KR102642649B1 - 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

제 1 도전형의 반도체 기판 (10) 과, 반도체 기판 (10) 상에 형성된 종형 홀 소자 (100) 와, 종형 홀 소자 (100) 의 바로 위에 절연막 (30) 을 개재하여 형성된 여자 도체 (200) 를 갖는 반도체 장치로서, 종형 홀 소자 (100) 는, 반도체 기판 (10) 상에 형성된 제 2 도전형의 반도체층 (101) 과, 반도체층 (101) 의 표면에 일직선 상에 형성된 고농도의 제 2 도전형의 불순물 영역으로 이루어지는 복수의 전극 (111 ∼ 115) 을 구비하고, 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 과 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 ≤ WC/WH ≤ 1.0 이다.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 장치에 관한 것으로, 특히, 수평 방향의 자계를 검지하는 종형 (縱型) 홀 소자를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
홀 소자는, 자기 센서로서 비접촉으로의 위치 검지나 각도 검지가 가능한 점에서 다양한 용도에 사용되고 있다. 그 중에서도 반도체 기판 표면에 대해 수직인 자계 성분을 검출하는 횡형 (橫型) 홀 소자를 사용한 자기 센서가 일반적으로 잘 알려져 있다. 그리고, 반도체 기판의 표면에 대해 평행한 자계 성분을 검출하는 종형 홀 소자를 사용한 자기 센서도 각종 제안되어 있다. 또한, 횡형 홀 소자와 종형 홀 소자를 조합하여, 2 차원, 3 차원적으로 자계를 검출하는 자기 센서도 제안되어 있다.
그러나, 종형 홀 소자는, 횡형 홀 소자에 비해, 감도나 오프셋 전압 특성이 제조 편차에 따른 영향을 받기 쉽기 때문에, 특성 편차가 크다.
이러한 특성 편차를 교정하기 위해, 특허문헌 1 에는, 종형 홀 소자의 근방에 배치한 여자 도체에 전류를 흘림으로써, 소정의 자속 밀도를 갖는 교정 자계를 홀 소자의 위치에 발생시켜, 홀 소자의 감도를 추정하는 방법이 개시되어 있다. 즉, 교정 자계의 자속 밀도를 변화시켜, 교정 자계가 인가되고 있을 때의 홀 소자로부터 출력되는 홀 전압의 변화를 측정함으로써, 홀 소자의 실제 감도를 추정하고 있다.
또, 특허문헌 1 의 도 1 에서는, 여자 도체의 중심과 종형 홀 소자의 중심의 수평 방향의 거리를 떼어 놓는, 즉, 여자 도체의 중심을 종형 홀 소자의 중심으로부터 수평 방향으로 어긋나게 한 구성으로 하고 있다. 이로써, 반도체 장치의 제조 중에 있어서의 프로세스 변동에 의한 여자 도체의 폭 등의 편차로 인해, 여자 도체가 발생시키는 자계 강도의 편차가 종형 홀 소자에 영향을 미치는 것을 억제하는 것이 도모되어 있다.
미국 특허 제9116192호 명세서
그러나, 특허문헌 1 의 도 1 에 나타내어진 구조에서는, 이하와 같은 문제가 발생한다.
즉, 여자 도체의 중심과 종형 홀 소자 중심의 수평 방향의 거리를 떼어 놓음으로써, 종형 홀 소자와 여자 도체의 거리가 커지게 된다. 여자 도체에 흐르는 전류에 의해 발생하는 자계 강도는, 여자 도체로부터의 거리에 반비례하기 때문에, 종형 홀 소자와 여자 도체의 거리가 커지면, 종형 홀 소자에 인가되는 교정 자계의 강도가 작아져 버린다.
종형 홀 소자에 인가되는 교정 자계의 강도가 작아지면, 종형 홀 소자로부터 출력되는 홀 전압의 변화가 작아진다. 따라서, 종형 홀 소자에 인가되는 교정 자계의 강도의 편차를 억제할 수 있지만, 교정 자계의 강도가 작아지는 결과, 종형 홀 소자의 실제 감도를 추정할 때의 정밀도가 저하되어 버리게 된다.
이 대책으로서, 종형 홀 소자에 인가되는 교정 자계의 강도를 크게 하기 위해 여자 도체에 흘리는 전류를 증가시키면, 여자 도체의 발열량이 증대된다. 특허문헌 1 에서는, 여자 도체의 중심을 종형 홀 소자의 중심으로부터 수평 방향으로 어긋나게 하고 있음으로써, 종형 홀 소자의 주변에 배치된, 종형 홀 소자로부터의 출력 신호를 처리하는 회로나 종형 홀 소자에 신호를 공급하기 위한 회로 등의 주변 회로와 여자 도체가 근접해지기 때문에, 여자 도체의 발열로 인해 주변 회로에 온도 분포가 발생한다. 이로써, 주변 회로의 특성이 변동되기 때문에, 결국, 종형 홀 소자의 실제 특성을 추정하는 정밀도의 저하로 이어져 버린다.
또한, 여자 도체와 주변 회로의 거리를 크게 취하면, 주변 회로에 온도 분포를 발생시키는 것을 억제하는 것은 가능하지만, 반도체 장치의 미세화로 역행하기 때문에 현실적이지는 않다.
따라서, 본 발명은, 여자 도체의 발열이 주변 회로에 영향을 미치는 것을 억제함과 함께, 종형 홀 소자가 받는 교정 자계의 강도를 크게 하여, 종형 홀 소자의 고정밀도의 교정이 가능한 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 관련된 반도체 장치는, 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 형성된 종형 홀 소자와, 상기 종형 홀 소자의 바로 위에 절연막을 개재하여 형성된 여자 도체를 갖는 반도체 장치로서, 상기 종형 홀 소자는, 상기 반도체 기판 상에 형성된 제 2 도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 표면에 일직선 상에 형성된 고농도의 제 2 도전형의 불순물 영역으로 이루어지는 복수의 전극을 구비하고, 상기 여자 도체의 폭 (WC) 과 상기 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 ≤ WC/WH ≤ 1.0 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 종형 홀 소자의 바로 위에 여자 도체를 배치함과 함께, 여자 도체의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 를 1.0 이하로 함으로써, 종형 홀 소자로부터의 출력 신호를 처리하는 회로나 종형 홀 소자에 신호를 공급하기 위한 회로 등의 주변 회로와 여자 도체가 근접하지 않는 배치로 할 수 있고, 또, WC/WH 를 0.3 이상으로 함으로써, 여자 도체의 발열량이 증대되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 주변 회로에 온도 분포가 발생하는 것을 방지하는 것이 가능해진다. 또한, 여자 도체를 종형 홀 소자의 바로 위에 배치하고 있음으로써, 종형 홀 소자가 받는 교정 자계의 강도를 크게 할 수 있다. 따라서, 여자 도체의 발열량을 억제하면서, 종형 홀 소자에 인가되는 교정 자계의 강도를 크게 하여, 종형 홀 소자의 교정을 고정밀도로 실시하는 것이 가능해진다.
도 1 의 (a) 는, 본 발명의 실시형태의 종형 홀 소자를 갖는 반도체 장치의 평면도이고, (b) 는, (a) 의 L-L' 선을 따른 단면도이다.
도 2 는, 여자 도체의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 와 여자 도체가 2 mT 의 자속 밀도를 갖는 자계를 발생시켰을 때의 여자 도체의 온도 상승의 관계를, 종형 홀 소자의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체까지의 거리 (h) 와 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 를 변화시켜 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 3 은, 여자 도체의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 와 여자 도체에 흐르는 단위 전류당 종형 홀 소자에 인가되는 자속 밀도 (B/I) 의 관계를, 종형 홀 소자의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체 (200) 까지의 거리 (h) 와 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 를 변화시켜 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 상세하게 설명한다.
도 1 은, 본 발명의 실시형태의 종형 홀 소자를 갖는 반도체 장치를 설명하기 위한 도면으로, 도 1 의 (a) 는 평면도, 도 1 의 (b) 는 도 1 의 (a) 의 L-L' 선을 따른 단면도이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 반도체 장치는, P 형 (제 1 도전형) 의 반도체 기판 (10) 과, P 형의 소자 분리 확산층 (20) 과, 반도체 기판 (10) 상에 형성된 종형 홀 소자 (100) 와, 종형 홀 소자 (100) 상에 형성된 절연막 (30) 과, 절연막 (30) 상에 형성된 여자 도체 (200) 를 구비하고 있다.
종형 홀 소자 (100) 는, 반도체 기판 (10) 상에 형성된 자기 감수부 (感受部) 가 되는 N 형 (제 2 도전형) 의 반도체층 (101) 과, 반도체층 (101) 의 표면에 일직선 상에 형성된 N 형의 불순물 영역으로 이루어지는 전극 (111 ∼ 115) 을 구비하여 구성되어 있다. 전극 (111 ∼ 115) 은 평면에서 보아 사각형을 이루고 있고, 동일한 폭 (WH) 을 가지며, 각각 평행하게 배치되어 있다.
소자 분리 확산층 (20) 은, 종형 홀 소자 (100) 를 반도체 기판 (10) 상의 다른 영역 (도시 생략) 으로부터 전기적으로 분리하고 있다.
소자 분리 확산층 (20) 에 의해 종형 홀 소자 (100) 와 전기적으로 분리된 반도체 기판 (10) 상의 다른 영역에는, 종형 홀 소자 (100) 로부터의 출력 신호를 처리하는 회로, 종형 홀 소자 (100) 에 신호를 공급하는 회로, 혹은, 종형 홀 소자 (100) 의 특성을 교정 자계에 의해 보상하는 회로 등 (이하, 「주변 회로」라고 한다) 을 구성하는 트랜지스터 등의 소자가 형성되어 있다.
여자 도체 (200) 는, 직선상을 이루고 있고, 여자 도체 (200) 의 길이 방향의 중심선과 종형 홀 소자 (100) 의 반도체층 (자기 감수부) (101) 의 길이 방향의 중심선이 일치하도록, 절연막 (30) 을 개재하여 종형 홀 소자 (100) 의 바로 위에 형성되어 있다. 이로써, 여자 도체 (200) 와 종형 홀 소자 (100) 의 거리가 가장 작아져, 종형 홀 소자 (100) 가 받는 교정 자계의 강도를 크게 할 수 있음과 함께, 종형 홀 소자 (100) 전체에 걸쳐, 균일한 교정 자계를 공급할 수 있다.
그리고, 본 실시형태에 있어서는, 종형 홀 소자 (100) 상의 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 ≤ WC/WH ≤ 1.0 의 관계를 만족하고 있다. 이와 같은 관계로 하고 있는 이유에 대해, 이하에 설명한다.
여자 도체 (200) 로부터 발생한 종형 홀 소자 (100) 에 인가되는 교정 자계가 작아지면, 종형 홀 소자 (100) 로부터 출력되는 홀 전압의 변화가 작아지기 때문에, 종형 홀 소자 (100) 의 실제 감도를 추정하는 정밀도가 저하된다. 그 때문에, 교정 자계는 2 ∼ 3 mT 이상 인가하는 것이 바람직하다.
그래서, 도 2 에, 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 와 여자 도체 (200) 가 2 mT 의 자속 밀도를 갖는 자계를 발생시켰을 때의 여자 도체 (200) 의 온도 상승의 관계를, 반도체층 (101) 을 구비한 종형 홀 소자 (100) 의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체 (200) 까지의 거리 (h) 와 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 를 변화시켜 시뮬레이션한 결과의 그래프를 나타낸다.
도 2 의 그래프로부터, 여자 도체의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 이하가 되면, 급격하게 여자 도체 (200) 의 온도 상승이 커지는 것을 알 수 있다. 또한, 도 2 에는, 일례로서, 여자 도체 (200) 가 2 mT 의 자속 밀도를 갖는 자계를 발생시켰을 때의 시뮬레이션 결과를 나타내고 있다. 여자 도체 (200) 가 3 mT 또는 그 이상의 자속 밀도를 갖는 자계를 발생시킨 경우라도 그래프의 형상은 마찬가지가 되어, WC/WH 가 0.3 이하가 되면, 급격하게 여자 도체 (200) 의 온도 상승이 커지는 것이 확인되고 있다.
따라서, 여자 도체의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 를 0.3 이상으로 함으로써, 여자 도체 (200) 에 전류를 인가하여 2 ∼ 3 mT 이상의 교정 자계를 종형 홀 소자 (100) 에 인가하였을 때에, 주변 회로에 온도 분포가 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.
한편, 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 이 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 보다 커지면, 주변 회로와 여자 도체 (200) 가 근접해지게 된다. 즉, 주변 회로가 여자 도체 (200) 로부터의 발열의 영향을 받기 쉬워져, 종형 홀 소자 (100) 의 실제 특성을 추정하는 정밀도를 저하시켜 버린다. 따라서, 여자 도체 (200) 가 주변 회로에 근접하지 않도록 하기 위해, 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 을 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭보다 크게 하지 않는, 즉, 여자 도체의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 를 1.0 이하로 하는 것이 바람직하다.
도 3 은, 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 와 여자 도체 (200) 에 흐르는 단위 전류당 종형 홀 소자 (100) 에 인가되는 자속 밀도 (B/I) 의 관계를, 종형 홀 소자 (100) 의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체 (200) 까지의 거리 (h) 와 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 를 변화시켜 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 3 의 그래프로부터, 종형 홀 소자 (100) 의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체 (200) 까지의 거리 (h) 와 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 를 크게 할수록, 여자 도체 (200) 에 흐르는 단위 전류당 종형 홀 소자 (100) 에 인가되는 자속 밀도 (B/I) 가 작아지는 것을 알 수 있다. 따라서, h/WH 는, 작을수록 바람직하다.
또, 도 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 종형 홀 소자 (100) 의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체까지의 거리 (h) 와 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 를 크게 할수록, 여자 도체 (200) 의 온도 상승은 커진다.
즉, 종형 홀 소자 (100) 의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체 (200) 까지의 거리 (h) 가 커지면, 필요한 교정 자계를 종형 홀 소자 (100) 에 인가하기 위해서는, 여자 도체 (200) 에 전류를 많이 흘려야만 하고, 따라서, 여자 도체 (200) 의 온도 상승이 커져, 주변 회로에 영향을 주어 버린다.
그 때문에, 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 ≤ WC/WH ≤ 1.0 을 만족하는 범위에 있어도, 주변 회로에 대한 영향을 억제하기 위해, 여자 도체 (200) 의 온도 상승은, 5 ℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.
따라서, 도 3 으로부터, 종형 홀 소자 (100) 의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 여자 도체 (200) 까지의 거리 (h) 와 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 는, 여자 도체의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자의 전극 (111 ∼ 115) 의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 이상인 범위에 있어서 여자 도체 (200) 의 온도 상승이 5 ℃ 이하가 되는 0.4 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, 여자 도체 (200) 는, 종형 홀 소자 (100) 를 형성하고, 그 위에 절연막 (30) 을 형성한 후, 주변 회로를 구성하는 트랜지스터 등의 복수의 소자끼리를 전기적으로 결선 (結線) 시키는 배선을 형성하는 공정에 있어서, 당해 배선과 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 제조 프로세스를 증가시키지 않고, 여자 도체 (200) 를 형성할 수 있다.
또, 여자 도체 (200) 의 폭 (WC) 과 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 의 전극의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 ≤ WC/WH ≤ 1.0 이기 때문에, 예를 들어, WC/WH 를 0.5 로 설계한 경우에 있어서, 제조 프로세스의 변동에 의해 여자 도체 (200) 의 폭에 편차가 생겨 WC/WH 가 0.5 ＋ α 또는 0.5 － α 가 되었다고 해도, 도 3 으로부터 알 수 있는 바와 같이, 그 변화에 대한 자속 밀도의 변화는 작다. 즉, 제조 프로세스의 변동으로 인해 여자 도체 (200) 의 폭 등에 편차가 생겼다고 해도, 여자 도체 (200) 로부터 발생하는 자계 강도의 편차를 작게 억제할 수 있다.
여기서, 여자 도체 (200) 는, 발열량을 저하시키기 위해 저항률이 낮을수록 바람직하고, 예를 들어, Al 등에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 여자 도체 (200) 의 두께는, 발열량을 저하시키기 위해서는 두꺼울수록 바람직하고, 예를 들어, 0.5 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
다음으로, 교정 자계에 의해, 본 실시형태의 반도체 장치에 있어서의 종형 홀 소자 (100) 의 특성 보상을 실시하는 방법에 대해 설명한다.
