JP2012195597A - 構造部のミル処理断面の局部的変化を制御する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。
【選択図】図7
Description
Claims (31)
- 第1の材料で構成される構造部の平坦断面を露出させる方法であって、
前記構造部に前駆体ガスを誘導するステップであって、前記前駆体ガスは、イオンビームの存在下で分解するステップと、
前記前駆体ガスに、イオンビームを誘導して、前記構造部に第2の材料の層を成膜するステップであって、
前記第2の材料は、より大きな入射角において、該より大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度と同等または僅かに大きなミル処理速度を有し、前記入射角は、前記イオンビームが入射される前記構造部の表面の垂線に対する前記イオンビームの角度を有するステップと、
前記構造部に前記イオンビームを誘導するステップと、
前記構造部の断面を露出させるため、前記第1の材料および前記第2の材料を有する前記構造部をミル処理するステップであって、これにより前記露出断面に均一な平坦面が形成されるステップと、
を有し、
前記断面の少なくとも一部は、前記第2の材料の前記ミル処理速度が、前記第1の材料のミル処理速度と同等または僅かに大きくなるような入射角で、前記構造部をミル処理することにより形成されることを特徴とする方法。 - 前記第2の材料は、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における第1の材料のミル処理速度に比べて、同等または僅かに大きなミル処理速度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の材料は、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における第1の材料のミル処理速度とほぼ同等のミル処理速度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の材料は、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における第1の材料のミル処理速度に比べて、同等または僅かに大きなミル処理速度を有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記構造部は、磁気ディスクシステム用の記録ヘッドを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の材料は、NiとFeの合金を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の材料は、炭素を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 第1の材料で構成される構造部の断面寸法を測定する方法であって、
前記構造部に前駆体ガスを誘導するステップであって、前記前駆体ガスは、イオンビームの存在下で分解するステップと、
前記前駆体ガスに、イオンビームを誘導して、前記構造部に第2の材料の層を成膜するステップであって、前記第2の材料は、より大きな入射角において、該より大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度と同等または僅かに大きなミル処理速度を有し、前記入射角は、前記イオンビームが入射される前記構造部の表面の垂線に対する前記イオンビームの角度を有するステップと、
前記構造部および前記第2の材料の層の平坦断面を露出させるため、前記第1の材料および前記第2の材料を有する前記構造部にイオンビームを誘導するステップであって、前記断面の少なくとも一部は、前記第2の材料の前記ミル処理速度が、前記第1の材料のミル処理速度と同等または僅かに大きくなるような入射角で、前記構造部に前記イオンビームを誘導することにより形成される、ステップと、
前記平坦断面に電子ビームを誘導するステップと、
所望の断面寸法の端部位置を定めるステップと、
前記端部位置の間の距離を定めるステップと、
を有する方法。 - 前記第2の材料は、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度とほぼ同等か僅かに大きなミル処理速度を有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記第2の材料は、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度に比べて、同等または僅かに大きなミル処理速度を有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第2の材料は、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度とほぼ同等のミル処理速度を有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記第2の材料は、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度に比べて、同等または僅かに大きなミル処理速度を有することを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記第1の材料は、NiとFeの合金を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記第2の材料は、炭素を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記構造部および前記第2の材料の層の平坦断面を露出させるため、前記構造部にイオンビームを誘導するステップは、集束イオンビームによってミル処理するステップを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記断面の端部位置を定めるステップは、画像形成装置に、前記断面の像を形成するステップと、グレーレベルの変化に基づいて、端部位置を定めるアルゴリズムを適用するステップとを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 第2の材料で構成される構造部に、該構造部の断面の局部的な変化を制御するため、ミル処理の前に保護層として設置される第1の材料を選択する方法であって、
所望の断面形状を定めるステップと、
より大きな入射角での、前記第2の材料の近似的なミル処理速度を定めるステップであって、前記入射角は、イオンビームが入射される前記構造部の表面の垂線に対するイオンビームの角度を有するステップと、
前記より大きな入射角において、所望の断面形状を形成し得るミル処理速度を有する既知の材料から、第1の材料を選択するステップと、
を有する方法。 - 前記所望の断面形状は、均一な平坦断面を有することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記既知の材料から、第1の材料を選択するステップは、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度とほぼ同等のミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記既知の材料から、第1の材料を選択するステップは、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における前記第2の材料のミル処理速度に比べて、同等または僅かに大きなミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記既知の材料から、第1の材料を選択するステップは、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度とほぼ同等のミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記既知の材料から、第1の材料を選択するステップは、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における前記第2の材料のミル処理速度に比べて、同等または僅かに大きなミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記所望の断面形状は、非平坦断面を有することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記既知の材料から第1の材料を選択するステップは、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記既知の材料から第1の材料を選択するステップは、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記所望の断面形状は、凹部を有する断面を有することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記既知の材料から第1の材料を選択するステップは、45゜よりも大きな入射角において、該45゜よりも大きな入射角における前記第2の材料のミル処理速度に比べて、実質的に小さなミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記既知の材料から第1の材料を選択するステップは、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における前記第2の材料のミル処理速度に比べて、実質的に小さなミル処理速度を有する第1の材料を選択するステップを有することを特徴とする請求項26に記載の方法。
- パーマロイで構成される構造部の幅を測定する方法であって、
構造部に炭素層をコーティングするステップと、
平坦な断面を露出させるため、構造部に帯電粒子ビームを誘導するステップと、
前記断面に電子ビームを誘導するステップと、
前記構造部の断面の幅を測定するステップと、
を有する方法。 - 第1の材料で構成される構造部の断面寸法を測定する装置であって、
前記構造部に第2の材料の層を成膜する手段であって、前記第2の材料の層は、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における第1の材料のミル処理速度と同等または僅かに大きなミル処理速度を有し、前記入射角は、イオンビームが入射される前記構造部の表面の垂線に対する前記イオンビームの角度を有する手段と、
前記第1の材料および前記第2の材料を有する前記構造部の断面をミル処理する手段であって、前記構造部の断面の少なくとも一部は、75゜よりも大きな入射角でミル処理される手段と、
前記構造部の断面を結像する手段と、
前記第1および第2の材料の間の、2または3以上の境界の間の距離を測定する手段と、
を有する装置。 - 第1の材料で構成される構造部と、
該構造部を被覆する第2の材料の層であって、前記第2の材料は、75゜よりも大きな入射角において、該75゜よりも大きな入射角における前記第1の材料のミル処理速度と同等または僅かに大きなミル処理速度を有する、第2の材料の層と、
前記構造部および前記層の垂直露出断面と、
を有する半導体構造。
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