JP2012173287A - 半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサ及び応力補正ホールセンサ - Google Patents
半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサ及び応力補正ホールセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012173287A JP2012173287A JP2012026648A JP2012026648A JP2012173287A JP 2012173287 A JP2012173287 A JP 2012173287A JP 2012026648 A JP2012026648 A JP 2012026648A JP 2012026648 A JP2012026648 A JP 2012026648A JP 2012173287 A JP2012173287 A JP 2012173287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistors
- resistance
- stress
- resistor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012067 mathematical method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/007—Environmental aspects, e.g. temperature variations, radiation, stray fields
- G01R33/0082—Compensation, e.g. compensating for temperature changes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D3/00—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
- G01D3/028—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure
- G01D3/036—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure on measuring arrangements themselves
- G01D3/0365—Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure on measuring arrangements themselves the undesired influence being measured using a separate sensor, which produces an influence related signal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/225—Measuring circuits therefor
- G01L1/2262—Measuring circuits therefor involving simple electrical bridges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
- G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
- G01L1/2293—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges of the semi-conductor type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/16—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force
- G01L5/161—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using variations in ohmic resistance
- G01L5/162—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using variations in ohmic resistance of piezoresistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体チップ2の動作面3に4つの集積抵抗R1〜R4を一体化して配置し、該集積抵抗R1〜R4によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗R1及びR4はp型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗R2及びR3はn型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。
【選択図】図1
Description
1.抵抗R1及びR4は、p型抵抗、すなわち半導体チップ2において一体化されるp型ドーピングを有している抵抗である。
2.抵抗R2及びR3は、n型抵抗、すなわち半導体チップ2において一体化されるn型ドーピングを有している抵抗である。
3.4つの抵抗R1、R2、R3及びR4の名目上の値は、プロセス関連の公差を無視すると、等しいサイズ、すなわちR1=R2=R3=R4である。これは、p型ドーピング又はn型ドーピングの層の抵抗に対応する抵抗ストリップの長さと幅の比率によって達成される。
4a)各々の抵抗R1、R2、R3及びR4は、直接に又は電気導体経由で互いに接続される長方形の抵抗セクションから構成され、抵抗を形成し、抵抗セクションの各々は、半導体チップの作動面3によって定められるxy面において所定の配向性を有し、第1の配向性を有しかつ同じ抵抗R1、R2、R3、又は、R4の1つに属するすべての抵抗セクションの抵抗値の合計は、第1の配向性に90°回転した第2の配向性を有しかつさらに同じ抵抗R1、R2、R3、又は、R4の1つに属するすべての抵抗セクションの抵抗値の合計は、同じ公称値を有する。
又は、
4b)n型抵抗R2及びR3は特徴4aにおいて実行され、p型抵抗R1及びR4は、半導体チップの端に関して45°又は−45°回転する長方形の抵抗ストリップである。
又は、
4c)4つの抵抗R1、R2、R3及びR4は、半導体チップの端に関して45°又は−45°回転する長方形の抵抗ストリップである。
5a)抵抗R1、R2、R3及びR4のために使用されるドーピングは、好ましくは電気接点の製造のために使用される重度ドープしたN+又はP+ドーピングである。
又は、
5b)n型抵抗R2及びR3は、重度ドープしたN+及び比較的軽度ドープしたN材料から構成される。p型抵抗R2及びR3は、重度ドープしたP+材料から構成される。
又は、
