JP2020165939A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、後述する説明で用いる、左、右、上及び下等の方向は、図示された状態に基づく方向である。さらに、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
先ず、本発明の第1の実施形態として、図1及び図2に示す半導体装置1Aについて説明する。
なお、図1は、半導体装置1Aの構成を示す平面図である。図2は、図1中に示す線分A−Aによる半導体装置1Aの断面図である。
次に、本発明の第2の実施形態として、図6及び図7に示す半導体装置1Bについて説明する。
なお、図6は、半導体装置1Bの構成を示す平面図である。図7は、図6中に示す線分B−Bによる半導体装置1Bの断面図である。また、以下の説明では、上記半導体装置1Aと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
次に、本発明の第3の実施形態として、図8に示す半導体装置1Cについて説明する。
なお、図8は、半導体装置1Cの構成を示す平面図である。また、以下の説明では、上記半導体装置1Aと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
例えば、上記実施形態では、第1の導電型を有する半導体基板2に第2の導電型の不純物を注入することによって半導体層(ウェル)が設けられている半導体装置1A〜1Cを例に挙げて説明しているが、半導体層については、このような構成に必ずしも限定されるものではない。例えば、半導体層は、半導体基板2にエピタキシャル層を形成することによって、半導体基板2に設けられた構成であってもよい。
Claims (7)
- 半導体基板と、
感磁部を含み、前記半導体基板に設けられる縦型ホール素子と、
前記感磁部の上方に配置されて、前記感磁部に対して第1の磁場を印加する第1の励磁用配線と、
前記感磁部の上方、且つ、前記半導体基板の表面の直上からの平面視において、前記第1の励磁用配線を挟んだ一方の側及び他方の側の各々に並んで配置されて、前記感磁部に対して第2の磁場を印加する第2の励磁用配線と、を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の励磁用配線は、前記平面視において前記感磁部よりも外側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の励磁用配線は、前記平面視において前記第1の励磁用配線を挟んで前記第2の励磁用配線が対称に並んで配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記感磁部に対して前記第1の励磁用配線が前記第2の励磁用配線よりも上方に配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の励磁用配線は、前記第2の励磁用配線と電気的に直列に接続されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の励磁用配線は、互いに並列して配置された複数の第1の配線部を含み、
前記複数の第1の配線部は、互いに電気的に直列に接続されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記第2の励磁用配線は、互いに並列して配置された複数の第2の配線部を含み、
前記複数の第2の配線部は、互いに電気的に直列に接続されていることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の半導体装置。
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US20120212216A1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Calibratable magnetic field sensor and method of producing same |
US20130138372A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-05-30 | Infineon Technologies Ag | Current sensor package, arrangement and system |
JP2013539195A (ja) * | 2010-04-29 | 2013-10-17 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | 磁界センサから励磁コンダクタ間隔を決定するための方法、磁界センサを校正するための方法、校正可能な磁界センサ、および励磁コンダクタ間隔を決定するための励磁コンダクタ構造の使用法 |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JP2010537207A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-02 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | 較正可能な多次元磁気点センサ |
JP2013539195A (ja) * | 2010-04-29 | 2013-10-17 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | 磁界センサから励磁コンダクタ間隔を決定するための方法、磁界センサを校正するための方法、校正可能な磁界センサ、および励磁コンダクタ間隔を決定するための励磁コンダクタ構造の使用法 |
US20120212216A1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Calibratable magnetic field sensor and method of producing same |
US20130138372A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-05-30 | Infineon Technologies Ag | Current sensor package, arrangement and system |
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