JP2012173314A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012173314A5 JP2012173314A5 JP2011031847A JP2011031847A JP2012173314A5 JP 2012173314 A5 JP2012173314 A5 JP 2012173314A5 JP 2011031847 A JP2011031847 A JP 2011031847A JP 2011031847 A JP2011031847 A JP 2011031847A JP 2012173314 A5 JP2012173314 A5 JP 2012173314A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- movable
- reflective film
- fixed
- film fixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Description
反射膜固定部５１２は、上述したように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図３に示すように、反射膜固定部５１２の可動基板５２に対向する反射膜固定面５１２Ａが、電極形成面５１１Ａよりも可動基板５２に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極形成面５１１Ａおよび反射膜固定面５１２Ａの高さ位置は、反射膜固定面５１２Ａに固定される固定反射膜５６、および可動基板５２に形成される可動反射膜５７の間のギャップの寸法、固定電極５４１および可動基板５２に形成される後述の可動電極５４２の間の寸法、固定反射膜５６や可動反射膜５７の厚み寸法により適宜設定される。例えば反射膜５６,５７として、誘電体多層膜を用い、その厚み寸法が増大する場合、電極形成面
５１１Ａと反射膜固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極形成面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝状の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面５１２Ａが形成される構成などとしてもよい。
ただし、固定電極５４１および可動電極５４２の間に作用する静電引力は、固定電極５４１および可動電極５４２の距離の二乗に反比例する。したがって、これら固定電極５４１および可動電極５４２の距離が近接するほど、印加電圧に対する静電引力も増大し、ギャップの変動量も大きくなる。特に、本実施形態のエタロン５のように、ギャップの可変寸法が微小な場合(例えば２５０ｎｍ〜４５０ｎｍ)、ギャップの制御が困難となる。したがって、上記のように、反射膜固定溝を形成する場合であっても、電極形成溝５１１の深さ寸法をある程度確保する方が好ましく、本実施形態では、例えば、１μｍに形成されることが好ましい。
５１１Ａと反射膜固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極形成面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝状の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面５１２Ａが形成される構成などとしてもよい。
ただし、固定電極５４１および可動電極５４２の間に作用する静電引力は、固定電極５４１および可動電極５４２の距離の二乗に反比例する。したがって、これら固定電極５４１および可動電極５４２の距離が近接するほど、印加電圧に対する静電引力も増大し、ギャップの変動量も大きくなる。特に、本実施形態のエタロン５のように、ギャップの可変寸法が微小な場合(例えば２５０ｎｍ〜４５０ｎｍ)、ギャップの制御が困難となる。したがって、上記のように、反射膜固定溝を形成する場合であっても、電極形成溝５１１の深さ寸法をある程度確保する方が好ましく、本実施形態では、例えば、１μｍに形成されることが好ましい。
(３−２．電圧制御部の構成)
電圧制御部６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の固定電極５４１および可動電極５４２に印加する電圧を制御する。
電圧制御部６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の固定電極５４１および可動電極５４２に印加する電圧を制御する。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011031847A JP2012173314A (ja) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および電子機器 |
| US13/397,948 US8970957B2 (en) | 2011-02-17 | 2012-02-16 | Tunable interference filter, optical module, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011031847A JP2012173314A (ja) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012173314A JP2012173314A (ja) | 2012-09-10 |
| JP2012173314A5 true JP2012173314A5 (ja) | 2014-04-03 |
Family
ID=46652509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011031847A Pending JP2012173314A (ja) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8970957B2 (ja) |
| JP (1) | JP2012173314A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6267432B2 (ja) * | 2013-03-23 | 2018-01-24 | 京セラ株式会社 | 光学デバイスの製造方法 |
| CN104060221B (zh) * | 2013-03-23 | 2018-01-23 | 京瓷株式会社 | 光学器件制造方法 |
| FI125690B (en) * | 2013-06-18 | 2016-01-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Mirror for Fabry-Perot interferometer and method for its manufacture |
| JP2015161876A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター、光学モジュールおよび電子機器 |
| FI126791B (en) * | 2014-12-29 | 2017-05-31 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Mirror disk for an optical interferometer, method for manufacturing a mirror disk and optical interferometer |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3368227B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法 |
| JP2001221913A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Yokogawa Electric Corp | ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計 |
