JP7191375B2 - 金属・誘電体・金属の３層構造を有する光変調構造体、その製造方法及び用途 - Google Patents
金属・誘電体・金属の３層構造を有する光変調構造体、その製造方法及び用途 Download PDFInfo
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Description
特許法第３０条第２項適用 （１）公益社団法人応用物理学会、２０１８年第７９回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集，０３－４３０頁，平成３０年９月５日発行 （２）２０１８年第７９回応用物理学会秋季学術講演会、平成３０年９月１８～２１日開催 （３）２０１８（平成３０）年１１月５日掲載、ｈｔｔｐｓ：／／ｗｗｗ．ｉ－ｐｒｏｄｕｃｔ．ｂｉｚ／ｍｎｃ２０１８／ｄｏｗｎｌｏａｄ／ （４）ＭＮＣ ２０１８，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １３－１６，２０１８／３１ｓｔ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｅｓ ａｎｄ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（第３１回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議）、２０１８年１１月１３～１６日開催
本発明は、金属、誘電体及び金属（金属・誘電体・金属と略記）の３層構造を有する光メタマテリアル（光変調構造体）に関する。さらに詳しく言えば、金属・誘電体・金属の３層構造を有し、誘電体層の厚みが可動性である（外力により変化する）光変調構造体、その製造方法及び光構造体の用途に関する。
光メタマテリアルとは、光を含む電磁波に対して自然界には存在しない特性を示す微小人工構造物を言う。微小な金属構造物に光を当てると、光の電場により金属表面の電子が振動する。このとき電子の振動と共振する波長の光は金属構造体に吸収される。この現象（表面プラズモン共鳴）で吸収される光の波長は微小金属構造の形状によって変化する。
金属（Ｍｅｔａｌ）、誘電体（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）及び金属（Ｍｅｔａｌ）の３層からなるメタマテリアル（以下、ＭＩＭメタマテリアルと略記）は表面プラズモン共振波長（以下、単に共振波長）において優れた波長選択吸収体として機能することが知られている。共振波長は、誘電体の厚さ、誘電率、金属微細周期構造体の形状や周期によって、可視、近赤外、赤外、テラヘルツ、マイクロ波に及ぶ広範囲の任意の波長で設計することができる。
また、微小金属構造体と金属膜を上下にして、その間に誘電体からなる誘電体層（ギャップ）を介して配置すると、そのギャップの厚み（距離）に応じて共振する波長が変化することが知られている（High performance optical absorber based on a plasmonic metamaterial, Appl. Phys. Lett. Vol.96, (2010), 251104；非特許文献１）。
誘電体層（ギャップ）の厚みの変化に応じて光学特性が変化する同様の構造として、誘電体層（ギャップ）を介して光学的平面ガラスが対向する構造の多重反射による干渉を用いたファブリ・ペロー干渉計が知られている。ファブリ・ペロー干渉計では、共振波長が光路差に依存し、垂直入射の場合１ｎｍのギャップ変化に対し、共振波長は２ｎｍ変化する。
誘電体層（ギャップ）の厚みの変化に応じて光学特性が変化する同様の構造として、誘電体層（ギャップ）を介して光学的平面ガラスが対向する構造の多重反射による干渉を用いたファブリ・ペロー干渉計が知られている。ファブリ・ペロー干渉計では、共振波長が光路差に依存し、垂直入射の場合１ｎｍのギャップ変化に対し、共振波長は２ｎｍ変化する。
High performance optical absorber based on a plasmonic metamaterial, Appl. Phys. Lett. Vol.96, (2010), 251104
本発明の課題は、ファブリ・ペロー干渉と比べ誘電体層の厚み（ギャップ）に対する感度が高く、圧力センサや変位センサなどに応用できる、金属・誘電体・金属の３層構造を有する光メタマテリアル（光変調構造体）を提供することにある。
本発明者らは、金属微小構造と金属薄膜とのギャップを外力によって変化させることができるエアギャップ構造をもつ光メタマテリアルについて、エアギャップ構造をもつ光メタマテリアルを構成する金属（金及びアルミニウム）微小構造の設計をＲＣＷＡ法でシミュレーションにより行い、これに基づき金（Ａｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）の微小構造体（Ａｕ及びＡｌロッドアレイ）及びギャップ構造を持つ光変調構造体の製作を行い、金属微小構造と金属薄膜のギャップ変化による構造体の共振波長の変化を実験的に確認して本発明を完成した。
本発明は、以下の光変調構造体、光変調構造体の製造方法、及び光変調構造体を用いた装置に関する。
［１］ 第１の基板上の導電体層（第１導電体層）が誘電体層を介して第２の基板上の導電体層（第２導電体層））と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有することを特徴とする光変調構造体。
［２］ 第１導電体層及び第２導電体層の片方または両方が、表面プラズモンが発現する厚みを有する導電体格子層である前項１に記載の光変調構造体。
［３］ 前記誘電体層の一部または全てが、気体層、液体層または外力により変形可能な固体層である前項１または２に記載の光変調構造体。
［４］ 前記誘電体層の一部または全てが空気層である前項１～３のいずれかに記載の光変調構造体。
［５］ 前記導電体層の導電体が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、及び遷移金属系窒化物からなる群から選択される少なくとも１種である前項１～４のいずれかに記載の光変調構造体。
［６］前記導電体が、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）である前項５に記載の光変調構造体。
［７］ 第１導電体層または第２導電体層が、基板にバネ構造で支持されている前項１～６のいずれかに記載の光変調構造体。
［８］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）基板上に導電体を格子状に配置した導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）基板上に導電体とスペーサ材料を形成し、次いでフォトリソグラフィ、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法及びエッチング法からなる群から選ばれる少なくとも１つの方法によりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
［９］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）透明基板上に導電体層と透明誘電体層をこの順に成膜した後、導電体格子のパターニングを行い、次いでドライエチングして透明基板上に表面プラズモンが発現する厚みの導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）透明基板上に導電体層とスペーサ材料のフォトレジスト樹脂層をこの順に積層し、次いでフォトリソグラフィによりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層（導電体ドット層）と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
