JP2012198349A - 設計支援方法 - Google Patents

Abstract

【課題】評価用パターンに不足しているパターンの特定を容易化すること。
【解決手段】設計支援装置が、半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、選択パラメータを除く残余のパラメータと、による半導体層に関する設計パターンの露光シミュレーションを実行する。設計支援装置が、露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、複数の露光パラメータの決定基準である評価用パターンの露光シミュレーションでの許容範囲内（たとえば、ｘ［ｎｍ］〜ｙ［ｎｍ］以内）であるか否かを判断する。設計支援装置が、判断結果を出力する。
【選択図】図１

Description

本発明は、設計支援方法に関する。

近年、半導体集積回路の開発コストの多くを占める半導体マスクが高額化する傾向にあるため、コストダウンを目的として、マスクレス露光を実現するＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ；電子ビーム）露光が活用されている。

ＥＢ露光では、設計された露光データに応じてウエハ上に形成されたレジスト膜を露光する。露光データの作成では、電子のレジスト内での散乱、反射の影響をうけてデバイスが狙った配線幅より細くなったり太くなったり変動する現象を、露光補正ソフトウエアプログラム（以下、「露光シミュレータ」と称する。）を用いて露光シミュレーションする。そして、露光データの作成では、予め変動分を考慮して、露光データの属性である露光量を補正することにより、変動分を見込んだ露光データが作成される。

露光パラメータは、露光シミュレータに外部入力するパラメータ群である。電子ビームがレジストに入射した際の、電子の透過率、反射率、前方散乱長、下層での反射率、後方散乱長などが含まれる。露光パラメータ抽出作業においては、各露光パラメータの初期値と、定義されたＬ＆Ｓ（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ（ライン・アンド・スペース））での規則的なパターンである評価用パターンを露光パラメータ抽出ソフトウエアプログラムに入力する。

該露光パラメータ抽出ソフトウエアプログラムは、各露光パラメータをランダムに調整しながら露光シミュレーションを繰り返し、評価用パターンが実際に露光した結果に最も近い結果となる露光パラメータを探し出す（たとえば、下記特許文献１参照）。

特開２００７−２２０７４８号公報

露光パラメータの抽出に使用する評価用パターンは、Ｌ＆Ｓの組み合わせが数十種類含まれる。評価用パターンから抽出された露光パラメータを露光シミュレータで用いれば、評価用パターンを忠実に露光シミュレーションし、補正できる。しかしながら、実際の設計パターンは評価用パターンでは表現しきれない複雑なレイアウトが含まれているため、評価用パターンに基づいて抽出された複数の露光パラメータによる設計パターンの露光シミュレーションが、実際の露光結果と合わない可能性があるという問題点がある。

また、設計パターンの無限の組み合わせによる複雑なレイアウトを考慮して評価用パターンを作成することは、パターン数が多すぎて、作業的に困難であるという問題点がある。

本発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、評価用パターンに不足しているパターンの特定を容易化することができる設計支援方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明の一側面によれば、半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、前記複数の露光パラメータのうちの前記選択パラメータを除く残余のパラメータと、による前記半導体層に関する設計情報の露光シミュレーションを実行し、前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、前記複数の露光パラメータの決定基準である評価用情報の露光シミュレーションでの許容範囲内であるか否かを判断し、判断結果を出力する設計支援方法が提供される。

本発明の一側面によれば、評価用パターンに不足しているパターンの特定を容易化することができるという効果を奏する。

図１は、本発明の一例を示す説明図である。 図２は、評価用パターンの一例を示す説明図である。 図３は、設計支援装置のハードウェア例を示すブロック図である。 図４は、設計支援装置３００の機能ブロック図である。 図５は、各評価用パターンの露光シミュレーション結果の一例を示す説明図である。 図６は、評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量の一例を示す説明図である。 図７は、変動量の算出例を示す説明図である。 図８は、配線層酸化膜の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。 図９は、配線層の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。 図１０は、ホール層酸化膜の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。 図１１は、ホール層の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。 図１２は、シリコン反射係数を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。 図１３は、前方散乱長を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。 図１４は、実施の形態１にかかる設計支援装置３００による設計支援処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１５は、図１４で示した変動量の算出処理（ステップＳ１４０５）の詳細な説明を示すフローチャートである。 図１６は、設計パターン群の一例を示す説明図である。 図１７は、設計パターンの露光シミュレーション結果の一例を示す説明図である。 図１８は、設計パターンの露光シミュレーション結果の変動量の一例を示す説明図である。 図１９は、実施の形態２にかかる設計支援装置３００による設計支援処理手順の一例を示すフローチャートである。

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる設計支援方法の実施の形態を詳細に説明する。

図１は、本発明の一例を示す説明図である。設計支援装置が、半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、選択パラメータを除く残余のパラメータと、による半導体層に関する設計パターンの露光シミュレーションを実行する。ここで、半導体層とは、露光データを用いてレジスト膜がＥＢ露光されることにより形成される層である。図１では、配線層が一例として挙げられている。複数の露光パラメータの決定基準である評価用パターンに含まれる少なくとも１つの配線情報の配線幅と、設計パターンが有する配線情報のうちの少なくとも１つの配線情報の配線幅とが同一値である。

つぎに、設計支援装置が、露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、複数の露光パラメータの決定基準である評価用パターンの露光シミュレーションでの許容範囲内であるか否かを判断する。そして、設計支援装置が、判断結果を出力する。

実施の形態１では、半導体層のＥＢ露光に関する複数の露光パラメータから、ＥＢ露光での影響が大きい露光パラメータを決定する例について説明する。実施の形態２では、実施の形態１で決定された露光パラメータを微少分ずらして設計パターンを露光シミュレーションし、該微少分の変化の影響が出やすいか否かによって、設計パターンを評価用パターンに含めるか否かを決定する例を示す。

