JP2012165025A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、インデクサ部と処理部とインターフェイス部を備えた基板処理装置において基板に処理を行う方法である。この基板処理方法は、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理（Ｓ２ａ−Ｓ１１ａ、Ｓ２ｂ−Ｓ１１ｂ）を並行して行う工程と、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板に現像処理（Ｓ１７ａ−Ｓ２０ａ、Ｓ１７ｂ−Ｓ２０ｂ）を並行して行う工程と、を備えている。
【選択図】図１１

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。

従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成し、レジスト膜が形成された基板を別体の露光機で露光し、露光された基板を現像する装置がある。具体的には、レジスト膜形成用塗布処理ユニットなど各種の薬液処理ユニットや熱処理ユニットがそれぞれ単一の主搬送機構と併設されて１つのブロックを構成し、このようなブロックを複数個並べて基板処理装置が構成されている。この装置では、各ブロックに基板を搬送しつつ、それぞれのブロックで処理を行う（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−３２４１３９号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、ブロック内で一枚の基板を処理するために主搬送機構は５〜１０の搬送工程を要し、各搬送工程はそれぞれ数秒程度かかる。仮に搬送工程数を６工程とし、それぞれ５秒かかるとすると、ブロック内のスループットは基板１枚当り３０秒（１時間で１２０枚）まで可能である。しかし、すでに単一の主搬送機構の搬送工程数を低減したり各搬送工程の所要時間を短縮する余地があまりないので、ブロック内のスループットをさらに高めることは困難になってきている。このため、装置全体のスループットを改善することが困難になっているという不都合がある。これに対して、主搬送機構を増やすことが考えられる。しかしながら、ブロック内の主搬送機構の台数を増やすと、それに応じて薬液処理ユニットや加熱部の増加も伴ってフットプリントが増大するという不都合がある。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理装置の設置面積を増大させることなく、スループットを向上させることができる基板処理方法を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、インデクサ部と処理部とインターフェイス部とを備えた基板処理装置において基板に処理を行う基板処理方法であって、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理を並行して行う工程と、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板に現像処理を並行して行う工程と、を備えている基板処理方法である。

［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、処理部内には複数の階層が設けられている。そして、２以上の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理を並行して行う。また、２以上の階層のそれぞれで基板に現像処理を並行して行う。よって、基板処理装置の処理能力を増大させることができる。また、処理部内には複数の階層が設けられているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。

本発明において、前記インデクサ部において、カセットから基板を搬出して、レジスト膜を形成する処理を行う各階層に交互に搬送する工程を備えることが好ましい。

本発明において、前記インデクサ部において、現像処理を行う各階層から交互に基板を受け取って、カセットに収容する工程を備えることが好ましい。

本発明において、前記レジスト膜を形成する処理を行う工程、および、前記現像処理を行う工程の両方が、各階層において行われ、前記方法は、さらに、前記インデクサ部において、カセットから基板を搬出し、搬出した基板を各階層に交互に搬送するとともに、各階層に基板を搬送した際に各階層から基板を受け取り、受け取った基板をカセットに収容する工程を、備えていることが好ましい。

本発明において、前記インターフェイス部において、レジスト膜を形成する処理を行う各階層から交互に基板を受け取って、外部装置である露光機に搬送する工程を備えることが好ましい。

本発明において、前記インターフェイス部において、外部装置である露光機から基板を受け取って、現像処理を行う各階層に交互に搬送する工程を備えることが好ましい。

本発明において、前記レジスト膜を形成する処理を行う工程、および、前記現像処理を行う工程の両方が、各階層において行われ、前記方法は、さらに、前記インターフェイス部において、各階層から交互に基板を受け取って外部装置である露光機に搬出するとともに、露光機から基板を受け取って各階層に交互に搬送し、かつ、各階層に基板を搬送した際に各階層から基板を受け取る工程を備えていることが好ましい。

本発明において、基板にレジスト膜を形成する処理を行う各階層では、インデクサ部から受け取った順番どおりに、基板をインターフェイス部に払い出すことが好ましい。

本発明において、基板に現像処理を行う各階層では、インターフェイス部から受け取った順番どおりに、基板をインデクサ部に払い出すことが好ましい。

本発明において、基板にレジスト膜を形成する処理を行う各階層の制御は、互いに独立していることが好ましい。

本発明において、基板に現像処理を行う各階層の制御は、互いに独立していることが好ましい。

本発明において、前記レジスト膜を形成する処理を並行して行う工程では、レジスト膜材料を基板に塗布する処理と基板に熱処理を行う処理とを含む一連の処理工程を各基板に対して順次進め、かつ、前記一連の処理工程を各基板について一律の期間で行うことが好ましい。

