed on the die pad 210. The lead 230 is connected to an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 100 by a bonding wire 120.

図1(a)のように、支持フレーム240には、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260が形成されている。なお、図1(a)の半抜き加工部260を囲む実線部が、溝の形成部分に相当する。   As shown in FIG. 1A, the support frame 240 is formed with a half punched portion 260 surrounded by a groove on at least one side. In addition, the solid line part surrounding the half punching part 260 in FIG. 1A corresponds to a groove forming part.

また、図1(c)のように、本実施形態では、支持フレーム240の両面側から溝が形成されている。これにより、半抜き加工部260が形成されている。この半抜き加工部260は、後述するように、たとえば、プレス加工により形成されている。   Further, as shown in FIG. 1C, in this embodiment, grooves are formed from both sides of the support frame 240. Thereby, the half-punched part 260 is formed. As will be described later, the half-cutting portion 260 is formed by, for example, pressing.

また、図1(b)のように、リードフレーム200には、複数の半抜き加工部260と開口部280が、第一の方向に沿って、交互に繰り返し形成されている。また、第一の方向とは、例えば、後述する封止樹脂を案内するランナ(340)の延伸方向である。   Further, as shown in FIG. 1B, the lead frame 200 is formed with a plurality of half-punched portions 260 and openings 280 alternately and repeatedly along the first direction. Moreover, a 1st direction is an extending | stretching direction of the runner (340) which guides sealing resin mentioned later, for example.

次に、図1〜5を用いて、第一の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図2〜図5は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。まず、リードフレーム200のダイパッド210上に半導体チップ100を搭載する。次いで、リードフレーム200を金型内に配置して封止樹脂により封止する(モールド工程)。次いで、封止されたリードフレーム200を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分600を除去する(除去工程)。ここで、モールド工程前において、リードフレーム200の支持フレーム240の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。次いで、モールド工程において、半導体チップ100を内包するキャビティ380に封止樹脂を案内するランナ340を、半抜き加工部260の上を通るように配置して封止する。また、不要部分600とは、ランナ340に残留した封止樹脂である。また、除去工程において、半抜き加工部260を除去することにより、不要部分600を除去する。以下、詳細を説明する。   Next, the manufacturing method of the semiconductor device of the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, and FIGS. 2 to 5 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment. The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment includes the following steps. First, the semiconductor chip 100 is mounted on the die pad 210 of the lead frame 200. Next, the lead frame 200 is placed in a mold and sealed with a sealing resin (molding process). Next, the sealed lead frame 200 is taken out from the mold. Next, the unnecessary portion 600 of the sealing resin is removed (removal process). Here, before the molding process, the half-cut processing portion 260 surrounded by the groove is formed on at least one surface of the support frame 240 of the lead frame 200. Next, in the molding process, a runner 340 that guides the sealing resin into the cavity 380 that encloses the semiconductor chip 100 is disposed and sealed so as to pass over the half-blanking part 260. Further, the unnecessary portion 600 is sealing resin remaining on the runner 340. Further, in the removing step, the unnecessary portion 600 is removed by removing the half-punched portion 260. Details will be described below.

図2(a)〜図2(d)は、半抜き加工部260の形成工程を示している。少なくともモールド工程よりも前において、下記のような半抜き加工部260の形成工程を行う。   FIG. 2A to FIG. 2D show a process of forming the half blanking portion 260. At least prior to the molding process, the following process of forming the half-punched portion 260 is performed.

まず、図2(a)のように、ダイ740上に、支持フレーム240が所定のプレス加工位置に来るように、リードフレーム200を載置する。   First, as shown in FIG. 2A, the lead frame 200 is placed on the die 740 so that the support frame 240 comes to a predetermined pressing position.

次いで、図2(b)のように、リードフレーム200の片側から、パンチ720によりプレス加工を行う。このとき、片面側から支持フレーム240における板厚の30%以上50%以下にプレス加工する。この範囲内のプレス加工を施すことにより、モールド工程までは、後述する半抜き加工部260を支持フレーム240に固定しておくことができる。また、除去工程において、半抜き加工部260を容易に除去することができる。   Next, as shown in FIG. 2B, press working is performed from one side of the lead frame 200 with a punch 720. At this time, pressing is performed from 30% to 50% of the thickness of the support frame 240 from one side. By performing press working within this range, a half-punched portion 260 described later can be fixed to the support frame 240 until the molding step. Further, in the removing step, the half-punched portion 260 can be easily removed.