［１０］ 導電体がアルミニウム（Ａｌ）であり、透明誘電体層がＳｉＯ2層である前項９に記載の光変調構造体の製造方法。
［１１］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）ウェハ上にレジストを格子状にパターニングし、その上にクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）をこの順に積層し、レジストを除去してＡｕ格子層（Ａｕドット層）を有する第１構造体を作成する工程、（２）ＳｉＯ2ウェハ上にＣｒとＡｕとＣｒをこの順に積層し、その上の周辺部にレジストを積層し、次いでＣｒエッチングとレジスト樹脂の除去によりＡｕ層を有する第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体のＡｕ格子層（Ａｕドット層）と前記第２構造体のＡｕ層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
［１２］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体を用いた装置。
［１］ 第１の基板上の導電体層（第１導電体層）が誘電体層を介して第２の基板上の導電体層（第２導電体層））と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有することを特徴とする光変調構造体。
［２］ 第１導電体層及び第２導電体層の片方または両方が、表面プラズモンが発現する厚みを有する導電体格子層である前項１に記載の光変調構造体。
［３］ 前記誘電体層の一部または全てが、気体層、液体層または外力により変形可能な固体層である前項１または２に記載の光変調構造体。
［４］ 前記誘電体層の一部または全てが空気層である前項１～３のいずれかに記載の光変調構造体。
［５］ 前記導電体層の導電体が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、及び遷移金属系窒化物からなる群から選択される少なくとも１種である前項１～４のいずれかに記載の光変調構造体。
［６］前記導電体が、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）である前項５に記載の光変調構造体。
［７］ 第１導電体層または第２導電体層が、基板にバネ構造で支持されている前項１～６のいずれかに記載の光変調構造体。
［８］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）基板上に導電体を格子状に配置した導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）基板上に導電体とスペーサ材料を形成し、次いでフォトリソグラフィ、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法及びエッチング法からなる群から選ばれる少なくとも１つの方法によりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
［９］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）透明基板上に導電体層と透明誘電体層をこの順に成膜した後、導電体格子のパターニングを行い、次いでドライエチングして透明基板上に表面プラズモンが発現する厚みの導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）透明基板上に導電体層とスペーサ材料のフォトレジスト樹脂層をこの順に積層し、次いでフォトリソグラフィによりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層（導電体ドット層）と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
［１０］ 導電体がアルミニウム（Ａｌ）であり、透明誘電体層がＳｉＯ2層である前項９に記載の光変調構造体の製造方法。
［１１］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）ウェハ上にレジストを格子状にパターニングし、その上にクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）をこの順に積層し、レジストを除去してＡｕ格子層（Ａｕドット層）を有する第１構造体を作成する工程、（２）ＳｉＯ2ウェハ上にＣｒとＡｕとＣｒをこの順に積層し、その上の周辺部にレジストを積層し、次いでＣｒエッチングとレジスト樹脂の除去によりＡｕ層を有する第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体のＡｕ格子層（Ａｕドット層）と前記第２構造体のＡｕ層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
［１２］ 前項１～７のいずれかに記載の光変調構造体を用いた装置。
本発明構造の類似構造としてファブリ・ペローフィルタ（構造体）があるが、本発明の光変調構造体は誘電体層（例えば空気層）の厚み（ギャップ）が外力により変わる共振波長変化量をファブリ・ペロー構造体より大きくとることができる。このことは、例えばファブリ・ペローフィルタの応用例としての圧力センサでは、本発明によればセンサ感度を大幅に向上できることを意味する。他の応用例として超高感度なフォースゲージ、接触センサ、タッチパネル、バイオセンサなどにも利用できる。
本発明は光学式センサであることから、これまでセンサとして普及している電気式のものに比べて、電磁干渉に強いこと、あるいは高温環境下で使えること、センサ部と光源部がワイヤレスで使えること、配線の取り回しが不要のためアレイ化が容易であること、アレイ化により面分布のセンシングが可能であること、電気を使わないので発火環境でも安全に使えるなどの多くの優位性を有する。
本発明は光学式センサであることから、これまでセンサとして普及している電気式のものに比べて、電磁干渉に強いこと、あるいは高温環境下で使えること、センサ部と光源部がワイヤレスで使えること、配線の取り回しが不要のためアレイ化が容易であること、アレイ化により面分布のセンシングが可能であること、電気を使わないので発火環境でも安全に使えるなどの多くの優位性を有する。
以下、本発明の実施の形態を、導電体層として金（Ａｕ）を用いた態様（実施形態１）、アルミニウム（Ａｌ）を用いた態様（実施形態２）及びそれらに関連する態様について、添付図面を参照しつつ説明するが、下記の態様は請求項の記載に含まれる発明の例示であって、本発明は下記の例に限定されるものではない。
実施形態１：金（Ａｕ）・誘電体・金（Ａｕ）３層構造メタマテリアル
設計するエアギャップ構造をもつ光メタマテリアルの一例の概略図を図１に示す。メタマテリアルはＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイで構成され、この２層を向かい合うように配置する。Ａｕロッドアレイ側から光を入射し、表面プラズモン共鳴により共振波長の光が吸収される。Ａｕロッドアレイウェハに外力を加えウェハをたわませる。たわみにより２層間のギャップを変化させることで共振波長を変え、メタマテリアルによる光学特性を変化させる。