本発明において、前記インデクサ部において、カセットから基板を取り出して、レジスト膜を形成する処理を行う各階層に搬送する工程と、前記インターフェイス部において、レジスト膜を形成する処理を行う各階層から基板を受け取って、外部装置である露光機に搬送する工程と、を備えることが好ましい。

本発明において、前記露光機に搬送する工程では、前記カセットから基板を取り出した順番と同じ順番で、基板を露光機に搬送することが好ましい。

本発明において、前記インターフェイス部においてレジスト膜を形成する処理を行う階層から受け取る基板の順番と、前記インデクサ部において前記カセットから取り出す基板の順番とが異なるときは、この基板をバッファ部に載置して、前記インターフェイス部においてレジスト膜を形成する処理を行う各階層から後続の基板を受け取り可能にすることが好ましい。

本発明において、レジスト膜を形成する処理を行う階層の一部から前記インターフェイス部に基板が払い出されなくなった場合にその他の階層から前記インターフェイス部に基板が払い出されたときは、前記インターフェイス部は前記その他の階層から払い出された基板をバッファ部に搬送することが好ましい。

本発明において、基板の払い出しが停止していた階層から再び基板が払い出され始めると、前記インターフェイス部は、この階層から払い出された基板と前記バッファ部に載置した基板とを交互に露光機に搬送することが好ましい。

この発明に係る基板処理方法によれば、処理部内には複数の階層が設けられている。そして、２以上の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理を並行して行う。また、２以上の階層のそれぞれで基板に現像処理を並行して行う。よって、基板処理装置の処理能力を増大させることができる。また、処理部内には複数の階層が設けられているので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。

実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。 （ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。 主搬送機構の斜視図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板Ｗに行う一連の処理をフローチャートである。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。

以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４ないし図７は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。

実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とに分けられる。処理部３の両側にはＩＤ部１とＩＦ部５が隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。

ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９と各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは、この発明におけるインデクサ用搬送機構に相当する。

処理部３は４基の主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４を備えている。処理部３は各主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４ごとに第１ないし第４セル１１、１２、１３、１４に分けられる。第１、第３セル１１、１３では基板Ｗにレジスト膜等を形成する。第２、第４セル１２、１４では基板Ｗを現像する。これら各セル１１〜１４には、主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４が搬送を負担する処理ユニット（後述）が複数設けられている。

横方向に並ぶ第１、第２セル１１、１２は連結されて、ＩＤ部１とＩＦ部５との間を結ぶ一の基板処理列を構成する。また、横方向に並ぶ第３、第４セル１３、１４も連結されて、ＩＤ部１とＩＦ部５との間を結ぶ一の基板処理列を構成する。これら２つの基板処理列は上下方向に略平行に設けられている。言い換えれば、処理部３は階層構造の基板処理列で構成されている。

また、各階層の基板処理列は上下方向に積層されている。すなわち、第１セル１１は第３セル１３の上に積層されており、第２セル１２は第４セル１４の上に積層されている。よって、第１、第３セル１１、１３で構成される処理ブロックと、第２、第４セル１２、１４で構成される処理ブロックが横方向に並べられて処理部３が構成されていると言うことができる。

ＩＦ部５は露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦは、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢを有する。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。

そして、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤはＩＤ部１と隣接する第１、第３セル１１、１３の主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３との間で基板Ｗの受け渡しをする。また、各セル１１〜１４の主搬送機構Ｔ_１〜Ｔ_４は連結される同じ階層の他のセルとの間で基板Ｗの受け渡しをする。さらに、ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦはＩＦ部５と隣接する第２、第４セル１２、１４の主搬送機構Ｔ_２、Ｔ_４との間で基板Ｗの受け渡しをする。この結果、２つの基板処理列を通じてＩＤ部１とＩＦ部５の間で基板Ｗを並行して搬送するとともに、各基板処理列において一連の処理を基板Ｗに行う。主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３は、この発明における一端搬送機構に相当する。

本装置はさらに、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３の間で基板Ｗを受け渡しするための載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_３を備えている。同様に、主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２同士の基板受け渡しのための載置部ＰＡＳＳ_２と、主搬送機構Ｔ_３、Ｔ_４同士の基板受け渡しのための載置部ＰＡＳＳ_４とを備えている。また、主搬送機構Ｔ_２、Ｔ_４とＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦの間で基板Ｗを受け渡しするための載置部ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６を備えている。各載置部ＰＡＳＳ_１〜ＰＡＳＳ_６は突出形成された複数の支持ピンをそれぞれ有し、これら支持ピンによって基板Ｗを略水平姿勢で載置可能に構成されている。