次いで、図2(c)のように、図2(b)と逆の方向からプレス加工を行う。これにより、支持フレーム240の平坦化を行う。   Next, as shown in FIG. 2 (c), pressing is performed from the opposite direction to FIG. 2 (b). Thereby, the support frame 240 is flattened.

このようにして、図2(d)のように、支持フレーム240の少なくとも片面(本実施形態では両面)に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。なお、この半抜き加工部260の形成工程は、後述する半導体チップ100をリードフレーム200に搭載する工程の後で行ってもよい。   In this way, as shown in FIG. 2D, the half-cut processing portion 260 surrounded by the groove is formed on at least one side (both sides in the present embodiment) of the support frame 240. Note that the process of forming the half-punched portion 260 may be performed after the process of mounting the semiconductor chip 100 described later on the lead frame 200.

次いで、図1(a)に示すように、リードフレーム200のダイパッド210上に半導体チップ100を搭載する。次いで、半導体チップ上の電極パッド(非表示)とリード230とを、ボンディングワイヤ120により接続する。   Next, as shown in FIG. 1A, the semiconductor chip 100 is mounted on the die pad 210 of the lead frame 200. Next, the electrode pads (not shown) on the semiconductor chip and the leads 230 are connected by the bonding wires 120.

次いで、以下のように、モールド工程を行う。まず、リードフレーム200を金型内に投入する。ここで、図3は、金型内に配置したリードフレーム200を示している。   Next, a molding process is performed as follows. First, the lead frame 200 is put into a mold. Here, FIG. 3 shows the lead frame 200 arranged in the mold.

また、図4(a)は、図3のA−A'線断面図を示している。また、図4(b)は、図2のB−B'線断面図を示している。なお、図3、図4中の太実線部は、金型の内壁形状を示している。図3、図4(b)のように、半導体チップ100を内包するキャビティ380に封止樹脂を案内するランナ340を、半抜き加工部260の上を通るように配置する。   FIG. 4A shows a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. FIG. 4B is a sectional view taken along line BB ′ in FIG. 3 and 4 indicate the shape of the inner wall of the mold. As shown in FIGS. 3 and 4B, a runner 340 that guides the sealing resin to the cavity 380 that encloses the semiconductor chip 100 is disposed so as to pass over the half-blanked portion 260.

次いで、図4(a)のプランジャ460により、封止樹脂をカル320からキャビティ380まで充填させる。次いで、加熱して封止樹脂を硬化させる。このとき、図4(a)のように、ランナ340は半抜き加工部260や開口部280の上を通るように配置されている。このため、支持フレーム240本体のうち、ランナ340に残留した封止樹脂と固着する部分は小さい。   Next, the sealing resin is filled from the cull 320 to the cavity 380 by the plunger 460 of FIG. Next, the sealing resin is cured by heating. At this time, as illustrated in FIG. 4A, the runner 340 is disposed so as to pass over the half-punched portion 260 and the opening 280. For this reason, in the support frame 240 main body, the portion fixed to the sealing resin remaining on the runner 340 is small.

次いで、封止樹脂を硬化した後、上金型420と下金型440を外して、リードフレーム200を取り出す。   Next, after the sealing resin is cured, the upper mold 420 and the lower mold 440 are removed, and the lead frame 200 is taken out.

次いで、以下のように、不要部分600の除去工程を行う。図5(a)、図5(b)は、第一の実施形態における除去工程で不要部分600を分離したときを示している。ここで、不要部分600とは、ランナ340に残留した封止樹脂のことである。   Next, a removal process of the unnecessary portion 600 is performed as follows. FIG. 5A and FIG. 5B show a case where the unnecessary portion 600 is separated in the removing process in the first embodiment. Here, the unnecessary portion 600 is the sealing resin remaining in the runner 340.

図5(a)のように、半抜き加工部260及び開口部280の直上に、半抜き加工部260及び開口部280に対して挿入できる範囲で大きい断面を有する打ち抜きピン540を配置する。次いで、プッシャプレート520を下降させる。これにより、打ち抜きピン540は、半抜き加工部260を切断するとともに、不要部分600を押し出す。   As shown in FIG. 5A, a punching pin 540 having a large cross section within a range that can be inserted into the half-punched portion 260 and the opening 280 is disposed immediately above the half-punched portion 260 and the opening 280. Next, the pusher plate 520 is lowered. Thereby, the punching pin 540 cuts the half-punched portion 260 and pushes out the unnecessary portion 600.