設計するエアギャップ構造をもつ光メタマテリアルの一例の概略図を図１に示す。メタマテリアルはＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイで構成され、この２層を向かい合うように配置する。Ａｕロッドアレイ側から光を入射し、表面プラズモン共鳴により共振波長の光が吸収される。Ａｕロッドアレイウェハに外力を加えウェハをたわませる。たわみにより２層間のギャップを変化させることで共振波長を変え、メタマテリアルによる光学特性を変化させる。
表面プラズモン共鳴による光学特性をもつメタマテリアルを設計するために、ＲＣＷＡ（Ｒｉｇｏｒｏｕｓ Ｃｏｕｐｌｅｄ－Ｗａｖｅ Ａｎａｌｙｓｉｓ）法（Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．，ｖｏｌ．７１，（１９８１），ｐｐ．８１１－８１８）によるシミュレーションを用いて、メタマテリアルを構成するＡｕ微小構造の形状設計を行い、また、ＳｉＯ2基板における外力と変位の関係を計算し、デバイスの設計を行った。
［金属微小構造の設計］
表面プラズモン共鳴が生じる金属微小構造として金（Ａｕ）ロッドアレイの設計を行った。表面プラズモン共鳴による共振波長は金属微小構造の形状によって変化する。本設計では波長５００～１８００ｎｍで共振が生じるようにＡｕロッドの寸法を決定した。設計したＡｕロッドアレイ（配列）の一例の概略図を図２に示す。なお、ロッドの配列は図２の例に限定されるものではなく、所望の任意の配列を採用することができる。
例えば、ＳｉＯ2ウェハ上に短辺１２０ｎｍ、長辺２００ｎｍ、Ｃｒの厚さ３ｎｍ、Ａｕの厚さ３０ｎｍのロッドを周期４８０ｎｍで配置する。ＣｒはＳｉＯ2ウェハとＡｕの接着材として機能する。また偏光依存性を持たないようにＡｕロッドアレイは２方向に向きを変えて配置する。
表面プラズモン共鳴が生じる金属微小構造として金（Ａｕ）ロッドアレイの設計を行った。表面プラズモン共鳴による共振波長は金属微小構造の形状によって変化する。本設計では波長５００～１８００ｎｍで共振が生じるようにＡｕロッドの寸法を決定した。設計したＡｕロッドアレイ（配列）の一例の概略図を図２に示す。なお、ロッドの配列は図２の例に限定されるものではなく、所望の任意の配列を採用することができる。
例えば、ＳｉＯ2ウェハ上に短辺１２０ｎｍ、長辺２００ｎｍ、Ｃｒの厚さ３ｎｍ、Ａｕの厚さ３０ｎｍのロッドを周期４８０ｎｍで配置する。ＣｒはＳｉＯ2ウェハとＡｕの接着材として機能する。また偏光依存性を持たないようにＡｕロッドアレイは２方向に向きを変えて配置する。
このＡｕロッドアレイとＡｕ薄膜を図１のように配置し、ギャップを０～３０ｎｍまで変化させ反射率のシミュレーションを行った。シミュレーション結果を図３に示す。各ギャップで共振波長が２つ存在し反射率のディップが生じている。ギャップを大きくすると共振波長が短波長側にシフトしていることが確認できた。
図４にギャップ２０ｎｍで入射光の電場の向き（偏光方向）を変化させたときの、共振波長のシミュレーション結果を示す。角度を変化させても共振波長は７８０ｎｍ、１１２３ｎｍ付近から変化せず、設計するＡｕロッドアレイは偏光依存性が少ないことが分かる。
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、例えばギャップ３０ｎｍで入射光の入射角度を変化させたときの反射率のシミュレーション結果を示す。電場を入射面と平行にして入射角度を変えた場合の図５（Ａ）では共振波長、吸収率ともに変化しているがグラフの傾向は一致していることが分かる。磁場を平行にして入射角度を変えた場合の図５（Ｂ）ではθ＝３０°、４５°のとき短波長側で大きな変化が確認できた。
［共振波長の考察］
図３のシミュレーション結果からＡｕロッドアレイには共振波長が２つ存在する。これはＡｕロッドが短辺方向と長辺方向でそれぞれ異なる波長で共振することに起因する。図６（Ａ）、（Ｂ）に示す光メタマテリアル構造体において、ギャップ３０ｎｍでＡｕロッドアレイを１方向のみ配置し、入射光の電場を長辺方向と短辺方向で変化させたシミュレーション結果を図７に示す。図７の設計パターンのスペクトルは図３に示すギャップ３０ｎｍでのシミュレーション結果である。この設計パターンでは反射率のディップが２か所で生じているのが、Ａｕロッドアレイを１方向のみに配置した場合はそれぞれ１か所のみでディップが生じている。図７から設計パターンの長波長側はＡｕロッドアレイの長辺方向の電子振動による共振であり、短波長側は短辺方向の電子振動による共振であると考えられる。Ａｕロッドの長辺と短辺の寸法によって、同一デバイスで長波長と短波長の２つの範囲で測定が可能であると考えられる。
図３のシミュレーション結果からＡｕロッドアレイには共振波長が２つ存在する。これはＡｕロッドが短辺方向と長辺方向でそれぞれ異なる波長で共振することに起因する。図６（Ａ）、（Ｂ）に示す光メタマテリアル構造体において、ギャップ３０ｎｍでＡｕロッドアレイを１方向のみ配置し、入射光の電場を長辺方向と短辺方向で変化させたシミュレーション結果を図７に示す。図７の設計パターンのスペクトルは図３に示すギャップ３０ｎｍでのシミュレーション結果である。この設計パターンでは反射率のディップが２か所で生じているのが、Ａｕロッドアレイを１方向のみに配置した場合はそれぞれ１か所のみでディップが生じている。図７から設計パターンの長波長側はＡｕロッドアレイの長辺方向の電子振動による共振であり、短波長側は短辺方向の電子振動による共振であると考えられる。Ａｕロッドの長辺と短辺の寸法によって、同一デバイスで長波長と短波長の２つの範囲で測定が可能であると考えられる。
［共振波長における電波・磁場分布］
図３のシミュレーション結果からギャップ３０ｎｍでは波長７５９ｎｍと１０６４ｎｍ付近で共振していることが分かる。共振波長７５９ｎｍ、１０６４ｎｍでの磁場（Ｈ）分布、電場（Ｅ）分布を図８（ａ）、（ｂ）のように金（Ａｕ）ロッドの長辺方向、短辺方向のそれぞれに断面をとりシミュレーションを行った。その結果１０６４ｎｍでは断面ＡのときにＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイのギャップに強いＹ方向の磁場ＨYが生じていること、及びＡｕロッドアレイの両端に強いＺ方向の電場ＥZが生じていることが確認できた。図９に示すようにＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイのそれぞれの電子振動により電場ＥZが生じ、この周回する電場によって磁場ＨYが発生しているのだと考えられる。以上の結果から設計したデバイスではＡｕ膜とＡｕロッドアレイの間に電子振動による相互作用が生じていることが分かる。
図３のシミュレーション結果からギャップ３０ｎｍでは波長７５９ｎｍと１０６４ｎｍ付近で共振していることが分かる。共振波長７５９ｎｍ、１０６４ｎｍでの磁場（Ｈ）分布、電場（Ｅ）分布を図８（ａ）、（ｂ）のように金（Ａｕ）ロッドの長辺方向、短辺方向のそれぞれに断面をとりシミュレーションを行った。その結果１０６４ｎｍでは断面ＡのときにＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイのギャップに強いＹ方向の磁場ＨYが生じていること、及びＡｕロッドアレイの両端に強いＺ方向の電場ＥZが生じていることが確認できた。図９に示すようにＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイのそれぞれの電子振動により電場ＥZが生じ、この周回する電場によって磁場ＨYが発生しているのだと考えられる。以上の結果から設計したデバイスではＡｕ膜とＡｕロッドアレイの間に電子振動による相互作用が生じていることが分かる。