5c)n型抵抗R2及びR3は、重度ドープしたN+及び比較的軽度ドープしたN材料から構成されている。p型抵抗R1及びR4は、重度ドープしたP+及び比較的軽度ドープしたP材料から構成される。
6.抵抗セクションおいて流れている電流は、本質的に半導体チップ2の作動面3に平行して流れる。抵抗R1、R2、R3及びR4は、したがって、横方向の抵抗と呼ぶことができる。
ΔRn/Rn=−24%/GPa*(Txx+Tyy)+53%/GPa*Tzz(1)
ΔRp/Rp=2.7%/GPa*(Txx+Tyy)−1.1%/GPa*Tzz(2)
Txx、Tyy及びTzzは、それぞれ、x軸又はy軸又はz軸の方向に向きを定められる機械的な張力テンソルの3つの通常の張力構成要素を示す。特定された割合値(24%、53%、2.7%及び1.1%)は、低レベルのドーピングで、近似値として理解され、(100)シリコンの場合には、シリコン・ウエハーの回転配向性から独立している。
ΔRn/Rn=−24%/GPa*(Txx+Tyy) (3)
ΔRp/Rp=2.7%/GPa*(Txx+Tyy) (4)
I1=IP*[1+a*(T−T0)]
I2=IC*[1−b*(T−T0)]
I3=IR
I4=c*VS
T0は選択された固定温度であり、a及びbはPTAT及びCTAT定電流源の特性によって与えられるパラメータであり、IP、IC、IR及びcは、特定の温度範囲内の電流I1からI4の合計が以下の性質を有するように互いに適応する選択可能なパラメータである:
I=I1+I2+I3+I4=I0*[1+δ*(T−T0)+λ*VS] (5)
係数δ及びλは定数であり、I0は、温度T0で、及び、機械的負荷の非存在下で電流源21から24により供給される電流を指す。
I=I0*[1+δ*(T−25℃)+ε*(T−25℃)2+λ*VS]
定数δ、ε及びλは、試験的な例において以下の値を有した:δ=300ppm/℃、ε=5ppm/℃2、λ=2.2/V
−抵抗R1、R2、R3及びR4は、シリコンの<110>結晶方向に関して45°又は−45°回転する長方形の抵抗である(図に示されるx軸は、<110>結晶方向に平行に延長する)。
−ホール素子15(又は、ホール素子の一群)は、4つの電気接点のうちの2つに電流が適用されると、<110>結晶方向に45°又は−45°の角度でホール素子15を通じて斜めに電流が流れるように整列配置される少なくとも4つの電気接点を有する。半導体チップの端は平面に対して平行及び直角に延長するので、抵抗R1、R2、R3及びR4は、半導体チップの端に関して45°又は−45°回転する。
1.各々の抵抗は、4つの抵抗セクションから構成され、その2つが第1の方向に平行して整列配置され、もう2つが第1の方向に対して直角の第2の方向に平行して整列配置される。
2.各々の4つの抵抗セクションは、そのドーピングが異なる直列に接続される2つの抵抗ストリップで構成される。n型抵抗R2及びR3に使用されるドーピングは、重度ドープされたN+ドーピングであり、好ましくは第1の抵抗ストリップの電気接点の製造のために使用されるN+ドーピング、及び、中程度のNドーピング、好ましくは第2の抵抗ストリップの、ホール素子のウエルの製造のために使用されるドーピング、すなわち概してn型ウエルに指定されるドーピングである。p型抵抗R1及びR4のために使用されるドーピングは、重度ドープしたP+ドーピングであり、好ましくは第1の抵抗ストリップの電気接点の製造のために使用されるP+ドーピング、及び、中程度のPドーピング、好ましくは第2の抵抗ストリップの概してp型ウエルに指定されるドーピングである。N+ドーピングを有する抵抗ストリップは参照符号35によって指定され、n型ウエルドーピングを有する抵抗ストリップは参照符号36によって指定され、P+ドーピングを有する抵抗ストリップは参照符号37によって指定され、p型ウエルドーピングを有する抵抗ストリップは参照符号38によって指定される。抵抗R3及びR4の抵抗ストリップの参照符号が明確性のために外されるので、同一の抵抗ストリップは、同一の境界及び陰影を有して示される。
省略形で:
TC_N+は、N+材料の温度係数を指す;
TC_nwellは、n型ウエル材料の温度係数を指す;
TC_p+は、P+材料の温度係数を指す;
TC_pwellは、p型ウエル材料の温度係数を指す;
TC_πn+は、N+材料のピエゾ抵抗温度係数を指す;
TC_πnwellは、n型ウエル材料のピエゾ抵抗温度係数を指す;
TC_phは、ホールプレートのピエゾ・ホール温度係数を指す;
R_N+は、N+抵抗ストリップの抵抗を指す;
R_nwellは、n型ウエル抵抗ストリップの抵抗を指す;
R_P+は、P+抵抗ストリップの抵抗を指す;
R_pwellは、p型ウエル抵抗ストリップの抵抗を指す;
α、β、γ、ηは、定位性パラメータを指す。
N+抵抗ストリップ及びn型ウエル抵抗ストリップから形成される抵抗セクションの抵抗Rnは、したがって、R_N+=α*Rn及びR_nwell=β*Rnとして、Rn=R_N++R_nwellである。この場合、α+β=1である。比率α/βは、応力に依存する抵抗変化の温度ドリフトは、ピエゾ・ホール温度係数と等しいという事実を組み込んで、方程式α*TC_πn++β*TC_πnwell=TC_phによって決定される。P+抵抗ストリップ及びp型ウエル抵抗ストリップも、異なる温度係数を有する。
R_P+=γ*Rp及びR_pwell=η*Rpとして、
Rp=R_P++R_pwell
である。
この場合、γ+η=1である。比率γ/ηは、方程式α*TC_n++β*TC_nwell=γ*TC_p++η*TC_pwellによって決定される。抵抗R1からR4まで形成されるホイートストンブリッジのオフセットを無くすため、Rp=Rnでなければならない。定位性のためにそのように得られた値α、β、γ及びηは、方程式で使用される材料の定数がどのくらい正確に知られるかに依存し、最終的に経験的修正が必要とされる近似値である。
3.抵抗の8つ抵抗ストリップは、以下のように互いに電気接続される
a)同じ方向を有する2つの抵抗セクションで、反対方向に電流が流れる、
b)抵抗セクションのシーケンスは、それらの配向性、すなわち、第1の配向性の抵抗セクション、第2の配向性の抵抗セクション、第1の配向性の抵抗セクション及び第2の配向性の抵抗セクション、又は、その逆も同じである配向性に関して交互である、
c)8つの抵抗ストリップのシーケンスは以下の通りである:
N+、n型ウエル、n型ウエル、N+、N+、n型ウエル、n型ウエル、N+、又は、P+、p型ウエル、p型ウエル、P+、P+、p型ウエル、p型ウエル、P+。
VS=k0*A0+k1*A1+k2*A2+...+km/2*An+km/2+1*B0+...+km−1*Bn−1+km*Bn
ホール素子15によるホール電流は、それから方程式(6)によって好ましくはストレス補正される。
Claims (12)
- 半導体チップ(2)の機械的な応力を検出するための応力センサ(1)であって、該半導体チップ(2)の作動面(3)において一体化される抵抗を有する該応力センサにおいて、集積抵抗は、ホイートストンブリッジを形成する4つの集積抵抗R1からR4を含み、該抵抗R1及びR2は直列に接続され、該抵抗R3及びR4は、該抵抗R1及びR2と平行して直列に接続され、該抵抗R1及びR3は共通のノード(4)を有し、該抵抗R2及びR4は共通のノード(5)を有し、該抵抗R1及びR4はp型抵抗であり、該抵抗R2及びR3はn型抵抗であることにおいて特徴付けられる、応力センサ。