여자 도체 (200) 에 전류를 흘림으로써, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 여자 도체 (200) 의 주위에 점선으로 나타내는 소정의 자속 밀도를 갖는 교정 자계 (Bc) 를 발생시키고, 이로써, 종형 홀 소자 (100) 에는, 좌우 방향으로 교정 자계 (Bc) 가 인가된다. 이 때, 소정의 자속 밀도는, 수 mT 정도로 하는 것이 바람직하다.
이 교정 자계 (Bc) 가 인가된 상태에서, 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 중 구동 전류 공급 전극이 되는 전극에 구동 전류를 공급한다. 구동 전류가 교정 자계 (Bc) 에 의해 로렌츠 힘을 받음으로써, 종형 홀 소자 (100) 의 전극 (111 ∼ 115) 중 홀 전압 출력 전극이 되는 전극 간에 전압차가 생기고, 이 전압차가 홀 전압으로서 얻어진다. 구체적으로는, 예를 들어, 전극 (113) 으로부터 전극 (111 및 115) 에 전류가 흐르도록 전극 (111, 113 및 115) 에 구동 전류를 공급함으로써, 전극 (112)-전극 (114) 간에 홀 전압이 출력된다.
이와 같이 하여 얻어진 홀 전압이나, 스피닝 커런트법에 의해 구동 전류의 공급 방향을 바꾸어 얻어진 복수의 홀 전압을 연산한 후에 잔존하는 오프셋 전압 등에 기초하여, 구동 전류나 종형 홀 소자 (100) 의 출력에 접속된 앰프의 게인 등을 조정함으로써, 종형 홀 소자 (100) 의 특성 보상을 실시한다. 이와 같이 하여, 고정밀도로 특성 편차를 억제한 종형 홀 소자 (100) 를 갖는 반도체 장치를 실현할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 다양한 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
예를 들어, 상기 실시형태에 있어서는, 여자 도체 (200) 는 단일층으로 나타내어져 있지만, 여자 도체 (200) 의 전체 두께를 늘리기 위해 다층 배선을 사용하여, 여자 도체 (200) 의 두께를 전체적으로 크게 해도 된다.
또, 여자 도체 (200) 로서, AL 등을 사용하는 예를 나타냈지만, 폴리실리콘 등의 도전체를 사용할 수도 있다.
또, 제 1 도전형을 P 형, 제 2 도전형을 N 형으로 하여 설명하였지만, 도전형을 교체하여, 제 1 도전형을 N 형, 제 2 도전형을 P 형으로 해도 상관없다.
또, 상기 실시형태에서는, 종형 홀 소자 (100) 가 전극을 5 개 갖는 예를 나타냈지만, 종형 홀 소자 (100) 는, 구동 전류 공급용으로 2 개와, 홀 전압 출력용으로 1 개의 합계 3 개 이상의 전극을 가지고 있으면 된다.
10 : 반도체 기판
20 : 소자 분리 확산층
30 : 절연막
100 : 종형 홀 소자
101 : 반도체층 (자기 감수부)
111 ∼ 115 : 전극
200 : 여자 도체
Bc : 교정 자계
WC : 여자 도체의 폭
WH : 전극의 폭
h : 거리

Claims (3)

  1. 제 1 도전형의 반도체 기판과,
    상기 반도체 기판 상에 형성된 종형 홀 소자와,
    상기 종형 홀 소자의 바로 위에 절연막을 개재하여 형성된 여자 도체를 갖는 반도체 장치로서,
    상기 종형 홀 소자는,
    상기 반도체 기판 상에 형성된 제 2 도전형의 반도체층과,
    상기 반도체층의 표면에 일직선 상에 형성된 고농도의 제 2 도전형의 불순물 영역으로 이루어지는 복수의 전극을 구비하고,
    상기 여자 도체의 폭 (WC) 과 상기 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (WC/WH) 가 0.3 ≤ WC/WH ≤ 1.0 이고,
    상기 여자 도체는, 상기 종형 홀 소자의 기판 깊이 방향의 중심으로부터 상기 여자 도체까지의 거리 (h) 와 상기 종형 홀 소자의 전극의 폭 (WH) 의 비 (h/WH) 가 0.4 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 여자 도체가 직선상을 이루고, 상기 여자 도체의 길이 방향의 중심선과 상기 종형 홀 소자의 상기 반도체층의 길이 방향의 중심선이 일치하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 삭제
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