［ファブリ・ペロー干渉との比較］
提案するデバイスと同様にギャップの変化に応じて光学特性が変化する現象としてファブリ・ペロー干渉が挙げられる。ファブリ・ペロー干渉は高い反射率の２つの平面鏡の間で生じる多重反射による干渉を利用したものである（光工学，コロナ社，２００６年，Ａｇ合金ミラーを用いた可視光帯域ＭＥＭＳファブリ・ペローチューナブルフィルタ，電気学会論文誌Ｅ，ｖｏｌ．１３２，Ｎｏ．２，２０１２年，２５～３０頁）。ファブリ・ペロー干渉の概略図を図１０に示す．ファブリ・ペロー干渉の共振波長変化は光路差による位相変化が起因するため、垂直入射の場合はギャップ１ｎｍの変化に対し共振波長は２ｎｍ変化する。
提案するデバイスと同様にギャップの変化に応じて光学特性が変化する現象としてファブリ・ペロー干渉が挙げられる。ファブリ・ペロー干渉は高い反射率の２つの平面鏡の間で生じる多重反射による干渉を利用したものである（光工学，コロナ社，２００６年，Ａｇ合金ミラーを用いた可視光帯域ＭＥＭＳファブリ・ペローチューナブルフィルタ，電気学会論文誌Ｅ，ｖｏｌ．１３２，Ｎｏ．２，２０１２年，２５～３０頁）。ファブリ・ペロー干渉の概略図を図１０に示す．ファブリ・ペロー干渉の共振波長変化は光路差による位相変化が起因するため、垂直入射の場合はギャップ１ｎｍの変化に対し共振波長は２ｎｍ変化する。
図３から得られた、提案するデバイスのギャップ変化に対する長波長側（ａ）、短波長側（ｂ）それぞれの共振波長の変化を図１１に示す。また、ギャップＮｎｍにおけるギャップ変化量１ｎｍに対する共振波長λNの変化量ΔλNをΔλN＝λN－λN-1として算出した単位ギャップ変化量あたりの共振波長の変化量Δλ／Δgapの結果を図１２に示す。図１１、図１２からギャップ２５ｎｍ以下の範囲では長波長側と短波長側のどちらの共振波長でもギャップ１ｎｍに対し、共振波長が２ｎｍ以上変化していることが分かる。以上の結果からギャップが２５ｎｍ以下になるように設計するとことでファブリ・ペロー干渉計よりもギャップに対する感度が良くなる。
［ＳｉＯ2ウェハの力学計算］
提案するデバイスは外力によってウェハをたわませることでＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイのギャップを変化させ、ＳｉＯ2ウェハが等荷重分布を受ける場合を「材料力学 基礎と強度設計」（裳華房，２００６年）に基づいて、図１３のように長辺ａ（ｍｍ）、短辺ｂ（ｍｍ）、板厚ｔ（ｍｍ）、ヤング率Ｅ（Ｎ／ｍｍ2）の長方形板が一様等荷重分布ｐ（Ｎ／ｍｍ2）を受ける場合、最大応力Ｓx（Ｎ／ｍｍ2）、Ｓy（Ｎ／ｍｍ2）及び平板中央で生じる最大たわみｙmax（ｍｍ）をａ＝ｂの正方形で周辺支持の場合について計算を行った。その結果、変位量０～３０ｎｍの範囲では十分な強度をもつ設計となっていることを確認した。
提案するデバイスは外力によってウェハをたわませることでＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイのギャップを変化させ、ＳｉＯ2ウェハが等荷重分布を受ける場合を「材料力学 基礎と強度設計」（裳華房，２００６年）に基づいて、図１３のように長辺ａ（ｍｍ）、短辺ｂ（ｍｍ）、板厚ｔ（ｍｍ）、ヤング率Ｅ（Ｎ／ｍｍ2）の長方形板が一様等荷重分布ｐ（Ｎ／ｍｍ2）を受ける場合、最大応力Ｓx（Ｎ／ｍｍ2）、Ｓy（Ｎ／ｍｍ2）及び平板中央で生じる最大たわみｙmax（ｍｍ）をａ＝ｂの正方形で周辺支持の場合について計算を行った。その結果、変位量０～３０ｎｍの範囲では十分な強度をもつ設計となっていることを確認した。
［デバイスの設計］
以上の結果から設計したデバイスの一例の概略図を図１４に示す。Ａｕ薄膜上にＣｒを成膜し、ウェハ中央の４ｍｍ×４ｍｍの領域をエッチングすることで段差を製作する。Ｃｒの厚さによって初期ギャップを制御する。Ａｕロッドアレイはウェハ中央の５６μｍ×５６μｍの領域に製作する。
以上の結果から設計したデバイスの一例の概略図を図１４に示す。Ａｕ薄膜上にＣｒを成膜し、ウェハ中央の４ｍｍ×４ｍｍの領域をエッチングすることで段差を製作する。Ｃｒの厚さによって初期ギャップを制御する。Ａｕロッドアレイはウェハ中央の５６μｍ×５６μｍの領域に製作する。
［製作及び結果］
製作の概要：
図１５に製作工程の一例を示す。本例では、ガラスウェハとＳｉＯ2ウェハのそれぞれにＡｕロッドアレイをリフトオフプロセスにより製作する。２０ｍｍ×２０ｍｍ角、厚さ０．５ｍｍのガラスウェハ、ＳｉＯ2ウェハに対してピラニア洗浄を行う。ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）レジストを塗布し、ＥＢ描画装置（ＪＢＸ－５０００ＬＳ，ＪＥＯＬ製）を用いてＡｕロッドアレイ形状にＥＢ描画を行う。次にＥＢ蒸着によりＣｒ／Ａｕを成膜する。テトラヒドロフランを用いてＥＢレジストを除去することでＡｕロッドアレイを得る。
同様に洗浄したＳｉＯ2ウェハにスパッタ装置（芝浦メカトロニクス）を用いてＣｒ／Ａｕ／Ｃｒを成膜する。フォトレジストを塗布しウェットエッチングでＣｒをエッチングすることでＣｒの段差をもつＡｕ薄膜を製作する。
製作の概要：
図１５に製作工程の一例を示す。本例では、ガラスウェハとＳｉＯ2ウェハのそれぞれにＡｕロッドアレイをリフトオフプロセスにより製作する。２０ｍｍ×２０ｍｍ角、厚さ０．５ｍｍのガラスウェハ、ＳｉＯ2ウェハに対してピラニア洗浄を行う。ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）レジストを塗布し、ＥＢ描画装置（ＪＢＸ－５０００ＬＳ，ＪＥＯＬ製）を用いてＡｕロッドアレイ形状にＥＢ描画を行う。次にＥＢ蒸着によりＣｒ／Ａｕを成膜する。テトラヒドロフランを用いてＥＢレジストを除去することでＡｕロッドアレイを得る。
同様に洗浄したＳｉＯ2ウェハにスパッタ装置（芝浦メカトロニクス）を用いてＣｒ／Ａｕ／Ｃｒを成膜する。フォトレジストを塗布しウェットエッチングでＣｒをエッチングすることでＣｒの段差をもつＡｕ薄膜を製作する。
［リフトオフプロセス］
リフトオフプロセスとはレジストで製作したパターンに金属を成膜した後レジストを除去することで、レジストのなかった箇所に金属パターンが残るという手法である。
本例ではリフトオフプロセスによってＡｕロッドアレイを製作した（図１５）。
リフトオフプロセスとはレジストで製作したパターンに金属を成膜した後レジストを除去することで、レジストのなかった箇所に金属パターンが残るという手法である。
本例ではリフトオフプロセスによってＡｕロッドアレイを製作した（図１５）。
［製作工程］
ウェハをピラニア洗浄し、ＥＢレジストとしてｇＬ２０００－Ｍを塗布する。またＥＢ描画する際のチャージアップを防止するためレジストの上にチャージアップ防止剤エスペイサー（昭和電工製）を塗布する。現像の際は最初にＤＩ（ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ）水を用いてエスペイサーを除去し、現像液としてＺＥＤ－Ｎ５０を使用する。またリンスとしてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）をそれぞれ使用する。
次にＥＢ蒸着でＣｒを３ｎｍ厚、Ａｕを３０ｎｍ厚成膜する。テトラヒドロフランを用いてＥＢレジストを剥離し、アセトン、エタノールで洗浄する。