- 前記n型抵抗R2及びR3の各々が、互いに直接又は電気導体経由で接続される長方形の抵抗セクション(13.1から13.5)から構成され、該抵抗セクション(13.1から13.5)の各々は、前記半導体チップ(2)の前記作動面(3)によって定められる平面(xy)において所定の配向性を有し、第1の配向性を有しかつ同じ該抵抗R2又はR3に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計と、第1の配向性に90°回転する第2の配向性を有しかつさらに同じ該抵抗R2又はR3に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計とが、同じ公称値を有することにおいて特徴付けられる、請求項1記載の応力センサ(1)。
- 前記p型抵抗R1及びR4の各々が、互いに直接又は電気導体経由で接続される長方形の抵抗セクション(13.1から13.5)から構成され、該抵抗セクション(13.1から13.5)の各々は、前記半導体チップ(2)の前記作動面(3)によって定められる平面(xy)において所定の配向性を有し、第1の配向性を有しかつ同じ該抵抗R1又はR4に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計と、第1の配向性に90°回転する第2の配向性を有しかつさらに同じ該抵抗R1又はR4に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計とが、同じ公称値を有することにおいて特徴付けられる、請求項2記載の応力センサ(1)。
- 前記n型抵抗R2及びR3の抵抗部分と、前記p型抵抗R1及びR4の抵抗部分とは、45°又は−45°の角度を囲むことにおいて特徴付けられる、請求項3記載の応力センサ(1)。
- 前記p型抵抗R1及びR4の各々は、前記半導体チップ(2)の端に関して45°又は−45°で回転する長方形の抵抗であることにおいて特徴付けられる、請求項4記載の応力センサ(1)。
- 基材(100)はシリコンであり、前記半導体チップ(2)の端は<110>結晶方向に平行して直角に延長し、前記n型抵抗R2及びR3の前記抵抗セクションは<110>結晶方向に平行して直角に延長し、前記p型抵抗R1及びR4の前記抵抗セクションは<100>結晶方向に平行して直角に延長することにおいて特徴付けられる、請求項3記載の応力センサ(1)。
- 前記抵抗R1、R2、R3及びR4の各々は、前記半導体チップ(2)の端に関して45°又は−45°回転する長方形の抵抗であることにおいて特徴付けられる、請求項1記載の応力センサ(1)。
- 前記n型抵抗R2及びR3は、該n型抵抗R2及びR3の応力に依存した抵抗変化の温度ドリフトがピエゾ・ホール温度係数と等しいように結合される比較的重度ドープした及び比較的軽度ドープした半導体材料を含むことにおいて特徴付けられる、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の応力センサ(1)。
- 前記p型抵抗R1及びR4は、比較的重度ドープした及び比較的軽度ドープした半導体材料を含み、これらの該半導体材料は、該p型抵抗R1及びR4の応力から独立した抵抗変化の温度ドリフトが前記n型抵抗R2及びR3の応力から独立した抵抗変化の温度ドリフトと等しいように結合されていることにおいて特徴付けられる、請求項8記載の応力センサ(1)。
- 少なくとも1つのホール素子(15)と、請求項1から9のいずれかに記載の少なくとも1つの応力センサ(1)とを含むホールセンサであって、少なくとも1つの該応力センサの出力信号は、該少なくとも1つのホール素子(15)の出力信号の応力の補正に使われる、ホールセンサ。
- 電流を少なくとも1つの前記ホール素子(15)に適用するための少なくとも2つの電流源(21、22、23、24)により特徴付けられ、前記応力センサ(1)の出力信号は、少なくとも2つの該電流源の1つを制御する、請求項10記載のホールセンサ。
- 互いに直角に延長している2つの軸に沿って配置される少なくとも5つの応力センサが提供され、単一の出力信号が、少なくとも1つの前記ホール素子(15)の出力信号を応力補正するため、該応力センサの出力信号から形成されることにおいて特徴付けられる、請求項10又は請求項11記載のホールセンサ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH00282/11A CH704509A1 (de) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Stresssensor zur Erfassung mechanischer Spannungen in einem Halbleiterchip und stresskompensierter Hallsensor. |
CH00282/11 | 2011-02-18 | ||
CH02020/11 | 2011-12-21 | ||
CH20202011 | 2011-12-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012173287A true JP2012173287A (ja) | 2012-09-10 |
JP2012173287A5 JP2012173287A5 (ja) | 2015-03-26 |
JP5915890B2 JP5915890B2 (ja) | 2016-05-11 |
Family
ID=45554560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012026648A Active JP5915890B2 (ja) | 2011-02-18 | 2012-02-09 | 半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサ及び応力補正ホールセンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9016135B2 (ja) |
EP (1) | EP2490036B1 (ja) |
JP (1) | JP5915890B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017104123A1 (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 歪センサと、歪センサを用いた荷重検出装置 |
JP2018159715A (ja) * | 2018-07-11 | 2018-10-11 | 株式会社レプトリノ | 力覚センサ及び力覚センサのブリッジ回路構成方法 |
KR20190058355A (ko) * | 2017-11-21 | 2019-05-29 | 더 보잉 컴파니 | 응력 센서 |
US10317297B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-11 | Melexis Technologies Nv | Semiconductor pressure sensor |
