JP2012189656A - 分版装置、分版方法、プログラム、記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分版装置1は、ハイトフィールドデータ(目標形状)25を閾値により2値化し、マスクデータ26を生成するマスクデータ生成手段21と、ハイトフィールドデータ(エッチング対象)29について、マスクデータ26に基づくエッチングシミュレーションを行い、エッチング後のハイトフィールドデータ(エッチング対象)28を作成するエッチングシミュレーション手段23と、エッチング後のハイトフィールドデータ(エッチング対象)29の形状と、ハイトフィールドデータ(テクスチュア)30の形状の差分形状のハイトフィールドデータ31を算出する差分形状算出手段24と、を具備し、ハイトフィールドデータ(目標形状)25として、差分形状のハイトフィールドデータ31を用いる。
【選択図】図2
Description
なお、各マスクデータによるエッチング時の腐食深度は、最終的なエッチングの完了時にエンボス版の表面65に形成される最大深度(予め定めておく)と、各マスクデータ63の生成の際に用いた閾値61の値により定められる。例えば、テクスチュアのハイトフィールドデータ60の最大階調値である256を上記最大深度に対応させ、この階調値に対する上記の閾値61の比率に応じて、上記最大深度に対し、マスクデータ63を用いたエッチングの際の腐食深度を定めておく。
従来の方法では、n個のマスクデータを用いてn回のエッチングを行うことによりn+1段の窪みを有するエンボス版が形成されるが、マスクデータ作成やエッチングの際のコストを低減しつつ、テクスチュアの表面の凹凸形状をエンボス版の表面により精密に再現するためには、より少ないマスクデータ(エッチング回数)でより多くの段数の窪みを有するエンボス版が形成できることが望ましい。
従来のように全てのマスクデータをテクスチュアのハイトフィールドデータの多値化により作成する場合、n枚のマスクデータを用いてn+1段の窪みを有するエンボス版が作成されるのに対し、上記のように作成したn枚のマスクデータを用いてエッチングを行うと、最大2n段まで段数を増やすことが可能になりテクスチュアの形状との誤差を低減できるので、少ないマスクデータでより精密なエンボス版を作成することができ、マスクデータ作成やエッチングの際のコストの削減にもつながる。
また、第2の発明の分版方法では、分版装置が、前記エッチングシミュレーションステップで生成するエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータが示す形状が、テクスチュアのハイトフィールドデータが示す形状内に収まるように、マスクデータの開口部の補正を行うマスクデータ補正ステップを更に実行し、前記エッチングシミュレーションステップでは、補正後のマスクデータを用いてエッチングシミュレーションを行う。
加えて、前記差分形状算出ステップでは、算出した差分形状のハイトフィールドデータの最大値と最小値の差が所定値以下かどうかを判定し、所定値以下の場合にはマスクデータの作成処理を終了する。
まず、図1、図2を参照して、本実施形態の分版装置について説明する。
周辺機器I/F(インタフェース)部14は、周辺機器を接続させるためのポートであり、周辺機器I/F部14を介して周辺機器とのデータの送受信を行う。周辺機器I/F部14は、USB等で構成されており、通常複数の周辺機器I/Fを有する。周辺機器との接続形態は有線、無線を問わない。
入力部16は、例えば、キーボード、マウス等のポインティング・デバイス、テンキー等の入力装置であり、入力されたデータを制御部11へ出力する。
バス18は、各装置間の制御信号、データ信号等の授受を媒介する経路である。
例えば、最終的なエッチングの完了時にエッチング対象に形成される最大深度を、別途予めユーザが入力することにより、各閾値の値に対応する腐食深度が算出されて腐食深度データ28として記憶される。例えば前述したように、ハイトフィールドデータ(テクスチュア)30の最大値である256を上記最大深度に対応させ、この最大階調値に対する閾値の比率に応じて、各閾値により生成されたマスクデータ26を用いる際の腐食深度が算出され記憶される。
なお、ハイトフィールドデータ(目標形状)25、マスクデータ26、ハイトフィールドデータ(エッチング対象)29、ハイトフィールドデータ(テクスチュア)30は同じ大きさの配列のデータであるとする。
分版処理の手順においては、まず、分版装置1の制御部11が、ハイトフィールドデータ(目標形状)25よりマスクデータ26の生成を行う(ステップS11)。
マスクデータ生成処理においては、まず、ユーザが、2値化の際の閾値等の、マスクデータ26の生成に用いるパラメータを入力部16等を介して入力する(ステップS111)。
なお、前述したように、初期のハイトフィールドデータ(目標形状)25は、テクスチュアの形状を示すハイトフィールドデータ(テクスチュア)30である。
図5(a)に示すように、マスクデータ26を生成する際は、ハイトフィールドデータ(目標形状)25について、閾値32−1(32)以上か否かによる2値化を行う。図5(b)は、このようにして生成されたマスクデータ26−1(26)の例である。26aは閾値32−1以上の領域である開口部、26bは閾値32−1より低い領域であるマスク部である。
エッチングシミュレーションにおいては、図7に示すように、まず、分版装置1の制御部11が、ステップS11で生成され記憶部12に記憶されたマスクデータ26を取得する(ステップS121)。初回には、前記したマスクデータ26−1を取得する。