ウェハをピラニア洗浄し、ＥＢレジストとしてｇＬ２０００－Ｍを塗布する。またＥＢ描画する際のチャージアップを防止するためレジストの上にチャージアップ防止剤エスペイサー（昭和電工製）を塗布する。現像の際は最初にＤＩ（ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ）水を用いてエスペイサーを除去し、現像液としてＺＥＤ－Ｎ５０を使用する。またリンスとしてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）をそれぞれ使用する。
次にＥＢ蒸着でＣｒを３ｎｍ厚、Ａｕを３０ｎｍ厚成膜する。テトラヒドロフランを用いてＥＢレジストを剥離し、アセトン、エタノールで洗浄する。
［製作結果］
リンスとしてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いたものをＶｅｒ．１、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）を用いたものをＶｅｒ．２とする。Ｖｅｒ．１はＳｉＯ2ウェハ上、Ｖｅｒ．２はガラスウェハ上に製作した。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２ともにパターニングした全領域で提案したロッド形状を作成することができた。
リンスとしてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いたものをＶｅｒ．１、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）を用いたものをＶｅｒ．２とする。Ｖｅｒ．１はＳｉＯ2ウェハ上、Ｖｅｒ．２はガラスウェハ上に製作した。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２ともにパターニングした全領域で提案したロッド形状を作成することができた。
［設計値との比較］
Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２のＥＢレジストパターン及びＥＢレジスト剥離後のＡｕロッドアレイのＳＥＭ観察から実寸値を求め、設計値との比較を行った。ＥＢレジストパターンの実寸値と設計値から求めたＶｅｒ．１、Ｖｅｒ．２の製作誤差を表１に示す。Ｖｅｒ．１とＶｅｒ．２を比較すると、リンスとしてＩＰＡを用いたＶｅｒ．１の方が精度良くＥＢレジストパターンを製作できている。これはＭＩＢＫでは現像を十分に止めきれていないことが原因だと考えられる。
Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２のＥＢレジストパターン及びＥＢレジスト剥離後のＡｕロッドアレイのＳＥＭ観察から実寸値を求め、設計値との比較を行った。ＥＢレジストパターンの実寸値と設計値から求めたＶｅｒ．１、Ｖｅｒ．２の製作誤差を表１に示す。Ｖｅｒ．１とＶｅｒ．２を比較すると、リンスとしてＩＰＡを用いたＶｅｒ．１の方が精度良くＥＢレジストパターンを製作できている。これはＭＩＢＫでは現像を十分に止めきれていないことが原因だと考えられる。
次にＥＢレジスト剥離後のＡｕロッドアレイの実寸値と設計値から求めたＶｅｒ．１，Ｖｅｒ．２の設計誤差を表２に示す。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２のどちらもＥＢレジストパターンと比べＡｕロッドアレイが小さくなっていることが確認できた。これはドーズ量が小さく、ウェハ付近のレジストまで完全に露光することができず、レジストパターンのテーパーができてしまったことが原因だと考えられる。またＶｅｒ．２はＸ方向とＹ方向で大きさが違っていた。より精度よく製作するためにはレジストパターニング条件を再考する必要がある。
［金薄膜の製作工程］
設計したＡｕ薄膜の一例の概略図を図１６に示す。ＳｉＯ2ウェハをピラニア洗浄し、スパッタ装置（芝浦メカトロニクス製）を用いて接着材としてのＣｒを３ｎｍ厚、Ａｕを６０ｎｍ厚成膜する。段差となるＣｒを４０ｎｍ厚、１２０ｎｍ厚成膜したものそれぞれ製作する。フォトレジストとしてＯＦＰＲ８００ＬＢ－３４ＣＰを塗布しフォトリソグラフィを行う。次にウェットエッチングによりＣｒの段差を作成し、ピラニア洗浄によりフォトレジストを剥離する。
設計したＡｕ薄膜の一例の概略図を図１６に示す。ＳｉＯ2ウェハをピラニア洗浄し、スパッタ装置（芝浦メカトロニクス製）を用いて接着材としてのＣｒを３ｎｍ厚、Ａｕを６０ｎｍ厚成膜する。段差となるＣｒを４０ｎｍ厚、１２０ｎｍ厚成膜したものそれぞれ製作する。フォトレジストとしてＯＦＰＲ８００ＬＢ－３４ＣＰを塗布しフォトリソグラフィを行う。次にウェットエッチングによりＣｒの段差を作成し、ピラニア洗浄によりフォトレジストを剥離する。
［Ａｕドットアレイの測定］
設計値におけるＡｕロッドアレイの光学特性：
Ａｕロッドアレイの設計値を用いたシミュレーションを行った。図１７に示すＡｕロッドアレイ（配列）を設計した。なお、ロッドの形状及び配列は図１７の例に限定されるものでなく、円形等のロッドや六方格子状の配列等、所望の任意の形状及び配列を採用することができる。
図１７のＡｕロッドアレイに垂直に光を入射し、吸収率・反射率・透過率をシミュレーションした結果を図１８に示す。波長７００ｎｍ、９８０ｎｍ付近のそれぞれで共振による吸収が生じ、それに応じて反射率、透過率も変化していることが確認できた。
設計値におけるＡｕロッドアレイの光学特性：
Ａｕロッドアレイの設計値を用いたシミュレーションを行った。図１７に示すＡｕロッドアレイ（配列）を設計した。なお、ロッドの形状及び配列は図１７の例に限定されるものでなく、円形等のロッドや六方格子状の配列等、所望の任意の形状及び配列を採用することができる。
図１７のＡｕロッドアレイに垂直に光を入射し、吸収率・反射率・透過率をシミュレーションした結果を図１８に示す。波長７００ｎｍ、９８０ｎｍ付近のそれぞれで共振による吸収が生じ、それに応じて反射率、透過率も変化していることが確認できた。
［製作したＡｕロッドアレイの光学特性の測定］
製作した寸法の異なるＡｕロッドアレイのパターン１（明細書中、Ｖｅｒ．１と記載する。）、パターン２（明細書中、Ｖｅｒ．２と記載する。）それぞれについて、ＳＥＭ観察で得られた実寸値を用いたシミュレーションと実際の反射率の光学測定を行った。シミュレーション及び測定結果を図１９、図２０に示す。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２ともに設計値のシミュレーション結果と似た傾向の反射特性が得られた。また、実寸値を用いたシミュレーション結果と測定結果も良く一致していることが分かる。しかしＶｅｒ．１は設計値のシミュレーション結果と比べ、ピークでの反射率が２０％程低く、共振波長が１５０ｎｍ程短波長側にシフトしていることが確認できた。これはＶｅｒ．１が設計値と比べ１０％以上小さくなってしまったことが原因だと考えられる。
製作した寸法の異なるＡｕロッドアレイのパターン１（明細書中、Ｖｅｒ．１と記載する。）、パターン２（明細書中、Ｖｅｒ．２と記載する。）それぞれについて、ＳＥＭ観察で得られた実寸値を用いたシミュレーションと実際の反射率の光学測定を行った。シミュレーション及び測定結果を図１９、図２０に示す。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２ともに設計値のシミュレーション結果と似た傾向の反射特性が得られた。また、実寸値を用いたシミュレーション結果と測定結果も良く一致していることが分かる。しかしＶｅｒ．１は設計値のシミュレーション結果と比べ、ピークでの反射率が２０％程低く、共振波長が１５０ｎｍ程短波長側にシフトしていることが確認できた。これはＶｅｒ．１が設計値と比べ１０％以上小さくなってしまったことが原因だと考えられる。
