JP2012198375A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＣＯＦ構造を採用する電気光学装置において、液晶パネルから引き出された可撓性基板状に載置されている駆動用ＩＣの熱を効率よく放熱させる。
【解決手段】ＴＦＴ基板２１には端子２５Ｌ−１，２５Ｌ−２，２５Ｒ−１，２５Ｒ−２がある。端子２５Ｌ−１，２５Ｌ−２からは可撓性基板３２Ｌ−１，３２Ｌ−２が引き出され、両可撓性基板上にはＩＣチップ４０Ｌ−１，４０Ｌ−２が載置されている。端子２５Ｒ−１，２５Ｒ−２からは可撓性基板３２Ｒ−１，３２Ｒ−２が引き出され、両可撓性基板上にはＩＣチップ４０Ｌ−１，４０Ｌ−２が載置されている。可撓性基板３２Ｌ−１，３２Ｌ−２は、ＩＣチップ４０Ｌ−１，４０Ｌ−２の位置が重なるように積層されており、可撓性基板３２Ｒ−１，３２Ｒ−２は、ＩＣチップ４０Ｒ−１，４０Ｒ−２の位置が重なるように積層されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、携帯電話機やプロジェクターなどに表示装置として搭載される電気光学装置に関する。

この種の電気光学装置の中には、ＣＯＦ（Chip On Film）と呼ばれる構造を採るものがある。ＣＯＦ構造の電気光学装置では、液晶層とこれを挟持する２枚の基板からなる液晶パネルから両基板を駆動する駆動回路を分離し、基板の端部からパネル外に引き出された可撓性基板上に駆動回路を搭載する。ＣＯＦ構造の電気光学装置によると、液晶パネル内に駆動回路を搭載する構造を有するものよりも液晶パネルのサイズを小型化することができる。

特許文献１には、ＣＯＦ構造を採用する電気光学装置である液晶表示装置に関わる技術の開示がある。この文献１に開示された液晶表示装置の液晶パネルは、液晶とこの液晶を挟んで対向するＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板及び対向基板と、両基板を挟んで対向する２枚のカバーガラスとを有する。この液晶パネルにおけるＴＦＴ基板の一端部からは、可撓性をもった素材からなる可撓性基板が外側に向かって引き出されており、この可撓性基板における光の入射方向側（光源が配置される側）の面上にパネル駆動ＩＣが載置されている。この液晶表示装置の液晶パネルにおける照射方向側（光源が配置される側と反対側）には矩形枠状のフレームが固定されており、入射方向側には矩形枠状の遮光板が固定されている。この液晶表示装置では、光源から当該液晶表示パネルに向かって照射される光のパネル駆動ＩＣへの到達が遮光板によって妨げられる。このため、光源の光がパネル駆動ＩＣに到達してパネル駆動ＩＣが誤動作してしまう、という問題の発生を防止することができる。

特開２００６−４８０１９号公報

ところで、この種の電気光学装置では、長時間に亙ってパネル駆動ＩＣを動作させ続けると、ＩＣの熱が高くなって誤動作を起こし、表示画像が劣化してしまう場合がある。従って、表示画像の画質を良好に保つためには、駆動用ＩＣの駆動により発生する熱を適度に放熱させることが必要であるが、特許文献１に開示された技術では、このような対策は為されていない。

本発明は、このような課題に鑑みて為されたものであり、ＣＯＦ構造を採用する電気光学装置において、液晶パネルから引き出された可撓性基板上に載置されているパネル駆動ＩＣの熱を効率よく放熱させることができる技術的手段を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明にかかる電気光学装置は、回路が形成された第１基板を有する電気光学パネル部と、前記第１基板の端部から多層状をなして引き出された複数枚の可撓性基板と、前記多層状をなす複数枚の可撓性基板を積層方向に沿って見た場合において、前記多層状をなす複数枚の可撓性基板の各々の面の同じ位置に各々固定されたＩＣチップとを有する複数の可撓性基板モジュールとを具備する。

この発明では、複数枚の可撓性基板上におけるＩＣチップが、前記複数枚の可撓性基板を積層方向に沿って見た場合において、前記多層状をなす複数枚の可撓性基板の各々の表面の同じ位置に各々固定されている。このため、各可撓性基板上のＩＣチップの駆動により発生する熱が上下の層のＩＣチップに伝わり易くなる。よって、ＩＣチップの駆動により発生する熱を効率よく放熱させることができる。

この電気光学装置において、前記ＩＣチップは、前記電気光学パネル部に駆動信号を供給する電気光学パネル駆動ＩＣチップであり、前記多層状をなす複数枚の可撓性基板は、重畳する可撓性基板の間であって、前記電気光学パネル駆動ＩＣチップが配置される位置に、空気よりも高い熱伝導率を持った素材が充填されていてもよい。これによると、可撓性基板モジュール間において熱が一層伝わり易くなり、放熱効率を高めることができる。

また、前記多層状をなす複数枚の可撓性基板は、それぞれの前記電気光学パネル駆動ＩＣチップが重なって配置される位置を前記積層方向外側から覆う放熱材が設けられていてもよい。これによると、放熱効率をより一層高めることができる。

また、前記複数個の可撓性基板モジュールは、複数層ずつ当該電気光学装置の横幅方向に分けて積層されていてもよい。これによると、当該電気光学装置の厚さを大きくせずに十分な放熱効率を得ることができる。

本発明の一実施形態の電気光学装置の正面図、左側面図、及び断面図である。 本発明の一実施形態の電気光学装置を採用した投射型プロジェクターの模式図である。

（Ａ：構成）
図１（Ａ）は、本発明の一実施形態である電気光学装置１０の正面図である。図１（Ｂ）は、電気光学装置１０の右側面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）のＣ−Ｃ’線断面図である。この電気光学装置１０は、光源（不図示）から当該電気光学装置１０の背面に照射される光をＭ×Ｎ個の画素ＰＩＸからなる画像として正面側に照射する液晶ディスプレイ（例えば、図２に示したような投射型液晶プロジェクターに用いられる液晶ディスプレイ）として動作する。

電気光学装置１０は、液晶パネル部２０と、該液晶パネル部２０のＴＦＴ基板２１の対向基板２２より張り出した張出し部２５（端部）に接続された可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｌ−２，１９Ｒ−１，及び１９Ｒ−２と、該可撓性基板モジュールの発熱箇所、すなわち、ＩＣチップ４０が配置される箇所に対応する位置に配置された放熱板３６−１及び３６−２と、該放熱板３６−１と放熱板３６−２とを所定の間隔で保持するための放熱板スペーサー３４と、これらを収容するフレーム４とを有する。

電気光学装置１０のフレーム４は、横幅Ｗ１（例えば、Ｗ１＝１００ｍｍ）、縦幅Ｌ１（例えば、Ｌ１＝１５０ｍｍ）、及び厚さＨ１（例えば、Ｈ１＝１０ｍｍ）の寸法を持った薄い直方体状をなしている。図１（Ｃ）に示すように、フレーム４における正面と裏面との間には縦幅Ｌ１方向における一端側と他端側とに分かれた２つの開口部１１及び１２が設けられている。フレーム４における開口部１１と開口部１２との間には幅薄な隙間部１４が延在している。

フレーム４の開口部１１には、液晶パネル部２０が収納されている。液晶パネル部２０は、液晶層ＬＱ（不図示）と、液晶層ＬＱを挟んで対向するＴＦＴ基板２１及び対向基板２２と、これら両基板２１及び２２を挟んで対抗する透光性の防塵基板２３及び２４とを有する。より詳細に説明すると、液晶層ＬＱは、電気光学物質である複数種類のネマティック液晶の混合物から形成されている。液晶層ＬＱは、ＴＦＴ基板２１と、対向基板２２と、両基板２１及び２２の周端部に沿って配されたシール部材（不図示）とに囲まれた密閉空間に封入されている。ＴＦＴ基板２１上における液晶層ＬＱに臨む領域ＡＲには、Ｍ行Ｎ列のマトリクスを成すＭ×Ｎ個の画素電極５−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）が設けられている。ＴＦＴ基板２１上における縦幅Ｌ１方向に隣り合う画素電極５−ｍ−ｎ間には、横幅Ｗ１方向に延在する走査線６−ｍが敷設されている。ＴＦＴ基板２１上における横幅Ｗ１方向に隣り合う画素電極５−ｍ−ｎ間には、縦幅Ｌ１方向に延在するデータ線７−ｎが敷設されている。

また、ＴＦＴ基板２１の張出し部２５には、図１（Ａ）に点線で示したよう４つの外部回路接続端子２５Ｌ−１および２５Ｌ−２並びに２５Ｒ−１およびＲ−２が設けられている。具体的には、開口部１２側の端部よりも僅かに内側の位置には２つの外部回路接続端子２５Ｌ−２及び２５Ｒ−２が設けられている。外部回路接続端子２５Ｌ−２及び２５Ｒ−２は互いの間に僅かな間隔を空けて横幅Ｗ１方向に並んでいる。ＴＦＴ基板２１上における外部回路接続端子２５Ｌ−２及び２５Ｒ−２と領域ＡＲとの間の位置には２つの外部回路接続端子２５Ｌ−１及び２５Ｒ−１が設けられている。外部回路接続端子２５Ｌ−１及び２５Ｒ−１は、互いの間に僅かな間隔を空けて横幅Ｗ１方向に並んでいる。

そして、外部回路接続端子２５Ｌ−１には、可撓性基板モジュール１９Ｌ−１が接続され、外部回路接続端子２５Ｌ−２には、可撓性基板モジュール１９Ｌ−２が接続されている。また、外部回路接続端子２５Ｒ−１には、可撓性基板モジュール１９Ｒ−１が接続され、外部回路接続端子２５Ｒ−２には、可撓性基板モジュール１９Ｒ−２が接続されている。したがって、可撓性基板モジュール１９Ｌ−１と可撓性基板モジュール１９Ｌ−２とは重畳するように配置され、可撓性基板モジュール１９Ｒ−１と可撓性基板モジュール１９Ｒ−２とは重畳するように配置されている。 ＴＦＴ基板２１上には、データ線７−ｎ及び走査線６−ｍと外部回路接続端子２５Ｌ−１，２５Ｌ−２，２５Ｒ−１，及び２５Ｒ−２とを接続する配線（不図示）が敷設されている。対向基板２２上には、ＴＦＴ基板２１の画素電極５−ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）−ｎ（ｎ＝１〜Ｎ）と対峙する対向電極（不図示）が設けられている。液晶層ＬＱにおける画素電極５−ｍ−ｎ及び対向電極に挟まれた部分の液晶により１つの画素ＰＩＸが形成される。

フレーム４における開口部１１が設けられた部分にはフック５１及び５２が装着されている。フック５１及び５２は、略コの字状に屈曲した金属製の部材である。フック５１及び５２の各々には領域ＡＲとほぼ同じ寸法を持った矩形状の開口が設けられている。フック５１及び５２は、開口部１１内の液晶パネル部２０を覆うようにして向かい合い、お互いの端部同士を嵌合させることによりフレーム４に固定されている。液晶パネル部２０の防塵基板２３はフック５１の開口を介して正面側に露出しており、同部２０の防塵基板２４はフック５２の開口を介して裏面側に露出している。

フレーム４の開口部１２には、可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｌ−２，１９Ｒ−１，及び１９Ｒ−２が配置される。可撓性基板モジュール１９Ｌ−１は、可撓性基板３２Ｌ−１とこの基板３２Ｌ−１上に載置されたＩＣチップ４０Ｌ−１及びコンデンサー４１Ｌ−１とを有する。可撓性基板モジュール１９Ｌ−２は、可撓性基板３２Ｌ−２とこの基板３２Ｌ−２上に載置されたＩＣチップ４０Ｌ−２及びコンデンサー４１Ｌ−２とを有する。可撓性基板モジュール１９Ｒ−１は、可撓性基板３２Ｒ−１とこの基板３２Ｒ−１上に載置されたＩＣチップ４０Ｒ−１及びコンデンサー４１Ｒ−１とを有する。可撓性基板モジュール１９Ｒ−２は、可撓性基板３２Ｒ−２とこの基板３２Ｒ−２上に載置されたＩＣチップ４０Ｒ−２及びコンデンサー４１Ｒ−２とを有する。

可撓性基板モジュール１９Ｌ−１におけるＩＣチップ４０Ｌ−１は、液晶パネル部２０の領域ＡＲを横幅Ｗ１方向に４分割した領域ＡＲ−ｉ（ｉ＝１〜４）における領域ＡＲ−１の画素電極を駆動させる第１の電気光学パネル駆動装置としての役割を果たす。可撓性基板モジュール１９Ｌ−２におけるＩＣチップ４０Ｌ−２は、液晶パネル部２０の領域ＡＲ−２の画素電極を駆動させる第２の電気光学パネル駆動装置としての役割を果たす。可撓性基板モジュール１９Ｒ−１におけるＩＣチップ４０Ｒ−１は、液晶パネル部２０の領域ＡＲ−３の画素電極を駆動させる第３の電気光学パネル駆動装置としての役割を果たす。可撓性基板モジュール１９Ｒ−２におけるＩＣチップ４０Ｒ−２は、液晶パネル部２０の領域ＡＲ−４の画素電極を駆動させる第４の電気光学パネル駆動装置としての役割を果たす。

これら４つの可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｌ−２，１９Ｒ−１，及び１９Ｒ−２のうち可撓性基板モジュール１９Ｌ−１及び１９Ｌ−２の可撓性基板３２Ｌ−１及び３２Ｌ−２は、ＴＦＴ基板２１の外部回路接続端子２５Ｌ−１及び２５Ｌ−２から多層状をなして隙間部１４に引き出されている。両基板３２Ｌ−１及び３２Ｌ−２は、両基板３２Ｌ−１及び３２Ｌ−２の厚さＨ１方向の間隔を保ちつつ、外壁面１６の外に向かって平行に延在している。可撓性基板モジュール１９Ｒ−１及び１９Ｒ−２の可撓性基板３２Ｒ−１及び３２Ｒ−２は、ＴＦＴ基板２１の外部回路接続端子２５Ｒ−１及び２５Ｒ−２から多層状をなして隙間部１４に引き出されている。両基板３２Ｒ−１及び３２Ｒ−２は、両基板３２Ｒ−１及び３２Ｒ−２の厚さＨ１方向の間隔を保ちつつ、外壁面１６の外に向かって平行に延在している。

可撓性基板モジュール１９Ｌ−１のＩＣチップ４０Ｌ−１及び可撓性基板モジュール１９Ｌ−２のＩＣチップ４０Ｌ−２は、可撓性基板３２Ｌ−１及び３２Ｌ−２の積層方向に沿ってＩＣチップ４０Ｌ−１及び４０Ｌ−２を見た場合におけるＩＣチップ４０Ｌ−１及び４０Ｌ−２の位置が同じになるように各基板３２Ｌ−１及び３２Ｌ−２上に固定されている。また、可撓性基板モジュール１９Ｒ−１のＩＣチップ４０Ｒ−１及び可撓性基板モジュール１９Ｒ−２のＩＣチップ４０Ｒ−２は、可撓性基板３２Ｒ−１及び３２Ｒ−２の積層方向に沿ってＩＣチップ４０Ｒ−１及び４０Ｒ−２を見た場合におけるＩＣチップ４０Ｒ−１及び４０Ｒ−２の位置が同じになるように各基板３２Ｒ−１及び３２Ｒ−２上に固定されている。

より詳細に説明すると、可撓性基板モジュール１９Ｌ−１のＩＣチップ４０Ｌ−１は、可撓性基板３２Ｌ−１の両面３５ＬＵ−１及び３５ＬＤ−１のうち可撓性基板３２Ｌ−２と反対側の面３５ＬＵ−１上における開口部１２と重なる部分に設けられている。可撓性基板モジュール１９Ｌ−１のコンデンサー４１Ｌ−１は、可撓性基板３２Ｌ−１の面３５ＬＵ−１上におけるＩＣチップ４０Ｌ−１から外壁面１６側に離れた位置に設けられている。