JP2020148699A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
JP7408638B2 (ja) | 2019-04-03 | 2024-01-05 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 力センサ |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130300395A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Gregory A. Maher | Accessory detection over temperature |
WO2014002387A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホール起電力補正装置及びホール起電力補正方法 |
FR2993983A1 (fr) * | 2012-07-30 | 2014-01-31 | St Microelectronics Rousset | Procede de compensation d'effets de contraintes mecaniques dans un microcircuit |
US20150115936A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Signal error compensation for a magnetometer in a sensor package |
DE102015103075B4 (de) | 2015-02-20 | 2017-04-20 | Infineon Technologies Ag | Detektion und kompensation mechanischer spannungen |
GB2539681A (en) | 2015-06-23 | 2016-12-28 | Melexis Tech Sa | Stress and temperature compensated hall sensor, and method |
ITUB20152562A1 (it) | 2015-07-28 | 2017-01-28 | St Microelectronics Srl | Procedimento di funzionamento di sensori di hall e dispositivo corrispondente |
US10107873B2 (en) * | 2016-03-10 | 2018-10-23 | Allegro Microsystems, Llc | Electronic circuit for compensating a sensitivity drift of a hall effect element due to stress |
US10162017B2 (en) * | 2016-07-12 | 2018-12-25 | Allegro Microsystems, Llc | Systems and methods for reducing high order hall plate sensitivity temperature coefficients |
US10352792B2 (en) * | 2017-02-15 | 2019-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Device and method for on-chip mechanical stress sensing |
CN107315506B (zh) * | 2017-06-30 | 2019-12-24 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
US10520559B2 (en) * | 2017-08-14 | 2019-12-31 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for Hall effect elements and vertical epi resistors upon a substrate |
US20190120708A1 (en) * | 2017-10-25 | 2019-04-25 | International Business Machines Corporation | Assessing and minimizing integrated circuit (ic) chip warpage during manufacturing and use |
JP6919964B2 (ja) * | 2018-01-29 | 2021-08-18 | ミネベアミツミ株式会社 | センサチップ及び力覚センサ装置 |
US10852365B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-12-01 | Infineon Technologies Ag | Stray field suppression in magnetic sensor Wheatstone bridges |
IT201800007246A1 (it) | 2018-07-17 | 2020-01-17 | Sensore di hall, dispositivi e procedimento corrispondenti | |
US11189536B2 (en) * | 2018-12-31 | 2021-11-30 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for on-chip stress detection |
DE102019129411A1 (de) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | Wika Alexander Wiegand Se & Co. Kg | Aufnehmerkörper mit einem Messelement und Herstellungsverfahren für einen Aufnehmerkörper |
US20220020915A1 (en) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | Texas Instruments Incorporated | On-substrate mechanical stress sensing and compensation |
US11650110B2 (en) * | 2020-11-04 | 2023-05-16 | Honeywell International Inc. | Rosette piezo-resistive gauge circuit for thermally compensated measurement of full stress tensor |