（実施の形態１）
実施の形態１では、半導体層のＥＢ露光に関する複数の露光パラメータから、ＥＢ露光での影響が大きい露光パラメータを決定し、かつ許容範囲を設定する例について説明する。

（評価用パターン）
図２は、評価用パターンの一例を示す説明図である。たとえば、評価用パターン群２００の各評価用パターンは、半導体層に関する複数の露光パラメータの抽出に用いられるパターンであり、規則的なＬ＆Ｓの様々な組み合わせを網羅するように設計者により作成される。評価用パターン２０１の配線情報では配線幅と配線間隔とが同一値である。評価用パターン２０２の配線情報では配線間隔が配線幅の２倍である。評価用パターン２０３では１配線のみである。

たとえば、評価用パターン２０１〜評価用パターン２０３にはそれぞれ各配線の配線情報と配置間隔とが記述されている。たとえば、配線情報は配線幅、配置情報（座標）が記述されている。ここでは、評価用パターン２０１〜評価用パターン２０３内の各配線情報の配線幅がすべて６５［ｎｍ］であるとする。

また、図２中、評価用パターン２１１〜評価用パターン２１３は、それぞれ評価用パターン２０１〜評価用パターン２０３のデバイス測定の結果が含まれた情報である。評価用パターン２１１〜評価用パターン２１３内の配線情報は、配線幅と配置情報に加えて、ウエハ上での配線幅が記述されている。本実施の形態１では、評価用パターン２０１〜評価用パターン２０３を用いることとする。評価用パターン群２００はコンピュータがアクセス可能な記憶装置に記憶されていることとする。

（設計支援装置のハードウェア例）
図３は、設計支援装置のハードウェア例を示すブロック図である。図３において、設計支援装置３００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）３０１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ‐Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）３０２と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）３０３と、磁気ディスクドライブ３０４と、磁気ディスク３０５と、光ディスクドライブ３０６と、光ディスク３０７と、ディスプレイ３０８と、Ｉ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）３０９と、キーボード３１０と、マウス３１１と、スキャナ３１２と、プリンタ３１３と、を有している。また、各部はバス３１５によってそれぞれ接続されている。

ここで、ＣＰＵ３０１は、設計支援装置３００の全体の制御を司る。ＲＯＭ３０２は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。ＲＡＭ３０３は、ＣＰＵ３０１のワークエリアとして使用される。磁気ディスクドライブ３０４は、ＣＰＵ３０１の制御にしたがって磁気ディスク３０５に対するデータのリード／ライトを制御する。磁気ディスク３０５は、磁気ディスクドライブ３０４の制御で書き込まれたデータを記憶する。

光ディスクドライブ３０６は、ＣＰＵ３０１の制御にしたがって光ディスク３０７に対するデータのリード／ライトを制御する。光ディスク３０７は、光ディスクドライブ３０６の制御で書き込まれたデータを記憶したり、光ディスク３０７に記憶されたデータをコンピュータに読み取らせたりする。

ディスプレイ３０８は、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する。このディスプレイ３０８は、たとえば、ＣＲＴ、ＴＦＴ液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。

Ｉ／Ｆ３０９は、通信回線を通じてＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、インターネットなどのネットワーク３１４に接続され、このネットワーク３１４を介して他の装置に接続される。そして、Ｉ／Ｆ３０９は、ネットワーク３１４と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ３０９には、たとえばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。

キーボード３１０は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを備え、データの入力を行う。また、タッチパネル式の入力パッドやテンキーなどであってもよい。マウス３１１は、カーソルの移動や範囲選択、あるいはウィンドウの移動やサイズの変更などを行う。ポインティングデバイスとして同様に機能を備えるものであれば、トラックボールやジョイスティックなどであってもよい。

スキャナ３１２は、画像を光学的に読み取り、設計支援装置３００内に画像データを取り込む。なお、スキャナ３１２は、ＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｈａｒａｃｔｅｒ Ｒｅａｄｅｒ）機能を持たせてもよい。また、プリンタ３１３は、画像データや文書データを印刷する。プリンタ３１３には、たとえば、レーザプリンタやインクジェットプリンタを採用することができる。

（設計支援装置３００の機能ブロック図例）
図４は、設計支援装置３００の機能ブロック図である。設計支援装置３００は、選択部４０１と、実行部４０２と、算出部４０３と、決定部４０４と、設定部４０５と、出力部４０６と、実行部４１１と、算出部４１２と、判断部４１３と、決定部４１４と、出力部４１５と、を有している。選択部４０１〜出力部４０６と実行部４１１〜出力部４１５は、具体的には、たとえば、設計支援プログラム内にコーディングされている。該設計支援プログラムは、図３に示したＲＯＭ３０２、ＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置に記憶されることとする。ＣＰＵ３０１が、記憶装置から設計支援プログラムを読み出し、設計支援プログラム内にコーディングされている処理を実行することにより、選択部４０１〜出力部４０６と実行部４１１〜出力部４１５の処理は実現される。

選択部４０１〜出力部４０６の詳細については実施の形態１で説明し、実行部４１１〜出力部４１５の詳細については実施の形態２で説明する。

まず、選択部４０１は、複数の露光パラメータから対象パラメータを順に選択する。ここで、複数の露光パラメータとして、ある配線層に関する複数の露光パラメータを一例に挙げる。配線層に関する複数の露光パラメータは、該配線層より下層の半導体層に関するパラメータを含んでいる。配線層より下層の半導体層とは、たとえば、ホール層やシリコン層などが挙げられる。

