JP2011014606A - Method of manufacturing semiconductor apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ（ＭＡＰ）により半導体素子が樹脂封止される半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element is resin-sealed by a Mold Array Package (MAP).
半導体装置は、年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。また、半導体装置では、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。 The capacity of semiconductor devices has been increasing year by year, and along with this, the number of lead terminals serving as various signal lines tends to increase. With this trend, a QFP (Quad Flat Package) type semiconductor device and a QFN (Quad Flat Non-Leaded Package) type semiconductor device in which lead terminals are derived from four directions have come to be used. . In addition, since semiconductor devices are employed in mobile phones, portable computers, and the like, they are required to be smaller, thinner, and lighter.
従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法では、半導体素子が固着されたリードフレームの対向面全体に封止シートを貼り付け、封止シートの貼り付けられたリードフレームを樹脂封止金型内に設置し、樹脂モールドを行う技術が知られている（例えば、特許文献１。）。 In a conventional method for manufacturing a semiconductor device in which resin molding is performed through a sealing sheet in a resin sealing mold, the sealing sheet is attached to the entire opposing surface of the lead frame to which the semiconductor element is fixed. A technique is known in which the attached lead frame is placed in a resin-sealed mold and resin molding is performed (for example, Patent Document 1).
以下に、図９を参照として、従来の樹脂封止金型内で封止シートを介して樹脂モールドを行う半導体装置の製造方法に関し簡単に説明する。図９（Ａ）は封止シートを貼り付けたリードフレームを説明するための断面図であり、図９（Ｂ）はリードフレームを樹脂封止金型に設置した状況を説明するための断面図であり、図９（Ｃ）は樹脂パッケージ形成後の状況を説明するための断面図である。 Below, with reference to FIG. 9, it demonstrates easily regarding the manufacturing method of the semiconductor device which performs resin molding through the sealing sheet in the conventional resin sealing metal mold | die. FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining a lead frame to which a sealing sheet is attached, and FIG. 9B is a cross-sectional view for explaining a situation in which the lead frame is installed in a resin-sealed mold. FIG. 9C is a cross-sectional view for explaining the situation after the resin package is formed.
図９（Ａ）に示すように、先ず、リードフレーム１０１に少なくとも信号接続用端子１０２、半導体チップ１０４を搭載するダイパッド１０３から成る搭載部１１１を複数形成する。このとき、ダイパッド１０３が信号接続用端子１０２よりも上方に位置するように形成する。そして、リードフレーム１０１の裏面に封止シート１０６を貼り合わせた後、封止シート１０６を貼り合わせた面の対向面のダイパッド１０３に半導体チップ１０４を接合する。その後、ダイパッド１０３上に接合された半導体チップ１０４と信号接続用端子１０２とを金属細線１０５により電気的に接合する。
As shown in FIG. 9A, first, a plurality of mounting portions 111 each including at least a signal connection terminal 102 and a die pad 103 for mounting a semiconductor chip 104 are formed on a
図９（Ｂ）に示すように、次に、リードフレーム１０１を上金型１０７及び下金型１０８から成る樹脂封止金型のキャビティ１０９内に設置する。このとき、リードフレーム１０１及び封止シート１０６の端部を上金型１０７及び下金型１０８で狭持することで、キャビティ１０９を構成する。そして、樹脂封止金型に設けられた樹脂注入ゲートから封止樹脂を注入し、樹脂モールドを行う。
Next, as shown in FIG. 9B, the
更に本工程では、下金型１０８に吸気口１５０を設けており、この吸気口１５０に吸引圧を加えることにより、封止シート１０６を下金型１０８の上面（内壁）に密着させている。 Further, in this step, the lower mold 108 is provided with an intake port 150, and a suction pressure is applied to the intake port 150 to bring the sealing sheet 106 into close contact with the upper surface (inner wall) of the lower mold 108.
図９（Ｃ）に示すように、次に、樹脂封止金型内を封止樹脂で充填し、樹脂パッケージ１０を形成した後、共通の樹脂パッケージ１１０が形成されたリードフレーム１０１を樹脂封止金型から離型する。その後、共通の樹脂パッケージ１１０を個々の搭載部１１１毎に切断し、半導体装置が完成する。
Next, as shown in FIG. 9C, after filling the inside of the resin sealing mold with the sealing resin to form the resin package 10, the
しかしながら、上記した半導体装置の製造方法では、安定して樹脂封止を行うことが困難な問題があった。 However, the above-described method for manufacturing a semiconductor device has a problem that it is difficult to perform resin sealing stably.
具体的には、図９（Ｂ）を参照して、下金型１０８に設けた吸気口１５０から吸気を行うことにより、樹脂から成る封止シート１０６の下面を、下金型１０８の上面に密着させている。この密着が確保されれば、液状の樹脂材料をキャビティ１０９に高圧で封入しても、この封入圧により樹脂シート１０６およびリードフレーム１０１が移動することが防止される。
Specifically, referring to FIG. 9 (B), the lower surface of the sealing sheet 106 made of resin is placed on the upper surface of the lower mold 108 by sucking air from the intake port 150 provided in the lower mold 108. It is in close contact. If this close contact is ensured, even if a liquid resin material is sealed in the cavity 109 at a high pressure, the sealing pressure prevents the resin sheet 106 and the
しかしながら、封止シート１０６やリードフレーム１０１が封止の工程にて変形してしまう問題が発生していた。具体的には次の通りである。先ず、封止シート１０６と下金型１０８との間隙に存在する空気が、吸気口１５０に吸引されることにより、封止シート１０６の下面は下金型１０８に密着された状態となる。即ち、封止シート１０６を金型１０８に密着させるためには、両者の間に適度な間隙が存在する必要がある。しかしながら、下金型１０８の上面は凹凸が非常に少ない平滑面であるので、下金型１０８の上面に封止シート１０６を載置すると、封止シート１０６は下金型１０８の上面にぴたりと貼着してしまう。換言すると、封止シート１０６と下金型１０８との間には、吸引口１５０から吸引される気体が通過する間隙が無い状態となってしまう。
However, there has been a problem that the sealing sheet 106 and the
この様になると、吸気口１５０を経由して吸引圧を付与しても、吸引される空気は両者の間を流通せず、下金型１０８に貼着している大部分の封止シート１０６には吸引力は付与されない。従って、吸引力が封止シート１０６に付与されるのは、吸引口１５０の周辺部のみ（図９（Ｂ）にて領域Ａで示す部分）のみである。 In this case, even if a suction pressure is applied via the intake port 150, the sucked air does not flow between the two, and most of the sealing sheet 106 adhered to the lower mold 108 is used. No suction force is applied to. Accordingly, the suction force is applied to the sealing sheet 106 only in the peripheral portion of the suction port 150 (the portion indicated by the region A in FIG. 9B).
