JP5696537B2 - 磁気デバイス及び製造方法 - Google Patents
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Description
12 第1金属層
14 低抵抗層
16 バッファ層
18 第2金属層
20 MTJ層
22 反強磁性層
24 積層フェリー固定層
30 トンネルバリア層
32 自由層
40 上部電極
50 ハードマスク
60 基板
68 絶縁膜
Claims (7)
- 電極と、前記電極上に形成された磁気抵抗素子とを備える磁気デバイスであって、
前記電極は、
タンタルを含む第1金属層と、
前記第1金属層上に設けられ、前記磁気抵抗素子を構成する材料のうち少なくとも1つの同じ成分を含み、かつ前記同じ成分はCuより拡散しにくく、前記同じ成分を含む非結晶の合金を材料とするバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられ、タンタルを含み、非晶質の第2金属層と、
前記第1金属層と前記バッファ層との間に設けられ、前記第1金属層より比抵抗が小さく、柱状の結晶性を有する低抵抗層と、
を有することを特徴とする磁気デバイス。 - 前記磁気抵抗素子及び前記低抵抗層はルテニウムを含み、
前記磁気抵抗素子及び前記バッファ層はタンタルを含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気デバイス。 - 前記バッファ層は、TaB、TaSi、TaGe、TaW、またはCoFeBTaのいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の磁気デバイス。
- 前記バッファ層はCoFeBTa層であり、
前記低抵抗層はRu層であることを特徴とする請求項1に記載の磁気デバイス。 - 前記磁気抵抗素子は、磁気トンネル接合素子または巨大磁気抵抗効果素子を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の磁気デバイス。
- タンタルを含む第1金属層を形成する工程と、
前記第1金属層上に、前記第1金属層より比抵抗が小さく、柱状の結晶性を有する低抵抗層を形成する工程と、
前記低抵抗層上に、磁気抵抗素子を構成する材料のうち少なくとも1つの同じ成分を含み、かつ前記同じ成分はCuより拡散しにくく、前記同じ成分を含む非結晶の合金を材料とするバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上にタンタルを含み、非晶質の第2金属層を形成する工程と、を含む工程により電極を形成する工程と、
前記電極上に前記磁気抵抗素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 反応性イオンエッチングにより、前記磁気抵抗素子をエッチングする工程をさらに有することを特徴とする請求項6に記載の磁気デバイスの製造方法。
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