| JP4651826B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-03-16 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 反射型表示装置及びその製造方法 |
| JP2004126503A (ja) | 2002-03-28 | 2004-04-22 | Nikon Corp | マイクロアクチュエータ及びこれを用いた光スイッチ |
| JP2004004547A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-01-08 | Nikon Corp | 光学装置 |
| JP4098675B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-11 | 株式会社三和工業 | 残土充填方法 |
| JP3786106B2 (ja) | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
| JP2005099206A (ja) | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 |
| JP2005309174A (ja) | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ及びその製造方法 |
| JP4371092B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2009-11-25 | セイコーエプソン株式会社 | 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びその製造方法、液滴吐出装置並びにデバイス |
| JP4603489B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2010-12-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変フィルタ |
| JP2006286971A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tdk Corp | 複合基板およびその製造方法、ならびに薄膜デバイスおよびその製造方法 |
| JP4379457B2 (ja) | 2006-01-19 | 2009-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
| JP2008076749A (ja) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Yokogawa Electric Corp | ファブリペロー型素子 |
| JP5141213B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2013-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイス、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
| JP5151944B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2013-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルタ及びそれを備えた光モジュール |
| WO2010079574A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | パナソニック株式会社 | Ｍｅｍｓデバイス |
| JP5779852B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2015-09-16 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置 |
-
2011
- 2011-02-17 JP JP2011031847A patent/JP2012173314A/ja active Pending
-
2012
- 2012-02-16 US US13/397,948 patent/US8970957B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012173314A5 (ja) | ||
| JP6849597B2 (ja) | ゲート構造を含む光変調素子 | |
| JP7191375B2 (ja) | 金属・誘電体・金属の３層構造を有する光変調構造体、その製造方法及び用途 | |
| JP2007535703A (ja) | 光学ピクセルデバイス | |
| JP2017502351A5 (ja) | ||
| JP2006313248A (ja) | 液晶レンズ | |
| US20170005257A1 (en) | Drive apparatus | |
| KR20170068372A (ko) | 메타 소자 | |
| EP2645440A3 (en) | PZT-Based ferroelectric thin film and method of manufacturing the same | |
| JP2014145888A5 (ja) | ||
| EP2645439A3 (en) | PZT-Based ferroelectric thin film and method of manufacturing the same | |
| TW201317648A (zh) | 基於Ｆａｎｏ共振之電氣可調式光濾波器 | |
| JP2012113194A5 (ja) | ||
| JP2014164018A5 (ja) | ||
| US9444029B2 (en) | Piezoelectronic transistor with co-planar common and gate electrodes | |
| Liu et al. | Tunable stable levitation based on Casimir interaction between nanostructures | |
| JP2013051297A (ja) | 可変容量装置 | |
| Wang et al. | Electrostatic repulsive out-of-plane actuator using conductive substrate | |
| US10301175B2 (en) | Method for manufacturing MEMS double-layer suspension microstructure, and MEMS infrared detector | |
| P. Bruno et al. | Fabrication of an Adaptive Micro Fresnel Mirror Array | |
| JP5545190B2 (ja) | 波長可変干渉フィルターの製造方法 | |
| Zhao et al. | A study of electrostatic spring softening for dual-axis micromirror | |
| US20140126061A1 (en) | Optical element and production of same | |
| US9437804B2 (en) | Electroactive polymer structures printed with varying compositions of ions | |
| Kim et al. | Effect of intermolecular force on the static/dynamic behaviour of M/NEM devices |