この様になると、大部分の封止シート１０６は下金型１０８の上面に固定されていない状態となるので、キャビティ１０９に注入される封止樹脂の圧力により、リードフレーム１０１や封止シート１０６が移動する恐れがある。特に、上記したＭＡＰによる方法では、１つのキャビティ１０９に多数個の半導体チップ１０４を収納して樹脂封止を行うので、一度の樹脂封止が失敗することで不良が大量に発生する危険性がある。
In this case, since most of the sealing sheet 106 is not fixed to the upper surface of the lower mold 108, the
更にまた、封止シート１０６が下金型１０８の上面に張り付いてしまい、樹脂封止の工程が修了した後に、封止シート１０６を下金型１０８から離すのが容易でない問題もあった。 Furthermore, the sealing sheet 106 sticks to the upper surface of the lower mold 108, and there is a problem that it is not easy to separate the sealing sheet 106 from the lower mold 108 after the resin sealing process is completed.
本発明は、上記した問題を鑑みて成され、本発明の目的は、樹脂封止の工程にて用いられる封止用シートの移動が防止された半導体装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which movement of a sealing sheet used in a resin sealing process is prevented.
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子が固着されるアイランドと、前記アイランドに一端が接近すると共に前記半導体素子と電気的に接続されたリードとを備え、下面にシートが貼着されたリードフレームを用意する工程と、上金型と下金型とから成るモールド金型を用意し、前記下金型の表面に前記シートを介して前記リードフレームを載置し、前記上金型と前記下金型とを当接させることにより構成されるキャビティの内部に、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを収納する工程と、前記モールド金型の前記下金型に設けた吸引手段により前記シートを吸引しつつ、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを前記封止樹脂により封止する工程と、を備え、前記シートに当接する前記下金型の表面を、微少な凹凸部が設けられた梨地面とすることにより、前記吸引手段により吸引される気体が通過する経路を、前記シートと前記下金型との間に確保することを特徴とする。 A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes an island to which a semiconductor element is fixed, a lead that is close to one end of the island and electrically connected to the semiconductor element, and a sheet is attached to the lower surface. Preparing a lead frame; and preparing a mold die composed of an upper die and a lower die, placing the lead frame on the surface of the lower die via the sheet, and The step of accommodating the semiconductor element, the island and the lead in a cavity formed by contacting the lower mold, and the suction means provided in the lower mold of the mold mold Sealing the semiconductor element, the island, and the lead with the sealing resin by injecting a sealing resin into the cavity while sucking the sheet. The surface of the lower mold that comes into contact with the sheet is a textured surface provided with minute irregularities, so that a path through which the gas sucked by the suction means passes is formed between the sheet and the lower mold. It is characterized by securing between.
本発明によれば、リードフレームに貼着されたシートが密着する金型の内壁を、微少な凹凸が形成された梨地面としている。このことにより、金型内壁にシートが密着せずに、両者の間に微細な間隙が形成され、吸引手段により吸引される空気がこの間隙を良好に通過する。従って、吸引手段の吸引力がシート全体に付与されるので、シートを全体的に金型内壁に密着させることができる。結果として、モールド金型のキャビティに封止樹脂が高圧で注入されても、この注入により生じる圧力でシートやリードフレームが変形することが防止される。更にまた、梨地面である金型内壁には封止用のシートが張り付かないので、封止工程が修了した後に、シートを容易に金型から取り出すことができる。 According to the present invention, the inner wall of the mold to which the sheet adhered to the lead frame is in close contact is a satin surface on which minute irregularities are formed. As a result, the sheet does not adhere to the inner wall of the mold, and a fine gap is formed between them, and the air sucked by the suction means passes through this gap well. Accordingly, since the suction force of the suction means is applied to the entire sheet, the sheet can be brought into close contact with the inner wall of the mold as a whole. As a result, even when the sealing resin is injected into the mold cavity at a high pressure, the sheet and the lead frame are prevented from being deformed by the pressure generated by the injection. Furthermore, since the sealing sheet does not stick to the inner wall of the mold, which is a satin surface, the sheet can be easily taken out from the mold after the sealing process is completed.
以下に、図１から図７を参照して、本発明の半導体装置の製造方法を説明する。 A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
図１を参照して、先ず、本発明の製造方法で用いられるリードフレーム１０を用意する。図１（Ａ）はリードフレーム１０を示す平面図であり、図１（Ｂ）はリードフレーム１０を部分的に拡大して示す平面図であり、図１（Ｃ）は断面図である。 Referring to FIG. 1, first, a lead frame 10 used in the manufacturing method of the present invention is prepared. 1A is a plan view showing the lead frame 10, FIG. 1B is a plan view showing the lead frame 10 partially enlarged, and FIG. 1C is a cross-sectional view.
図１（Ａ）を参照して、リードフレーム１０は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅等の金属から成る導電箔に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施して所定の形状に成形されている。また、リードフレーム１０は短冊型の形状を呈し、平面的なサイズは例えば縦×横＝６０ｍｍ×１４０ｍｍ程度である。更に、リードフレーム１０の表面は、例えばニッケル、パラジューム、金をこの順番で順次積層させたメッキ膜により被覆されている。 Referring to FIG. 1A, a lead frame 10 is formed into a predetermined shape by etching or punching a conductive foil made of a metal such as copper having a thickness of about 0.2 mm. Yes. The lead frame 10 has a strip shape, and the planar size is, for example, about vertical × horizontal = 60 mm × 140 mm. Further, the surface of the lead frame 10 is covered with a plating film in which, for example, nickel, palladium, and gold are sequentially laminated in this order.
リードフレーム１０には、多数個のユニットから構成されるブロック１２が複数個離間して配置されている。ここでは、リードフレーム１０の長手方向に沿って２個のブロック１２が配置されているが、配置されるブロック１２の個数は３個以上の多数個でも良い。 In the lead frame 10, a plurality of blocks 12 composed of a large number of units are arranged apart from each other. Here, the two blocks 12 are arranged along the longitudinal direction of the lead frame 10, but the number of the arranged blocks 12 may be three or more.
ブロック１２は、ブロック１２が形成されない残余部から成る枠状の外枠１４により囲まれている。そして、ブロック１２同士の間にも、リードフレーム１０の残余部から成る連結帯１６が配置されており、この連結帯１６によりブロック１２同士が横方向に連結されている。 The block 12 is surrounded by a frame-shaped outer frame 14 made of a remaining portion where the block 12 is not formed. A connecting band 16 composed of the remaining portion of the lead frame 10 is also arranged between the blocks 12, and the blocks 12 are connected in the horizontal direction by the connecting band 16.
ブロック１２の内部には、マトリックス状に配置された複数のユニット２６が形成されている。ここで、ユニット２６とは、１つの回路装置を構成する単位要素である。この図を参照すると、１つのブロック１２に、５行×５列で合計２５個のユニット２６が設けられているが、更に多数個のユニット２６をブロック１２に設けることも可能である。 Inside the block 12, a plurality of units 26 arranged in a matrix are formed. Here, the unit 26 is a unit element constituting one circuit device. Referring to this figure, one block 12 is provided with a total of 25 units 26 in 5 rows × 5 columns. However, a larger number of units 26 may be provided in the block 12.
図１（Ｂ）を参照して、上記したブロック１２に含まれるユニット２６の構成を説明する。ユニット２６は、１つのアイランド２８と、このアイランド２８の四方を囲むように配置された複数個のリード３０から構成されている。
With reference to FIG. 1B, the configuration of the unit 26 included in the block 12 will be described. The unit 26 includes one
各ユニット２６同士の間には、格子状にタイバー３２が形成されている。そして、各ユニット２６のリード３０は、タイバー３２から連続してユニット２６の内側に延出している。更に、アイランド２８の４隅は、吊りリードを経由してタイバー３２に連結されている。
Tie bars 32 are formed in a lattice shape between the units 26. The lead 30 of each unit 26 continuously extends from the tie bar 32 to the inside of the unit 26. Furthermore, the four corners of the
各ユニット２６同士の間には、分割線１８、２０が規定されており、後の分割工程に於いては、分割線１８、２０に沿ってダイシングを行うことにより、個々のユニット２６を半導体装置として分離する。ここで、分割線１８は横方向に規定された分割線であり、分割線２０は縦方向に規定された分割線である。各タイバー３２の位置は、分割線１８、２０に正確に対応している。従って、製造工程に於いて、分割線１８、２０にてダイシングを行うと、タイバー３２は除去される。 Dividing lines 18 and 20 are defined between the units 26, and in the subsequent dividing step, dicing is performed along the dividing lines 18 and 20, whereby the individual units 26 are separated from the semiconductor device. As separate. Here, the dividing line 18 is a dividing line defined in the horizontal direction, and the dividing line 20 is a dividing line defined in the vertical direction. The position of each tie bar 32 corresponds exactly to the dividing lines 18 and 20. Accordingly, when dicing is performed at the dividing lines 18 and 20 in the manufacturing process, the tie bar 32 is removed.
更に、上記した除去を確実に行うためにタイバー３２は細く形成されており、その幅Ｗ１は例えば０．２ｍｍ程度である。また、タイバー３２の幅Ｗ１は、製造工程にて使用されるダイシングブレードの幅よりも狭く形成される。このことにより、ダイシングブレードによるダイシングで、タイバー３２を除去して各リード３０を電気的に分離することができる。 Furthermore, the tie bar 32 is formed to be thin in order to reliably perform the above-described removal, and its width W1 is, for example, about 0.2 mm. Further, the width W1 of the tie bar 32 is formed narrower than the width of the dicing blade used in the manufacturing process. Accordingly, the leads 30 can be electrically separated by removing the tie bar 32 by dicing with a dicing blade.
図１（Ｃ）を参照して、上記した構成のリードフレーム１０の下面全域には、接着シート４８が貼着されている。この接着シート４８は、厚みが５０μｍ程度のｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ（ＰＥＴ）等の樹脂材料から成る基材の上面に、アクリル樹脂やシリコン樹脂から構成される粘着層が塗布されたものである。この接着シート４８が、リードフレーム１０のアイランド２８やリード３０の下面に貼着されることで、後の樹脂封止の工程にて、アイランド２８やリード３０の下面が封止樹脂により被覆されることが防止される。
Referring to FIG. 1C, an adhesive sheet 48 is adhered to the entire lower surface of the lead frame 10 having the above-described configuration. The adhesive sheet 48 is obtained by applying an adhesive layer made of acrylic resin or silicon resin on the upper surface of a base material made of a resin material such as polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of about 50 μm. The adhesive sheet 48 is attached to the lower surface of the
図２を参照して、次に、リードフレーム１０の各ユニット２６に半導体素子を電気的に接続する。図２（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図２（Ｂ）は断面図である。 Referring to FIG. 2, next, a semiconductor element is electrically connected to each unit 26 of lead frame 10. FIG. 2A is a plan view showing this step, and FIG. 2B is a cross-sectional view.
図２の各図を参照して、アイランド２８の上面に半導体素子４４が固着される。具体的には、アイランド２８の上面に、エポキシ樹脂等の絶縁性固着材または半田や導電性ペースト等の導電性固着材を塗布し、この固着材の上部に半導体素子４４を載置した後に、固着材を硬化させる。ここで、半導体素子４４としては、上面の周辺部に多数個のパッドが設けられたＬＳＩが採用される。
With reference to each drawing of FIG. 2, the
次に、半導体素子４４の上面の周辺部に設けられたパッドとリード３０とを、金属細線４６を経由して接続する。ここで使用される金属細線４６としては、直径が４０μｍ程度の金または銅から成る細線が採用される。金属細線４６の一端は半導体素子４４のパッドにボールボンディングされ、他端はリード３０の上面にステッチボンディングされる。
Next, the pads provided in the peripheral portion on the upper surface of the
図３から図６を参照して、次に、上記した各ユニット２６をブロック毎に樹脂封止する。図３（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図３（Ｂ）は本工程を示す平面図である。図４（Ａ）は本工程を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は本工程で用いられる下金型５４を拡大して示す断面図であり、図５の各図は下金型５４の他の形状を示す拡大図である。更に、図６は本工程を経たリードフレーム１０を示す平面図である。 Next, referring to FIGS. 3 to 6, each unit 26 described above is resin-sealed for each block. FIG. 3A is a cross-sectional view showing this step, and FIG. 3B is a plan view showing this step. 4A is an enlarged sectional view showing this process, FIG. 4B is an enlarged sectional view showing a lower mold 54 used in this process, and each figure in FIG. It is an enlarged view which shows the other shape of the metal mold | die 54. FIG. FIG. 6 is a plan view showing the lead frame 10 that has undergone this process.