DE102021206131A1 (de) | 2021-06-16 | 2022-12-22 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Modul und Verfahren zum Überwachen von Umwelteinflüssen auf ein Modul |
DE102021206134A1 (de) | 2021-06-16 | 2022-12-22 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Stress- und/oder Dehnungsmesszelle für ein Stress- und/oder Dehnungsmesssystem |
CN113607043A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-05 | 中航电测仪器股份有限公司 | 一种用于芯片应力测试用应变计 |
CN114112129B (zh) * | 2021-11-19 | 2022-08-05 | 苏州纳芯微电子股份有限公司 | 一种基板应力传感器及传感设备 |
CN114609559B (zh) * | 2022-02-22 | 2023-06-02 | 电子科技大学 | 一种三轴霍尔角度传感器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5660066A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-23 | Nec Corp | Semiconductor strain detector |
US20090108839A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Udo Ausserlechner | Integrated circuit with stress sensing element |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60128673A (ja) | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Hitachi Ltd | 半導体感圧装置 |
EP0548391B1 (de) | 1991-12-21 | 1997-07-23 | Deutsche ITT Industries GmbH | Offsetkompensierter Hallsensor |
DE4302342A1 (en) | 1992-01-28 | 1993-07-29 | El Mos Elektronik In Mos Techn | Offset compensated measurement of magnetic field with Hall element - involves chip-internal electronic compensation with two measurement phases between which measurement and supply connections are interchanged |
DE19943128A1 (de) | 1999-09-09 | 2001-04-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Hall-Sensoranordnung zur Offset-kompensierten Magnetfeldmessung |
DE10154495C5 (de) | 2001-11-07 | 2018-01-11 | Infineon Technologies Ag | Konzept zur Kompensation der Einflüsse externer Störgrößen auf physikalische Funktionsparameter von integrierten Schaltungen |
DE10154498B4 (de) | 2001-11-07 | 2005-08-25 | Infineon Technologies Ag | Hallsondensystem und Verfahren zum Herstellen eines Hallsondensystems sowie Verfahren zum Steuern einer Hallspannung |
DE10331096B4 (de) | 2003-07-09 | 2014-02-13 | Austriamicrosystems Ag | Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren |
JP4329478B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
DE102004003853B4 (de) | 2004-01-26 | 2009-12-17 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Kompensation von Piezo-Einflüssen auf eine integrierte Schaltungsanordnung |
US7009268B2 (en) * | 2004-04-21 | 2006-03-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Wheatstone bridge scheme for sensor |
JP4617943B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-01-26 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
DE102006045141B9 (de) * | 2006-09-25 | 2009-02-19 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeld-Sensor-Vorrichtung |
US8729973B2 (en) * | 2008-09-09 | 2014-05-20 | Nxp, B.V. | MEMS resonator |
-
2012
- 2012-02-02 EP EP20120153651 patent/EP2490036B1/de active Active
- 2012-02-09 JP JP2012026648A patent/JP5915890B2/ja active Active
- 2012-02-16 US US13/397,803 patent/US9016135B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5660066A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-23 | Nec Corp | Semiconductor strain detector |