このとき、上記したように、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が小さい。ここで、支持フレーム240本体のうち、ランナ340に残留した「封止樹脂と固着する部分」とは、半抜き加工部260以外の支持フレーム240と接する部分、およびキャビティ380に接続するゲート(不図示)と接する部分である。なお、上記した「封止樹脂と固着する部分」は、固着面積が小さいため、弱い力をかけるだけで簡単に剥離することができる。また、半抜き加工部260の裏面において封止樹脂と固着する部分は、半抜き加工部260を切断することにより、半抜き加工部260とともに除去される。   At this time, as described above, the portion of the support frame 240 that adheres to the sealing resin is small. Here, in the main body of the support frame 240, “the portion that adheres to the sealing resin” remaining on the runner 340 is a portion that contacts the support frame 240 other than the half-punched portion 260, and a gate (not connected) to the cavity 380. It is a part in contact with the figure. In addition, since the above-mentioned “part fixed to the sealing resin” has a small fixing area, it can be easily peeled off only by applying a weak force. Further, the portion that adheres to the sealing resin on the back surface of the half-punched portion 260 is removed together with the half-punched portion 260 by cutting the half-punched portion 260.

このように、半抜き加工部260を切断することにより、ランナ340の封止樹脂(不要部分600)を容易に除去することができる。   In this way, by cutting the half-punched portion 260, the sealing resin (unnecessary portion 600) of the runner 340 can be easily removed.

したがって、図5(b)のように、半導体パッケージ部620をリードフレーム200に残しつつ、不要部分600だけを的確に除去することができる。   Therefore, as shown in FIG. 5B, it is possible to accurately remove only the unnecessary portion 600 while leaving the semiconductor package portion 620 on the lead frame 200.

その後、リードフレーム200における吊りリード220とリード230を切断し、各々の半導体装置を得る。   Thereafter, the suspension leads 220 and the leads 230 in the lead frame 200 are cut to obtain respective semiconductor devices.

次に、図6を用いて、本実施形態の効果について説明する。図6は、上記した不要部分600の除去工程後の平面図を示している。なお、図6(a)は、比較例として、本実施形態のような半抜き加工部260を設けない場合を示しており、図6(b)は、本実施形態の場合を示している。   Next, the effect of this embodiment is demonstrated using FIG. FIG. 6 shows a plan view after the above-described unnecessary portion 600 removal step. As a comparative example, FIG. 6A shows a case where the half-punched portion 260 as in this embodiment is not provided, and FIG. 6B shows a case of this embodiment.

図6(a)のように、比較例では半抜き加工部260が形成されていない。これにより、モールド工程において、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が大きい。このため、除去工程において、開口部280に設置された打ち抜きピン540で押し出しても完全に剥離しきれない場合が生じる。このようにして、支持フレーム240には、封止樹脂の一部(残存部640)が残存してしまう。このような残存部640がある状態では、後工程での搬送不具合が生じる可能性がある。また、除去工程後の意図しないときにおいて残存部640が剥離することにより、半導体パッケージ部620に異物が付着してしまうなどの不具合が生じる可能性がある。   As shown in FIG. 6A, in the comparative example, the half-punched portion 260 is not formed. Thereby, in a mold process, the part fixed to sealing resin among the support frame 240 main bodies is large. For this reason, in the removal process, there is a case where even if the punching pin 540 provided in the opening 280 is pushed out, it cannot be completely peeled off. In this way, a part of the sealing resin (remaining portion 640) remains on the support frame 240. In a state where there is such a remaining portion 640, there is a possibility that a conveyance failure occurs in a later process. Further, when the remaining portion 640 is peeled off at an unintended time after the removal process, there is a possibility that a defect such as a foreign matter adheres to the semiconductor package portion 620 may occur.

一方、本実施形態によれば、モールド工程前において、リードフレーム200の支持フレーム240の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。次いで、モールド工程において、半抜き加工部260を、ランナ340に残留した封止樹脂と固着させる。これにより、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が小さくなる。   On the other hand, according to the present embodiment, before the molding process, the half blanking portion 260 surrounded by the groove is formed on at least one surface of the support frame 240 of the lead frame 200. Next, in the molding process, the half-punched portion 260 is fixed to the sealing resin remaining on the runner 340. Thereby, the part fixed to sealing resin among the support frame 240 main bodies becomes small.