先ず、本工程にて使用するモールド用の金型５０の構成を説明する。 First, the configuration of the mold 50 for molding used in this process will be described.
図３（Ａ）を参照して、本工程では、上金型５２および下金型５４から構成されるモールド用の金型５０を使用して樹脂封止を行っている。上金型５２と下金型５４とを当接させることで、封止樹脂が注入される空間であるキャビティ５６が構成される。また、キャビティ５６は、ゲート６０およびエアベント５８を介して外部と連通している。ゲート６０は液状または半固形状の封止樹脂が注入される部位であり、エアベント５８はキャビティ５６の内部の空気が外部に放出される際に通過する経路である。 Referring to FIG. 3A, in this step, resin sealing is performed using a molding die 50 including an upper die 52 and a lower die 54. By bringing the upper mold 52 and the lower mold 54 into contact with each other, a cavity 56 that is a space into which the sealing resin is injected is formed. The cavity 56 communicates with the outside through a gate 60 and an air vent 58. The gate 60 is a portion into which a liquid or semi-solid sealing resin is injected, and the air vent 58 is a path through which air inside the cavity 56 passes when discharged outside.
更にまた、下金型５４には、接着シート４８を吸引するための吸引部６２が設けられている。この吸引部６２は下金型５４の上面まで連通して設けられた孔部であり、吸引ポンプと接続されている。また、ここでは、１つのキャビティ５６に対して、複数個の吸引部６２が等間隔に設けられている。 Furthermore, the lower mold 54 is provided with a suction portion 62 for sucking the adhesive sheet 48. The suction part 62 is a hole provided to communicate with the upper surface of the lower mold 54 and is connected to a suction pump. Further, here, a plurality of suction portions 62 are provided at equal intervals with respect to one cavity 56.
図３（Ｂ）を参照して、上記した金型５０には複数個のキャビティ５６がブロック１２毎に設けられている。具体的には、金型５０を上方から見ると、左右両側にリードフレーム１０が載置される領域が設けられており、各リードフレーム１０のブロック１２に対応してキャビティ５６が配置されている。ここでは、２つのブロック１２を有するリードフレーム１０が２つ配置されるので、金型５０には４つのキャビティが設けられている。 With reference to FIG. 3 (B), a plurality of cavities 56 are provided for each block 12 in the mold 50 described above. Specifically, when the mold 50 is viewed from above, regions on which the lead frame 10 is placed are provided on both the left and right sides, and cavities 56 are disposed corresponding to the blocks 12 of each lead frame 10. . Here, since two lead frames 10 having two blocks 12 are arranged, the mold 50 is provided with four cavities.
また、金型５０の中央部付近に、固形状の封止樹脂が収納される筒状のポッド６４が設けられており、このポッド６４と各キャビティ５６とは、ランナー６６を経由して連通している。 Further, a cylindrical pod 64 for storing a solid sealing resin is provided near the center of the mold 50, and the pod 64 and each cavity 56 communicate with each other via a runner 66. ing.
上記した構成の金型５０を使用した樹脂封止の方法は以下の通りである。 A resin sealing method using the mold 50 having the above-described configuration is as follows.
先ず、半導体素子４４や金属細線４６が上部に備えられたリードフレーム１０を、金型５０にセットする。上記したように、リードフレーム１０の下面には接着シート４８が貼着されている。従って、リードフレーム１０を下金型５４の上面に配置すると、リードフレーム１０に貼着された接着シート４８の下面が、下金型５４の上面（キャビティ５６に面する内壁）に接触することとなる。尚、本工程では、図３（Ｂ）に示すように、１つの金型５０に対して、２つのリードフレーム１０が配置されて一括して樹脂封止が行われる。
First, the lead frame 10 provided with the
次に、上金型５２と下金型５４とを当接させる。上記したように、金型５０のキャビティ５６はブロック１２に対応して設けられているので、１つのブロック１２に含まれる全てのユニットは、１つのキャビティ５６に収納される。 Next, the upper mold 52 and the lower mold 54 are brought into contact with each other. As described above, since the cavity 56 of the mold 50 is provided corresponding to the block 12, all the units included in one block 12 are accommodated in one cavity 56.
更に、下金型５４に設けた吸引部６２から空気を吸引することにより接着シート４８に吸引力を与える。このことにより、接着シート４８と共にリードフレーム１０の位置も固定される。吸引部６２を介した吸引は、本工程が終了するまで連続して行われる。 Further, a suction force is applied to the adhesive sheet 48 by sucking air from a suction portion 62 provided in the lower mold 54. This fixes the position of the lead frame 10 together with the adhesive sheet 48. The suction through the suction unit 62 is continuously performed until this process is completed.
本形態では、吸引部６２から吸引することによる接着シート４８の固定を良好にするために、下金型５４の内壁を粗化して梨地面としている。この事項は図４等を参照して後述する。更に、下金型５４に設けた複数の吸引部６２を介して接着シート４８を吸引することで、接着シート４８全体に対して適切な強さの吸引力を均一に与えている。 In this embodiment, the inner wall of the lower mold 54 is roughened to have a satin surface in order to improve the fixation of the adhesive sheet 48 by suction from the suction part 62. This matter will be described later with reference to FIG. Further, by sucking the adhesive sheet 48 through the plurality of suction portions 62 provided in the lower mold 54, a suction force having an appropriate strength is uniformly applied to the entire adhesive sheet 48.