なお、エッチングプロファイル27はこれに限ることはなく、エッチングを行なった際の、マスク部26b側でのエッチング対象45の形状を表すものであればよいが、上記のようなデータとすることにより、正確にサイドエッチングの影響を反映させることができる。
即ち、開口部26aに対応する箇所では前述した所定の腐食深度hを減算し、マスク部26bに対応する箇所では、腐食深度hに対応するエッチングプロファイル27に基づく、開口部26aとマスク部26bの境界からの水平距離に応じた腐食深度を減算する。
このようにして作成したエッチング後のハイトフィールドデータ(エッチング対象)29の例が、図10(b)に示すハイトフィールドデータ(エッチング対象)29である。なお、図10におけるハイトフィールドデータ(テクスチュア)30は、テクスチュアの(上下反転)形状を示す。
補正量は、エッチング後の形状がテクスチュアの形状内に収まりかつ誤差が最小になる条件を満たす値とする。
補正したマスクデータ26に基づき前記と同様にエッチング後のハイトフィールドデータ(エッチング対象)29を作成する処理(ステップS122、S123)を、ステップS124で、エッチング後の形状がテクスチュアの形状内に収まると判定されるまで繰り返し、ステップS124においてテクスチュアの形状内に収まると判定されれば(ステップS124のYES)、その時点で、補正されたマスクデータ26で作成されていたエッチング後のハイトフィールドデータ(エッチング対象)29および補正されたマスクデータ26を記憶部12に記憶して、ステップS12におけるシミュレーションを終了する。
このときのマスクデータ26の補正量は、エッチング後の形状がテクスチュアの形状内に収まりかつ誤差が最小となる値となっている。
このようにして補正を行った例が図10(c)であり、開口部26aの外側を補正量分内側にずらすことによりマスクデータ26が補正されている。
図10(c)に示す、ハイトフィールドデータ(エッチング対象)29の階調値と、ハイトフィールドデータ(テクスチュア)30の階調値との差分をとり、図10(d)に示す差分形状のハイトフィールドデータ31を算出する。
本実施形態では、分版装置1の制御部11が、差分形状のハイトフィールドデータ31の最大値と最小値の差(図10(d)のDで示す)を算出し、この差が予め定めた所定の閾値以下となった場合、ハイトフィールドデータ(エッチング対象)29の形状がハイトフィールドデータ(テクスチュア)30の形状に十分近づいたことになるので、マスクデータ26の作成を終了する。
なお、終了条件はこれに限らず、例えばこれまで作成したマスクデータ26の枚数により判定してもよい。この場合、予め定めた所定枚数に達すれば、マスクデータ26の作成を終了する。
2つ目のマスクデータ26−2を用い、ステップS122、S123で同様のエッチングシミュレーションを行うことにより、4段の窪みを有するエッチング後のハイトフィールドデータ(エッチング対象)29が新たに作成される。このように、2枚のマスクデータ26を用いて4段の窪みを有するエッチング対象が形成できることがわかる。
全てのマスクデータをテクスチュアのハイトフィールドデータの多値化により作成する場合、n枚のマスクデータを用いてエッチングを行った結果のエンボス版の段数はn+1段となるが、上記のように作成したn枚のマスクデータ26を用いてエッチングを行うと、最大2n段まで段数を増やすことが可能になりテクスチュアの形状との誤差を低減できるので、少ないマスクデータ26でより精密なエンボス版を作成することができるとともに、マスクデータ作成やエッチングの際のコストの削減につながる。
これは、従来の作成方法では、図16(b)で示されるように複数のマスクデータの開口部の領域同士が包含関係になるが、本実施形態の作成方法では、マスクデータをエッチング時の目標形状に応じて定めつつ、図5(b)と図11(b)の比較で分かるように、開口部の領域同士が包含関係とならないためである。
従って、ステップS123のエッチングシミュレーションでは、ハイトフィールドデータ(エッチング対象)29の、マスクデータ26の開口部26aに対応する位置の階調値から腐食深度hが減算され、マスク部26bに対応する位置の階調値は変わらない。その結果の例を図13(a)のハイトフィールドデータ(エッチング対象)29で示す。
21………マスクデータ生成手段
22………マスクデータ補正手段
23………エッチングシミュレーション手段
24………差分形状算出手段
25………ハイトフィールドデータ(目標形状)
26………マスクデータ
27………エッチングプロファイル
28………腐食深度データ
29………ハイトフィールドデータ(エッチング対象)
30………ハイトフィールドデータ(テクスチュア)
31………差分形状のハイトフィールドデータ
Claims (10)
- テクスチュアの形状を表面に再現したエンボス版をエッチングの手法を用いて製造する際のマスクデータを生成するための分版装置であって、
エッチングの目標とする形状の高さ情報を階調値で示す目標形状のハイトフィールドデータを閾値により2値化し、開口部とマスク部を有するマスクデータを生成するマスクデータ生成手段と、