具体的には、配線層に関する複数の露光パラメータは、配線層の酸化膜による電子の反射率（以下、「配線層酸化膜の反射率」と称する。）と、配線層による電子の反射率（以下、「配線層の反射率」と称する。）と、を例に挙げる。さらに、配線層に関する複数の露光パラメータは、ホール層酸化膜による電子の反射率（以下、「ホール層酸化膜の反射率」と称する。）と、ホール層による電子の反射率（以下、「ホール層の反射率」と称する。）と、を例に挙げる。さらに、配線層に関する複数の露光パラメータは、シリコン基盤による電子の反射係数（以下、「シリコン反射係数」と称する。）と、電子の前方散乱長（以下、「前方散乱長」と称する。）と、を例に挙げる。複数の露光パラメータについては、ＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置に記憶されていることとする。

つぎに、実行部４０２は、選択した対象パラメータごとに指定量（以下、「変化量」と称する。）分変化させた変化後の対象パラメータと、複数の露光パラメータから対象パラメータを除く残余のパラメータと、による評価用パターンごとに評価用パターンの露光シミュレーションを実行する。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、記憶装置に記憶された複数の露光パラメータのうちの未選択なパラメータから１つのパラメータを対象パラメータとして順に選択する。ＣＰＵ３０１が、たとえば、対象パラメータの値を±１０［％］変化させる。変化量の一例として±１０［％］を挙げているが、これに限らず、±５［％］や−５［％］と＋１０［％］としてもよいし、−１０［％］、−５［％］、±０［％］、＋５［％］、＋１０［％］と段階的に変化させてもよい。また、変化量をパーセンテージとしているが、具体的な数値であってもよい。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、−１０［％］変化させられた対象パラメータおよび残余のパラメータと評価用パターン２０１とを併せて露光シミュレータに与える。ＣＰＵ３０１が、−１０［％］変化させられた対象パラメータおよび残余のパラメータによる評価用パターン２０１の露光シミュレーションを実行する。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、＋１０［％］変化させられた対象パラメータおよび残余のパラメータと評価用パターン２０１を併せて露光シミュレータに与える。ＣＰＵ３０１が、＋１０［％］変化させられた対象パラメータおよび残余のパラメータによる評価用パターン２０１の露光シミュレーションを実行する。

また、たとえば、ＣＰＵ３０１が、評価用パターン２０２と評価用パターン２０３についても同様に露光シミュレーションを実行することとする。

図５は、各評価用パターンの露光シミュレーション結果の一例を示す説明図である。図５では、評価用パターンごとに、対象パラメータが変化させられていない複数の露光パラメータによる露光シミュレーション結果と、±１０［％］変化させられた対象パラメータと残余のパラメータによる露光シミュレーション結果と、が示されている。

具体的には、たとえば、対象パラメータが−１０［％］変化させられた場合の各露光シミュレーション結果の配線情報の配線幅は、対象パラメータが変化させられていない場合の露光シミュレーション結果と比較して細くなる。たとえば、対象パラメータが＋１０［％］変化させられた場合の各露光シミュレーション結果の配線情報の配線幅は、対象パラメータが変化させられていない場合の露光シミュレーション結果と比較して太くなる。

図４に戻って、算出部４０３は、対象パラメータを変化させていない複数の露光パラメータによる評価用パターンの露光シミュレーション結果に対して、対象パラメータごとの評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を算出する。出力部４０６は、算出結果を出力する。つぎに、図６を用いて算出部４０３による算出例と、出力部４０６による出力例を詳細に説明する。

図６は、評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量の一例を示す説明図である。グラフ６００は、各露光シミュレーション結果の配線情報の配線幅を示している。グラフ６００では、縦軸が配線幅であり、横軸が対象パラメータの変化量である。◆は、評価用パター２０１ンの露光シミュレーション結果を示し、■は、評価用パターン２０２の露光シミュレーション結果を示し、▲は、評価用パターン２０３の露光シミュレーション結果を示している。評価用パターンの露光シミュレーション結果が最も変動量が大きい。

露光シミュレーション結果の変動を調べるには、配線情報の中心部分の配線幅を対象とする。しかしながら、パラメータのずれによる影響は、配線情報の頂点部分の方が配線情報の中心部分よりも大きい。単に露光シミュレーション結果の差分をとるだけでは、頂点部分付近のみの差分が残ってしまい、配線情報の中心部分の配線幅を得ることができない。そこで、図７では、配線情報の頂点部分の大きな変動を無視しながら、配線幅の変動量を算出する例を挙げる。

図７は、変動量の算出例を示す説明図である。対象パラメータが変化させられた場合の第１の露光シミュレーション結果と、対象パラメータが変化させられていない場合の第２の露光シミュレーション結果とは、座標点列で表されたポリゴン形式のファイルとして、ＣＰＵ３０１が記憶装置に記憶させておく。

具体的には、たとえば、設計者が、図形論理処理機能を有するソフトウエアプログラムへ第１，２の露光シミュレーション結果を入力させる指示を設計支援装置３００へ入力する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、該指示を受け付けると、第１，２の露光シミュレーション結果を該ソフトウエアプログラムへ与え、該ソフトウエアプログラムを実行する。以降設計者がキーボード３１０やマウス３１１を介して指示を入力し、ＣＰＵ３０１が、該ソフトウエアプログラム上で（１）〜（６）の処理を実行することとする。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、（１）第１，２の露光シミュレーション結果を重ね、重ねた結果を出力する。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示およびＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置への記憶である。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、（２）論理演算機能によって、重ねた２つの露光シミュレーション結果の差分を算出し、差分結果を出力する。これにより、差分結果として差を表す輪郭のポリゴンデータが得られる。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示およびＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置への記憶である。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、（３）差分結果をマイナスサイジング機能で縮小する。設計者には差の大きな頂点部分だけが残るまで縮小指示を入力させ、ＣＰＵ３０１が、該縮小指示を受け付けている間、マイナスサイジング機能で縮小を繰り返し、マイナスサイジング結果を出力する。これにより、マイナスサイジング結果として差の大きな頂点部分のポリゴンデータが得られる。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示およびＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置への記憶である。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、（４）マイナスサイジング結果をプラスサイジング機能で縮小する。設計者には差の大きな頂点部分の差を覆い隠すまで拡大指示を入力させ、ＣＰＵ３０１が、該拡大指示を受け付けている間、プラスサイジング機能で拡大を繰り返し、プラスサイジング結果を出力する。これにより、プラスサイジング結果として差の大きな頂点部分の差を覆い隠すポリゴンデータが得られる。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示およびＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置への記憶である。