次に、図３（Ｂ）に示すポット６４にタブレット状の封止樹脂を収納させた後に加熱溶融して液状とし、ポット６４からランナー６６およびゲート６０を経由して、キャビティ５６に封止樹脂を供給する。このことにより、キャビティ５６に封止樹脂が充填され、ブロック１２を構成する各ユニットの半導体素子４４、金属細線４６、アイランドおよびリード（不図示）が封止樹脂により被覆される。この後に、各キャビティ５６に注入された封止樹脂を加熱硬化させ、上金型５２と下金型５４とを離して、樹脂封止が施されたリードフレーム１０を金型５０から取り出す。また、樹脂封止が終了した後に吸引部６２に対して付与されている吸引力が解除される。
Next, after storing tablet-shaped sealing resin in the pot 64 shown in FIG. 3 (B), it is heated and melted to form a liquid, and the sealing resin enters the cavity 56 from the pot 64 through the runner 66 and the gate 60. Supply. As a result, the cavity 56 is filled with the sealing resin, and the
図４を参照して、接着シート４８を吸引しつつ樹脂封止する本工程の詳細を説明する。図４（Ａ）は本工程で用いられる金型を拡大して示す断面図であり、図４（Ｂ）は下金型５４の上面付近を更に拡大して示す断面図である。 With reference to FIG. 4, the detail of this process of resin-sealing while attracting | sucking the adhesive sheet 48 is demonstrated. FIG. 4A is a cross-sectional view showing an enlarged mold used in this step, and FIG. 4B is a cross-sectional view showing the vicinity of the upper surface of the lower mold 54 further enlarged.
図４（Ａ）を参照して、上記したように、樹脂封止を行う本工程では下金型５４に設けた吸引部６２から空気を吸引することにより、リードフレーム１０の下面に貼着された接着シート４８を下金型５４の上面に密着させて固定している。ここで、接着シート４８が接触する下金型５４の上面が平滑面であると、接着シート４８が下金型５４に張り付いてしまう。このことにより、吸引部６２から付与される吸引力が接着シート４８全体に付与されず、更に接着シート４８が下金型５４の上面に張り付いて剥がれ難くなる問題が発生していた。 Referring to FIG. 4A, as described above, in this step of resin sealing, the air is sucked from the suction portion 62 provided in the lower mold 54, and is adhered to the lower surface of the lead frame 10. The adhesive sheet 48 is fixed in close contact with the upper surface of the lower mold 54. Here, if the upper surface of the lower mold 54 in contact with the adhesive sheet 48 is a smooth surface, the adhesive sheet 48 sticks to the lower mold 54. As a result, the suction force applied from the suction part 62 is not applied to the entire adhesive sheet 48, and the adhesive sheet 48 sticks to the upper surface of the lower mold 54 and is difficult to peel off.
そこで、本形態では、接着シート４８に接触する下金型５４の上面を、微少な凹凸部が形成された梨地面としている。この様にすることで、接着シート４８の下面と下金型５４との間に適度な間隙が形成される。そして、この状態で吸引部６２から空気を吸引すると、接着シート４８と下金型５４の上面との間に形成された微細な間隙を通路として、吸引部６２に空気が良好に吸引されるようになる。結果的に、吸引部６２から空気を吸引することで発生する吸引力が接着シート４８全体に対して付与され、接着シート４８およびリードフレーム１０が強固に固定される。このことにより、封止樹脂の注入圧が作用しても、キャビティ５６内部におけるリードフレーム１０の変形や移動が防止される。 Therefore, in the present embodiment, the upper surface of the lower mold 54 that comes into contact with the adhesive sheet 48 is a satin surface on which minute uneven portions are formed. By doing so, an appropriate gap is formed between the lower surface of the adhesive sheet 48 and the lower mold 54. Then, when air is sucked from the suction part 62 in this state, the air is satisfactorily sucked into the suction part 62 using a fine gap formed between the adhesive sheet 48 and the upper surface of the lower mold 54 as a passage. become. As a result, a suction force generated by sucking air from the suction portion 62 is applied to the entire adhesive sheet 48, and the adhesive sheet 48 and the lead frame 10 are firmly fixed. This prevents the lead frame 10 from being deformed or moved inside the cavity 56 even when the injection pressure of the sealing resin acts.
更には、下金型５４の上面が梨地面とされることにより、接着シート４８が下金型５４の上面に張り付くことが防止される。従って、樹脂封止の工程が終了した後に、接着シート４８を下金型５４から容易に離脱できる。 Furthermore, since the upper surface of the lower mold 54 is textured, the adhesive sheet 48 is prevented from sticking to the upper surface of the lower mold 54. Therefore, the adhesive sheet 48 can be easily detached from the lower mold 54 after the resin sealing step is completed.
図４（Ｂ）を参照して、下金型５４の上面には、梨地面を構成する微細な凹凸が形成されている。この凹凸の１０点平均表面粗さＲｚの範囲は、例えば６μｍ以上７μｍ以下（代表的には６．７μｍ）が好ましい。ここで、１０点平均表面粗さＲｚとは、粗さ曲線から、その平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和である。 With reference to FIG. 4 (B), the fine surface which comprises a pear ground is formed in the upper surface of the lower metal mold | die 54. As shown in FIG. The range of the 10-point average surface roughness Rz of the irregularities is preferably, for example, 6 μm or more and 7 μm or less (typically 6.7 μm). Here, the 10-point average surface roughness Rz is extracted from the roughness curve by the reference length in the direction of the average line, and from the average line of the extracted portion, the altitude of the highest peak from the highest peak to the fifth peak. It is the sum of the average value of absolute values and the average value of the absolute values of the elevations of the bottom valley from the lowest valley bottom to the fifth.