したがって、図6(b)のように、除去工程において、半抜き加工部260を切断することにより、残存部640を生じることなく、不要部分600を容易に除去することができる。   Therefore, as shown in FIG. 6B, the unnecessary portion 600 can be easily removed without causing the remaining portion 640 by cutting the half-punched portion 260 in the removing step.

以上により、本実施形態によれば、リードフレーム200に不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。   As described above, according to the present embodiment, unnecessary sealing resin can be reliably removed without leaving the lead frame 200.

以上、本実施形態では、リードフレーム200の支持フレーム240の両面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する場合を説明したが、たとえば、片面にビク刃によって溝を形成してもよい。また、たとえば、片面にハーフエッチング加工することにより溝を形成してもよい。   As described above, in the present embodiment, the case where the half-cut processing portions 260 surrounded by the grooves are formed on both surfaces of the support frame 240 of the lead frame 200 has been described. Good. Further, for example, the groove may be formed by half-etching on one side.

また、本実施形態では、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する場合を説明したが、その溝の一部に貫通開口部を有していてもよい。本実施形態では、半抜き加工部260が長方形の場合を説明したが、形状が限定されるわけではなく、たとえば円状でもよい。   Further, in the present embodiment, the case of forming the half blanking portion 260 surrounded by the groove has been described, but a through opening may be provided in a part of the groove. In the present embodiment, the case where the half-punched portion 260 is rectangular has been described, but the shape is not limited and may be, for example, a circle.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

100 半導体チップ
120 ボンディングワイヤ
200 リードフレーム
210 ダイパッド
220 吊りリード
230 リード
240 支持フレーム
260 半抜き加工部
280 開口部
320 カル
340 ランナ
380 キャビティ
420 上金型
440 下金型
460 プランジャ
520 プッシャプレート
540 打ち抜きピン
600 不要部分
620 半導体パッケージ部
640 残存部
720 パンチ
740 ダイ
100 Semiconductor chip 120 Bonding wire 200 Lead frame 210 Die pad 220 Suspended lead 230 Lead 240 Support frame 260 Half-cut processing part 280 Opening 320 Cull 340 Cavity 420 Upper mold 440 Lower mold 460 Plunger 520 Pusher plate 540 Punching pin 600 Unnecessary portion 620 Semiconductor package portion 640 Remaining portion 720 Punch 740 Die

Claims (3)

リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、
前記リードフレームを金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、
封止された前記リードフレームを前記金型から取り出す工程と、
前記封止樹脂の不要部分を除去する除去工程と、
を有し、
前記モールド工程前において、前記リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成する工程を有し、
前記モールド工程において、前記半導体チップを内包するキャビティに前記封止樹脂を案内するランナを、前記半抜き加工部の上を通るように配置し、
前記不要部分は、前記ランナに残留した前記封止樹脂であり、
前記除去工程において、前記半抜き加工部を除去することにより前記不要部分を除去する半導体装置の製造方法。
Mounting a semiconductor chip on the die pad of the lead frame;
A molding step of placing the lead frame in a mold and sealing with a sealing resin;
Removing the sealed lead frame from the mold;
A removal step of removing unnecessary portions of the sealing resin;
Have
Before the molding step, the method includes a step of forming a half punched portion surrounded by a groove on at least one surface of the support frame of the lead frame,
In the molding step, a runner that guides the sealing resin into a cavity that encloses the semiconductor chip is disposed so as to pass over the half-punched portion,
The unnecessary portion is the sealing resin remaining in the runner,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein in the removing step, the unnecessary portion is removed by removing the half-punched portion.
請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半抜き加工部を形成する工程において、片面側から前記支持フレームにおける板厚の30%以上50%以下にプレス加工した後、逆面側からプレス加工して平坦化させる半導体装置の製造方法。
In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein in the step of forming the half punched portion, after pressing from 30% to 50% of the plate thickness of the support frame from one side, pressing is performed from the opposite side to flatten.
少なくとも一つ以上のダイパッドと、
前記ダイパッドを支持する吊りリードと、
前記吊りリードを支持する支持フレームと、
を有し、
前記支持フレームは、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を有するリードフレーム。
At least one die pad;
A suspension lead for supporting the die pad;
A support frame for supporting the suspension leads;
Have
The support frame is a lead frame having a half punched portion surrounded by a groove on at least one side.
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