可撓性基板モジュール１９Ｌ−２のＩＣチップ４０Ｌ−２は、可撓性基板３２Ｌ−２の両面３５ＬＵ−２及び３５ＬＤ−２のうち可撓性基板３２Ｌ−１の側の面３５ＬＵ−２上におけるＩＣチップ４０Ｌ−１の真裏の位置に設けられている。可撓性基板モジュール１９Ｌ−２のコンデンサー４１Ｌ−２は、可撓性基板３２Ｌ−２の面３５ＬＵ−２上におけるコンデンサー４１Ｌ−１の真裏の位置に設けられている。また、可撓性基板３２Ｌ−２の面３５ＬＵ−２上のＩＣチップ４０Ｌ−２の周囲の部分と可撓性基板３２Ｌ−１の面３５ＬＤ−１におけるＩＣチップ４０Ｌ−１の真裏の部分との間には、空気よりも高い熱伝導率を持った素材からなる接着材ＡＤＨ（不図示）が充填されている。

可撓性基板モジュール１９Ｒ−１のＩＣチップ４０Ｒ−１は、可撓性基板３２Ｒ−１の両面３５ＲＵ−１及び３５ＲＤ−１のうち可撓性基板３２Ｒ−２と反対側の面３５ＲＵ−１上における開口部１２と重なる部分に設けられている。可撓性基板モジュール１９Ｒ−１のコンデンサー４１Ｒ−１は、可撓性基板３２Ｒ−１の面３５ＲＵ−１上におけるＩＣチップ４０Ｒ−１から外壁面１６側に離れた位置に設けられている。

可撓性基板モジュール１９Ｒ−２のＩＣチップ４０Ｒ−２は、可撓性基板３２Ｒ−２の両面３５ＲＵ−２及び３５ＲＤ−２のうち可撓性基板３２Ｒ−１の側の面３５ＲＵ−２上におけるＩＣチップ４０Ｒ−１の真裏の位置に設けられている。可撓性基板モジュール１９Ｒ−２のコンデンサー４１Ｒ−２は、可撓性基板３２Ｒ−２の面３５ＲＵ−２上におけるコンデンサー４１Ｒ−１の真裏の位置に設けられている。また、可撓性基板３２Ｒ−２の面３５ＲＵ−２上のＩＣチップ４０Ｒ−２の周囲の部分と可撓性基板３２Ｒ−１の面３５ＲＤ−１におけるＩＣチップ４０Ｒ−１の真裏の部分との間には、空気よりも高い熱伝導率を持った素材からなる接着材ＡＤＨ（不図示）が充填されている。

フレーム４の開口部１２における可撓性基板モジュール１９Ｌ−１及び１９Ｌ−２のＩＣチップ４０Ｌ−１及び４０Ｌ−２と可撓性基板モジュール１９Ｒ−１及び１９Ｒ−２のＩＣチップ４０Ｒ−１及び４０Ｒ−２が配置される位置を両側から挟む位置には、放熱板３６−１及び３６−２が配置されている。放熱板３６−２は、フレーム４に係合して位置決めされており、放熱板３６−１は、放熱スペーサー３４に係合して位置決めされている。より詳細に説明すると、放熱板スペーサー３４は、開口部１２と略同じ寸法の外郭を持ったＰＳＳ（Polyphenylene Sulfide）樹脂性の部材である。放熱板スペーサー３４には矩形状の開口が設けられている。放熱板スペーサー３４の開口における縦幅Ｌ１方向に対向する内縁部には凸部が設けられている。放熱板３６−１及び３６−２は、略矩形状の金属性の部材である。放熱板３６−１における縦幅Ｌ１方向に対向する外縁部には凸部が設けられている。放熱板３６−２における縦幅Ｌ１方向に対向する外縁部には凸部が設けられている。放熱板３６−１は、当該放熱板３６−１の凸部を放熱板スペーサー３４の開口の凸部に係合させるようにして放熱板スペーサー３４に嵌め込まれている。また、放熱板３６−２は、当該放熱板３６−２の凸部をフレーム４における開口部１２の内縁に係合させるようにして嵌め込まれている。

フレーム４における開口部１２が設けられた部分にはフック５３が方向Ｂから装着されている。フック５３は、略コの字状に屈曲した金属製の部材である。フック５３には、放熱板３６−１及び３６−２よりも僅かに小さい寸法を持った矩形状の開口が設けられている。フック５３は、開口部１２内の放熱板３６−１及び３６−２を覆うようにして開口部１２と向い合い、当該フック５３の端部をフレーム４に嵌合させることによりフレーム４に固定されている。フック５３と放熱板３６−１の凸部との間には、フック５３がフレーム４に固定された状態において放熱板３６−１の凸部を放熱板スペーサー３４の凸部の側に付勢する役割を果たす押さえばね６１及び６２が介挿されている。

以上が、本実施形態である電気光学装置１０の構成の詳細である。本実施形態によると、次の４つの効果が得られる。
第１に、本実施形態では、可撓性基板モジュール１９Ｌ−１及び１９Ｌ−２のＩＣチップ４０Ｌ−１及び４０Ｌ−２が、それらの積層方向に沿ってＩＣチップ４０Ｌ−１及び４０Ｌ−２を見た場合において、可撓性基板３２Ｌ−１及び３２Ｌ−２の同じ位置に固定されている。また、可撓性基板モジュール１９Ｒ−１及び１９Ｒ−２のＩＣチップ４０Ｒ−１及び４０Ｒ−２が、それらの積層方向に沿ってＩＣチップ４０Ｒ−１及び４０Ｒ−２を見た場合において、可撓性基板３２Ｒ−１及び３２Ｒ−２の同じ位置に固定されている。このため、可撓性基板上のＩＣチップ４０Ｌ−１，４０Ｌ−２，４０Ｒ−１，４０Ｒ−２の駆動により発生する熱が上下の層のＩＣチップに伝わり易くなる。よって、ＩＣチップ４０Ｌ−１，４０Ｌ−２，４０Ｒ−１，４０Ｒ−２の駆動により発生する熱を効率よく放熱させることができる。

第２に、本実施形態では、積層された可撓性基板モジュール１９Ｌ−１及び１９Ｌ−２における可撓性基板モジュール１９Ｌ−１の可撓性基板３２Ｌ−１とその下の層の可撓性基板モジュール１９Ｌ−２のＩＣチップ４０Ｌ−２との間に接着材ＡＤＨが充填されている。また、積層された可撓性基板モジュール１９Ｒ−１及び１９Ｒ−２における可撓性基板モジュール１９Ｒ−１の可撓性基板３２Ｒ−１とその下の層の可撓性基板モジュール１９Ｒ−２のＩＣチップ４０Ｒ−２との間に接着材ＡＤＨが充填されている。このため、可撓性基板モジュール１９Ｌ−１及び１９Ｌ−２間と可撓性基板モジュール１９Ｒ−１及び１９Ｒ−２間において熱が伝わり易くなり、放熱効率を高めることができる。

第３に、本実施形態では、積層された可撓性基板モジュールにおける最上層の可撓性基板モジュール１９Ｌ−１及び１９Ｒ−１の上側に放熱板３６−１が設けられ、最下層の可撓性基板モジュール１９Ｌ−２及び１９Ｒ−２の下側にも放熱板３６−２が設けられている。よって、放熱効率をより一層高めることができる。

第４に、本実施形態では、４つの可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｌ−２，１９Ｒ−１，１９Ｒ−２が２層ずつ当該電気光学装置１０の横幅Ｗ１方向に分けて積層されている。よって、当該電気光学装置１０の厚さＨ１を大きくせずに十分な放熱効率を得ることができる。
図２は、電気光学装置１０を適用した投射型表示装置（３板式のプロジェクター）４０００の模式図である。投射型表示装置４０００は、相異なる表示色（赤色，緑色，青色）に対応する３個の電気光学装置１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）を含んで構成される。照明光学系４００１は、照明装置（光源）４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１０Ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１０Ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１０Ｂに供給する。各電気光学装置１０は、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調する光変調器（ライトバルブ）として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１０からの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

（Ｂ：変形）
以上、本発明の実施形態について説明したが、この実施形態に以下に述べる変形を加えても勿論良い。
（１）上記実施形態において、複数個の可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｌ−２，１９Ｒ−１，２Ｒ−２の厚みＨ１方向の積層数を３つ以上にしてもよい。