ここで、１０点平均表面粗さＲｚが上記した下限値よりも小さいと、下金型５４の上面の粗さが不十分であり、接着シート４８の下面が下金型５４の上面に張り付いてしまい、上記した問題が発生する。一方、Ｒｚが上記した上限値よりも大きくなってしまうと、下金型５４の上面の凹凸に追従して接着シート４８が変形してしまい、変形した接着シート４８とリード３０とが剥離してしまう恐れがある。この様になると、リード３０の下面に封止樹脂が回り込むことにより、リード３０の下面が封止樹脂により覆われてしまう所謂フラッシュバリが発生する恐れがある。以上の問題を回避するためにも、１０点平均表面粗さＲｚは、上記した範囲が好適である。 Here, if the 10-point average surface roughness Rz is smaller than the lower limit value described above, the upper surface of the lower mold 54 is not sufficiently rough, and the lower surface of the adhesive sheet 48 sticks to the upper surface of the lower mold 54. Therefore, the above problem occurs. On the other hand, if Rz becomes larger than the above upper limit value, the adhesive sheet 48 is deformed following the irregularities on the upper surface of the lower mold 54, and the deformed adhesive sheet 48 and the lead 30 are peeled off. There is a risk. In such a case, the sealing resin wraps around the lower surface of the lead 30, which may cause a so-called flash burr that covers the lower surface of the lead 30 with the sealing resin. In order to avoid the above problems, the above-mentioned range is preferable for the 10-point average surface roughness Rz.
図５を参照して、上記した樹脂封止の工程にて用いられる下金型の他の形状を説明する。図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は、各形態の下金型５４の形状を示す断面図である。 With reference to FIG. 5, another shape of the lower mold used in the above-described resin sealing step will be described. FIG. 5A, FIG. 5B, and FIG. 5C are cross-sectional views showing the shape of the lower mold 54 of each form.
図５（Ａ）を参照して、この図に示す下金型５４の上面の状態は、図４（Ｂ）を参照して説明したものと基本的には同様であり、相違点は、下金型５４の上面が保護膜６４により被覆されている点にある。換言すると、下金型５４の上面にて梨地を構成している各凹凸部が保護膜６４により被覆されている。この保護膜は、金型を構成する金属よりも樹脂との密着力が低い物質から成る。 Referring to FIG. 5 (A), the state of the upper surface of the lower mold 54 shown in this figure is basically the same as that described with reference to FIG. 4 (B). The upper surface of the mold 54 is covered with a protective film 64. In other words, each uneven portion constituting the satin finish on the upper surface of the lower mold 54 is covered with the protective film 64. This protective film is made of a material having lower adhesion to the resin than the metal constituting the mold.
下金型５４の上面を保護膜６４により被覆することにより、下金型５４の上面に樹脂滓等の異物が付着することが抑制される。即ち、図４（Ｂ）を参照して、下金型５４の上面に樹脂滓が付着したまま樹脂封止を行うと、下金型５４と接着シート４８との間に樹脂滓が挟まれることとなる。このようになると、樹脂滓により接着シート４８が突き上げられてしまい、この結果、リード３０が接着シート４８から離れてしまうことがある。このことは、上記したフラッシュバリを招く。 By covering the upper surface of the lower mold 54 with the protective film 64, it is possible to prevent foreign matters such as a resin soot from adhering to the upper surface of the lower mold 54. That is, referring to FIG. 4 (B), when resin sealing is performed with the resin mold attached to the upper surface of the lower mold 54, the resin mold is sandwiched between the lower mold 54 and the adhesive sheet 48. It becomes. In this case, the adhesive sheet 48 is pushed up by the resin rod, and as a result, the lead 30 may be separated from the adhesive sheet 48. This leads to the flash flash described above.
ここでは、樹脂との接着力が弱い保護膜６４で下金型５４の上面を被覆している。従って、下金型５４の上面に樹脂滓が付着したとしても、樹脂滓は下金型５４を構成する金属材料ではなく、下金型５４の上面を被覆する保護膜６４に接触している。上記したように、保護膜６４と樹脂滓とが密着する強さは、下金型５４の金属材料と樹脂滓６４とが密着する強さよりも弱い。従って、樹脂滓が下金型５４の上面に付着しても、本工程に先行して真鍮ベラ等を用いて容易に樹脂滓を下金型５４から除去することが可能となる。このことから、保護膜６４により下金型５４の上面を被覆することで、樹脂滓の残存が抑制され、結果的に下金型５４の上面に密着される接着シート４８（図４（Ｂ）参照）が平坦に保たれる。この結果、樹脂封止時に於いてリード３０が接着シート４８から剥がれることによるフラッシュバリの発生が抑制される。 Here, the upper surface of the lower mold 54 is covered with a protective film 64 having a weak adhesive force with the resin. Therefore, even if the resin soot adheres to the upper surface of the lower mold 54, the resin soot is not in contact with the metal material constituting the lower mold 54, but is in contact with the protective film 64 that covers the upper surface of the lower mold 54. As described above, the strength with which the protective film 64 and the resin cage 64 are in close contact is weaker than the strength with which the metal material of the lower mold 54 and the resin cage 64 are in close contact. Therefore, even if the resin soot adheres to the upper surface of the lower mold 54, the resin soot can be easily removed from the lower mold 54 using a brass spatula or the like prior to this step. Accordingly, the upper surface of the lower mold 54 is covered with the protective film 64, so that the residual resin residue is suppressed, and as a result, the adhesive sheet 48 that is in close contact with the upper surface of the lower mold 54 (FIG. 4B). Are kept flat. As a result, the occurrence of flash burrs due to peeling of the leads 30 from the adhesive sheet 48 during resin sealing is suppressed.
図５（Ｂ）を参照して、上記した樹脂滓の残存を抑制するための他の対策を説明する。ここでは、下金型５４の凹部（即ち谷形状の部位）は保護膜６４により被覆されており、凸部に相当する部分は平坦に形成されて金属材料が露出している。この形状は、下金型５４の上面に凹凸を形成することにより梨地面とした後に、この上面部分を保護膜６４により被覆し、更に上面から研磨処理を行うことで実現される。ここでは、Ｒｚは例えば５．０μｍ以上５．５μｍ以下（代表的には５．２μｍ）であり、Ｒｍａｘは例えば６．７μｍである。 With reference to FIG. 5 (B), another measure for suppressing the remaining resin soot will be described. Here, the concave portion (that is, the valley-shaped portion) of the lower mold 54 is covered with the protective film 64, and the portion corresponding to the convex portion is formed flat and the metal material is exposed. This shape is realized by forming irregularities on the upper surface of the lower mold 54 to form a textured surface, covering the upper surface portion with the protective film 64, and further performing a polishing process from the upper surface. Here, Rz is, for example, 5.0 μm or more and 5.5 μm or less (typically 5.2 μm), and Rmax is, for example, 6.7 μm.
