JP2012195373A - 磁気デバイス及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本磁気デバイスは、電極10と、電極10上に形成された磁気抵抗素子20とを備える磁気デバイスであって、電極10は、タンタルを含む第1金属層12と、第1金属層12上に設けられ、磁気抵抗素子20を構成する材料のうち少なくとも1つの同じ成分を含み、かつ当該同じ成分はCuより拡散しにくく、当該同じ成分を含む非結晶の合金を材料とするバッファ層16と、バッファ層16上に設けられ、タンタルを含む第2金属層18と、を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
12 第1金属層
14 低抵抗層
16 バッファ層
18 第2金属層
20 MTJ層
22 反強磁性層
24 積層フェリー固定層
30 トンネルバリア層
32 自由層
40 上部電極
50 ハードマスク
60 基板
68 絶縁膜
Claims (7)
- 電極と、前記電極上に形成された磁気抵抗素子とを備える磁気デバイスであって、
前記電極は、
タンタルを含む第1金属層と、
前記第1金属層上に設けられ、前記磁気抵抗素子を構成する材料のうち少なくとも1つの同じ成分を含み、かつ前記同じ成分はCuより拡散しにくく、前記同じ成分を含む非結晶の合金を材料とするバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられ、タンタルを含む第2金属層と、を有することを特徴とする磁気デバイス。 - 前記電極は、
前記第1金属層と前記バッファ層との間に設けられ、前記磁気抵抗素子を構成する材料のうち少なくとも1つの同じ成分を含み、前記第1金属層より比抵抗の小さい低抵抗層を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気デバイス。 - 前記磁気抵抗素子及び前記低抵抗層はルテニウムを含み、
前記磁気抵抗素子及び前記バッファ層はタンタルを含むことを特徴とする請求項2に記載の磁気デバイス。 - 前記バッファ層は、TaB、TaSi、TaGe、TaW、またはCoFeBTaのいずれかを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気デバイス。
- 前記磁気抵抗素子は、磁気トンネル接合素子または巨大磁気抵抗効果素子を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の磁気デバイス。
- タンタルを含む第1金属層を形成する工程と、
前記第1金属層上に、前記磁気抵抗素子を構成する材料のうち少なくとも1つの同じ成分を含み、かつ前記同じ成分はCuより拡散しにくく、前記同じ成分を含む非結晶の合金を材料とするバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上にタンタルを含む第2金属層を形成する工程と、を含む工程により電極を形成する工程と、
前記電極上に磁気抵抗素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 反応性イオンエッチングにより、前記磁気抵抗素子をエッチングする工程をさらに有することを特徴とする請求項6に記載の磁気デバイスの製造方法。
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