ＣＰＵ３０１が、（５）（２）で得られる差分結果と（４）で得られるプラスサイジング結果とを重ね、重ねた結果を出力する。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示およびＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置への記憶である。

ＣＰＵ３０１が、（６）（２）で得られる差分結果から（４）で得られるプラスサイジング結果を引き、引いた結果を出力する。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示およびＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置への記憶である。引いた結果は、２つの露光シミュレーション結果の配線情報の中心部分である。ＣＰＵ３０１が、該引いた結果の幅（図７中横方向のサイズ）を計測し、計測結果を２つの露光シミュレーション結果の変動量として出力する。出力形式としては、たとえば、ＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置への記憶である。

また、図８から図１３には各露光パラメータが±１０［％］、±５［％］に変化させられた場合の露光シミュレーション結果と、露光パラメータが変化させられていない（±０［％］）場合の露光シミュレーション結果との変動量を示す。

図８は、配線層酸化膜の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。グラフ８００では、配線層酸化膜の反射率を段階的に微少変化させた場合の評価用パターン群２００の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ８００では、縦軸がＣＤ（Ｃｒｏｓｓ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ；寸法変動量（単位：［ｎｍ］））であり、横軸が配線層酸化膜の反射率の値である。

グラフ８００では、配線層酸化膜の反射率の値が０．００２の場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果に対する、配線層酸化膜の反射率を変化させた場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ８００での変動量の最大値は−０．２〜０．２［ｎｍ］である。

図９は、配線層の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。グラフ９００では、配線層の反射率を段階的に微少変化させた場合の評価用パターン群２００の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ９００では、縦軸がＣＤ［ｎｍ］であり、横軸が配線層の反射率の値である。

グラフ９００では、配線層の反射率の値が０．０９の場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果に対する、配線層の反射率を変化させた場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ９００での変動量の最大値は−０．８〜０．８［ｎｍ］である。

図１０は、ホール層酸化膜の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。グラフ１０００では、ホール層酸化膜の反射率を段階的に微少変化させた場合の評価用パターン群２００の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１０００では、縦軸がＣＤ［ｎｍ］であり、横軸がホール層酸化膜の反射率の値である。

グラフ１０００では、ホール層酸化膜の反射率の値が０．００５の場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果に対して、ホール層酸化膜の反射率を変化させた場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１０００での変動量の最大値は−０．２〜０．２［ｎｍ］である。

図１１は、ホール層の反射率を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。グラフ１１００では、ホール層の反射率を段階的に微少変化させた場合の評価用パターン群２００の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１１００では、縦軸がＣＤ［ｎｍ］であり、横軸がホール層の反射率の値である。

グラフ１１００では、ホール層の反射率の値が０．６の場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果に対して、ホール層の反射率を変化させた場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１１００での変動量の最大値は−１．８〜１．６［ｎｍ］である。

図１２は、シリコン反射係数を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。グラフ１２００では、シリコン反射係数を段階的に微少変化させた場合の評価用パターン群２００の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１２００では、縦軸がＣＤ［ｎｍ］であり、横軸がシリコン反射係数の値である。

グラフ１２００では、シリコン反射係数の値が０．６の場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果に対して、シリコン反射係数を変化させた場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１２００での変動量の最大値は−２．２〜２．４［ｎｍ］である。

図１３は、前方散乱長を変化させた場合の変動量の一例を示す説明図である。グラフ１３００では、前方散乱長を段階的に微少変化させた場合の評価用パターン群２００の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１３００では、縦軸がＣＤ［ｎｍ］であり、横軸が前方散乱長の値である。

グラフ１３００では、前方散乱長の値が０．０２７５の場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果に対して、前方散乱長を変化させた場合の各評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を示している。グラフ１３００での変動量の最大値は−１．０〜１．０［ｎｍ］である。

つぎに、決定部４０４は、複数の露光パラメータのうち、算出部４０３により算出された変動量に応じて、設計パターン群の各設計パターンの露光シミュレーション時に変化させる露光パラメータを決定する。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、複数の露光パラメータから、算出した変動量が大きい３つの露光パラメータを設計パターン群の露光シミュレーション時に変化させる露光パラメータに決定する。ここでは、シリコン反射係数、ホール層の反射率、前方散乱長、である。また、変動量の大きい順に３つの露光パラメータを決定しているが、これに限らず、変動量が最大の露光パラメータのみを、変化させる露光パラメータに決定してもよい。また、設計者が、算出された変動量に応じて変化させる露光パラメータを決定することとしてもよい。

また、設定部４０５は、算出部４０３により算出された各変動量に応じて許容範囲を設定する。具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、露光パラメータごとの複数の変動量から最も大きい変動量を特定し、特定した変動量を許容範囲とする。ここでは、許容範囲は−２．２〜２．４［ｎｍ］となるが、これに限らず、たとえば、−２．２〜２．４［ｎｍ］にマージンを持たせてもよい。ＣＰＵ３０１が許容範囲を決定しているが、これに限らず、出力された変動量に応じて設計者が許容範囲を決定することとしてもよい。

（実施の形態１にかかる設計支援装置３００による設計支援処理手順）
図１４は、実施の形態１にかかる設計支援装置３００による設計支援処理手順の一例を示すフローチャートである。図１４では、対象パラメータを変化させる変化量が１つの場合の例を示している。まず、設計支援装置３００が、複数の露光パラメータのうち、未選択なパラメータがあるか否かを判断する（ステップＳ１４０１）。

設計支援装置３００が、未選択なパラメータがあると判断した場合（ステップＳ１４０１：Ｙｅｓ）、未選択なパラメータから１つのパラメータ（対象パラメータ）を選択し（ステップＳ１４０２）対象パラメータを指定量変化させる（ステップＳ１４０３）。設計支援装置３００が、指定量変化させた対象パラメータと、複数の露光パラメータのうちの対象パラメータを除く残余のパラメータと、により各評価用パターンの露光シミュレーションを実行する（ステップＳ１４０４）。

設計支援装置３００が、指定量変化させられた対象パラメータと、残余のパラメータとによる評価用パターンの露光シミュレーション結果と、複数の露光パラメータによる露光シミュレーショ結果との変動量の算出処理を実行する（ステップＳ１４０５）。そして、設計支援装置３００が、ステップＳ１４０１へ戻る。

設計支援装置３００が、未選択なパラメータがないと判断した場合（ステップＳ１４０１：Ｎｏ）、複数の露光パラメータから変動量が大きい順に３つの露光パラメータを設計パターンの露光シミュレーション時に変化させる露光パラメータに決定する（ステップＳ１４０６）。そして、設計支援装置３００が、変動量の最大値を許容範囲に設定し（ステップＳ１４０７）、一連の処理を終了する。

図１５は、図１４で示した変動量の算出処理（ステップＳ１４０５）の詳細な説明を示すフローチャートである。まず、設計支援装置３００が、指定量変化させられた対象パラメータと、残余のパラメータとによる評価用パターンの露光シミュレーション結果と、複数の露光パラメータによる露光シミュレーショ結果との差分を算出する（ステップＳ１５０１）。設計支援装置３００が、差分結果を出力し（ステップＳ１５０２）、所定サイズ分のマイナスサイジングを実行し（ステップＳ１５０３）、継続するか否かを判断する（ステップＳ１５０４）。継続するか否かについては、設計者が設計支援装置３００へ入力するマイナスサイジングの指示に応じて判断されることとする。

設計支援装置３００が、継続すると判断した場合（ステップＳ１５０４：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５０３へ戻り、継続しないと判断した場合（ステップＳ１５０４：Ｎｏ）、マイナスサイジング結果を出力する（ステップＳ１５０５）。設計支援装置３００が、所定サイズ分のプラスサイジングを実行し（ステップＳ１５０６）、継続するか否かを判断する（ステップＳ１５０７）。継続するか否かについては、設計者が設計支援装置３００へ入力するプラスサイジングの指示に応じて判断されることとする。

設計支援装置３００が、継続すると判断した場合（ステップＳ１５０７：Ｙｅｓ）、ステップＳ１５０６へ戻り、継続しないと判断した場合（ステップＳ１５０７：Ｎｏ）、プラスサイジング結果を出力する（ステップＳ１５０８）。設計支援装置３００が、差分結果からプラスサイジング結果を引いて（ステップＳ１５０９）、引いた結果の幅を測定し（ステップＳ１５１０）、測定結果を変動量として出力し（ステップＳ１５１１）、Ｓ１４０１へ戻る。

（実施の形態２）
実施の形態２では、実施の形態１で決定された対象パラメータを微少分ずらして設計パターンを露光シミュレーションし、該微少分の変化の影響が出やすいか否かによって、設計パターンを評価用パターンに含めるか否かを決定する例を示す。

（設計パターン）
図１６は、設計パターン群の一例を示す説明図である。設計パターン群１６００は、たとえば、配線層に関するマスク用の半導体集積回路全体の設計パターンから抜き出された部分設計パターンの集合である。図１６では、設計パターン群１６００は、設計パターン１６０１と、設計パターン１６０２と、設計パターン１６０３とを有している。

設計パターン群１６００に含まれる各設計パターンは、たとえば、評価用パターン群２００に含まれていないパターンであり、ロジック系の設計パターンとメモリ系の設計パターンのそれぞれの設計パターンのうちの配線幅が大きなパターンである。また、たとえば、設計パターン群１６００の各設計パターンには、評価用パターン群２００の各評価用パターンが有している配線情報の配線幅と同一配線幅である配線情報を少なくとも１つ有していることとする。設計パターン群１６００は、ＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置に記憶されていることとする。

図４に戻って、実行部４１１は、複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを除く残余のパラメータと、による各設計パターンの露光シミュレーションを実行する。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、設計パターン群１６００のうちの設計パターン１６０１を選択する。つぎに、ＣＰＵ３０１が、たとえば、シリコン反射係数、ホール層の反射率、前方散乱長、のうち、シリコン反射係数を選択パラメータとする。具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、選択パラメータの値を±１０［％］変化させる。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、−１０［％］変化させられた選択パラメータおよび残余のパラメータと設計パターン１６０１とを併せて露光シミュレータに与える。ＣＰＵ３０１が、−１０［％］変化させられた選択パラメータおよび残余のパラメータによる露光シミュレーションを実行する。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、＋１０［％］変化させられた選択パラメータおよび残余のパラメータと設計パターン１６０１とを併せて露光シミュレータに与える。ＣＰＵ３０１が、＋１０［％］変化させられた選択パラメータおよび残余のパラメータによる露光シミュレーションを実行する。また、ＣＰＵ３０１が、設計パターン１６０２と設計パターン１６０３についても同様に、露光シミュレーションを実行する。