［ＩＤ部１］
以下、ＩＤ部１から順について説明する。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤはカセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えて、各カセットＣ、載置部ＰＡＳＳ_１及び載置部ＰＡＳＳ_３との間で基板Ｗを搬送可能に構成されている。

［第１セル１１］
基板Ｗを搬送するための搬送スペースＡ_１は、この第１セル１１の中央を通り、セル１１、１２の並び方向に平行な帯状に形成されている。第１セル１１の処理ユニットは、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット３１と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４１である。塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ_１の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット４１が配置されている。

塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ_１に面するように縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜を形成する処理を行う反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行うレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。塗布処理ユニット３１はこの発明における液処理ユニットに相当する。

図８を参照する。図８（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。各段に設けられる２組の回転保持部３２及びカップ３３は、仕切り壁等で間仕切りされることなく併設されている。供給部３４は複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。

ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。

熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ_１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能に、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。

図９を参照する。図９は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ_１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ_１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ_１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。

ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニット４１及び載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。

［第３セル１３］
第３セル１３について説明する。なお、第１セル１１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第３セル１３内の主搬送機構Ｔ_３および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第１セル１１のそれと略同じである。このため、塗布処理ユニット３１は、第１セル１１と第３セル１３の各階層にわたって上下方向に積層されていると言うことができる。同様に、熱処理ユニット４１も各階層にわたって積層されていると言うことができる。また、主搬送機構Ｔ_３から見た第３セル１３の各種処理ユニットの配置も主搬送機構Ｔ_１から見た第１セル１１の各種処理ユニットの配置と略同じである。

以下において、第１、第３セル１１、１３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、第１セル１１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１」と記載する）。

［第１セル１１と第３セル１３］
第１セル１１及び第３セル１３に関連する構成についてまとめて説明する。載置部ＰＡＳＳ_１はＩＤ部１と第１セル１１との間に配置されている。載置部ＰＡＳＳ_３はＩＤ部１と第３セル１３との間に配置されている。平面視では載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_３はそれぞれ搬送スペースＡ_１、Ａ_３のＩＤ部１側に配置されている。断面視では載置部ＰＡＳＳ_１は主搬送機構Ｔ_１の下部付近の高さに配置され、載置部ＰＡＳＳ_３は主搬送機構Ｔ_３の上部付近の高さに配置されている。このため、載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３との位置が近接しており、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３とに移動することができる。

載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３はともに複数（２つ）であり、それぞれ上下２段に配置されている。２つの載置部ＰＡＳＳ_１のうち、一方の載置部ＰＡＳＳ_１ＡはＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤから主搬送機構Ｔ_１へ基板Ｗを渡すためのものであり、載置部ＰＡＳＳ_１Ａには専らＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤによって基板Ｗが置かれる。他方の載置部ＰＡＳＳ_１Ｂは主搬送機構Ｔ_１からＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤへ基板Ｗを渡すためのものであり、載置部ＰＡＳＳ_１Ｂには専ら主搬送機構Ｔ_１によって基板Ｗが置かれる。なお、後述する載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４、ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６も、同様に２つずつ設けられており、受け渡しの方向ごとに使い分けられている。

載置部ＰＡＳＳ_２は、第１セル１１と第２セル１２の間に設けられている。載置部ＰＡＳＳ_４は、第３セル１３と第４セル１４の間に設けられている。載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４は、平面視で同じ位置に配置されている。載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４の上方および下方には、基板Ｗを仮置きするバッファや基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニットなど（いずれも図示省略）が適宜に配備されている。

搬送スペースＡ_１、Ａ_３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ_１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ_１、Ａ_３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ_１、Ａ_３の下部に配置されている。搬送スペースＡ_１と搬送スペースＡ_３の雰囲気は、搬送スペースＡ_１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ_３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。第１吹出口６１ａは、この発明における気体供給口に相当する。排出口６２ａは、この発明における気体排出口に相当する。第１吹出ユニット６１はこの発明の吹出ユニットに相当する。

搬送スペースＡ_１、Ａ_３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４の側方位置に、搬送スペースＡ_１の上部から搬送スペースＡ_３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ_２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ_１、Ａ_３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ_１の下部から搬送スペースＡ_３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ_２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ_１、Ａ_３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ_１、Ａ_３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ_１、Ａ_３は個別に清浄な状態に保たれる。