エッチング対象の高さ情報を階調値で示すエッチング対象のハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部にあたる箇所で階調値から所定の腐食深度を減算するエッチングシミュレーションを行い、エッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成するエッチングシミュレーション手段と、
エッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータが示す形状と、テクスチュアの高さ情報を階調値で示すテクスチュアのハイトフィールドデータが示す形状との差分形状を示す、差分形状のハイトフィールドデータを算出する差分形状算出手段と、
を具備し、
前記目標形状のハイトフィールドデータとして、前記差分形状のハイトフィールドデータを用いることを特徴とする分版装置。 - 前記エッチングシミュレーション手段は、マスクデータと、マスクデータの開口部とマスク部の境界からマスク部側に向かう距離と腐食深度との関係を表すエッチングプロファイルに基づき、エッチング対象のハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部に対応する箇所では所定の腐食深度を階調値から減算し、マスク部に対応する箇所ではエッチングプロファイルに基づく前記距離に応じた腐食深度を階調値から減算することにより、サイドエッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成することを特徴とする請求項1記載の分版装置。
- 前記エッチングシミュレーション手段が生成するエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータが示す形状が、テクスチュアのハイトフィールドデータが示す形状内に収まるように、マスクデータの開口部の補正を行うマスクデータ補正手段を更に具備し、
前記エッチングシミュレーション手段は、補正後のマスクデータを用いてエッチングシミュレーションを行うことを特徴とする請求項2記載の分版装置。 - 前記差分形状算出手段は、算出した差分形状のハイトフィールドデータの最大値と最小値の差が所定値以下かどうかを判定し、所定値以下の場合にはマスクデータの作成処理を終了することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の分版装置。
- テクスチュアの形状を表面に再現したエンボス版をエッチングの手法を用いて製造する際のマスクデータを生成するための分版装置における分版方法であって、
分版装置が、
エッチングの目標とする形状の高さ情報を階調値で示す目標形状のハイトフィールドデータを閾値により2値化し、開口部とマスク部を有するマスクデータを生成するマスクデータ生成ステップと、
エッチング対象の高さ情報を階調値で示すエッチング対象のハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部にあたる箇所で階調値から所定の腐食深度を減算するエッチングシミュレーションを行い、エッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成するエッチングシミュレーションステップと、
エッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータが示す形状と、テクスチュアの高さ情報を階調値で示すテクスチュアのハイトフィールドデータが示す形状との差分形状を示す、差分形状のハイトフィールドデータを算出する差分形状算出ステップと、
を実行し、
前記目標形状のハイトフィールドデータとして、前記差分形状のハイトフィールドデータを用いることを特徴とする分版方法。 - 前記エッチングシミュレーションステップでは、マスクデータと、マスクデータの開口部とマスク部の境界からマスク部側に向かう距離と腐食深度との関係を表すエッチングプロファイルに基づき、エッチング対象のハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部に対応する箇所では所定の腐食深度を階調値から減算し、マスク部に対応する箇所ではエッチングプロファイルに基づく前記距離に応じた腐食深度を階調値から減算することにより、サイドエッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成することを特徴とする請求項5記載の分版方法。
- 分版装置が、前記エッチングシミュレーションステップで生成するエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータが示す形状が、テクスチュアのハイトフィールドデータが示す形状内に収まるように、マスクデータの開口部の補正を行うマスクデータ補正ステップを更に実行し、
前記エッチングシミュレーションステップでは、補正後のマスクデータを用いてエッチングシミュレーションを行うことを特徴とする請求項6記載の分版方法。 - 前記差分形状算出ステップでは、算出した差分形状のハイトフィールドデータの最大値と最小値の差が所定値以下かどうかを判定し、所定値以下の場合にはマスクデータの作成処理を終了することを特徴とする請求項5から請求項7のいずれかに記載の分版方法。
- コンピュータを、請求項1から請求項4のいずれかに記載の分版装置として機能させるプログラム。
- コンピュータを、請求項1から請求項4のいずれかに記載の分版装置として機能させるプログラムを記憶した記憶媒体。
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