この様にすることで、先ず、下金型５４の上面全体が適度に平坦化されるので、平坦化された下金型５４上面に樹脂滓が付着しにくくなる。また、樹脂滓が付着したとしても、上記した除去方法により樹脂滓を容易に除去することができる。また、この様に平坦化されても、下金型５４の上面は凹凸が残っており梨地の状態を保っている。従って、図４（Ａ）に示すように、下金型５４の上面に接着シート４８を配置しても、両者の間には適度な間隙が確保される。従って、吸引部６２により吸引される空気が通過する間隙は、両者の間に確保されると共に、接着シート４８が下金型５４上面に張り付いて離型が困難になることもない。 By doing in this way, first, the entire upper surface of the lower mold 54 is appropriately flattened, so that it is difficult for the resin soot to adhere to the flattened upper surface of the lower mold 54. Moreover, even if the resin soot adheres, the resin soot can be easily removed by the above-described removing method. Even when flattened in this way, the upper surface of the lower mold 54 remains uneven and maintains a satin state. Therefore, as shown in FIG. 4A, even if the adhesive sheet 48 is arranged on the upper surface of the lower mold 54, an appropriate gap is secured between them. Therefore, a gap through which the air sucked by the suction portion 62 passes is secured between them, and the adhesive sheet 48 does not stick to the upper surface of the lower mold 54 and it is not difficult to release.
更にまた、下金型５４の上面で梨地を構成している凸状部分の上端が平坦面とされることにより、図４（Ｂ）に示す接着シート４８が平坦な状態で保持される。このことにより、樹脂封止の工程に於けるリード３０の接着シート４８からの剥がれが抑制される。 Furthermore, the upper end of the convex portion constituting the matte surface on the upper surface of the lower mold 54 is made flat, whereby the adhesive sheet 48 shown in FIG. 4B is held in a flat state. Thereby, peeling of the lead 30 from the adhesive sheet 48 in the resin sealing step is suppressed.
図５（Ｃ）に示す下金型５４の構成は、図５（Ｃ）に示した構成から保護膜６４を除去したものと成っている。この様な構成によっても、上記と同様の効果を奏することができる。 The configuration of the lower mold 54 shown in FIG. 5C is obtained by removing the protective film 64 from the configuration shown in FIG. Even with such a configuration, the same effects as described above can be obtained.
図６を参照して、上記工程により、リードフレーム１０に含まれるブロック１２は、個別に封止樹脂３６により樹脂封止される。 With reference to FIG. 6, the blocks 12 included in the lead frame 10 are individually sealed with the sealing resin 36 by the above-described process.
次に、図７に示すように、封止樹脂３６により樹脂封止されたブロック１２を各ユニット２６に分離して半導体装置を得る。ここでは、ブロック１２をリードフレームから分離した後にダイシングによる分割を行っているが、リードフレーム１０により連結された状態のまま本工程の分離を行っても良い。 Next, as shown in FIG. 7, the block 12 resin-sealed with the sealing resin 36 is separated into the units 26 to obtain a semiconductor device. Here, the block 12 is separated from the lead frame and then divided by dicing. However, the separation in this step may be performed while being connected by the lead frame 10.
具体的には、各ユニット２６同士の間に格子状に配置された分割線１８、２０に沿って、高速で回転するダイシングブレード４０を移動させることにより、本工程の分離を行う。本工程では、ブロック１２に含まれる封止樹脂３６と、ユニット２６同士の間に配置されたタイバー３２（図１（Ｂ）参照）が、ダイシングブレード４０により切断して除去される。 Specifically, the separation in this step is performed by moving the dicing blade 40 that rotates at high speed along the dividing lines 18 and 20 arranged in a lattice pattern between the units 26. In this step, the sealing resin 36 included in the block 12 and the tie bar 32 (see FIG. 1B) disposed between the units 26 are cut and removed by the dicing blade 40.
本工程が終了した後は、各ユニットに内蔵される素子の特性等を測定するテスト工程等を経て、半導体装置が完成する。 After this process is completed, the semiconductor device is completed through a test process and the like for measuring characteristics and the like of elements incorporated in each unit.
図８を参照して、次に、上記工程により製造される半導体装置７０の構成を説明する。図８（Ａ）は実装される状態の半導体装置７０を上方から見た斜視図であり、図８（Ｂ）はその状態の半導体装置７０を下方から見た斜視図である。更に、図８（Ｃ）は半導体装置７０の一部を拡大して示す断面図である。 Next, the configuration of the semiconductor device 70 manufactured by the above process will be described with reference to FIG. FIG. 8A is a perspective view of the semiconductor device 70 in a mounted state as viewed from above, and FIG. 8B is a perspective view of the semiconductor device 70 in that state as viewed from below. 8C is a cross-sectional view illustrating a part of the semiconductor device 70 in an enlarged manner.
図８（Ａ）を参照して、半導体装置７０の外形形状は薄型の６面体であり、具体的な大きさの一例としては、縦×横×厚み＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ程度である。半導体装置７０の外面の大部分は封止樹脂３６から構成される。そして、封止樹脂３６の側面にはリード３０の端部が露出しており、封止樹脂３６の側面とリード３０の露出面とは同一平面上に位置する。 Referring to FIG. 8A, the external shape of the semiconductor device 70 is a thin hexahedron, and an example of a specific size is about vertical × horizontal × thickness = 5 mm × 5 mm × 0.4 mm. . Most of the outer surface of the semiconductor device 70 is composed of the sealing resin 36. The end portion of the lead 30 is exposed on the side surface of the sealing resin 36, and the side surface of the sealing resin 36 and the exposed surface of the lead 30 are located on the same plane.