図１７は、設計パターンの露光シミュレーション結果の一例を示す説明図である。図１７では、設計パターンごとに、複数の露光パラメータによる露光シミュレーション結果と、±１０［％］変化させられた対象パラメータと残余のパラメータによる露光シミュレーション結果と、が示されている。

−１０［％］変化させられた対象パラメータと残余のパラメータとによる設計パターン１６０２の露光シミュレーション結果では、配線幅が細くなりすぎる傾向がある。＋１０［％］させられた対象パラメータと残余のパラメータとによる設計パターン１６０３の露光シミュレーション結果では、配線幅が太くなりすぎる傾向がある。

また、いずれの露光パラメータも変化させられていない複数の露光パラメータによる各設計パターンの露光シミュレーション結果については、予め露光シミュレーションを実行し、記憶装置に記憶させておくこととする。

図４に戻って、算出部４１２は、選択パラメータを変化させていない複数の露光パラメータによる設計パターンの露光シミュレーション結果に対する、実行部４１１により実行された露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果の変動量を算出する。算出部４１２による変動量算出の詳細例は、実施の形態１で説明した算出部４１２による変動量算出の詳細例と同一であるため、ここでは、詳細な説明を省略する。

判断部４１３は、算出部４１２により算出された変動量が設定部４０５により設定された許容範囲内であるか否かを判断する。出力部４１５は、判断部４１３による判断結果を出力する。決定部４１４は、判断部４１３による判断結果に応じて、各設計パターンを評価用パターンにするか否かを決定する。出力部４１５は、決定部４１４による決定結果を出力する。

図１８は、設計パターンの露光シミュレーション結果の変動量の一例を示す説明図である。グラフ１８００は、各設計パターンの露光シミュレーション結果の配線情報の配線幅を示している。グラフ１８００では、縦軸が配線幅であり、横軸が選択パラメータの変化量である。◆は、選択パラメータの各変化量での設計パターン１６０１の露光シミュレーション結果の配線幅を示している。■は、選択パラメータの各変化量での設計パターン１６０２の露光シミュレーション結果の配線幅を示している。▲は、選択パラメータの各変化量での設計パターン１６０３の露光シミュレーション結果の配線幅を示している。

実施の形態１で決定された許容範囲は−２．２〜２．４［ｎｍ］である。具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、各設計パターンの露光シミュレーション結果の変動量が−２．２〜２．４［ｎｍ］内であるか否かを判断し、判断結果を出力する。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示、プリンタ３１３への印刷出力、Ｉ／Ｆ３０９による外部装置への送信がある。また、ＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置に記憶することとしてもよい。

選択パラメータを変化させていない場合の設計パターン１６０２の露光シミュレーションに対する、選択パラメータを−１０［％］変化させた場合の設計パターン１６０２の露光シミュレーション結果の変動量が−２．２〜２．４［ｎｍ］内ではない。選択パラメータを変化させていない場合の設計パターン１６０３の露光シミュレーションに対する、選択パラメータを＋１０［％］変化させた場合の設計パターン１６０３の露光シミュレーション結果の変動量が−２．２〜２．４［ｎｍ］内ではない。

具体的には、たとえば、ＣＰＵ３０１が、判断結果により、設計パターン１６０２と設計パターン１６０３を評価用パターン群２００に入れることを決定し、決定結果を出力する。出力形式としては、たとえば、ディスプレイ３０８への表示、プリンタ３１３への印刷出力、Ｉ／Ｆ３０９による外部装置への送信がある。また、ＲＡＭ３０３、磁気ディスク３０５、光ディスク３０７などの記憶装置に記憶することとしてもよい。

また、設計支援装置３００が設計パターン１６０２と設計パターン１６０３を評価用パターン群２００に入れることを決定しているが、これに限らず、許容範囲内であるかの判断結果によって設計者が決定してもよい。

（実施の形態２にかかる設計支援装置３００による設計支援処理手順）
図１９は、実施の形態２にかかる設計支援装置３００による設計支援処理手順の一例を示すフローチャートである。まず、設計支援装置３００が、設計パターン群１６００のうち、未選択な設計パターンがあるか否かを判断する（ステップＳ１９０１）。設計支援装置３００が、設計パターン群１６００のうち、未選択な設計パターンがあると判断した場合（ステップＳ１９０１：Ｙｅｓ）、未選択な設計パターンから、１つの設計パターン（選択設計パターン）を選択する（ステップＳ１９０２）。

設計支援装置３００が、決定部４０４により決定された露光パラメータのうち、未選択なパラメータがあるか否かを判断する（ステップＳ１９０３）。設計支援装置３００が、未選択なパラメータから１つのパラメータ（選択パラメータ）を選択し（ステップＳ１９０４）、選択パラメータを指定量変化させる（ステップＳ１９０５）。

設計支援装置３００が、指定量変化させられた選択パラメータと、複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを除く残余のパラメータと、により選択設計パターンの露光シミュレーションを実行する（ステップＳ１９０６）。ここで、いずれの露光パラメータも変化させられていない場合の選択設計パターンの露光シミュレーション結果についてはあらかじめ記憶装置に記憶されていることとする。設計支援装置３００が、該選択設計パターンの露光シミュレーション結果に対する選択パラメータが指定量変化させられた場合の選択設計パターンの露光シミュレーション結果の変動量の算出処理を実行する（ステップＳ１９０７）。設計支援装置３００が、ステップＳ１９０のつぎに、ステップＳ１９０３へ戻る。

設計支援装置３００が、決定された露光パラメータのうち、未選択なパラメータがないと判断した場合（ステップＳ１９０３：Ｎｏ）、選択設計パターンの露光シミュレーション結果から算出された変動量のうち、許容範囲内でない変動量があるか否かを判断する（ステップＳ１９０８）。設計支援装置３００が、選択設計パターンの露光シミュレーション結果から算出された変動量のうち、許容範囲内でない変動量がないと判断した場合（ステップＳ１９０８：Ｎｏ）、変動量が許容範囲内でないであることを出力する（ステップＳ１９０９）。設計支援装置３００が、ステップＳ１９０９のつぎに、ステップＳ１９０１へ戻る。