［製作したＡｕロッドアレイの光学特性の測定］
図２１のようにＣｒによる段差が４０ｎｍの金（Ａｕ）薄膜と金（Ａｕ）ロッドアレイを重ね、４辺をポリイミドテープで固定した状態で反射率の特性を行った。このとき設計上のＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイとのギャップは１０～２０ｎｍ付近である。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２それぞれの測定結果図、及びギャップ１０ｎｍ、２０ｎｍでのシミュレーション結果を図２２に示す。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２ともに６００～１０００ｎｍの領域の２つの波長で反射率のディップが確認できた。
図２１のようにＣｒによる段差が４０ｎｍの金（Ａｕ）薄膜と金（Ａｕ）ロッドアレイを重ね、４辺をポリイミドテープで固定した状態で反射率の特性を行った。このとき設計上のＡｕ薄膜とＡｕロッドアレイとのギャップは１０～２０ｎｍ付近である。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２それぞれの測定結果図、及びギャップ１０ｎｍ、２０ｎｍでのシミュレーション結果を図２２に示す。Ｖｅｒ．１、Ｖｅｒ．２ともに６００～１０００ｎｍの領域の２つの波長で反射率のディップが確認できた。
［まとめ］
Ａｕ薄膜とＡｕ微小構造のギャップを外力によって変化可能なエアギャップ構造をもつメタマテリアルの設計を、ＲＣＷＡ法を用いたシミュレーションにより行い、Ａｕ微小構造としてＡｕロッドアレイを提案し、ギャップ３～３０ｎｍの範囲で、６００～１２００ｎｍの短波長側と１０００ｎｍ～１８００ｎｍの長波長側の２領域での共振波長の変化を示した。共振波長がＡｕロッドの形状に依存していることを確認し、共振時の電場・磁場分布を示した。単位ギャップ変化量に対する共振波長の変化率が３～１３０ｎｍ程度であり、光を垂直入射した場合のファブリ・ペロー干渉よりもギャップに対する感度が高いことを確認した。
Ａｕ薄膜とＡｕ微小構造のギャップを外力によって変化可能なエアギャップ構造をもつメタマテリアルの設計を、ＲＣＷＡ法を用いたシミュレーションにより行い、Ａｕ微小構造としてＡｕロッドアレイを提案し、ギャップ３～３０ｎｍの範囲で、６００～１２００ｎｍの短波長側と１０００ｎｍ～１８００ｎｍの長波長側の２領域での共振波長の変化を示した。共振波長がＡｕロッドの形状に依存していることを確認し、共振時の電場・磁場分布を示した。単位ギャップ変化量に対する共振波長の変化率が３～１３０ｎｍ程度であり、光を垂直入射した場合のファブリ・ペロー干渉よりもギャップに対する感度が高いことを確認した。
シミュレーションによる設計に基づきＡｕロッドアレイ及びエアギャップ構造をもつメタマテリアルの製作を行った。リフトオフプロセスを行うことで製作した全ての領域でＡｕロッドアレイをパターニングすることができた。
製作したＡｕロッドアレイのみの状態とＡｕロッドアレイをＡｕ薄膜に重ねた状態でそれぞれ測定を行った。Ａｕロッドアレイのみでは波長６００～８００ｎｍ、８００～１０００ｎｍの２つ領域で反射率のピークが確認できた。測定結果はシミュレーション結果の傾向と一致していた。ＡｕロッドアレイとＡｕ薄膜を重ねて測定を行うと波長６００～８００ｎｍ、８００～１０００ｎｍの２つ領域で反射率のディップが確認できた。
製作したＡｕロッドアレイのみの状態とＡｕロッドアレイをＡｕ薄膜に重ねた状態でそれぞれ測定を行った。Ａｕロッドアレイのみでは波長６００～８００ｎｍ、８００～１０００ｎｍの２つ領域で反射率のピークが確認できた。測定結果はシミュレーション結果の傾向と一致していた。ＡｕロッドアレイとＡｕ薄膜を重ねて測定を行うと波長６００～８００ｎｍ、８００～１０００ｎｍの２つ領域で反射率のディップが確認できた。
実施形態２：アルミニウム（Ａｌ）・誘電体・アルミニウム（Ａｌ）３層構造メタマテリアル
実施形態１で詳述したＡｕ・誘電体・Ａｕ３層構造メタマテリアルと同様にしてアルミニウム（Ａｌ）・誘電体・アルミニウム（Ａｌ）３層構造メタマテリアルについてＲＣＷＡ法によるシミュレーションを行い、Ａｌ微小構造（デバイス）の形状設計に基づき光学特性の計算を行った。Ａｌ微小構造の単位セルの一例を図２４に示す。本例では厚み３０ｎｍのＡｌドットの上に設けた厚み２５ｎｍのＳｉＯ2とギャップ（空気）とが誘電体層となり、ＳｉＯ2は両導電体層の接続防止のストッパーの役割を果たす。また、このようなストッパー層の機能は、図２４中に記載のガラス基板上に形成した下部Ａｌ層の厚みを超える直径の絶縁性粒子（例えば、ＳｉＯ2粒子）を用いることによって、両導電体層の接続防止を果たすことができる。エアギャップ（ｄ）に対する反射率の変化を図２５に、共振波長のシフトを図２６に示す。エアギャップ（ｄ）が０～３０ｍｍで共振波長が大きく変化する結果が得られた。
実施形態１で詳述したＡｕ・誘電体・Ａｕ３層構造メタマテリアルと同様にしてアルミニウム（Ａｌ）・誘電体・アルミニウム（Ａｌ）３層構造メタマテリアルについてＲＣＷＡ法によるシミュレーションを行い、Ａｌ微小構造（デバイス）の形状設計に基づき光学特性の計算を行った。Ａｌ微小構造の単位セルの一例を図２４に示す。本例では厚み３０ｎｍのＡｌドットの上に設けた厚み２５ｎｍのＳｉＯ2とギャップ（空気）とが誘電体層となり、ＳｉＯ2は両導電体層の接続防止のストッパーの役割を果たす。また、このようなストッパー層の機能は、図２４中に記載のガラス基板上に形成した下部Ａｌ層の厚みを超える直径の絶縁性粒子（例えば、ＳｉＯ2粒子）を用いることによって、両導電体層の接続防止を果たすことができる。エアギャップ（ｄ）に対する反射率の変化を図２５に、共振波長のシフトを図２６に示す。エアギャップ（ｄ）が０～３０ｍｍで共振波長が大きく変化する結果が得られた。
以上の結果から設計したデバイスを図２７に示す工程により製作した。なお、デバイスの製作工程は本例に限定されるものではない。
すなわち、（１）透明基板としてのガラス基板上にＡｌ層とＳｉＯ2層をこの順に電子ビーム蒸着し（２-ａ）、電子ビームリソグラフィーにてアルミニウム（Ａｌ）格子のパターニングを行い（２-ｂ）、次いでドライエッチングしてガラス基板上に表面プラズモンが発現する厚みを有するＡｌ＋ＳｉＯ2の格子層（Ａｌドット層）を有する第１構造体を作成した（２-ｃ）。なお、上記の電子ビーム蒸着による成膜の他に、スパッタリングや熱蒸着などの成膜方法を採用することもできる。また上記電子ビームリソグラフィーの他にナノインプリントリソグラフィーやステッパー露光でもパターニングを行うことができる。
すなわち、（１）透明基板としてのガラス基板上にＡｌ層とＳｉＯ2層をこの順に電子ビーム蒸着し（２-ａ）、電子ビームリソグラフィーにてアルミニウム（Ａｌ）格子のパターニングを行い（２-ｂ）、次いでドライエッチングしてガラス基板上に表面プラズモンが発現する厚みを有するＡｌ＋ＳｉＯ2の格子層（Ａｌドット層）を有する第１構造体を作成した（２-ｃ）。なお、上記の電子ビーム蒸着による成膜の他に、スパッタリングや熱蒸着などの成膜方法を採用することもできる。また上記電子ビームリソグラフィーの他にナノインプリントリソグラフィーやステッパー露光でもパターニングを行うことができる。
（２）透明基板としてのガラス基板上にスパッタリングにより（１－ａ）Ａｌ層とスペーサ材のフォトレジスト樹脂層を所定の厚みでこの順に成膜（積層）し、次いでフォトリソグラフィによりスペーサ部を形成して第２構造体を作成した（１－ｂ）。なお、上記
スパッタリングの他に電子ビーム蒸着法や熱蒸着法を採用できる。