第１、第３セル１１、１３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、第３セル１３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、第３セル１３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。

また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに第１、第３セル１１、１３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。

また、第１セル１１及び第３セル１３が有する主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３と各処理ユニットは、それぞれ一の筐体７５に収容されている。後述する第２セル１２と第４セル１４の各構成も別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体を備えることで、処理部３を簡易に製造することができる。

［第２セル１２］
第２セル１２について説明する。第１セル１１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第２セル１２の搬送スペースＡ_２は搬送スペースＡ_１の延長上となるように形成されている。

第２セル１２の処理ユニットは基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷである。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ_２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ_２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。

現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ_２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。

熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ_２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰを含む。

エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。

搬送スペースＡ_２に面するとともにＩＦ部５と隣接する一画には、載置部ＰＡＳＳ_５と加熱冷却ユニットＰＨＰが積層して設けられている。これら載置部ＰＡＳＳ_５と加熱冷却ユニットＰＨＰの一側方は熱処理ユニット４２と隣接しており、熱処理ユニット４２に並ぶように設けられている。加熱冷却ユニットＰＨＰについてはＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦが搬送を負担するものである点で第２セル１２の熱処理ユニット４２と区別されるが、レイアウト上は第２、第４セル１２、１４と同じ筐体７５に収容されている。そして、これら加熱冷却ユニットＰＨＰと載置部ＰＡＳＳ_５は搬送スペースＡ_２に面する前面側とＩＦ部５に面する側面側とから基板Ｗを搬入、搬出可能に構成されている。

主搬送機構Ｔ_２は平面視で搬送スペースＡ_２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ_２は主搬送機構Ｔ_１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ_２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ_５との間で主搬送機構Ｔ_２が基板Ｗを搬送する。

［第４理ブロック１４］
第１、第２セル１１、１２と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第４セル１４内の主搬送機構Ｔ_４および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第２セル１２のそれと略同じである。また、主搬送機構Ｔ_４から見た第４セル１４の各種処理ユニットの配置も主搬送機構Ｔ_２から見た第２セル１２の各種処理ユニットの配置と略同じである。このため、第２セル１２と第４セル１４の各現像処理ユニットＤＥＶは上下に積層されている。同様に、第２セル１２と第４セル１４の各熱処理ユニット４２等は上下に積層されている。

［第２セル１２と第４セル１４］
第２セル１２及び第４セル１４に関連する構成も第１、第３セル１１、１３に関連する構成と略同様であり簡略に説明する。第２、第４セル１２、１４の搬送スペースＡ_２、Ａ_４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、第２、第４セル１２、１４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。

以下において、第２、第４セル１２、１４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、第２セル１２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ_２」と記載する）。

［ＩＦ部５など］
第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡと第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢとは、セル１１、１２（１３、１４）の並び方向と直交する方向に並んで設けられている。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは第２、４セル１２、１４の熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは第２、４セル１２、１４の現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。これら第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ_７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。そして、加熱冷却ユニット（ＰＨＰ_２、ＰＨＰ_４）、載置部（ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６、ＰＡＳＳ−ＣＰ）およびバッファＢＦとの間で基板Ｗを搬送する。第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。そして、載置部（ＰＡＳＳ−ＣＰ、ＰＡＳＳ_７）と露光機ＥＸＰの間で基板Ｗを搬送する。

次に本装置の制御系について説明する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置はメインコントローラ９１と第１ないし第６コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８を備えている。

第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ_１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１と冷却ユニットＣＰ_１と加熱冷却ユニットＰＨＰ_１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ_１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ_２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ_２と現像処理ユニットＤＥＶ_２と加熱ユニットＨＰ_２と冷却ユニットＣＰ_２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ_２、ＰＨＰ_４における基板処理を制御する。上述した第１〜第６コントローラ９３〜９８による制御はそれぞれ互いに独立して行われる。

メインコントローラ９１は、第１から第６コントローラ９３〜９８を統括的に制御する。具体的にはメインコントローラ９１は各搬送機構の連携を制御する。たとえば、載置部ＰＡＳＳ_１〜ＰＡＳＳ_６に各搬送機構がアクセスするタイミングを調整する。また、メインコントローラ９１はカセットＣから搬出した順序と同じ順番で露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送するように制御する。

メインコントローラ９１および第１〜第６コントローラ９３〜９８はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。メインコントローラ９１および第１〜第６コントローラ９３〜９８は、この発明における制御手段に相当する。

次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図１１は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１２は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。

［ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤ］
ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ_１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_１Ａに載置する（図８におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ_１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。載置部ＰＡＳＳ_１Ｂに基板Ｗがない場合はそのままカセットＣにアクセスする。そして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ_３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。

ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤは上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣから一枚ずつ搬出された基板Ｗは第１セル１１と第３セル１３に交互に搬送される。

［主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３］
主搬送機構Ｔ_３の動作は主搬送機構Ｔ_１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ_１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ_１は載置部ＰＡＳＳ_１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ_１は直前に載置部ＰＡＳＳ_２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ_１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ_１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。

主搬送機構Ｔ_１は所定の冷却ユニットＣＰ_１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ_１には既に所定の熱処理（冷却）が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ_１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ_１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ_１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ_１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１に移動する。冷却ユニットＣＰ_１は搬入された基板Ｗに対して熱処理（冷却）を開始する（ステップＳ２）。なお、この後、主搬送機構Ｔ_１が各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１にアクセスする際、これら処理ユニット（３１、４１）には既に所定の処理を終えた基板Ｗがあるものとする。

反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ_１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ_１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ_１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ３）。

具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。

主搬送機構Ｔ_１は加熱冷却ユニットＰＨＰ_１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ_１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ_１は加熱冷却ユニットＰＨＰ_１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ_１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ_１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４）。

主搬送機構Ｔ_１は冷却ユニットＣＰ_１に移動すると、冷却ユニットＣＰ_１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に搬入する。冷却ユニットＣＰ_１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５）。

続いて、主搬送機構Ｔ_１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１に基板Ｗを搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ_１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を供給して、基板Ｗにレジスト膜を形成する（ステップＳ６）。

主搬送機構Ｔ_１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ_１と冷却ユニットＣＰ_１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ_１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ_１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ_１と冷却ユニットＣＰ_１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う。（ステップＳ７、Ｓ８）。

主搬送機構Ｔ_１は載置部ＰＡＳＳ_２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置し（ステップＳ９）、載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１）。

その後、主搬送機構Ｔ_１は再び載置部ＰＡＳＳ_１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ_１に載置された基板Ｗを受け取ると、主搬送機構Ｔ_１はこの基板Ｗを所定の処理ユニット（本実施例では冷却ユニットＣＰ_１）に搬送するとともにこの処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて複数の処理ユニットに順番に移動して、各処理ユニットの処理済みの基板Ｗを他の処理ユニットに移し替えていく。各処理ユニット（３１、４１）では処理済みの基板Ｗが未処理の基板Ｗの置き換えられるたびに、所定の処理を開始する。よって、複数枚の基板Ｗに対してそれぞれ異なる処理ユニットで並行して処理が行われる。ただし、基板Ｗを複数の処理ユニット（３１、４１）に移載して処理するスケジュールは一律となるように第２コントローラ９４が制御する。このため、一連の処理は先に載置部ＰＡＳＳ_１に載置された基板Ｗから順に終了していくので、載置部ＰＡＳＳ_１に載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ_２に払い出される。同様に、主搬送機構Ｔ_１は載置部ＰＡＳＳ_２から受け取った順番どおりに基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_１に載置する。

［主搬送機構Ｔ_２、Ｔ_４］
主搬送機構Ｔ_４の動作は主搬送機構Ｔ_２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ_２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ_２は載置部ＰＡＳＳ_２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ_２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ_２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ_２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに載置するとともに（ステップＳ２１）、載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ９）。

主搬送機構Ｔ_２はエッジ露光ユニットＥＥＷ_２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ_２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ_２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ_２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０）。

主搬送機構Ｔ_２はエッジ露光ユニットＥＥＷ_２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ａに載置し（ステップＳ１１）、載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。

主搬送機構Ｔ_２は冷却ユニットＣＰ_２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ_２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ_２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ_２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。

主搬送機構Ｔ_２は現像処理ユニットＤＥＶ_２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ_２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ_２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。

主搬送機構Ｔ_２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ_２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ_２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ_２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ_２は加熱ユニットＨＰ_２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ_２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ_１において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ_２と冷却ユニットＣＰ_２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９、Ｓ２０）。

その後、主搬送機構Ｔ_２は再び載置部ＰＡＳＳ_２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ_２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ_５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ_２Ｂに払い出される。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡ］
第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ_５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。

次に、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ_２に対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ_２からすでに熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ_７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ_２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ_２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。

第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ_２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ_５Ｂに搬送する。続いて、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、１２）。次に、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ_７から加熱冷却ユニットＰＨＰ_４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ_４における処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ_４Ｂに載置する。

その後、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ_５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。このように、載置部ＰＡＳＳ_５、ＰＡＳＳ_６から交互に載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送することで、カセットＣからＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤが取り出した順序どおりに基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置する。