設計支援装置３００が、選択設計パターンの露光シミュレーション結果から算出された変動量のうち、許容範囲内でない変動量があると判断した場合（ステップＳ１９０８：Ｙｅｓ）、許容範囲内でない変動量があることを出力する（ステップＳ１９１０）。設計支援装置３００が、選択設計パターンを評価用パターンに含めると決定し（ステップＳ１９１１）、決定結果を出力し（ステップＳ１９１２）、ステップＳ１９０１へ戻る。

設計支援装置３００が、設計パターン群１６００のうち、未選択な設計パターンがないと判断した場合（ステップＳ１９０１：Ｎｏ）、一連の処理を終了する。ステップＳ１９０７の変動量の算出処理は、図１４で示したステップＳ１４０５の変動量の算出処理と同一処理であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

以上説明したように、設計支援方法によれば、設計パターンが、選択した露光パラメータの微小なずれに対して露光シミュレーションした結果の変動が激しいか否かを判断する。これにより、評価用パターンに不足しているパターンを特定することができ、設計者が評価用パターンに不足分のパターンを追加することができる。また、±１０［％］程度の微少なずれによる変動が激しい設計パターンがあれば、露光パラメータの精度が低い可能性があるため、精度の低い露光パラメータを特定できる。そして、評価用パターンに不足分のパターンが追加されることで、より正確な露光パラメータを抽出することができ、製品の特性や歩留まりの向上に寄与することができる。

また、半導体層が配線層の場合、露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果のうちの配線情報から頂点部分の配線情報を除いた配線情報が、許容範囲内であるか否かを判断する。これにより、露光パラメータのずれによる影響の大きい配線情報の頂点部分を除くことで、正確な配線幅を得ることができ、判断の精度を向上させることができる。

また、選択した露光パラメータを変化させずに露光シミュレーションした結果に対する、選択した露光パラメータを変化させて露光シミュレーションした結果の変動量を算出し、変動量が許容範囲内であるかを判断する。これにより、選択した露光パラメータの微少なずれによる影響を相対的に判断することができる。

また、配線層の場合、選択した露光パラメータを変化させずに露光シミュレーションした結果の配線情報に対する、選択した露光パラメータを変化させて露光シミュレーションした結果の配線情報の変動量の算出時に、配線情報の頂点部分の配線情報を除く。これにより、露光パラメータのずれによる影響の大きい配線情報の頂点部分を除くことで、正確な配線幅を得ることができ、判断の精度を向上させることができる。

また、設計パターンの露光シミュレーション結果が許容範囲内であると判断した場合、設計パターンを評価用パターンに追加する。これにより、評価用パターンに不足しているパターンを自動で追加することができ、設計者の手間を省くことができる。

また、選択した露光パラメータを変化させた場合の評価用パターンの露光シミュレーション結果に応じて、許容範囲を設定する。これにより、評価用パターンの露光シミュレーション結果と比較して、選択した露光パラメータのずれに対する影響が大きい設計パターンのみを特定することができる。不要な設計パターンを評価用パターンに追加するのを防止することができる。

また、いずれのパラメータも変化させていない場合の評価用パターンの露光シミュレーション結果に対する、選択した露光パラメータを変化させた場合の評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を算出し、変動量に応じて許容範囲を設定する。これにより、選択した露光パラメータの微少なずれによる影響を相対的に判断することができる。

また、すべての設計パターンに対して、すべての露光パラメータを順に変化させるのは時間がかかる。そこで、評価用パターンの露光シミュレーションにおいて変化の影響が大きい露光パラメータを、設計パターンの露光シミュレーション時に変化させる露光パラメータにする。これにより、設計時間を短縮化することができる。

また、対象パラメータごとの評価用パターンの露光シミュレーション結果に応じて許容範囲を設定する。これにより、評価用パターンの露光シミュレーション結果と比較して、選択した露光パラメータのずれに対する影響が大きい設計パターンのみを特定することができる。不要な設計パターンを評価用パターンに追加するのを防止することができる。

また、いずれのパラメータも変化させていない場合の評価用パターンの露光シミュレーション結果に対する、選択した露光パラメータを変化させた場合の評価用パターンの露光シミュレーション結果の変動量を算出し、変動量に応じて許容範囲を設定する。これにより、選択した露光パラメータの微少なずれによる影響を相対的に判断することができる。

なお、本実施の形態で説明した設計支援方法は、予め用意された設計支援プログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。本設計支援プログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤ等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。また本設計支援プログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布してもよい。

上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）コンピュータが、
半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、前記複数の露光パラメータのうちの前記選択パラメータを除く残余のパラメータと、による前記半導体層に関する設計情報の露光シミュレーションを実行し、
前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、前記複数の露光パラメータの決定基準である評価用情報の露光シミュレーションでの許容範囲内であるか否かを判断し、
判断結果を出力する、
ことを特徴とする設計支援方法。

（付記２）前記半導体層が配線層の場合、前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果のうちの配線情報から頂点部分の配線情報を除いた配線情報が、前記許容範囲内であるか否かを判断し、
判断結果を出力する、
ことを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。

（付記３）前記複数の露光パラメータのいずれの露光パラメータも変化させていない前記複数の露光パラメータによる前記設計情報の露光シミュレーション結果に対する前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果の変動量を算出し、
前記変動量が前記許容範囲内であるか否かを判断し、
判断結果を出力する、
ことを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。