次いで、（３）前記第１構造体のＡｌ格子層（Ａｌドット層）と前記第２構造体のＡｌ層とを、両者が対向するよう重ね合わせ接合した。
スパッタリングの他に電子ビーム蒸着法や熱蒸着法を採用できる。
次いで、（３）前記第１構造体のＡｌ格子層（Ａｌドット層）と前記第２構造体のＡｌ層とを、両者が対向するよう重ね合わせ接合した。
製作したデバイスについて、荷重なし（オフ状態）と荷重あり（オン状態）の測定結果を図２８に示す。
次に、荷重（Ｗ）をより精密に制御しながらかけてエアギャップ（ｄ）を変えて測定を行った（図２９）。荷重を１．４Ｎ、１．６Ｎ、１．８Ｎ及び２．０Ｎかけてエアギャップ（ｄ）を変化せたときの光学特性変化（波長と反射率の関係）を図３０に示す。図３１に示す、荷重（Ｗ）とエアギャップ（ｄ）と共振波長の関係のように、エアギャップｄ＝２０～６０ｎｍの範囲で計算結果と測定結果がほぼ一致している。
次に、荷重（Ｗ）をより精密に制御しながらかけてエアギャップ（ｄ）を変えて測定を行った（図２９）。荷重を１．４Ｎ、１．６Ｎ、１．８Ｎ及び２．０Ｎかけてエアギャップ（ｄ）を変化せたときの光学特性変化（波長と反射率の関係）を図３０に示す。図３１に示す、荷重（Ｗ）とエアギャップ（ｄ）と共振波長の関係のように、エアギャップｄ＝２０～６０ｎｍの範囲で計算結果と測定結果がほぼ一致している。
荷重Ｗに対する共振波長のシフト率（感度）（Δλ／ΔＷ）と、エアギャップの変位量に対する共振波長のシフト率（Δλ／Δｄ）と荷重に対するギャップの変化率（Δｄ／ΔＷ）との関係は下記の式で示すことができる。
Δλ／ΔＷ＝（Δｄ／ΔＷ）×（Δλ／Δｄ）
エアギャップの変位量に対する共振波長のシフト率（Δλ／Δｄ）をエアギャップ（ｄ）に対してプロットしたものを図３２に示す。図中、曲線は計算値であり、ドットは測定値である。エアギャップ（ｄ）が２０～６０ｎｍでシフト率（Δλ／Δｄ）の測定値は０．８～３．０である。エアギャップ（ｄ）が２０～６０ｎｍの範囲で共振波長のシフトを測定することにより荷重測定が可能であるが、図３２からエアギャップ（ｄ）をより０に近づけることによって感度（Δλ／ΔＷ）を上げることが期待できる。
Δλ／ΔＷ＝（Δｄ／ΔＷ）×（Δλ／Δｄ）
エアギャップの変位量に対する共振波長のシフト率（Δλ／Δｄ）をエアギャップ（ｄ）に対してプロットしたものを図３２に示す。図中、曲線は計算値であり、ドットは測定値である。エアギャップ（ｄ）が２０～６０ｎｍでシフト率（Δλ／Δｄ）の測定値は０．８～３．０である。エアギャップ（ｄ）が２０～６０ｎｍの範囲で共振波長のシフトを測定することにより荷重測定が可能であるが、図３２からエアギャップ（ｄ）をより０に近づけることによって感度（Δλ／ΔＷ）を上げることが期待できる。
他の実施形態：
実施態様１及び２では、本発明の光変調構造体下部の第１導電体層が導電体格子層（Ａｕドット層またはＡｌドット層）を示し、上部（荷重を負荷する側）の第２導電体層が導電体薄膜（Ａｕ層またはＡｌ層）の例について説明したが、導電体格子層と導電体層との配置は逆でもよい。また、第１導電体層及び第２導電体層が共に導電体格子層の態様も本発明に含まれる。
実施態様１及び２では、本発明の光変調構造体下部の第１導電体層が導電体格子層（Ａｕドット層またはＡｌドット層）を示し、上部（荷重を負荷する側）の第２導電体層が導電体薄膜（Ａｕ層またはＡｌ層）の例について説明したが、導電体格子層と導電体層との配置は逆でもよい。また、第１導電体層及び第２導電体層が共に導電体格子層の態様も本発明に含まれる。
このように、本発明は、第１の基板上の導電体層（第１導電体層）が誘電体層を介して第２の基板上の導電体層（第２導電体層）と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有する光変調構造体を提供する。前記誘電体層の厚みが外力により変化する範囲は特に限定されず、本発明が目的とする機能を有する条件であればよい。その範囲としては、例えば光変調構造体の動作波長域の１／１０～０の範囲が適用される。
また、本発明の光変調構造体では、第１導電体層及び第２導電体層の片方、または両方が、表面プラズモンが発現する厚みを有することが好ましい。
ここで、誘電体層としては、例えばその一部または全てが空気のような気体層、または液体層または外力により変形可能なゴム、ゲル及びシリコーンなどの固体層が用いられる。
また、本発明の光変調構造体では、第１導電体層及び第２導電体層の片方、または両方が、表面プラズモンが発現する厚みを有することが好ましい。
ここで、誘電体層としては、例えばその一部または全てが空気のような気体層、または液体層または外力により変形可能なゴム、ゲル及びシリコーンなどの固体層が用いられる。
本発明の光変調構造体の導電体層に使用できる金属は特に限定されないが、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、及び遷移金属系窒化物（例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ）が好ましく、特に金（Ａｕ）とアルミニウム（Ａｌ）が好ましい。
導電体膜の支持構造：
実施態様１及び２の光変調構造体では、中心に金属格子層を配置して、周辺部を固定して荷重をかけると中心部がたわむ。このたわみは、バネ構造を利用して荷重をかけたときに金属膜（金属層）が対向導電体格子層面に平行に移動する構造として、荷重（Ｗ）に対するエアギャップ（ｄ）の変化率Δｄ／ΔＷ（感度）を上げることができる。バネ構造で金属膜を支持した構造の例を図３３（Ａ）及び（Ｂ）に示すが、バネ構造の例は図３３に限定されない。例えば、金属膜を有する基板の厚みを周縁部に沿って薄くすることで、金属膜を有する基板自体にバネ作用の機能を付与することもできる。
従って、本発明の光変調構造体は第１導電体層または第２導電体層が、基板にバネ構造で支持されているのが望ましいが、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造は、前記バネ構造に限定されない。
実施態様１及び２の光変調構造体では、中心に金属格子層を配置して、周辺部を固定して荷重をかけると中心部がたわむ。このたわみは、バネ構造を利用して荷重をかけたときに金属膜（金属層）が対向導電体格子層面に平行に移動する構造として、荷重（Ｗ）に対するエアギャップ（ｄ）の変化率Δｄ／ΔＷ（感度）を上げることができる。バネ構造で金属膜を支持した構造の例を図３３（Ａ）及び（Ｂ）に示すが、バネ構造の例は図３３に限定されない。例えば、金属膜を有する基板の厚みを周縁部に沿って薄くすることで、金属膜を有する基板自体にバネ作用の機能を付与することもできる。
従って、本発明の光変調構造体は第１導電体層または第２導電体層が、基板にバネ構造で支持されているのが望ましいが、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造は、前記バネ構造に限定されない。
また、本発明では、（１）基板上に導電体を格子状に配置した導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）基板上に導電体とスペーサ材料を形成し、次いでフォトリソグラフィ、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法及びエッチング法からなる群から選ばれる少なくとも１つの方法によりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含む光変調構造体の製造方法を提供できる。