図８（Ｂ）を参照すると、半導体装置７０の上面（実装される面）の中央部には、アイランド２８が露出しており、このアイランド２８の四方を囲む位置に複数のリード３０が露出している。製造方法の説明にて上記したように、アイランド２８は半導体素子が実装される部位であり、リード３０は金属細線を介して半導体素子の電極と電気的に接続される。
Referring to FIG. 8B, the
図８（Ｃ）を参照して、半導体装置７０の下方に露出する封止樹脂３６の下面３６Ａは、平坦面ではなく、微細な凹凸が形成された梨地面の如き粗面を呈している。下面３６Ａが粗面を呈する理由は、図４に示したように、内壁が粗面とされた下金型５４を用いてトランスファーモールドを行うことで、封止樹脂３６を形成するからである。図４（Ｂ）に示すように、本形態では接着シート４８により下金型５４の内壁を被覆するので封止樹脂は直に下金型５４の上面には接触しない。しかしながら、接着シート４８は下金型５４の凹凸形状に追従して変形し、この変形した接着シート４８の上面に封止樹脂が接触する。従って、製造される半導体装置７０の封止樹脂３６の下面３６Ａも凹凸形状を呈する。 Referring to FIG. 8C, the lower surface 36A of the sealing resin 36 exposed below the semiconductor device 70 is not a flat surface but a rough surface such as a satin surface on which fine irregularities are formed. The reason why the lower surface 36A has a rough surface is that, as shown in FIG. 4, the sealing resin 36 is formed by performing transfer molding using the lower mold 54 having a rough inner wall. As shown in FIG. 4B, in this embodiment, since the inner wall of the lower mold 54 is covered with the adhesive sheet 48, the sealing resin does not directly contact the upper surface of the lower mold 54. However, the adhesive sheet 48 deforms following the uneven shape of the lower mold 54, and the sealing resin contacts the upper surface of the deformed adhesive sheet 48. Therefore, the lower surface 36A of the sealing resin 36 of the semiconductor device 70 to be manufactured also has an uneven shape.
１０ リードフレーム
１２ ブロック
１４ 外枠
１６ 連結帯
１８ 分割線
２０ 分割線
２６ ユニット
２８ アイランド
３０ リード
３２ タイバー
３６ 封止樹脂
３６Ａ 下面
４０ ダイシングブレード
４８ 接着シート
５０ 金型
５２ 上金型
５４ 下金型
６２ 吸引部
７０ 半導体装置
10 Lead frame 12 Block 14 Outer frame 16 Connecting band 18 Dividing line 20 Dividing line 26
Claims (5)
上金型と下金型とから成るモールド金型を用意し、前記下金型の表面に前記シートを介して前記リードフレームを載置し、前記上金型と前記下金型とを当接させることにより構成されるキャビティの内部に、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを収納する工程と、
前記モールド金型の前記下金型に設けた吸引手段により前記シートを吸引しつつ、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより、前記半導体素子、前記アイランドおよび前記リードを前記封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記シートに当接する前記下金型の表面を、微少な凹凸部が設けられた梨地面とすることにより、前記吸引手段により吸引される気体が通過する経路を、前記シートと前記下金型との間に確保することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A step of preparing an island to which a semiconductor element is fixed, a lead frame having one end approaching the island and electrically connected to the semiconductor element, and having a sheet attached to the lower surface;
A mold mold comprising an upper mold and a lower mold is prepared, the lead frame is placed on the surface of the lower mold via the sheet, and the upper mold and the lower mold are brought into contact with each other Storing the semiconductor element, the island, and the lead in a cavity constituted by:
The semiconductor element, the island, and the lead are sealed with the sealing resin by injecting a sealing resin into the cavity while sucking the sheet by a suction means provided in the lower mold of the mold. A process of stopping,
By making the surface of the lower mold abutting against the sheet a satin surface provided with minute uneven portions, a path through which the gas sucked by the suction means passes is the sheet and the lower mold. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記収納する工程では、前記リードの前記ブロックを１つのキャビティに収納し、
前記封止する工程では、前記ブロックを単一の前記封止樹脂により封止し、
前記封止する工程が終了した後に、前記ブロックを構成する前記封止樹脂を前記ユニット毎に切断することにより個別の半導体装置を得ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 The lead frame is provided with a block in which units comprising the islands and leads constituting one semiconductor device are arranged in a matrix,
In the storing step, the block of the lead is stored in one cavity,
In the sealing step, the block is sealed with a single sealing resin,
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein after the step of sealing is finished, an individual semiconductor device is obtained by cutting the sealing resin constituting the block for each of the units.
5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein a portion of the lower mold that contacts the sheet is covered with a protective film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family
ID=43593246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2009155368A Pending JP2011014606A (en) | 2009-06-30 | 2009-06-30 | Method of manufacturing semiconductor apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2011014606A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014126150A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 日東電工株式会社 | Sealing sheet for semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor-device production method |
| WO2019105063A1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 南通斯迈尔精密设备有限公司 | Cavity structure of semiconductor package mold capable of vacuum adsorption of lead frame |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058627A (en) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Nec Corp | Manufacture of resin sealed type package for electric parts |
| JPH10151633A (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-09 | Towa Kk | Working method of mold for resin seal molding for electronic parts and mold |
| JPH1116930A (en) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Matsushita Electron Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
| JP2001267345A (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Apic Yamada Corp | Resin-sealing apparatus and resin-sealing method |
| JP2003007951A (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lead frame and manufacturing method of resin-sealing semiconductor device |
| JP2004235237A (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Resin sealing metallic mold and manufacture of semiconductor device using it |
| JP2005085832A (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Apic Yamada Corp | Resin molding apparatus |
-
2009
- 2009-06-30 JP JP2009155368A patent/JP2011014606A/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058627A (en) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Nec Corp | Manufacture of resin sealed type package for electric parts |
| JPH10151633A (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-09 | Towa Kk | Working method of mold for resin seal molding for electronic parts and mold |
| JPH1116930A (en) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Matsushita Electron Corp | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
| JP2001267345A (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Apic Yamada Corp | Resin-sealing apparatus and resin-sealing method |
| JP2003007951A (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lead frame and manufacturing method of resin-sealing semiconductor device |
| JP2004235237A (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Resin sealing metallic mold and manufacture of semiconductor device using it |
| JP2005085832A (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Apic Yamada Corp | Resin molding apparatus |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014126150A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 日東電工株式会社 | Sealing sheet for semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor-device production method |
| JP2014179593A (en) * | 2013-02-15 | 2014-09-25 | Nitto Denko Corp | Sealing sheet for semiconductor elements, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2019105063A1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 南通斯迈尔精密设备有限公司 | Cavity structure of semiconductor package mold capable of vacuum adsorption of lead frame |
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