（２）上記実施形態では、積層された可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｌ−２，１９Ｒ−１，１９Ｒ−２における厚みＨ１方向の両側に放熱板３６−１及び３６−２が設けられていた。しかし、厚みＨ１方向における最上層の可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｒ−１の側と最下層の可撓性基板モジュール１９Ｌ−２，１９Ｒ−２の側のいずれか一方の側にだけ放熱板を設けてもよい。

（３）上記実施形態では、４個の可撓性基板モジュール１９Ｌ−１，１９Ｌ−２，１９Ｒ−１，１９Ｒ−２が２層ずつ当該電気光学装置１０の横幅Ｗ１方向に分けて配置されていた。しかし、複数個の可撓性基板モジュールの横幅Ｗ１方向の配置数を３つ以上にしてもよい。

（４）上記実施形態では、可撓性基板３２Ｌ−２の面３５ＬＵ−２上のＩＣチップ４０Ｌ−２の周囲の部分と可撓性基板３２Ｌ−１の面３５ＬＵ−１におけるＩＣチップ４０Ｌ−１の真裏の部分との間、及び可撓性基板３２Ｒ−２の面３５ＬＵ−２上のＩＣチップ４０Ｒ−２の周囲の部分と可撓性基板３２Ｒ−１の面３５ＬＵ−１におけるＩＣチップ４０−１の真裏の部分との間に接着材ＡＤＨが充填されていた。しかし、空気よりも高い熱伝導率を持った他の素材（例えば、グリス）により接着材ＡＤＨを代用してもよい。

（５）液晶パネル部２０は電気光学パネルの例示に過ぎない。本発明に適用される電気光学パネルについて、自身が発光する自発光型と外光の透過率や反射率を変化させる非発光型との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型と電界（電圧）の印加によって駆動される電圧駆動型との区別は不問である。例えば、有機ＥＬ素子，無機ＥＬ素子，ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ），電界電子放出素子（ＦＥ（Ｆｉｅｌｄ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）素子），表面伝導型電子放出素子（ＳＥ（Ｓｕｒｆａｃｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｔｔｅｒ）素子），弾道電子放出素子（ＢＳ（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ）素子），電気泳動素子、エレクトロクロミック素子など様々な電気光学素子を利用した電気光学パネルに本発明は適用される。すなわち、電気光学素子は、電流の供給や電圧（電界）の印加といった電気的な作用に応じて階調（透過率や輝度などの光学的な特性）が変化する電気光学物質を利用した被駆動素子（典型的には、階調信号に応じて階調が制御される表示素子）として包括される。

５…画素電極、６…走査線、７…データ線、１０…電気光学装置、１１，１２…開口部、１３…内壁面、１４…隙間、１６…外壁面、１７…可撓性基板モジュール、２０…液晶パネル部、２１…ＴＦＴ基板、２２…対向基板、２３，２４…防塵基板、２５…外部回路接続端子、２６…データ線、３２…可撓性基板、３４…放熱板スペーサー、３６…放熱板、４０…ＩＣ、４１…コンデンサー、６１，６２…押さえばね。

Claims (4)

1. 回路が形成された第１基板を有する電気光学パネル部と、
   前記第１基板の端部から多層状をなして引き出された複数枚の可撓性基板と、前記多層状をなす複数枚の可撓性基板を積層方向に沿って見た場合において、前記多層状をなす複数枚の可撓性基板の各々の面の同じ位置に各々固定されたＩＣチップとを有する複数の可撓性基板モジュールと
   を具備する電気光学装置。
2. 前記ＩＣチップは、前記電気光学パネル部に駆動信号を供給する電気光学パネル駆動ＩＣチップであり、
   前記多層状をなす複数枚の可撓性基板は、重畳する可撓性基板の間であって、前記電気光学パネル駆動ＩＣチップが配置される位置に、空気よりも高い熱伝導率を持った素材が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記多層状をなす複数枚の可撓性基板は、それぞれの前記電気光学パネル駆動ＩＣチップが重なって配置される位置を前記積層方向外側から覆う放熱材が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記複数個の可撓性基板モジュールは、複数層ずつ当該電気光学装置の横幅方向に分けて積層されていることを特徴とする請求項１乃至３の１項に記載の電気光学装置。
   

Images