ただし、主搬送機構Ｔによる処理ユニットに対する搬送および各処理ユニットの処理の制御はセル１１〜１４ごとに独立している。すなわち、載置部ＰＡＳＳ_５と載置部ＰＡＳＳ_６に払い出される各タイミングが調整されることはない。このため、基板処理または搬送の遅延等の障害に起因して、載置部ＰＡＳＳ_５及び載置部ＰＡＳＳ_６の双方に払い出される前後関係がカセットＣから取り出した順序と一致しない場合がある。このような場合においては、第６コントローラ９８による制御に基づき、第１搬送機構Ｔ_ＩＦＡを次のように動作させる。

載置部ＰＡＳＳ_５Ａおよび載置部ＰＡＳＳ_６Ａのいずれか一方に基板Ｗが払い出されなくなった場合において他方の載置部に基板Ｗが載置されたときは、その載置部に載置された基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰではなく、バッファＢＦに搬送先を変更する。そして、払い出しが停止していた一方の載置部に再び基板Ｗが載置され始めると、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに対して、復旧した一方の載置部とバッファＢＦとから交互に基板Ｗを搬送する。これにより、載置部ＰＡＳＳ_５及び載置部ＰＡＳＳ_６に払い出されるタイミングの前後関係がカセットＣから取り出した順序と異なる場合であっても、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬入される基板Ｗの順序についてはカセットＣから取り出した順序と一致する。

［ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦ〜第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢ］
第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ_７に搬送する。

その後、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作も第６コントローラ９８によって制御されている。このように第１、第２搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢが連携して動作するため、カセットＣから取り出した順序どおりに基板Ｗを露光機ＥＸＰに送る。

このように、実施例に係る基板処理装置によれば、上下に配設された基板処理列を２つ備えていることで、反射防止膜およびレジスト膜を形成する処理と現像処理の各処理能力を略倍増させることができる。よって、基板処理装置のスループットを大幅に改善することができる。

また、主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４を上の階層と下の階層にそれぞれ１列ずつであるので、基板処理装置の設置面積の増大を抑制することができる。

上下２つの基板処理列における主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３（Ｔ_２、Ｔ_４）および処理ユニットの配置は平面視で略同じであるので、装置の構成を簡略化できる。

また、上下２つの基板処理列を構成する処理ユニットを同種として、上下２つの基板処理列で行われる一連の処理を同じとすることで、装置の構成を簡略化できる。

また、上下のセル１１、１３（１２、１４）の各処理ユニットは互いに積層関係にあるので、上下２つのセルで構成される処理ブロックの構造を簡略化できる。

また、処理ブロック内の上下２基の主搬送機構Ｔと複数の処理ユニットをまとめて支持する筐体７５を処理ブロックごとに備えているので、基板処理装置を効率よく製造できるととともに補修を容易に行うことができる。

また、各搬送スペースＡ_１〜Ａ_４には、それぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが設けられているので、各搬送スペースＡを清浄に保つことができる。

また、第１吹出口６１ａが搬送スペースＡの上部に、排出口６２ａが搬送スペースＡの下部に配置されているので、搬送スペースＡには略鉛直下向きの気流が形成される。これにより、各熱処理ユニット４１からの熱によって搬送スペースＡや塗布処理ユニット３１又は現像処理ユニットＤＥＶの温度環境が影響を受けることを防止することができる。

また、搬送スペースＡ_１（Ａ_２）に設けられる排出ユニット６２と搬送スペースＡ_３（Ａ_４）に設けられる第１吹出ユニット６１が各搬送スペースＡ_１、Ａ_３（Ａ_２、Ａ_４）の雰囲気を遮断するので、各搬送スペースＡをそれぞれ清浄に保つことができる。また、専ら雰囲気を遮断する部材を設けることを要しないので、装置構成を簡略化できる。

上下の搬送スペースＡ_１、Ａ_３にそれぞれ設けられる第１吹出ユニット６１に対して共通の第１気体供給管６１を備えることで、配管設置スペースを低減し、装置構成を簡略化することができる。

また、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤと主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３の間で基板Ｗを受け渡しするための載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_３を備えているので、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤおよび主搬送機構Ｔ_１、Ｔ_３の搬送効率が低下することを防止できる。同様に、各搬送機構間の基板Ｗの受け渡しも載置部ＰＡＳＳを介して行うことで、各搬送機構の搬送効率が悪化することを防止できる。

また、載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３との位置が近接しているので、ＩＤ用搬送機構Ｔ_ＩＤはより少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ_１と載置部ＰＡＳＳ_３にアクセスすることができる。