（付記４）前記複数の露光パラメータのいずれの露光パラメータも変化させていない前記複数の露光パラメータによる前記設計情報の露光シミュレーション結果のうちの配線情報から頂点部分の配線情報を除いた配線情報に対する、前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果のうちの配線情報から頂点部分の配線情報を除いた配線情報の変動量を算出し、
前記変動量が前記許容範囲内であるか否かを判断し、
判断結果を出力する、
ことを特徴とする付記１に記載の設計支援方法。

（付記５）前記判断結果に応じて、前記設計情報を前記半導体層に関する前記評価用情報にするか否かを決定し、
決定結果を出力する、
ことを特徴とする付記１乃至４のいずれか一つに記載の設計支援方法。

（付記６）前記変化後の選択パラメータと前記残余のパラメータとによる前記評価用情報の露光シミュレーションを実行し、
前記評価用情報の露光シミュレーション結果に応じて前記許容範囲を設定する、
ことを特徴とする付記１乃至５のいずれか一つに記載の設計支援方法。

（付記７）前記選択パラメータを変化させていない前記複数の露光パラメータによる前記評価用情報の露光シミュレーション結果に対する前記評価用情報の露光シミュレーション結果の変動量を算出し、
前記変動量に応じて前記許容範囲を設定する、
ことを特徴とする付記６に記載の設計支援方法。

（付記８）前記複数の露光パラメータから対象パラメータを順に選択し、
選択した前記対象パラメータごとに前記指定量分変化させた変化後の対象パラメータと、前記複数の露光パラメータから前記対象パラメータを除く残余のパラメータと、による前記評価用情報の露光シミュレーションを実行し、
前記対象パラメータごとの前記評価用情報の露光シミュレーション結果に応じて、前記複数の露光パラメータから前記選択パラメータを決定する、
ことを特徴とする付記１乃至５のいずれか一つに記載の設計支援方法。

（付記９）前記対象パラメータごとの前記評価用情報の露光シミュレーション結果に応じて前記許容範囲を設定する、
ことを特徴とする付記８に記載の設計支援方法。

（付記１０）いずれの露光パラメータも変化させていない前記複数の露光パラメータによる前記評価用情報の露光シミュレーション結果に対する前記対象パラメータごとの前記評価用情報の露光シミュレーション結果の変動量を算出し、
前記対象パラメータごとの前記変動量に応じて前記許容範囲を設定する、
ことを特徴とする付記８または９に記載の設計支援方法。

（付記１１）半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、前記複数の露光パラメータのうちの前記選択パラメータを除く残余のパラメータと、による前記半導体層に関する設計情報の露光シミュレーションを実行し、
前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、前記複数の露光パラメータの決定基準である評価用情報の露光シミュレーションでの許容範囲内であるか否かを判断し、
判断結果を出力する、
処理をコンピュータに実行させることを特徴とする設計支援プログラム。

（付記１２）半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、前記複数の露光パラメータのうちの前記選択パラメータを除く残余のパラメータと、による前記半導体層に関する設計情報の露光シミュレーションを実行する実行手段と、
前記実行手段によって露光シミュレーションされた露光シミュレーション結果が、前記複数の露光パラメータの決定基準である評価用情報の露光シミュレーションでの許容範囲内であるか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段による判断結果を出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする設計支援装置。

２０１，２０２，２０３ 評価用パターン
３００ 設計支援装置
１６０１，１６０２，１６０３ 設計パターン

Claims (7)

1. コンピュータが、
   半導体層に関する複数の露光パラメータのうちの選択パラメータを指定量分変化させた変化後の選択パラメータと、前記複数の露光パラメータのうちの前記選択パラメータを除く残余のパラメータと、による前記半導体層に関する設計情報の露光シミュレーションを実行し、
   前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果が、前記複数の露光パラメータの決定基準である評価用情報の露光シミュレーションでの許容範囲内であるか否かを判断し、
   判断結果を出力する、
   ことを特徴とする設計支援方法。
2. 前記複数の露光パラメータのいずれの露光パラメータも変化させていない前記複数の露光パラメータによる前記設計情報の露光シミュレーション結果に対する前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果の変動量を算出し、
   前記変動量が前記許容範囲内であるか否かを判断し、
   判断結果を出力する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
3. 前記複数の露光パラメータのいずれの露光パラメータも変化させていない前記複数の露光パラメータによる前記設計情報の露光シミュレーション結果のうちの配線情報から頂点部分の配線情報を除いた配線情報に対する、前記露光シミュレーションによる露光シミュレーション結果のうちの配線情報から頂点部分の配線情報を除いた配線情報の変動量を算出し、
   前記変動量が前記許容範囲内であるか否かを判断し、
   判断結果を出力する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の設計支援方法。
4. 前記判断結果に応じて、前記設計情報を前記半導体層に関する前記評価用情報にするか否かを決定し、
   決定結果を出力する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の設計支援方法。
5. 前記複数の露光パラメータから対象パラメータを順に選択し、
   選択した前記対象パラメータごとに前記指定量分変化させた変化後の対象パラメータと、前記複数の露光パラメータから前記対象パラメータを除く残余のパラメータと、による前記評価用情報の露光シミュレーションを実行し、
   前記対象パラメータごとの前記評価用情報の露光シミュレーション結果に応じて、前記複数の露光パラメータから前記選択パラメータを決定する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の設計支援方法。
6. 前記対象パラメータごとの前記評価用情報の露光シミュレーション結果に応じて前記許容範囲を設定する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の設計支援方法。
7. いずれの露光パラメータも変化させていない前記複数の露光パラメータによる前記評価用情報の露光シミュレーション結果に対する前記対象パラメータごとの前記評価用情報の露光シミュレーション結果の変動量を算出し、
   前記対象パラメータごとの前記変動量に応じて前記許容範囲を設定する、
   ことを特徴とする請求項５または６に記載の設計支援方法。

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