また、本発明では、（１）透明基板上に導電体層と透明誘電体層をこの順に成膜した後、導電体格子のパターニングを行い、次いでドライエッチングして透明基板上に表面プラズモンが発現する厚みの導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）透明基板上に導電体層とスペーサ材料のフォトレジスト樹脂層をこの順に積層し、次いでフォトリソグラフィによりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層（導電体ドット層）と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含む光変調構造体の製造方法を提供できる。ここで、導電体としてアルミニウム（Ａｌ）が用いられ、透明誘電体層としてＳｉＯ2層が好ましく形成される。
また、本発明では、（１）ウェハ上にレジストを格子状にパターニングし、その上にクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）をこの順に積層し、レジストを除去してＡｕ格子層（Ａｕドット層）を有する第１構造体を作成する工程、（２）ＳｉＯ2ウェハ上にＣｒとＡｕとＣｒをこの順に積層し、その上の周辺部にレジストを積層し、次いでＣｒエッチングとレジスト樹脂の除去によりＡｕ層を有する第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体のＡｕ格子層（Ａｕドット層）と前記第２構造体のＡｕ層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含む光変調構造体の製造方法を提供できる。
基板またはウェハには公知の透明材料を用いることができる。例えば、石英、ガラス、サファイア、ＳｉＣ、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン及びプラスチックからなる群から選ばれた少なくとも１種の材料が用いられる。また、基板またはウェハには、石英、ガラス、サファイア、ＳｉＣ、シリコン、シリコーン及びプラスチックからなる群から選ばれた少なくとも１種の材料がより好ましく用いられる。
前記スペーサ材料には、例えばＳｉＯ2等のセラミックス層またはセラミックス粒子が好ましく用いられる。
また、前記両構造体を合わせる工程（手段）は限定されるものではないが、例えば接合または接着、圧着等の手段が適用できる。
前記スペーサ材料には、例えばＳｉＯ2等のセラミックス層またはセラミックス粒子が好ましく用いられる。
また、前記両構造体を合わせる工程（手段）は限定されるものではないが、例えば接合または接着、圧着等の手段が適用できる。
本発明の光変調構造体は、誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有するため、誘電体層の厚み変化（例えば、エアギャップ変化）に対する共振波長変化量をファブリ・ペロー構造体より大きくできることから、センサ感度を大幅に向上できる。
本発明の光変調構造体を用いた装置等の応用例は特に限定されない。具体例としては超高感度なフォースゲージ、接触センサ、タッチパネル、バイオセンサ、センサをシリコーンゴムやゲルに充填した防水型圧力センサ、光ファイバ先端に形成し光ファイバ型超小型センサとしてカテーテルに組み込み体内の圧力センシング（局所領域や手の届かないところの圧力センシングが可能）、ロボットの光学式触覚センサ、小型軽量なウェアラブルの圧力センサ、血圧、呼吸、心拍の生体計測センシングなどに応用可能である。
本発明の光変調構造体を用いた装置等の応用例は特に限定されない。具体例としては超高感度なフォースゲージ、接触センサ、タッチパネル、バイオセンサ、センサをシリコーンゴムやゲルに充填した防水型圧力センサ、光ファイバ先端に形成し光ファイバ型超小型センサとしてカテーテルに組み込み体内の圧力センシング（局所領域や手の届かないところの圧力センシングが可能）、ロボットの光学式触覚センサ、小型軽量なウェアラブルの圧力センサ、血圧、呼吸、心拍の生体計測センシングなどに応用可能である。
Claims (11)
- 第１の基板上の導電体層（第１導電体層）が誘電体層を介して第２の基板上の導電体層（第２導電体層）と対向し、前記誘電体層の厚みが外力により変化する構造を有し、
第１導電体層及び第２導電体層の片方または両方が、表面プラズモンが発現する厚みを有する導電体格子層である、光変調構造体。 - 前記誘電体層の一部または全てが、気体層、液体層または外力により変形可能な固体層である請求項１に記載の光変調構造体。
- 前記誘電体層の一部または全てが空気層である請求項１又は２に記載の光変調構造体。
- 前記導電体層の導電体が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、及び遷移金属系窒化物からなる群から選択される少なくとも１種である請求項１～３のいずれかに記載の光変調構造体。
- 前記導電体が、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）である請求項４に記載の光変調構造体。
- 第１導電体層または第２導電体層が、基板にバネ構造で支持されている請求項１～５のいずれかに記載の光変調構造体。
- 請求項１～６のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）基板上に導電体を格子状に配置した導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）基板上に導電体とスペーサ材料を形成し、次いでフォトリソグラフィ、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法及びエッチング法からなる群から選ばれる少なくとも１つの方法によりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
- 請求項１～６のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）透明基板上に導電体層と透明誘電体層をこの順に成膜した後、導電体格子のパターニングを行い、次いでドライエッチングして透明基板上に表面プラズモンが発現する厚みの導電体格子層を有する第１構造体を作成する工程、（２）透明基板上に導電体層とスペーサ材料のフォトレジスト樹脂層をこの順に積層し、次いでフォトリソグラフィによりスペーサを形成して第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体の導電体格子層と前記第２構造体の導電体層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
- 導電体がアルミニウム（Ａｌ）であり、透明誘電体層がＳｉＯ２層である請求項８に記載の光変調構造体の製造方法。
- 請求項１～６のいずれかに記載の光変調構造体の製造方法であって、（１）ウェハ上にレジストを格子状にパターニングし、その上にクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）をこの順に積層し、レジストを除去してＡｕ格子層（Ａｕドット層）を有する第１構造体を作成する工程、（２）ＳｉＯ２ウェハ上にＣｒとＡｕとＣｒをこの順に積層し、その上の周辺部にレジストを積層し、次いでＣｒエッチングとレジスト樹脂の除去によりＡｕ層を有する第２構造体を作成する工程、及び（３）前記第１構造体のＡｕ格子層（Ａｕドット層）と前記第２構造体のＡｕ層とが対向するよう両構造体を合わせる工程を含むことを特徴とする光変調構造体の製造方法。
- 請求項１～６のいずれかに記載の光変調構造体を用いた装置。
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