また、メインコントローラ９１と第１ないし第６コントローラ９３〜９８を備えていることで、各基板Ｗについて、カセットＣから取り出される順番と露光機ＥＸＰに投入される順番を一致させるように制御する。これにより、基板Ｗを識別するための構成を備えることなく、各基板Ｗを管理することや追跡調査することができる。

上下のセル１１、１３（１２、１４）にそれぞれ設けられる各塗布処理ユニット３１（各現像処理ユニットＤＥＶ）に対して共通の第２気体供給管６５を備えることで、配管設置スペースを低減し、装置構成を簡略化することができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例では、基板処理列を２つ構成したが、これに限られない。３以上の基板処理列を構成して上下に多段に設けるように変更してもよい。

（２）上述した実施例では、各基板処理列は２つのセル１１、１２（１３、１４）を連結して構成したが、これに限られない。３つ以上のセルを連結して基板処理列を構成してもよい。

（３）上述した実施例では、基板処理列は基板Ｗにレジスト膜、反射防止膜を形成する処理と露光済みの基板Ｗに現像する処理とを行うものであったが、これに限られない。基板処理列において洗浄処理などその他の処理を基板Ｗに行うように変更してもよい。これにより、各処理ユニットの種類、個数等は適宜に選択、設計される。また、ＩＦ部５を省略して基板処理装置を構成してもよい。

（４）上述した実施例では、２つの基板処理列で行われる一連の処理は同じであったが、これに限られない。各基板処理列で異なる処理を行うように変更してもよい。

（５）上述した実施例では、２つの基板処理列の平面レイアウトが略同じであったがこれに限られない。基板処理列ごとに（すなわち、上下のセル間で）主搬送機構Ｔや処理ユニットの配置が異なるように変更してもよい。

（６）上述した実施例では、上下のセル１１、１３（１２、１４）間で主搬送機構Ｔから見た処理ユニットの配置が同じであったが、これに限られることなく、上下のセル間で異なるように変更してもよい。

（７）上述した実施例では、各セル１１〜１４は搬送スペースＡの両側に処理ユニットを配置していたが、片側のみに処理ユニットを配置してもよい。

（８）上述した実施例では、載置部ＰＡＳＳを介して搬送機構間の受け渡しを行うように構成していたが、これに限られない。たとえば、直接受け渡すように変更してもよい。

（９）上述した実施例において、各載置部ＰＡＳＳ_１、ＰＡＳＳ_２、ＰＡＳＳ_３、ＰＡＳＳ_４の上側や下側に、バッファＢＦや冷却ユニットＣＰ等を配置するように構成してもよい。これにより、基板Ｗを適宜仮置きしたり、冷却することができる。

（１０）上述した実施例では、ＩＦ用搬送機構Ｔ_ＩＦを２基の搬送機構Ｔ_ＩＦＡ、Ｔ_ＩＦＢで構成したが、これに限られることなく、１基または３基以上の搬送機構で構成するように変更してもよい。

（１１）上述した実施例では、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣとレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの間に隔壁等を備えておらず、各ユニット間で雰囲気が連通していたが、これに限られない。適宜に両ユニットの雰囲気を遮断するように構成してもよい。

（１２）上述した実施例では、一の第１吹出ユニット６１と一の排出ユニット６２が各搬送スペースＡ_１、Ａ_３（Ａ_２、Ａ_４）の雰囲気を遮断するように構成したがこれに限られない。たとえば、第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方のみが雰囲気を遮断するように構成してもよい。あるいは、排出ユニット６２及び第１吹出ユニット６１とは別個に上下関係にある各搬送スペースＡの雰囲気を遮断する遮蔽板を備えるように構成してもよい。

（１３）上述した実施例では、各搬送スペースＡの上部に第１吹出ユニット６１を配置し、下部に排出ユニット６２を配置したが、これに限られない。搬送スペースＡの側部に第１吹出ユニット６１または排出ユニット６２を配置するように構成してもよい。また、同じ基板処理列の搬送スペースＡ_１、Ａ_２（Ａ_３、Ａ_４）で、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２を共通化してもよい。

１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
１１ …第１セル
１２ …第２セル
１３ …第３セル
１４ …第４セル
３１ …塗布処理ユニット
４１ …熱処理ユニット
６１ …第１吹出ユニット
６１ａ …第１吹出口
６２ …第２排出ユニット
６２ａ …排出口
６５ …第２気体供給管
６６ …第２気体排出管
９１ …メインコントローラ
９３〜９８ …第１ないし第６コントローラ
ＢＡＲＣ …反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＥＥＷ …エッジ露光ユニット
Ｔ_ＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ_１、Ｔ_２、Ｔ_３、Ｔ_４ …主搬送機構
Ｔ_ＩＦ …ＩＦ用搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ …載置部
ＢＦ …バッファ
Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４ …搬送スペース
ＥＸＰ …露光機
Ｃ …カセット
Ｗ …基板

Claims (17)

1. インデクサ部と処理部とインターフェイス部とを備えた基板処理装置において基板に処理を行う基板処理方法であって、
   処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理を並行して行う工程と、
   処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板に現像処理を並行して行う工程と、
   を備えている基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記インデクサ部において、カセットから基板を搬出して、レジスト膜を形成する処理を行う各階層に交互に搬送する工程を備える基板処理方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、
   前記インデクサ部において、現像処理を行う各階層から交互に基板を受け取って、カセットに収容する工程を備える基板処理方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記レジスト膜を形成する処理を行う工程、および、前記現像処理を行う工程の両方が、各階層において行われ、
   前記方法は、さらに、前記インデクサ部において、カセットから基板を搬出し、搬出した基板を各階層に交互に搬送するとともに、各階層に基板を搬送した際に各階層から基板を受け取り、受け取った基板をカセットに収容する工程を、備えている基板処理方法。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記インターフェイス部において、レジスト膜を形成する処理を行う各階層から交互に基板を受け取って、外部装置である露光機に搬送する工程を備える基板処理方法。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記インターフェイス部において、外部装置である露光機から基板を受け取って、現像処理を行う各階層に交互に搬送する工程を備える基板処理方法。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記レジスト膜を形成する処理を行う工程、および、前記現像処理を行う工程の両方が、各階層において行われ、
   前記方法は、さらに、前記インターフェイス部において、各階層から交互に基板を受け取って外部装置である露光機に搬出するとともに、露光機から基板を受け取って各階層に交互に搬送し、かつ、各階層に基板を搬送した際に各階層から基板を受け取る工程を備えている基板処理方法。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理方法において、
   基板にレジスト膜を形成する処理を行う各階層では、インデクサ部から受け取った順番どおりに、基板をインターフェイス部に払い出す基板処理方法。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理方法において、
   基板に現像処理を行う各階層では、インターフェイス部から受け取った順番どおりに、基板をインデクサ部に払い出す基板処理方法。
10. 請求項１から請求項９のいずれかに記載の基板処理方法において、
    基板にレジスト膜を形成する処理を行う各階層の制御は、互いに独立している基板処理方法。
11. 請求項１から請求項１０のいずれかに記載の基板処理方法において、
    基板に現像処理を行う各階層の制御は、互いに独立している基板処理方法。
12. 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記レジスト膜を形成する処理を並行して行う工程では、レジスト膜材料を基板に塗布する処理と基板に熱処理を行う処理とを含む一連の処理工程を各基板に対して順次進め、かつ、前記一連の処理工程を各基板について一律の期間で行う基板処理方法。
13. 請求項１に記載の基板処理方法において、さらに、
    前記インデクサ部において、カセットから基板を取り出して、レジスト膜を形成する処理を行う各階層に搬送する工程と、
    前記インターフェイス部において、レジスト膜を形成する処理を行う各階層から基板を受け取って、外部装置である露光機に搬送する工程と、
    を備える基板処理方法。
14. 請求項１３に記載の基板処理方法において、
    前記露光機に搬送する工程では、前記カセットから基板を取り出した順番と同じ順番で、基板を露光機に搬送する基板処理方法。
15. 請求項１３または請求項１４に記載の基板処理方法において、
    前記インターフェイス部においてレジスト膜を形成する処理を行う階層から受け取る基板の順番と、前記インデクサ部において前記カセットから取り出す基板の順番とが異なるときは、この基板をバッファ部に載置して、前記インターフェイス部においてレジスト膜を形成する処理を行う各階層から後続の基板を受け取り可能にする基板処理方法。
16. 請求項１３から請求項１５のいずれかに記載の基板処理方法において、
    レジスト膜を形成する処理を行う階層の一部から前記インターフェイス部に基板が払い出されなくなった場合にその他の階層から前記インターフェイス部に基板が払い出されたときは、前記インターフェイス部は前記その他の階層から払い出された基板をバッファ部に搬送する基板処理方法。
17. 請求項１６に記載の基板処理方法において、
    基板の払い出しが停止していた階層から再び基板が払い出され始めると、前記インターフェイス部は、この階層から払い出された基板と前記バッファ部に載置した基板とを交互に露光機に搬送する基板処理方法。

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