US20090108839A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Udo Ausserlechner | Integrated circuit with stress sensing element |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10317297B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-11 | Melexis Technologies Nv | Semiconductor pressure sensor |
WO2017104123A1 (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 歪センサと、歪センサを用いた荷重検出装置 |
KR20190058355A (ko) * | 2017-11-21 | 2019-05-29 | 더 보잉 컴파니 | 응력 센서 |
KR102582612B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2023-09-22 | 더 보잉 컴파니 | 응력 센서 |
JP2018159715A (ja) * | 2018-07-11 | 2018-10-11 | 株式会社レプトリノ | 力覚センサ及び力覚センサのブリッジ回路構成方法 |
JP2020148699A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
JP7297479B2 (ja) | 2019-03-15 | 2023-06-26 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
JP7408638B2 (ja) | 2019-04-03 | 2024-01-05 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 力センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5915890B2 (ja) | 2016-05-11 |
EP2490036A1 (de) | 2012-08-22 |
US9016135B2 (en) | 2015-04-28 |
EP2490036B1 (de) | 2013-08-28 |
US20120210800A1 (en) | 2012-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5915890B2 (ja) | 半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサ及び応力補正ホールセンサ | |
EP0859964B1 (en) | Method for reducing the offset voltage of a hall device | |
US7302357B2 (en) | Concept for compensating piezo-influences on an integrated semiconductor circuit | |
DE102006045141B9 (de) | Magnetfeld-Sensor-Vorrichtung | |
EP2871488B1 (en) | Hall electromotive force compensation device and hall electromotive force compensation method | |
US8427140B2 (en) | Hall sensor | |
US20080074106A1 (en) | Semiconductor device, magnetic sensor, and physical quantity sensor | |
CN111065882B (zh) | 具有amr角度传感器的各向异性磁阻(amr)角度传感器管芯 | |
US8550707B2 (en) | Device for detecting temperature variations in a chip | |
US6870236B2 (en) | Integrated resistor network for multi-functional use in constant current or constant voltage operation of a pressure sensor | |
US6718830B1 (en) | Customized span compensation of SOI pressure sensor | |
US20220020915A1 (en) | On-substrate mechanical stress sensing and compensation | |
CN105891577A (zh) | 偏移电压补偿 | |
JP2015015390A (ja) | ホール素子のオフセット電圧補正方法とこれを用いたホールセンサ | |
JP4710779B2 (ja) | 力学量計測装置 | |
KR102642649B1 (ko) | 반도체 장치 | |
Peng et al. | The temperature compensation of the silicon piezo-resistive pressure sensor using the half-bridge technique | |
WO2003052369A1 (en) | Sensor formed on silicon on insulator structure and having reduced power up drift | |
JPH0997895A (ja) | ホール素子及びそれを用いた電力量計 | |
JP2014048237A (ja) | 磁気ホールセンサー | |
CN114112129B (zh) | 一种基板应力传感器及传感设备 | |
Coraucci et al. | A multi-terminal pressure sensor with enhanced sensitivity | |
de Oliveira Coraucci et al. | Silicon multi-stage current-mode piezoresistive pressure sensor | |
CN114068814B (zh) | 半导体电阻及磁场感测系统 | |
de Oliveira Coraucci et al. | Silicon multi-stage current-mode piezoresistive pressure sensor with analog temperature compensation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150206 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160223 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5915890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |