JP2012157747A - 植え込み型集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】管腔内リード上、例えば脈管内リード上、および他の種類の植え込み型装置上に存在するエフェクタに対して、堅牢で信頼できる制御機能の提供。
【解決手段】本発明の実施形態は、たとえ多重搬送波構成上に存在するエフェクタユニットであっても、それらの正確な長期制御に要求される機能を可能にし同時に電力消費を低減する。本発明の態様は、電力抽出機能ブロック、エネルギー貯蔵機能ブロック、通信機能ブロック、および装置構成機能ブロックを有する植え込み型集積回路を含んでおり、これらの機能ブロックはすべて、管腔内に納まる大きさの支持体上の単一の集積回路内に存在する。集積回路と、植え込み型医療装置、例えば集積回路を含むパルス発生器と、システムおよびそのキットとを含むエフェクタアセンブリ、ならびにエフェクタアセンブリを例えば心臓再同期療法(CRT)用途を含むペーシング用途に用いる方法が、本発明で提供される。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の実施形態は、たとえ多重搬送波構成上に存在するエフェクタユニットであっても、それらの正確な長期制御に要求される機能を可能にし同時に電力消費を低減する。本発明の態様は、電力抽出機能ブロック、エネルギー貯蔵機能ブロック、通信機能ブロック、および装置構成機能ブロックを有する植え込み型集積回路を含んでおり、これらの機能ブロックはすべて、管腔内に納まる大きさの支持体上の単一の集積回路内に存在する。集積回路と、植え込み型医療装置、例えば集積回路を含むパルス発生器と、システムおよびそのキットとを含むエフェクタアセンブリ、ならびにエフェクタアセンブリを例えば心臓再同期療法(CRT)用途を含むペーシング用途に用いる方法が、本発明で提供される。
【選択図】図3
Description
(関連出願の引用)
米国特許法第119条(e)にしたがい、本出願は以下の出願日に対する優先件を主張し、これら出願の開示は本明細書において参照により引用される:米国仮特許出願第60/753,863号(出願日2005年12月22日);米国仮特許出願第60/753,598号(出願日2005年12月22日);米国仮特許出願第60/763,478号(出願日2006年1月30日);米国仮特許出願第60/773,699号(出願日2006年2月14日);米国仮特許出願第60/745,272号(出願日2006年4月20日);米国仮特許出願第60/805,060号(出願日2006年6月16日);米国仮特許出願第60/820,065号(出願日2006年7月21日);米国仮特許出願第60/820,588号(出願日2006年7月27日);米国仮特許出願第60/829,828号(出願日2006年10月17日);および、米国仮特許出願第60/868,041号(出願日2006年11月30日)。
米国特許法第119条(e)にしたがい、本出願は以下の出願日に対する優先件を主張し、これら出願の開示は本明細書において参照により引用される:米国仮特許出願第60/753,863号(出願日2005年12月22日);米国仮特許出願第60/753,598号(出願日2005年12月22日);米国仮特許出願第60/763,478号(出願日2006年1月30日);米国仮特許出願第60/773,699号(出願日2006年2月14日);米国仮特許出願第60/745,272号(出願日2006年4月20日);米国仮特許出願第60/805,060号(出願日2006年6月16日);米国仮特許出願第60/820,065号(出願日2006年7月21日);米国仮特許出願第60/820,588号(出願日2006年7月27日);米国仮特許出願第60/829,828号(出願日2006年10月17日);および、米国仮特許出願第60/868,041号(出願日2006年11月30日)。
本出願はまた、出願番号11/219,305号(出願日2005年12月22日)の一部継続出願でもあり、該出願は、以下の仮出願により、米国特許法第119条に基づく優先権を主張し、これら出願の開示は、本明細書において参照により引用される:米国仮特許出願第60/707,995号(出願日2005年8月12日);米国仮特許出願第60/679,625号(出願日2005年5月9日);米国仮特許出願第60/638,928号(出願日2004年12月23日);および、米国仮特許出願第60/607,280号(出願日2004年9月2日)。
生物医学的植え込み型装置の歴史は、その始まりを1950年代後半にさかのぼる。40年以上前の植え込み型心臓ペースメーカの最初の開発以来、生体工学の分野では、多くの異なる植え込み型生物医学装置が、様々な病気の治療のために、医療専門家に提供されてきた。今日、植え込み型除細動器、薬物送達システム、神経刺激装置、骨成長刺激装置、および多くの他の植え込み型装置によって、様々な病気の治療が著しく促進されている。
どのような種類の植え込み型装置に関しても、これらの装置の動作を精密に制御し、かつこれらの装置の状態を正確に監視することができる能力は、疾病の効果的治療のために非常に重要である。例えば、心臓再同期療法(CRT)では、患者の心臓にペーシングリードが挿入されることが多い。再同期療法の有効度は、心臓組織に印加されるペーシング信号の位置およびタイミングによって大きく左右される可能性がある。理想的には、医師は、植え込み型装置を用いて、組織の応答および植え込み型装置の状態を監視し、治療の効能を評価することができる。
生物医学的植え込み型装置の発展は、様々な意味で、エレクトロニクス技術の発展、特に、マイクロエレクトロニクス、回路設計、検出技術、微小電気機械システム(MEMS)、信号処理の分野、および他の関連する分野における進展を反映している。しかしながら、電気工学、生体工学、および医学間における大規模な共同努力の欠如により、最新のエレクトロニクス技術は、植え込み型装置に具体化されないことが多い。例えば、最近まで、多数の心臓再同期療法士が、依然として半経験的方法に依存してペーシングリードおよびペーシング信号を調整していた。
現在、ペースメーカおよび神経刺激装置のような自動制御式植え込み型装置への応用はごく限られている。さらに、既存の植え込み型装置の自動動作には、かさばる外部の制御システムおよび電源が必要となることが多い。そのような動作は、管理が困難であり、診療所外で管理することはしばしば不可能となるおそれがある。
本発明の実施形態は、管腔内リード上、例えば脈管内リード上、および他の種類の植え込み型装置上に存在するエフェクタに対して、堅牢で、信頼できる制御機能を可能にする。本発明の実施形態は、たとえ多重搬送波構成上に存在するエフェクタユニットであっても、それらの正確な長期制御に要求される機能を可能にし、同時に電力消費を低減する。本発明の態様は、電力抽出機能ブロック、エネルギー貯蔵機能ブロック、通信機能ブロック、および装置構成機能ブロックを有する植え込み型集積回路を含んでおり、これらの機能ブロックはすべて、管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する。集積回路と、植え込み型医療装置、例えば集積回路を含むパルス発生器と、システムおよびそのキットとを含むエフェクタアセンブリ、ならびにエフェクタアセンブリを例えば心臓再同期療法(CRT)用途を含むペーシング用途に集積回路を用いる方法とが本発明によって提供される。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
植え込み型集積回路であって、該集積回路は、
電力抽出機能ブロックと、
エネルギー貯蔵機能ブロックと、
通信機能ブロックと、
装置構成機能ブロックと
を備え、該機能ブロックはすべて、管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する、植え込み型集積回路
(項目2)
使用中前記回路によって用いられる前記電力抽出の機能、前記エネルギー貯蔵の機能、前記通信の機能および前記装置構成の機能の実質的にすべてが、該単一の集積回路によって提供される、項目1に記載の集積回路。
(項目3)
統合された防食膜をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目4)
前記統合された防食膜は、平坦な堆積された防食膜である、項目3に記載の集積回路。
(項目5)
前記集積回路によって提供される装置構成は、該集積回路に電力を印加することなく動作可能である、項目1に記載の集積回路。
(項目6)
前記回路の電源投入と同時に、1つの電源端子を1つ以上のエフェクタ電極に接続するデフォルト構成が該集積回路内に設定される、項目1に記載の集積回路。
(項目7)
前記通信機能ブロックは、約15kHzよりも高い周波数の交流を用いる、項目1に記載の集積回路。
(項目8)
前記装置構成機能ブロックは、1つ以上のエフェクタを制御するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目9)
前記集積回路は、前記エフェクタを介した組織の刺激を可能にする機能ブロックをさらに備える、項目8に記載の集積回路。
(項目10)
前記集積回路は、組織から該集積回路への低電圧伝送を可能にする機能ブロックをさらに備える、項目8に記載の集積回路。
(項目11)
前記集積回路は、実質的に電荷を平衡化させた刺激パルスの伝送を行う、項目9に記載の集積回路。
(項目12)
前記装置構成ブロックは、電源端子と1つ以上エフェクタとの間にスイッチングブロックを備える、項目8に記載の集積回路。
(項目13)
前記スイッチングブロックは、各エフェクタと電源端子との間に、各々が2つのトランジスタからなるスイッチング素子を備える、項目12に記載の集積回路。
(項目14)
前記2つのトランジスタは、他のすべての回路から電気的に隔離された共通のバルクを共有する、項目13に記載の集積回路。
(項目15)
前記2つのトランジスタは、電気的に接続されたゲートを備える、項目14に記載の集積回路。
(項目16)
前記2つのトランジスタは、接続されたソースを備える、項目15に記載の集積回路。
(項目17)
前記共通のバルクは、共通のソース端子に電気的に接続されている、項目14に記載の集積回路。
(項目18)
前記ゲートに印加される制御電圧は、前記電源端子上の電圧を基準とする、項目15に記載の集積回路。
(項目19)
スリープ機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目20)
ウェイクアップ機能ブロックをさらに備える、項目19に記載の集積回路。
(項目21)
前記ウェイクアップ機能ブロックは、符号化された信号によって起動されるように設定されている、項目20に記載の集積回路。
(項目22)
限流機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目23)
電圧クランプ機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目24)
故障回復機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目25)
前記故障回復機能ブロックは、故障した回路またはワイヤを電気的に隔離するように設定されている、項目24に記載の集積回路。
(項目26)
前記管腔内に納まる大きさを有する支持体は、約0.05mm 2 から約5mm 2 にわたる最大表面積を有する、項目1に記載の集積回路。
(項目27)
前記集積回路は、約100μW以下の平均消費電力を有するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目28)
前記集積回路は、その構成状態を保持しながら約1nA以下の平均電流引き込み量を有するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目29)
前記集積回路は、前記装置の前記構成状態が変更されている場合は、約1μAから約100μAにわたる平均電流引き込み量を有するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目30)
前記集積回路は、データクロック回復モジュールをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目31)
前記集積回路は、多電極サテライトを動作させるように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目32)
前記回路は、第1および第2の導電性パス連結要素をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目33)
前記集積回路は、前記連結要素を介して第1および第2の導電性パスに接続されている、項目32に記載の集積回路。
(項目34)
前記集積回路は、少なくとも1つのエフェクタにさらに接続されている、項目33に記載の集積回路。
(項目35)
前記集積回路は、2つ以上のエフェクタに連結されている、項目34に記載の集積回路。
(項目36)
前記2つ以上のエフェクタは、電極である、項目35に記載の集積回路。
(項目37)
前記集積回路は、分割電極構造体内に存在する、項目36に記載の集積回路。
(項目38)
前記分割電極構造体は、リード内に存在する、項目37に記載の集積回路。
(項目39)
前記リードは、多重リードである、項目38に記載の集積回路。
(項目40)
(a)(i) 電力抽出機能ブロックと、
(ii) エネルギー貯蔵機能ブロックと、
(iii) 通信機能ブロックと、
(iv) 装置構成機能ブロックと
を備え、該機能ブロックはすべて管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する集積回路と、
(b) 該集積回路に連結された少なくとも1つのエフェクタと
を備える、植え込み型エフェクタユニット。
(項目41)
前記エフェクタユニットは、前記集積回路に連結された2つ以上のエフェクタを備える、項目40に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目42)
前記2つ以上のエフェクタは、電極である、項目41に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目43)
前記2つ以上の電極は、分割電極である、項目42に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目44)
前記ユニットは、リード上に存在する、項目40に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目45)
前記リードは、多重リードである、項目44に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目46)
(a)(i) 電力抽出機能ブロックと、
(ii) エネルギー貯蔵機能ブロックと、
(iii) 通信機能ブロックと、
(iv) 装置構成機能ブロックと
を備え、該機能ブロックはすべて管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する集積回路と、
(b)該集積回路に連結された少なくとも1つの2つの電極と
を備える植え込み型電極アセンブリ。
(項目47)
前記電極アセンブリは、分割電極アセンブリである、項目46に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目48)
前記分割電極アセンブリは、4つの電極を備える、項目47に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目49)
前記電極アセンブリは、リード上に存在する、項目46に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目50)
前記リードは、多重リードである、項目49に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目51)
近位端および遠位端と、
項目46に記載の少なくとも1つの電極アセンブリと
を備える、細長い可撓性構造体。
(項目52)
前記構造体は、脈管リードである、項目51に記載の細長い可撓性構造体。
(項目53)
前記脈管リードは、項目46に記載の2つ以上の電極アセンブリを備える、項目52に記載の細長い可撓性構造体。
(項目54)
前記脈管リードは、多重脈管リードである、項目53に記載の細長い可撓性構造体。
(項目55)
前記多重リードは、3本以下のワイヤを有する、項目54に記載の細長い可撓性構造体。
(項目56)
前記脈管リードは、2本のみのワイヤを含む、項目55に記載の細長い可撓性構造体。
(項目57)
前記脈管リードは、1本のみのワイヤを含む、項目55に記載の細長い可撓性構造体。
(項目58)
前記脈管リードは、前記近位端にIS−1コネクタを含む、項目51に記載の細長い可撓性構造体。
(項目59)
(a)電源と、電気刺激制御要素とを備えるハウジングと、
(b)項目51から項目58のいずれか一項に記載の脈管リードと
を備える、植え込み型パルス発生器。
(項目60)
前記発生器は、2つ以上の項目51から項目58に記載の脈管リードを備える、項目59に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目61)
前記2つ以上の脈管リードに連結されたマルチプレクサであって、該マルチプレクサは、一組のサテライトを選択して遠隔データ収集装置に連結するように設定されている、マルチプレクサと、
該マルチプレクサおよび該遠隔データ収集装置に連結された導電性パスと
を備える、項目60に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目62)
前記マルチプレクサは、各選択されたサテライトと関連付けられた前記電極の状態を保持するように設定されている、項目61に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目63)
前記制御要素は、前記植え込み型パルス発生器をペースメーカとして動作させるように設定されている、項目59に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目64)
前記制御要素は、心臓再同期を達成するのに十分な形で前記植え込み型パルス発生器を動作させるように設定されている、項目59に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目65)
(a)項目59から項目64のいずれか一項に記載の第1の植え込み型パルス発生器と、
(b)該植え込み型パルス発生器と通信するように構成された第2の装置と
を備える、システム。
(項目66)
前記第2の装置は、植え込み型医療装置である、項目65に記載のシステム。
(項目67)
項目59から項目64のいずれか一項に記載の植え込み型パルス発生器を被術者の体内に植え込む工程と、
該植え込まれたパルス発生器を使用する工程と
を含む、方法。
(項目68)
前記使用する工程は、前記パルス発生器の前記電極のうちの少なくとも1つを起動して、前記被術者に電気エネルギーを送達する工程を含む、項目67に記載の方法。
(項目69)
前記方法は、前記パルス発生器の前記電極のいずれを起動すべきかを決定する工程をさらに含む、項目68に記載の方法。
(項目70)
(a) 電源と、電気刺激制御要素とを備えるハウジングと、
(b) 項目51から項目58のいずれか一項に記載の脈管リードと
を備える、キット。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
植え込み型集積回路であって、該集積回路は、
電力抽出機能ブロックと、
エネルギー貯蔵機能ブロックと、
通信機能ブロックと、
装置構成機能ブロックと
を備え、該機能ブロックはすべて、管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する、植え込み型集積回路
(項目2)
使用中前記回路によって用いられる前記電力抽出の機能、前記エネルギー貯蔵の機能、前記通信の機能および前記装置構成の機能の実質的にすべてが、該単一の集積回路によって提供される、項目1に記載の集積回路。
(項目3)
統合された防食膜をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目4)
前記統合された防食膜は、平坦な堆積された防食膜である、項目3に記載の集積回路。
(項目5)
前記集積回路によって提供される装置構成は、該集積回路に電力を印加することなく動作可能である、項目1に記載の集積回路。
(項目6)
前記回路の電源投入と同時に、1つの電源端子を1つ以上のエフェクタ電極に接続するデフォルト構成が該集積回路内に設定される、項目1に記載の集積回路。
(項目7)
前記通信機能ブロックは、約15kHzよりも高い周波数の交流を用いる、項目1に記載の集積回路。
(項目8)
前記装置構成機能ブロックは、1つ以上のエフェクタを制御するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目9)
前記集積回路は、前記エフェクタを介した組織の刺激を可能にする機能ブロックをさらに備える、項目8に記載の集積回路。
(項目10)
前記集積回路は、組織から該集積回路への低電圧伝送を可能にする機能ブロックをさらに備える、項目8に記載の集積回路。
(項目11)
前記集積回路は、実質的に電荷を平衡化させた刺激パルスの伝送を行う、項目9に記載の集積回路。
(項目12)
前記装置構成ブロックは、電源端子と1つ以上エフェクタとの間にスイッチングブロックを備える、項目8に記載の集積回路。
(項目13)
前記スイッチングブロックは、各エフェクタと電源端子との間に、各々が2つのトランジスタからなるスイッチング素子を備える、項目12に記載の集積回路。
(項目14)
前記2つのトランジスタは、他のすべての回路から電気的に隔離された共通のバルクを共有する、項目13に記載の集積回路。
(項目15)
前記2つのトランジスタは、電気的に接続されたゲートを備える、項目14に記載の集積回路。
(項目16)
前記2つのトランジスタは、接続されたソースを備える、項目15に記載の集積回路。
(項目17)
前記共通のバルクは、共通のソース端子に電気的に接続されている、項目14に記載の集積回路。
(項目18)
前記ゲートに印加される制御電圧は、前記電源端子上の電圧を基準とする、項目15に記載の集積回路。
(項目19)
スリープ機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目20)
ウェイクアップ機能ブロックをさらに備える、項目19に記載の集積回路。
(項目21)
前記ウェイクアップ機能ブロックは、符号化された信号によって起動されるように設定されている、項目20に記載の集積回路。
(項目22)
限流機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目23)
電圧クランプ機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目24)
故障回復機能ブロックをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目25)
前記故障回復機能ブロックは、故障した回路またはワイヤを電気的に隔離するように設定されている、項目24に記載の集積回路。
(項目26)
前記管腔内に納まる大きさを有する支持体は、約0.05mm 2 から約5mm 2 にわたる最大表面積を有する、項目1に記載の集積回路。
(項目27)
前記集積回路は、約100μW以下の平均消費電力を有するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目28)
前記集積回路は、その構成状態を保持しながら約1nA以下の平均電流引き込み量を有するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目29)
前記集積回路は、前記装置の前記構成状態が変更されている場合は、約1μAから約100μAにわたる平均電流引き込み量を有するように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目30)
前記集積回路は、データクロック回復モジュールをさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目31)
前記集積回路は、多電極サテライトを動作させるように構成されている、項目1に記載の集積回路。
(項目32)
前記回路は、第1および第2の導電性パス連結要素をさらに備える、項目1に記載の集積回路。
(項目33)
前記集積回路は、前記連結要素を介して第1および第2の導電性パスに接続されている、項目32に記載の集積回路。
(項目34)
前記集積回路は、少なくとも1つのエフェクタにさらに接続されている、項目33に記載の集積回路。
(項目35)
前記集積回路は、2つ以上のエフェクタに連結されている、項目34に記載の集積回路。
(項目36)
前記2つ以上のエフェクタは、電極である、項目35に記載の集積回路。
(項目37)
前記集積回路は、分割電極構造体内に存在する、項目36に記載の集積回路。
(項目38)
前記分割電極構造体は、リード内に存在する、項目37に記載の集積回路。
(項目39)
前記リードは、多重リードである、項目38に記載の集積回路。
(項目40)
(a)(i) 電力抽出機能ブロックと、
(ii) エネルギー貯蔵機能ブロックと、
(iii) 通信機能ブロックと、
(iv) 装置構成機能ブロックと
を備え、該機能ブロックはすべて管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する集積回路と、
(b) 該集積回路に連結された少なくとも1つのエフェクタと
を備える、植え込み型エフェクタユニット。
(項目41)
前記エフェクタユニットは、前記集積回路に連結された2つ以上のエフェクタを備える、項目40に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目42)
前記2つ以上のエフェクタは、電極である、項目41に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目43)
前記2つ以上の電極は、分割電極である、項目42に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目44)
前記ユニットは、リード上に存在する、項目40に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目45)
前記リードは、多重リードである、項目44に記載の植え込み型エフェクタユニット。
(項目46)
(a)(i) 電力抽出機能ブロックと、
(ii) エネルギー貯蔵機能ブロックと、
(iii) 通信機能ブロックと、
(iv) 装置構成機能ブロックと
を備え、該機能ブロックはすべて管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する集積回路と、
(b)該集積回路に連結された少なくとも1つの2つの電極と
を備える植え込み型電極アセンブリ。
(項目47)
前記電極アセンブリは、分割電極アセンブリである、項目46に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目48)
前記分割電極アセンブリは、4つの電極を備える、項目47に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目49)
前記電極アセンブリは、リード上に存在する、項目46に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目50)
前記リードは、多重リードである、項目49に記載の植え込み型電極アセンブリ。
(項目51)
近位端および遠位端と、
項目46に記載の少なくとも1つの電極アセンブリと
を備える、細長い可撓性構造体。
(項目52)
前記構造体は、脈管リードである、項目51に記載の細長い可撓性構造体。
(項目53)
前記脈管リードは、項目46に記載の2つ以上の電極アセンブリを備える、項目52に記載の細長い可撓性構造体。
(項目54)
前記脈管リードは、多重脈管リードである、項目53に記載の細長い可撓性構造体。
(項目55)
前記多重リードは、3本以下のワイヤを有する、項目54に記載の細長い可撓性構造体。
(項目56)
前記脈管リードは、2本のみのワイヤを含む、項目55に記載の細長い可撓性構造体。
(項目57)
前記脈管リードは、1本のみのワイヤを含む、項目55に記載の細長い可撓性構造体。
(項目58)
前記脈管リードは、前記近位端にIS−1コネクタを含む、項目51に記載の細長い可撓性構造体。
(項目59)
(a)電源と、電気刺激制御要素とを備えるハウジングと、
(b)項目51から項目58のいずれか一項に記載の脈管リードと
を備える、植え込み型パルス発生器。
(項目60)
前記発生器は、2つ以上の項目51から項目58に記載の脈管リードを備える、項目59に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目61)
前記2つ以上の脈管リードに連結されたマルチプレクサであって、該マルチプレクサは、一組のサテライトを選択して遠隔データ収集装置に連結するように設定されている、マルチプレクサと、
該マルチプレクサおよび該遠隔データ収集装置に連結された導電性パスと
を備える、項目60に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目62)
前記マルチプレクサは、各選択されたサテライトと関連付けられた前記電極の状態を保持するように設定されている、項目61に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目63)
前記制御要素は、前記植え込み型パルス発生器をペースメーカとして動作させるように設定されている、項目59に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目64)
前記制御要素は、心臓再同期を達成するのに十分な形で前記植え込み型パルス発生器を動作させるように設定されている、項目59に記載の植え込み型パルス発生器。
(項目65)
(a)項目59から項目64のいずれか一項に記載の第1の植え込み型パルス発生器と、
(b)該植え込み型パルス発生器と通信するように構成された第2の装置と
を備える、システム。
(項目66)
前記第2の装置は、植え込み型医療装置である、項目65に記載のシステム。
(項目67)
項目59から項目64のいずれか一項に記載の植え込み型パルス発生器を被術者の体内に植え込む工程と、
該植え込まれたパルス発生器を使用する工程と
を含む、方法。
(項目68)
前記使用する工程は、前記パルス発生器の前記電極のうちの少なくとも1つを起動して、前記被術者に電気エネルギーを送達する工程を含む、項目67に記載の方法。
(項目69)
前記方法は、前記パルス発生器の前記電極のいずれを起動すべきかを決定する工程をさらに含む、項目68に記載の方法。
(項目70)
(a) 電源と、電気刺激制御要素とを備えるハウジングと、
(b) 項目51から項目58のいずれか一項に記載の脈管リードと
を備える、キット。
上に概要を述べたように、本発明の実施形態は、管腔内構造物上、例えば脈管リード上、および他の種類の植え込み型装置上に存在するエフェクタに対して、堅牢で、信頼できる制御機能を可能にする。本発明の実施形態は、たとえ多重搬送波構成上に存在する植え込み型構造物のエフェクタユニットであっても、それらの正確な長期制御に要求される機能を可能にし、同時に電力消費を低減する。本発明の実施形態によって提供されるこのような利点は、増強された植え込み型パルス発生器、例えば心臓ペーシング装置のような、種々の異なる増強された植え込み型技術を可能にする。
本発明の態様は、電力抽出機能ブロック、エネルギー貯蔵機能ブロック、通信機能ブロック、および装置構成機能ブロックを有する植え込み型集積回路を含んでおり、これらの機能ブロックはすべて、管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する。集積回路、植え込み型医療装置(例えば集積回路を含むパルス発生器)と、植え込み型医療装置のシステムおよびそのキット含むエフェクタアセンブリ、ならびに例えば心臓再同期療法(CRT)用途を含むペーシング用途にエフェクタアセンブリを用いる方法も、本発明によって提供される。
本発明の種々の態様をさらに説明するにあたり、本発明による集積回路の各実施形態を、最初に、全体として、かつ各図面の観点からさらに詳細に説明し、次に、主題の回路およびそのシステムを含むことができる植え込み型医療装置に関して論述すると共に、植え込み型医療装置の種々のキットに関して考察することにする。
(集積回路)
本発明の実施形態は、植え込み型集積回路を提供する。植え込み型とは、回路が例えば約1週間以上、約4週間以上、約6ヶ月以上、約1年以上、例えば約5年以上の間、体内に見出される高塩分、高湿度環境を含む生理環境中に存在する場合に機能を保持するように構成されていることを意味する。特定の実施形態では、植え込み型回路は、約10年から約50年以上にわたる期間を含む、約1年から約80年以上、例えば約5年から約70年以上にわたる期間生理学的部位に植え込まれている場合に機能を保持するように構成されている。
本発明の実施形態は、植え込み型集積回路を提供する。植え込み型とは、回路が例えば約1週間以上、約4週間以上、約6ヶ月以上、約1年以上、例えば約5年以上の間、体内に見出される高塩分、高湿度環境を含む生理環境中に存在する場合に機能を保持するように構成されていることを意味する。特定の実施形態では、植え込み型回路は、約10年から約50年以上にわたる期間を含む、約1年から約80年以上、例えば約5年から約70年以上にわたる期間生理学的部位に植え込まれている場合に機能を保持するように構成されている。
植え込み型集積回路は、いくつかの別個の機能ブロックすなわちモジュールを含んでおり、それらの機能ブロックはすべて、管腔内に納まる大きさを有する支持体上の単一の集積回路内に存在する。単一の集積回路とは、異なる機能ブロックのすべてを含む単一の回路構造を意味する。従って、集積回路は、半導体材料で作られた薄い基板の表面内に製造された小型電子回路(半導体素子および受動素子を含むことができる)であるモノリシック集積回路(IC、超小型回路、マイクロチップ、シリコンチップ、コンピュータチップまたはチップとしても知られる)である。本発明の特定の実施形態の集積回路は、基板または回路基板に接着された、個々の半導体素子および受動素子で構築された小型電子回路であるハイブリッド集積回路とは異なる。
例えば、支持体の内部において、少なくとも部分的に支持体の表面上に存在するかまたは統合されていることによって回路が関連付けられている支持体は、任意の好都合な支持体であってよく、所望に応じて、硬くても可撓性であってもよい。支持体は管腔内に納まる大きさとなるので、その寸法は、支持体を生理学的管腔の内側、心臓の脈管、例えば静脈または動脈のような脈管の内側に配置することができるような寸法となっている。特定の実施形態では、管腔内に納まる大きさを有する集積回路は、約0.05mm2から約5mm2までの間の寸法、約1.5mm2を含む、例えば約1.125mm2から約2.5mm2までの間の寸法(例えば最大表面の表面積の観点から)を有する。集積回路の支持体は、正方形、長方形、楕円形、および六角形、不整形等のような種々の異なる形状を有することができる。
上に述べたように、本発明の集積回路は、その意図された用途に対して必要な回路機能を提供するいくつかの機能ブロックを含むことができ、それらの機能ブロックはすべて、単一の集積回路の一部である。特定の実施形態では、回路は、少なくとも、電力抽出機能ブロック、エネルギー貯蔵機能ブロック、通信機能ブロック、および装置構成機能ブロックを含む。
電力抽出機能ブロックは、回路が連結された電源から電力を抽出または取得するように構成された回路機能ブロックまたはモジュールである。広義には、電力抽出機能ブロックは、電気的に連結された電源(例えばワイヤ)、または遠隔で、例えば、生体内にあっても生体外にあってもよいが、ワイヤのような導電要素によって装置に物理的に接続されていない遠隔位置から回路に無線伝送される電力から電力を受け取るように構成されたブロックとすることができる。特定の実施形態では、電力抽出機能ブロックは、次に電池のような電源に連結された少なくとも1本のワイヤに連結される構成となっているブロックであり、この機能ブロックは、ワイヤから電力を抽出して回路に電力を供給する。
集積回路の一部である別の存在する機能ブロックまたはモジュールは、エネルギー貯蔵機能ブロックである。エネルギー貯蔵機能ブロックは、電力抽出ブロックによって抽出されたエネルギーのようなエネルギーを例えばコンデンサ方式で回路内に貯蔵することができるブロックである。特定の実施形態では、エネルギー貯蔵機能ブロックは、約200pF以上、例えば、約800pFを含む、約500pF以上のエネルギー貯蔵能力を有しており、特定の実施形態では、該ブロックの貯蔵能力は、約5000pF以下、例えば、約1000pF以下を含む、約2000pF以下である。従って、特定の実施形態では、この機能ブロックの貯蔵能力は、約200pFから約5000pFにわたる総能力、例えば、約750pFから約2000pFを含む、約500pFから約2500pFにわたる総能力を有することができる。この機能ブロックは、単一の別個の回路で構成してもよく、各々が約60pFから約220pF等にわたる能力を有する複数の、例えば2つ以上、3つ以上等の素子で構成してもよい。
これらの実施形態の回路は、通信機能ブロックをさらに含む。このブロックは、回路に物理的に接続されていてもいなくてもよい、生体内または生体内にある集積回路から離れた位置から、例えば信号形式のデータの送受信を行う。特定の実施形態では、このブロックは、少なくとも1本のワイヤを介して回路に接続された制御装置からコマンド信号を受信し、かつ/または、少なくとも1本のワイヤを経由して、回路から離れた、少なくとも1本のワイヤによって物理的に回路に接続された制御装置に、検出したデータ信号を伝送するように構成されている。特定の実施形態では、通信機能ブロックは、約15kHzより高い周波数の交流を用いており、この場合、通信機能ブロックの動作周波数は、約100kHz以上、例えば、約1MHz以上を含む、約500kHz以上とすることができる。
回路は、装置構成機能ブロックをさらに含む。このブロックは、例えば通信ブロックを介して遠隔の装置から受信した構成コマンドを用い、受信した構成コマンドに従って、装置の1つ以上のエフェクタ、例えば電極を構成することができる。特定の実施形態では、装置構成機能ブロックは、集積回路の機能ブロックによって提供される装置構成が当該の集積回路に電力が供給されることなく動作可能であるように構成されている。特定の実施形態では、装置構成ブロックは、供給端子と1つ以上のエフェクタとの間にスイッチングブロックを含む。スイッチングブロックは、各エフェクタと供給端子との間に、各々が2つのトランジスタで構成されたスイッチング素子を含むことができる。
特定の実施形態では、2つのトランジスタが、他のすべての回路から電気的に隔離された共通のバルク(bulk)を共有する。別の実施形態では、2つのトランジスタは、電気的に接続されたゲートを含む。2つのトランジスタは、接続されたソースを含むことができる。共通のバルクは、共通のソース端子に電気的に接続することができる。回路は、使用中、ゲートに印加される制御電圧が供給端子上の電圧に対して参照されるように構成することもできる。
上述の機能ブロックの種々の例を、全体として、かつ図面の観点から以下にさらに説明する。その場合、上述の構成要素は、追加の機能ブロックを含む回路との関連で説明することができる。
特定の実施形態では、以下に説明する装置およびシステムのような所与の装置またはシステムにおいては、すべてではないにせよ、使用中集積回路によって用いられる電力抽出、エネルギー貯蔵、通信および装置構成の機能のほぼすべてが単一の集積回路によって提供される。さらに別の実施形態では、回路が存在する装置またはシステムは、上述の機能のうちのいくつかを提供することができる。しかしながら、そのような実施形態においてさえも、回路は、依然として上に概要を述べた機能ブロックを含むことができる。
特定の実施形態では、集積回路は、心機能監視用途のような治療的心臓用途および/または治療的電気エネルギー送達用途、例えばペーシング用途に用いるように構成されている。従って、回路は、回路に連結されたエフェクタ、例えば電極を介した組織の刺激を可能にする機能ブロックを含むことができる。回路は、例えば回路に連結されたエフェクタに接触している組織から集積回路への低電圧伝送を可能にする機能ブロックを含むことができる。特定の実施形態では、集積回路は、例えば回路に連結されたエフェクタと接触している組織に、実質的に電荷を平衡化させた刺激パルスを送信することができる。
集積回路は、1つ以上の追加の機能ブロックによって回路に付与されるいくつかの追加機能を含むことができる。これらの機能の一部について以下に概要を述べ、次いで、例えばその応用形態の図面の説明と関連付けてさらに展開する。以下の機能に必要な構成要素のすべてまたはほんの一部を回路に組み込むことができる。従って、上述の所与の機能ブロックは、単独または回路に組み込まれていない追加要素と併せて所望の追加機能を提供する機能ブロックである。機能ブロックは、デフォルトモード機能ブロックと、電荷平衡化動作機能ブロックと、電荷平衡化機能ブロックと、マルチプレクサ機能ブロックと、フォールトトレラント機能ブロックと、過電圧および/または過電流機能ブロックと、オフチップコンデンサ機能ブロックまたはオンチップコンデンサ機能ブロックと、スリープ機能ブロックと、ウェイクアップ機能ブロックとを含む。種々の実施形態において、これらの追加機能はさらに、本発明の集積回路が管腔内に納まる大きさを有し、電力消費を低減し、なおかつ所望の機能を提供することを可能にする。
上に特定した追加の機能ブロックの各々について以下に概要を述べ、次いで、種々の実施形態の図面との関連付けを含めて、本明細書において再度さらに詳細に考察する。
(デフォルトモード動作)
一実施形態では、集積回路は、例えば該回路が多電極リード(MEL)のようなリード上の電極アセンブリに用いられる場合に、デフォルトモードで動作可能となるように構成されている。そのような実施形態では、回路は、最初に電極に電源を投入して電極を構成することなく、回路およびそれに連結されたアセンブリがデフォルトモードで動作することを可能にするデフォルトモード機能ブロックを含む。従って、これらの実施形態では、当該の集積回路によって提供される装置構成は、当該の集積回路に電力を供給することなく動作する。
一実施形態では、集積回路は、例えば該回路が多電極リード(MEL)のようなリード上の電極アセンブリに用いられる場合に、デフォルトモードで動作可能となるように構成されている。そのような実施形態では、回路は、最初に電極に電源を投入して電極を構成することなく、回路およびそれに連結されたアセンブリがデフォルトモードで動作することを可能にするデフォルトモード機能ブロックを含む。従って、これらの実施形態では、当該の集積回路によって提供される装置構成は、当該の集積回路に電力を供給することなく動作する。
このデフォルトモード動作は、MELのような植え込み型医療装置が電極構成のための余分な電力を消費することなく動作することを可能にする。さらに、デフォルトモード動作は、MELが通常のペーシングシステムと容易に相互動作することを可能にする。そのような実施形態では、集積回路は、例えば上に述べたような、デフォルト動作を可能にする機能ブロックを有することができる。
特定の実施形態では、回路は、当該の回路の電源投入と同時に1つの供給端子を1つ以上のエフェクタに接続するデフォルト構成を有するように構成されている。従って、これらの実施形態では、回路の電源投入と同時に、回路は、遠隔ソースから何ら構成データを受信することなく、回路に連結された1つ以上のエフェクタに関してデフォルト構成をとる。
(電荷平衡化動作機能ブロック)
本発明のさらに別の態様では、各サテライト上の制御装置が電荷平衡化動作を促進し、それにより電極の寿命を大幅に伸ばしている。そのように、本発明の実施形態は、集積回路が実質的に電荷を平衡化させた刺激パルスを送信することを可能にする機能ブロックを含む。
本発明のさらに別の態様では、各サテライト上の制御装置が電荷平衡化動作を促進し、それにより電極の寿命を大幅に伸ばしている。そのように、本発明の実施形態は、集積回路が実質的に電荷を平衡化させた刺激パルスを送信することを可能にする機能ブロックを含む。
(マルチプレクサ機能ブロック)
さらに、本発明の実施形態は、電極を駆動するために用いられる同一の2本のバスワイヤを用いて、異なるサテライトによって検出された信号を多重化して別個のデータ収集システムに送ることができる多重化システムを提供する。実施形態は、ペースメーカと関連する導線に隣接しかつそれらの間で電気的に連結して物理的に植え込み可能なモジュラー回路を含む。
さらに、本発明の実施形態は、電極を駆動するために用いられる同一の2本のバスワイヤを用いて、異なるサテライトによって検出された信号を多重化して別個のデータ収集システムに送ることができる多重化システムを提供する。実施形態は、ペースメーカと関連する導線に隣接しかつそれらの間で電気的に連結して物理的に植え込み可能なモジュラー回路を含む。
このモジュラー回路は、ペースメーカとリードと関連付けられた複数の電極および/または複数のセンサとの間の通信リンクとなる。より詳細には、モジュラー回路は、入力信号および出力信号を、ペースメーカと電極および電極の関連する電極回路との間で通信する。より詳細には、多重化は、所与のペーシングリードと関連付けられた電極のいずれかをペースメーカに接続するか、またはペースメーカとの接続を絶つように制御することができるラッチとなる。
主題の回路は、漏れ電流を最小限に抑えながら、種々の電極を、それらのそれぞれの割り当てられた状態、すなわちアクティブ状態または非アクティブ状態に保持することができる。体内に植え込まれた電極およびセンサの制御に加え、主題の回路は、患者の体外にある装置への通信リンクとしても機能する。
(フォールトトレラント動作機能ブロック)
特定の実施形態では、集積回路は、該回路が存在するシステム内の故障した回路またはワイヤを電気的に隔離するように構成された故障回復機能ブロックをさらに含む。本発明は、1つ以上のサテライトまたはバスワイヤの一部が故障した場合に植え込み型の医療装置またはシステムを選択された故障から保護するため、例えばMELシステムを保護するための故障回復機構も提供する。
特定の実施形態では、集積回路は、該回路が存在するシステム内の故障した回路またはワイヤを電気的に隔離するように構成された故障回復機能ブロックをさらに含む。本発明は、1つ以上のサテライトまたはバスワイヤの一部が故障した場合に植え込み型の医療装置またはシステムを選択された故障から保護するため、例えばMELシステムを保護するための故障回復機構も提供する。
(過電圧・過電流保護機能ブロック)
本発明は、不注意による組織損傷を回避するための回路内の過電流保護機能と回路の過電圧保護機能の両方を提供する回路構成のための戦略を提供する。特定の実施形態では、集積回路は、限流機能ブロックをさらに含む。特定の実施形態では、集積回路は、電圧クランプ機能ブロックをさらに含む。本発明のさらに別の実施形態は、過電圧保護および過電流保護を提供する。これらの保護回路構成は、患者の組織が高電圧または大電流の電気パルスを受ける除細動工程中の途絶のない動作およびMELの保護を確実なものとする。
本発明は、不注意による組織損傷を回避するための回路内の過電流保護機能と回路の過電圧保護機能の両方を提供する回路構成のための戦略を提供する。特定の実施形態では、集積回路は、限流機能ブロックをさらに含む。特定の実施形態では、集積回路は、電圧クランプ機能ブロックをさらに含む。本発明のさらに別の実施形態は、過電圧保護および過電流保護を提供する。これらの保護回路構成は、患者の組織が高電圧または大電流の電気パルスを受ける除細動工程中の途絶のない動作およびMELの保護を確実なものとする。
(オフチップコンデンサ機能ブロックおよびオンチップコンデンサ機能ブロック)
さらに、本発明は、制御装置をそのチップサイズに縮小し、MELの柔軟性を高め、かつMELの広範な用途を促進することを可能にする新規なオンチップコンデンサ設計およびオフチップコンデンサ設計を提供する。本発明の実施形態の集積回路は、そのような構成要素を可能にするための機能ブロックを含む。
さらに、本発明は、制御装置をそのチップサイズに縮小し、MELの柔軟性を高め、かつMELの広範な用途を促進することを可能にする新規なオンチップコンデンサ設計およびオフチップコンデンサ設計を提供する。本発明の実施形態の集積回路は、そのような構成要素を可能にするための機能ブロックを含む。
(スリープ/ウェイクアップ機能ブロック)
特定の実施形態では、集積回路は、スリープ機能ブロックをさらに含む。このスリープ機能ブロックは、例えば遠隔制御装置から送信することができるようなスリープ信号に応答し、そのような信号の受信と同時に、例えば「スリープ中」の部分が電力を消費しないように、回路の特定の部分の電源を切る。特定の実施形態では、集積回路は、ウェイクアップ信号に応答する、例えば符号化されたウェイクアップ信号のようなウェイクアップ信号によってアクティブとなるウェイクアップ機能ブロックをさらに含み、そのような信号の受信と同時に、電源が切られていた回路の部分をオンとする。
特定の実施形態では、集積回路は、スリープ機能ブロックをさらに含む。このスリープ機能ブロックは、例えば遠隔制御装置から送信することができるようなスリープ信号に応答し、そのような信号の受信と同時に、例えば「スリープ中」の部分が電力を消費しないように、回路の特定の部分の電源を切る。特定の実施形態では、集積回路は、ウェイクアップ信号に応答する、例えば符号化されたウェイクアップ信号のようなウェイクアップ信号によってアクティブとなるウェイクアップ機能ブロックをさらに含み、そのような信号の受信と同時に、電源が切られていた回路の部分をオンとする。
所望される場合、集積回路は、例えば、植え込み型の環境からの回路およびその機能ブロックの一次保護の機能を果たし、かつ回路に例えば上に述べたような植え込み型の機能を付与する、1つ以上の一体化された防食フィルムを含んでもよい。これらの特定の実施形態では、一体型防食フィルムは、平坦な堆積された防食フィルムである。特定の実施形態では、保護フィルム、すなわち層は、その開示内容が引用により本明細書に組み込まれる、2006年4月12日に出願された「Void−Free Implantable
Hermetically Sealed Structures」と題する米国仮特許出願第60/791,244号に記載されているものである。
Hermetically Sealed Structures」と題する米国仮特許出願第60/791,244号に記載されているものである。
これらの前述の特徴は、植え込み型医療装置に所望の機能を提供する低電力消費型で管腔内に納まる大きさを有する制御装置を実現した実施形態に、個々にまたは共同で寄与している。
特定の実施形態では、集積回路は、例えば該集積回路に連結することができる多数の電極またはセンサからの自動起動または自動検出に対して必要な機能を提供しながら、電力消費が少ないことを特徴とする。特に、下に位置する集積回路および関連する回路のモジュラーコンポーネントは、例えば同様の機能を含むことができる非集積回路と比較して、消費する電力量が大幅に少なく、それにより集積回路が関連付けられた植え込み型のペーシング/検出システム全体が、例えばペーシング缶に含まれる電池によって供給することができるような限られた電源で動作することを可能にしている。
一実施形態によれば、各集積回路の平均消費電力は、例えば、約50pW以下など約100μW以下であり、約100nW以下を含む。本発明による集積回路の、その構成状態を保持しながらの平均電流引き込み量は、約5pA以下を含む、約1nA以下である。さらに、装置の構成状態が変更されている場合の本発明による集積回路の平均電流引き込み量は、例えば、約1μAから約20μAなど、約1μAから約100μAであり、約10μAから約50μAの範囲を含む。
一実施形態では、集積回路は、例えば、多数のサテライトが単一の植え込み型リード上に存在することができる場合、集積回路は、リードの1サテライト構造体内に存在することができるいくつかの電極と関連付けられている。本発明による植え込み型集積回路は、そのようなサテライト上の電極の選択および駆動ならびに/またはこれらの電極を通じた信号の検出を促進する。さらに、本発明による集積回路は、電極によって検出された信号を処理および解析することができるように、電極からデータ収集システムへのデータの戻し中継を促進する。そのような実施形態では、本発明による集積回路は、ひとたびサテライトおよびその電極が構成されれば、サテライトがその構成状態を保持することを可能にすることもできる。サテライトは、外部電源が切られている間、それらのそれぞれの構成状態を保持することができる。従って、植え込み型信号管理/検出システム全体の電力消費を、従来のシステムと比較して大幅に低減することができる。
本発明の実施形態の別の態様は、電極およびサテライトがデフォルトの構成状態を付与されているものである。すなわち、植え込み型サテライト内の電極は、リードを通じて電力が供給されないときでさえも、デフォルトで、リード内のバスワイヤのうちの1つへの連結を解除されるか、またはそれに連結される。この態様により、本発明による植え込み型のサテライトおよび電極が、複雑なデジタルのプログラミングコマンドを提供することができない既存のペーシングシステムと相互動作することが可能となる。さらに、この態様は、植え込み型電極が事前の電源投入または構成なくして直ちに動作することも可能にする。
図3は、本発明の一実施形態による、マルチサテライトリード上に存在することができるサテライト構造体用の制御回路を含む本発明の一実施形態の集積回路のハイレベルブロック図である。制御回路300は、発電(PWR−GEN)モジュール302(電力抽出部ブロックとなる)と、データクロック回復(DCR)モジュール304と、ウェイクアップモジュール305と、コマンド解釈モジュール306(一実施形態では「コア」モジュールと呼ぶ)と、4つの電極に連結された電極スイッチングモジュール308とを含む。
DCRモジュール304は、バスワイヤS1およびS2(例えば、以下により詳細に説明する図2を参照されたい)上を制御チップ300内のデジタル回路の他の部分に搬送することができる信号から回復した正確なクロック信号を提供する。DCRモジュール304は、コアモジュール306が用いることができるデジタルフォーマットにS1およびS2上を搬送されたデータ信号も回復する。
ウェイクアップモジュール305は、電力を保存するために制御チップ300内の回路の電源が切られている休眠期間後にウェイクアップ信号を生成し、他のモジュールを起動および初期化する。
コアモジュール306は、DCRモジュール304から受信したデータに基づいて、適切な制御信号を生成し、電極スイッチングモジュール308を制御する。次いで、電極スイッチングモジュール308は、ペーシングおよび/または信号検出のために、所望の電極をS1またはS2に連結することができるように電極を選択してスイッチする。
PWR−GENモジュール302は、コアモジュール306、DCRモジュール304、および電極スイッチングモジュール308に対する電源電圧を生成する。具体的には、PWR−GENモジュール302は、コアモジュール306に対して2つの電圧vhigh_coreおよびvlow_coreを、DCRモジュール304に対して高電圧vhigh_dcrを供給する。さらに、PWR−GENモジュール302は、電極スイッチングモジュール308に対して、4つのスイッチ制御信号vhigh_logic_S2、vlow_logic_s2、vhigh_logic_S1、およびvlow_logic_s1を供給する。これらの4つのスイッチ制御信号により、電荷平衡化ペーシング時に生じる大きいS2〜S1の振れの下で、電極スイッチング回路は、確実に十分にオンまたはオフとなる。
(さらなる機能)
上に概要を述べたように、本発明の集積回路は、いくつかの異なる所望の機能的能力を提供する追加の構成要素を含むかまたはそれらに連結することができる。関心のある追加機能には、デフォルトモード動作、例えば電荷平衡化動作用の阻止コンデンサを用いることによる電荷平衡化動作、フォールトトレラント動作、過電圧・過電流保護、オフチップキャパシタンスおよびオンチップキャパシタンス、DCRおよびウェイクアップ動作が含まれる。関心のあるこれらの異なる機能の各々を、ここで、全体として、かつ各図面の観点からさらに詳細に説明する。
上に概要を述べたように、本発明の集積回路は、いくつかの異なる所望の機能的能力を提供する追加の構成要素を含むかまたはそれらに連結することができる。関心のある追加機能には、デフォルトモード動作、例えば電荷平衡化動作用の阻止コンデンサを用いることによる電荷平衡化動作、フォールトトレラント動作、過電圧・過電流保護、オフチップキャパシタンスおよびオンチップキャパシタンス、DCRおよびウェイクアップ動作が含まれる。関心のあるこれらの異なる機能の各々を、ここで、全体として、かつ各図面の観点からさらに詳細に説明する。
以下の説明では、例示的な用途として心臓ペーシングが用いられることが多いが、本発明の実施形態は、信号が生体組織に施される、または生体組織から信号が検出される広範な用途に応用することができる。そのような用途には、限定するものではないが、心臓のペーシングおよび監視、神経刺激、骨成長刺激、および薬物送達が含まれる。
本発明の集積回路は以下の機能を可能にする1つ以上の機能ブロックを有することができることに留意されたい。しかしながら、以下の機能は、本装置の集積回路内へのそれらの実装に限定されるものではなく、上に概要を述べたような集積回路を含むことができない他の植え込み型医療装置およびシステム内に実装することもできる。これらの追加の医療装置およびシステムは、それらが以下の機能のうちの1つ以上を含む範囲内で、明確に本発明の範囲内にある。従って、本発明の範囲内に含まれるのは、デフォルトモード動作、例えば電荷平衡化動作用の阻止コンデンサを用いることによる電荷平衡化動作、フォールトトレラント動作、過電圧・過電流保護、オフチップキャパシタンスおよびオンチップキャパシタンス、DCRおよびウェイクアップ動作の機能のうちの1つ以上を含む多電極リードであり、それらの機能が集積回路または何らかの他の装置によって提供されるか否かは関係しない。
(デフォルトモード動作)
本発明の実施形態は、デフォルトモードで動作可能な多電極リード(MEL)のサテライトユニットのような、植え込み型装置を提供する。そのような装置は、集積回路を含んでおり、該集積回路は、それが電源投入に続いて構成データを受信するか否かを問わず、電源投入と同時に動作するように構成されている。例えば、本発明のペースメーカリードは、それがペースメーカ缶から電極構成信号を受信するか否かに関係なく、それがペースメーカ缶に連結された後に、デフォルトモードで動作することができる。
本発明の実施形態は、デフォルトモードで動作可能な多電極リード(MEL)のサテライトユニットのような、植え込み型装置を提供する。そのような装置は、集積回路を含んでおり、該集積回路は、それが電源投入に続いて構成データを受信するか否かを問わず、電源投入と同時に動作するように構成されている。例えば、本発明のペースメーカリードは、それがペースメーカ缶から電極構成信号を受信するか否かに関係なく、それがペースメーカ缶に連結された後に、デフォルトモードで動作することができる。
デフォルトモードでは、ペースメーカリードは、許容範囲内に入るペーシング信号に応答し、ペーシング機能を提供することができる。ペースメーカリードによって許容される信号の範囲は、ペースメーカ缶の多くの異なるモデルによって生成されるペーシング信号を含むのに十分に広範である。従って、本発明のペースメーカリードは、1つだけのペースメーカ缶のモデルまたは特定の製造業者によって製造された1種類のペースメーカ缶と共に用いるのに限定されるものでない。本発明のペースメーカリードは、ほとんどすべてのペースメーカ缶と共に用いることができる。
本発明は、必要が生じれば、既存の缶を多種多様な種類およびモデルのうちの1つと交換する能力を提供する。これは、既存のペースメーカリードを用いながら達成することができる。これは、既存のペースメーカリードを交換するために追加の外科的手技を行うことよりも望ましい。もし植え込まれたペースメーカがいずれかの製造業者によって製造された1つのペースメーカモデルまたは1種類のペースメーカモデルによって生成されたペーシング信号に応答することができれば望ましいであろう。この利点は、本発明によって利用可能である。
ペースメーカリードは、1つ以上の集積回路チップを含むことができる。チップの各々は、一組のスイッチ(例えば4つのスイッチ)を含むことができる。スイッチの各々が、リード内の陽極ワイヤまたは陰極ワイヤを、電極に連結または分離する。スイッチは一般に、任意の好都合な回路設計技法に従い、一組のトランジスタを用いて構築される。
本発明のペースメーカリードは、ペースメーカ缶に接続されている。このペースメーカリードは、デフォルトモードで動作可能である。デフォルトモードでは、集積回路内のスイッチは、そのままの状態を保つか、またはデフォルト構成に切り替わる。スイッチがデフォルト構成になっているときは、電極のうちの1つ以上が陽極ワイヤおよび/または陰極ワイヤに連結されている。
1つの手法では、1つ以上のチップ内のスイッチを切り替えて、対応する電極を陽極ワイヤまたは陰極ワイヤに連結することができる。スイッチは、ペースメーカが対応する電極に電流を送ることができないように、その電極を陽極ワイヤと陰極ワイヤの両方から分離することもできる。このようにして、スイッチの各々を、分離された状態、陽極ワイヤに連結された状態、または陰極ワイヤに連結された状態の3つの状態のうちの1つに置くことができる。
いくつかの種類のペースメーカ缶は、植え込み型ペースメーカリード内にある集積回路チップ内のスイッチの状態を制御することができる制御信号を生成することができる。これらの種類のペースメーカ缶は、任意の所望のペーシング構成におけるリード内の任意の電極を刺激するために、スイッチの状態を変更することができる。
しかしながら、他の種類のペースメーカ缶は、スイッチの状態を制御するための制御信号を生成することはできない。本発明によれば、電極のうちの1つ以上は、デフォルトモードで陽極ワイヤおよび/または陰極ワイヤに連結されている。従って、スイッチの状態を変更するための構成信号を生成することができないペースメーカ缶は、それでもなお、デフォルトモードで、電極のうちの少なくとも1つに電流を送ることができる。スイッチのデフォルト構成により、許容範囲内のペーシング信号を生成して心臓組織を刺激し、少なくとも必要最小限のペーシング機能をもたらすことができる何らかのペースメーカ缶が可能となる。
本発明のいくつかの実施形態によれば、植え込み型ペースメーカリードは、該リードがペースメーカ缶に連結される前にすでに機能上のデフォルトモードとなっている。本発明の別の実施形態によれば、植え込み型ペースメーカリードは、該リードがペースメーカ缶に連結され、電源電圧が所定のしきい電圧に達するかまたはそれを越えた後に、機能上のデフォルトモードに入る。
ペースメーカリード上の集積回路チップは、陽極デフォルト、陰極デフォルト、およびオフデフォルトの3つの種類のデフォルトモードに分類することができる。陽極デフォルトチップは、デフォルトモードで1つ以上の電極を陽極ワイヤに連結するスイッチを含む。陽極デフォルトチップに対するDCリードのインピーダンスは、例えば、約112Ωから約225Ω、約120Ωなど、約20Ωから約225Ωの範囲とすることができる。
陰極デフォルトチップは、デフォルトモードで1つ以上の電極を陰極ワイヤに連結するスイッチを含む。陰極デフォルトチップに対するDCリードのインピーダンスは、例えば、約40Ωを含む、約20Ωから約80Ωなど、約15Ωから約80Ωの範囲とすることができる。ペーシング信号のパルス振幅が増大される場合、リードのインピーダンスが低減される。デフォルトによってオフ状態にあるチップは、それらの電極のすべてを陽極ワイヤおよび陰極ワイヤからから切り離している。デフォルトによってオフ状態にあるチップは、例えば、ペースメーカ缶を用いて電源を投入されるまで、約メガオームのインピーダンスの範囲内にある。
本発明のペースメーカリードは、対応する数の電極に連結された任意の数のスイッチを有する集積回路チップを有することができる。例えば、ある場合においては、電極構成を、患者に効果的な治療手技を提供するように設定することができる。別の場合においては、電極構成を、同一の患者により効果的な治療手技を提供するように再設定することができる。
図4に、本発明の第1の実施形態による植え込み型ペースメーカリード400を示す。ペースメーカリード400は、例えばIS1コネクタのようなコネクタ(図示せず)を介して、ペースメーカ缶405(ICD)に連結されている。ペースメーカリード400は、陽極ワイヤ401と、陰極ワイヤ402とを含む。ペースメーカ缶405がリード400に連結されているときは、電流は、缶405から陽極ワイヤ401内に流れ、陰極ワイヤ402を通って缶405に戻る。
ペースメーカリード400は、チップ411〜416のような、多数の集積回路チップも含む。チップの各々は、一組の4つのスイッチを含む。例えば、チップ411は、4つのスイッチ420〜423を有する。スイッチは一般に、任意の好都合な構成を有することができる、一組のトランジスタによって構成される。
チップ411〜416内のスイッチの各々が、1つの電極に連結されている。例えば,スイッチ420は電極E0に連結され、スイッチ421は電極E1に連結され、スイッチ422は電極E2に連結され、スイッチ423は電極E3に連結されている。本発明のペースメーカリードは、対応する数の電極に連結された任意の数のスイッチを有する集積回路チップを有することができる。図4に示す4つのスイッチおよび1チップ当たりに4つの電極は、限定することを意図するものではなく、単に一例として示しているものである。
スイッチ420〜423のような各チップ内のスイッチを切り替えて、対応する電極を陽極ワイヤ401または陰極ワイヤ402に連結することができる。スイッチは、対応する電極を陽極ワイヤ401と陰極ワイヤ402の両方から分離することもでき、それによりペースメーカ缶405は、その電極に電流を送ることができなくなる。このようにして、スイッチの各々を、分離された状態、陽極ワイヤ401に連結された状態、または陰極ワイヤ402に連結された状態の3つの状態のうちの1つに置くことができる。
図4に、供給電圧がしきい電圧に達した後に機能上のデフォルトモードに入るペースメーカリードを示す。図4に示すスイッチの状態は、本発明の一実施形態によるペースメーカリードのスイッチのデフォルト状態である。スイッチは、電源電圧がしきい電圧に達した後に図4に示す状態に入る。図4に示す特定のデフォルト状態では、チップ412〜415内のスイッチの各々は、その対応する電極を陽極ワイヤ401および陰極ワイヤ402から分離している。従って、図4に示すデフォルトモードでは、チップ412〜415に連結された電極のいずれも、ペースメーカ缶405によって充電することはできない。
図4の実施形態では、チップ411〜416内のスイッチは、スイッチを高インピーダンス状態にすることにより、電源電圧がしきい電圧より低いときには、電極を陽極ワイヤ401および陰極ワイヤ402から分離している。電源電圧がしきい電圧に達すると、リード400はデフォルトモードに入る。デフォルトモードでは、チップ111内のスイッチ420〜422は、電極E0〜E2を陽極ワイヤ401に連結し、スイッチ423は、電極E3を両方のワイヤ401〜402から分離し、チップ416内のスイッチ430〜432は、電極E0〜E2を陰極ワイヤ402に連結し、スイッチ433は、電極E3を両方のワイヤ401〜402から分離している。従って、ペースメーカ缶405は、デフォルトモードでチップ411および416に連結された電極E0〜E2を通じて電流を送ることにより、心臓組織を刺激することができる。スイッチのデフォルト構成は、電源要件が満たされている限り保持される。
本発明のペースメーカリードは、ペースメーカ缶のリードインピーダンス測定機能と相互に作用することができる。図4の実施形態では、リードインピーダンス測定機能は、チップの電源投入が良好に推移している間のみ有効である。リードインピーダンスの合否基準に応じて、デフォルトチップは合格または失敗する。リードインピーダンス測定機能は、デフォルトチップに対する的確な合否値を組み込むことができる。リードインピーダンスは、例えば約40オーム〜約720オームの範囲内とすることができる。
図4のペースメーカリードは、ペースメーカ缶からのある範囲の信号に応答してデフォルトモードで機能するのに十分な汎用性を有する。本発明のいくつかの実施形態によれば、図4のデフォルトモードペースメーカリードは、ペーシングパルスに応答するための一組の最低信号要件を有することができる。例えば、デフォルトモードのペースメーカリードは、約2.0ボルト(または1.5ボルト)の最小ペーシングパルス振幅、約100マイクロ秒の最低ペーシングパルス、および約12秒の最低パルス間隔を要求することができる。
図4のペースメーカリードは、デフォルトモードで双極性ペーシングパルスに応答して、心臓組織を刺激し、かつ電極の完全性を保つ適切な荷電平衡をもたらすことができる。もう一つの選択肢として、図4のペースメーカリードは、単極モードで動作することができる。図4のペースメーカリードは、心臓組織からの心内電位信号、IEGMを検出することもできる。
本発明の第2の実施形態に関して、図5に植え込み型ペースメーカリードを示す。ペースメーカリード500は、コネクタ(図示せず)、例えばIS1コネクタを介してペースメーカ缶505(ICD)に連結されている。ペースメーカリード500は、陽極ワイヤ501と陰極ワイヤ502とを含む。双極モードでは、ペースメーカ缶505がリード500に連結されているときは、電流は、缶505から陽極ワイヤ501内に流れ、陰極ワイヤ502を通って缶505に戻る。同様に、単極モードでは、ペースメーカ缶505がリード500に連結されているときは、電流は、陽極ワイヤ501を迂回し、缶505から組織および陰極ワイヤ502を通って缶505へ流れる。単極モードで自動的に動作する機能は、この実施形態の際立った特徴の1つである。
図5の実施形態では、スイッチ516は、高性能陰極帯として機能する。高性能陰極帯は、インピーダンスが低い(例えば、0.2ボルトで約30オーム〜約60オームの範囲内)陰極である。スイッチ511は、性能がより低い陽極帯として機能する。性能がより低い陽極帯は、インピーダンスがより高い(例えば、2ボルトで約360オーム)陽極である。スイッチ512〜515は、非デフォルトモードでは缶によってオンとすることができるが、デフォルトモード時はオフ状態にあり、機能を全く有しない。
本発明のペースメーカリードは、対応する数の電極に連結された任意の数のスイッチを有する集積回路チップを有することができる。チップ511〜516内のスイッチの各々が、1つの電極に連結されている。例えば,スイッチ520は電極E0に連結され、スイッチ521は電極E1に連結され、スイッチ522は電極E2に連結され、スイッチ523は電極E3に連結されている。
スイッチ520〜523のような各チップ内のスイッチを切り替えて、対応する電極を、陽極ワイヤ501または陰極ワイヤ502に連結することができる。スイッチは、ペースメーカ缶505が対応する電極に電流を送ることができないように、その電極を陽極ワイヤ501と陰極ワイヤ502の両方から分離することもできる。このようにして、スイッチの各々を、分離された状態、陽極ワイヤ501に連結された状態、または陰極ワイヤ502に連結された状態の3つの状態のうちの1つに置くことができる。
本発明のいくつかの実施形態によれば、植え込み型ペースメーカリードは、リードがペースメーカ缶に連結される前にすでに機能上のデフォルトモードとなっている。図5に、リードがペースメーカ缶に連結される前にすでに機能上のデフォルトモードとなっているペースメーカリードを示す。
図5に示す特定のデフォルト状態では、チップ512〜515内のスイッチは、スイッチを高インピーダンス状態にすることにより、電源電圧がしきい電圧より低いときには、電極を陽極ワイヤ501および陰極ワイヤ502から分離している。しかしながら、図4の実施形態とは異なり、図5の実施形態は、ペースメーカリードが機能上のデフォルトモードに入る前に電源電圧が最低しきい電圧に達することを要しない。
チップ516内のスイッチを形成するトランジスタは、空乏トランジスタである。空乏トランジスタは、ゼロ、ゼロ近傍、またはゼロ未満の低しきい電圧を有するトランジスタである。空乏トランジスタは低いしきい電圧を有するため、それらはオン状態にあり、それらのゲート端子でより高い電圧を受け取ることなく電流を伝えることができる。
チップ516内のスイッチは空乏トランジスタで形成されているため、電源電圧に電源が投入される前にチップ516内のスイッチがオンとなり、電極を陰極ワイヤ502に連結する。従って、図5の実施形態は、電源電圧がしきい電圧に達することなく単極モードで動作することができる。
チップ511内のスイッチは、空乏トランジスタよりもしきい電圧が高いトランジスタを含む(例えば、拡張型トランジスタ)。従って、もしバイポーラサンプリングが所望であれば、バイポーラサンプリングが可能な機能上のデフォルトモードにペースメーカリードが入る前に、まずスイッチ511の電源電圧がしきい電圧に達しなければならない。このようにして、ペースメーカ缶505は、単極モードまたは双極モードで心臓組織を刺激することができる。
双極デフォルトモードでは、チップ511内のスイッチ520〜522は、電極E0〜E2を陽極ワイヤ501に連結し、スイッチ523は、電極E3を両方のワイヤ501〜502から分離する。チップ516内のスイッチ530〜533は、電極E0〜E3を陰極ワイヤ502に連結する。
双極モードでは、ペースメーカ缶505は、デフォルトモード時にチップ511および516に連結されている電極を通じて電流を送ることにより、組織を刺激することができる。スイッチのデフォルト構成は、電源要件が満たされている限り保持される。
単極モードでは、ペースメーカ缶505は、陽極ワイヤ501を迂回し、ペースメーカ缶505から組織および陰極ワイヤ502を経由して缶505へ電流を送ることによって心臓組織を刺激することができる。陰極デフォルト構成では、スイッチは通常オン状態にあり、電極は陰極に接続されている。従って、電源電圧がしきい電圧に達することなく組織を捕獲することができる。
デフォルトモードでの缶505または陽極リード(例えば陽極ワイヤ)と陰極ワイヤ502との間の単極検出は、例えば、約0.2Vペーシングの範囲で機能する。同様に、デフォルトモードでの陰極ワイヤ502と任意の他のリードまたは缶との間の双極電圧サンプリングには、ペーシングによって陰極帯を作動させる必要はない。陰極ワイヤ502上での双極デフォルトペーシングは、電源電圧が所定値、例えば約2Vにあるか、またはその近傍にあるときに有効となる。
図5のペースメーカリードは、ペースメーカ缶505のリードインピーダンス測定機能と相互に作用することができる。缶505に対して陰極ワイヤ502を用いたデフォルトモード時は、リードインピーダンスは、例えば、単純な公開されている測定手法をとった測定に対して、約30オーム〜約60オームのインピーダンスの範囲とすることができる。
本発明の別の実施形態では、単極モードで動作している図5のデフォルトモードのペースメーカリードは、陰極ワイヤ502と缶505との間でのペーシング時に、最小ペースパルス振幅を出力することができる。
図5のペースメーカリードは、双極パルスおよび単極パルスに応答して、心臓組織を刺激し、かつ電極の完全性を保つ適切な荷電平衡をもたらすことができる。図5のペースメーカリードは、ペーシングを要することなく、心臓組織から心内電位信号、IEGMを検出することもできる。
本発明の別の実施形態によれば、図5のペースメーカリードは、従来の実施形態に存在する捕獲の問題を解消するように構成することができる。例えば、双極ペーシングが始まる時に応じ、チップ内の漏れ電流は、トランジスタにもはやバイアスがないようなものとなる。
本実施形態の一例には、短時間(例えば約30秒)でコンデンサ上の高電圧を放出するための機構(図示せず)が実装されている。1つの可能な機構は、高電圧放電機能を停止させることができるペースメーカ缶である。この機能は、短時間で、ペーシング電圧が増大する際にスイッチのインピーダンスを調整する能力を可能にする。本発明の別の例では、電荷を2〜3分ごとにリフレッシュすることができるように、漏れ電流が、貯蔵コンデンサの容量に対して十分に高く保持される。
本発明の別の実施形態に関して、図6に植え込み型ペースメーカリード600を示す。リード600は、陽極ワイヤ601と、陰極ワイヤ602と、チップ611〜616とを含む。リード600は、従来の実施形態に存在する捕獲の問題を解消する能力を有する。図5の実施形態とは異なり、図6の実施形態は、陽極ワイヤ601および陰極ワイヤ602に空乏トランジスタを配置することによって捕獲の問題を解消する。本実施形態の一例では、ペースメーカリードは、陽極チップ611上と陰極チップ616上の両方にそれぞれ空乏トランジスタを含む。従って、図6の実施形態は、電源電圧を受け取る前に双極デフォルトモードで機能することができる。
このような実施形態の一例は、陽極チップ上の電極と陽極リード601との間に配置された空乏トランジスタを含む。同様に、空乏トランジスタが、陰極チップ上の電極と陰極リード602との間に配置されている。陽極ワイヤ上と陰極ワイヤ上の両方に空乏トランジスタを配置することにより、陽極チップと陰極チップの両方が低電圧でオンとなるために適切にバイアスがかからないトランジスタと関連するタイミング問題が回避される。
図7Aおよび図7Bに、本発明の別の実施形態による、植え込み型ペースメーカリード内でデフォルトモードの動作を開始するワンショット回路700を示す。ワンショット回路700は、電源電圧およびペースメーカ缶からの信号が閾値に達すると1つ以上のスイッチをデフォルト状態に入らせる、チップ411、416、511、および他のチップ内で用いることができる。
ワンショット回路700は、抵抗器705と、コンデンサ706と、pチャネルトランジスタ710と、nチャネルトランジスタ711と、インバータ712〜715と、コンデンサ716と、NANDゲート707と、出力端子709とを含む。
VDD701およびVSS703は、回路内の内部高電源電圧および内部低電源電圧を表す。VDD701およびVSS703には、缶405の内部ペーシングによって電力を供給することができる。VDD701の電圧は、缶405のペーシング振幅によって異なる。例えば、缶405が2Vでペーシングを行っている場合、VDD701は、1.4Vの電圧を有する。
本発明の一実施形態では、缶405は、電源電圧VDD701および/またはVSS703を充電することから始める。電源電圧701および703は、回路素子707および710〜715に供給される。電源電圧701は、NANDゲート707のB入力およびC入力にも供給される。入力BおよびCにおける電源電圧がNANDゲート707の閾値に達すると、NANDゲート707は、該電圧を論理高信号として解釈する。
ペースメーカ缶405は、入力端子702および704に信号を供給する。当初は、端子704と702との間の電圧差はゼロであり、ノード721における電圧は論理高である。ノード720における電圧が論理低であるので、NANDゲート707の出力電圧は論理高となる。ペースメーカ缶405は、コンデンサ706に充電させ、端子704と702との間の電圧差を高めることから始める。
トランジスタ710および711は、インバータ回路を形成する。端子704と702との間の電圧差がインバータ710/711の閾値を越えると、インバータ710/711の出力719は論理低となる。RC回路705/706は、インバータ710/711の出力状態を変化させる際に遅延を生成する。出力719が論理低である場合、インバータ712は、ノード720における電圧を論理高まで引き上げる。その後、NANDゲート707の入力のすべてが論理高であるため、NANDゲート707の出力端子709は論理低状態となる。
NAND707の出力端子709は、ノード720からの信号がインバータ713〜715を経由してノード721に伝播するまで低状態を保持する。具体的には、ノード720が高状態まで引き上げられた後、インバータ713がその出力を低まで引き下げ、それによりインバータ714がその出力を高まで引き上げ、その結果、インバータ715はその出力を低まで引き下げる。インバータ715の出力721が再度論理低まで引き下げられた後、NANDゲート707は、出力709を論理高まで引き戻す。
このようにして、ワンショット回路700は、入力端子704と702との間の所定の電圧差の受信に応答して、出力端子709において低電圧パルスを生成する。低電圧パルスの持続時間は、ある程度、コンデンサ716のキャパシタンスによって設定される。コンデンサ716は、ノード720とノード721間における信号の通過を遅延させる。限定することを意図するものではない特定の例として、コンデンサ716は968.8ファラッドとすることができる。容量値を変更し、出力709における低電圧パルスの持続時間を変えることができる。
図8A〜図8Eに、本発明の別の実施形態によるレジスタアレイを示す。しきい電圧以上の電源電圧の受信に応答してスイッチをデフォルト構成に入らせる、チップ411、416および511のような集積回路チップは、レジスタアレイ800を含むことができる。しきい電圧は、ワンショットの回路700によって決定される。レジスタアレイは、これらのチップ内のスイッチの状態を制御する。
レジスタアレイは、レジスタ801〜808と、NANDゲート810および851と、インバータ809、811、821〜828、および851とを含む。レジスタ801〜808の各々が、クロック入力CLKと、クロックバー入力CLKBと、データ入力Dと、リセット入力RESETBと、セット入力SETと、端子701に連結された高電源電圧入力VDDと、端子703に連結された低電源電圧入力VSSと、Qバー出力QBとを含む。
レジスタのクロック入力CLKおよびクロックバー入力CLKBは、NANDゲート810の入力850で受信されるクロック信号によって制御される。CLK入力はインバータ811の出力に連結され、CLKBはNANDゲート810の出力に連結されている。
レジスタ801〜808のQB出力は、それぞれ、インバータ821〜828の入力に連結されている。インバータ821〜828の出力は、それぞれ、出力端子831〜838に連結されている。出力端子831〜838上の電圧は、デフォルトモード時に、チップ内の4つのスイッチの状態を制御するデジタル信号として機能する。図4〜図6に関して上に説明したスイッチは3つの異なる状態となることができるので、各スイッチの状態を制御するのには、2つのデジタル信号が用いられる。
図8A〜図8Eの実施形態では、端子831〜834における電圧によって、デフォルトモードで4つのスイッチを有効とするかそれとも無効とするかが制御される。スイッチが無効である場合、それは陽極ワイヤおよび陰極ワイヤから分離されている。スイッチが有効である場合、それを陽極ワイヤまたは陰極ワイヤに連結することができる。対応するスイッチが有効である場合、端子835〜838における電圧によって、デフォルトモードで4つのスイッチを陽極ワイヤに連結するかそれとも陰極ワイヤに連結するかが制御される。
レジスタ801、802、805、および807のRESETB入力は、端子820においてクリア信号を受信するために連結されている。レジスタ803、804、806、および808のRESETB入力は、NANDゲート851およびインバータ852を介して端子820からクリア信号を受信するために連結されている。NANDゲート851は、端子709においてワンショット信号を受信するためにも連結されている。端子820上の論理低により、レジスタのQB出力は論理高状態にリセットされる。それに応じて、インバータ821〜828は、出力831〜838における電圧を論理低状態まで引き下げる。
レジスタアレイは、インバータ809の入力において、ワンショット回路700の出力端子709からの入力信号を受信する。インバータ809は、端子709における低電圧パルスを、立ち上がり端で始まり立ち下がり端で終わる高電圧パルスに変換する。
図8A〜図8Eの実施形態では、出力端子709は、レジスタ801、802、805、および807のSET入力に連結されている。インバータ809の出力が高となった後、レジスタ801、802、805、および807のQB出力は論理低に遷移し、それにより、インバータ821、822、825、および827が、出力831、832、835、および837を論理高状態まで引き上げる。
レジスタ803、804、806、および808がセットされないように、端子703における低電源電圧が、レジスタ803、804、806、および808のSET入力に供給される。代わりに、ワンショット低電圧パルス時の端子709上の論理低が、レジスタ803、804、806、および808を、それらのRESTB入力においてリセットし(NANDゲート851およびインバータ852を経由して)、それにより、レジスタ803、804、806、および808のQB出力が論理高状態にリセットする。それに応じて、インバータ823、824、826、および828が、出力端子833、834、836、および838上の電圧を論理低状態まで引き下げる。
従って、出力端子831および832に連結された2スイッチが有効となり、出力端子833に連結された4つのスイッチが無効となる。出力端子836が低であるため、出力端子831および835に連結されたスイッチは有効となり、陰極ワイヤに連結される。
図8A〜図8Eに示す接続は、4つのスイッチをデフォルト構成に構成することができる方法の単なる一実施例に過ぎない。本発明のさらに別の実施形態によれば、本発明の端子703および709をレジスタ801〜808のSET入力の異なる組み合わせに連結し、スイッチの異なるデフォルトモード構成を達成することができる。
レジスタ801〜808のデータ入力Dは、それぞれ、データ端子841〜848に連結されている。ペースメーカ缶は、データ端子841〜848における電圧を制御することによって、非デフォルトモード時のチップ内のスイッチの状態を能動的に制御することができる。例えば、ペースメーカ405は、端子842における電圧を高まで引き上げることによって第2のスイッチを有効にし、それにより出力端子832の電圧を高の状態とすることができる。このスイッチは、端子846における電圧を高まで引き上げることによって陽極ワイヤに連結することができ、それにより出力端子836における電圧を高の状態とすることができる。
(電荷平衡化動作)
MELは、より正確で効果的な心臓再同期療法を促進する同時ペーシングおよび同時信号監視を可能にする。しかしながら、あらゆる心臓ペーシング刺激の生成は、生体組織内での電荷の蓄積を引き起こす。蓄積された電荷がかなり逃げるまで、電気的活動の検出が困難となる可能性がある。さらに、電極上の不平衡な電荷蓄積によって電極の腐食が加速され、それによりMELの寿命が大幅に縮まる可能性がある。この電荷蓄積の問題は、同一の電極がペーシングと検出の両方に用いられる場合に特に顕著となる。蓄積された電荷に起因する電位が心臓の鼓動に起因するそれよりも有意に大きい限り、信頼できる検出は依然として困難なままとなる。
MELは、より正確で効果的な心臓再同期療法を促進する同時ペーシングおよび同時信号監視を可能にする。しかしながら、あらゆる心臓ペーシング刺激の生成は、生体組織内での電荷の蓄積を引き起こす。蓄積された電荷がかなり逃げるまで、電気的活動の検出が困難となる可能性がある。さらに、電極上の不平衡な電荷蓄積によって電極の腐食が加速され、それによりMELの寿命が大幅に縮まる可能性がある。この電荷蓄積の問題は、同一の電極がペーシングと検出の両方に用いられる場合に特に顕著となる。蓄積された電荷に起因する電位が心臓の鼓動に起因するそれよりも有意に大きい限り、信頼できる検出は依然として困難なままとなる。
この問題を緩和するための一般的な方法は、電荷を平衡化したペーシングを行う方法である。電荷平衡化ペーシングの波形は、一般に、2つ以上の位相を含む。各位相において、ペーシングパルスの極性が逆転し、その結果、前の位相と比較して逆の電流が組織内に流れることになる。この極性逆転により、組織内に蓄積された電荷がより迅速に逃げることになる。
しかしながら、電荷平衡化ペーシングと関連する2つのペーシング電極の間での相対的ナ電圧の振れの増大および極性の変化が、多電極リード上の電極スイッチング回路の誤動作を引き起こす可能性もある。従って、電荷平衡化ペーシング時の大きい電圧振幅に耐えることができる電極スイッチング回路が必要である。本発明は、電荷平衡化ペーシング時における多電極リード内の電極の安定したスイッチングを促進する独創的な回路構成を提供する。
一実施形態では、2つのスイッチングモジュールが、それぞれ、ペーシングに用いられる電極と2本のバスワイヤとの間に置かれている。各スイッチングモジュールは、ソースが共に連結された2つの背中合わせのNMOSトランジスタを含む。この構成により、2本のバスワイヤの電圧が逆転する際に、各トランジスタ内のボディダイオードが短絡回路を形成するのが防止される。
本発明のさらに別の実施形態は、いずれかのバスワイヤ上の電圧よりも十分に高いか、または十分に低い状態を維持することができる制御信号を生成するための回路を提供する。これらの構成により、電荷平衡化ペーシングの全サイクル中、スイッチングモジュールを確実に十分にオンまたはオフとすることができる。
本発明の実施形態は、電荷平衡化ペーシング時の大きい電圧の振れに耐えることができる、植え込み型の多電極リード内電極スイッチング回路を提供する。電荷平衡化ペーシング時、2つの電極の両端に印加される電圧は、約−10Vから約+10Vまで振れる。この大きい電圧振れによって、多電極用の接続パターンを形成するために用いられる通常のCMOSベースのスイッチング回路に望ましくない動作が生じる可能性がある。一実施形態は、スイッチング回路がペーシング電圧を搬送するワイヤに直接連結するのを不可能にし、それによってペーシングワイヤ間に望ましくない短絡回路が形成されるのを回避する、独自の回路を提供する。
図9は、電荷平衡化ペーシング時に図6に示す電極スイッチング回路を誤作動させるおそれがある単純な電源回路を示したハイレベルブロック図である。非電荷平衡化ペーシング時、S2は高電圧を搬送し、S1は低電圧を搬送すると仮定すれば、高圧電源vhighは、ダイオード906およびコンデンサ908を用いて、S2上の電圧から得られる。この電源電圧vhighは、コアモジュールおよび電極スイッチングモジュールを含むいくつかのモジュールを駆動するために用いられる。
しかしながら、電荷平衡化ペーシングの逆極性位相時に、S2とS1との間の電圧差がダイオード906のターンオン閾値未満まで低下し、ダイオード906がオフとなるおそれがある。従って、電源電圧vhighは、S2上の電圧がS1の電圧よりも高い状態を維持する非電荷平衡化ペーシングの場合よりもより迅速に逃がすことができる、コンデンサ908内に貯蔵された電荷によってのみ供給される。
一層悪い問題は、S2の電圧がS1の電圧を大幅に下回った場合に発生するおそれがある。そのような電圧の逆転は、電極スイッチングモジュール内のMOSベースのスイッチに望ましくない短絡回路を形成させるおそれがある。図11と併せた説明では、そのような誤作動についてさらに詳細に説明する。
同様の問題は、ダイオード902およびコンデンサ904を用いてS2およびS1の電圧から得られるDCR高圧電源、vhigh−dcrに関しても存在する。S2上の電圧がS1の電圧を下回ると、ダイオード902は逆バイアスがかかった状態となり、vhigh−dcrは、迅速に逃がすことができる、コンデンサ904内に貯蔵された電荷によってのみ供給される。通常、図9に示すような単純な電源構成では、S2がS1よりも低い電圧を有するパルス位相に送達される電力を取り込むことはできない。
図10は、電荷平衡化ペーシングサイクルの例示的な電圧波形である。ペーシングサイクルは、2つの位相を含む。第1の位相時、S2の電圧は+10Vで始まり、一方、S1の電圧は0Vで始まる。時間が進行するにつれて、S2−S1極性が逆転する第2の位相にペーシングサイクルが入る前に、S2の電圧がわずかに降下する。位相2の開始時点で、S2は−7.5Vにあり、S1は0Vにある。従って、S2上の電圧は、1回のペーシングサイクルにおいて+10Vから−7.5Vまで振幅することができる。図9に示すような通常のダイオード−コンデンサ構成を用いた電源回路は、ペーシングサイクルの第2の位相において送達される電力を取り込むことができない。
図11は、電荷平衡化ペーシング時に誤作動するおそれがある例示的な電極スイッチング回路を表している。この回路は、3つの制御電圧、s2connect_p、s2connect_n、およびs1connect_nによって制御されている。これらの3つの電圧は、図9に示すものと類似した回路によって供給されるvhighにあるか、または0VであるS1の電圧にあると仮定する。
S2がS1よりも高い電圧にある非電荷平衡化ペーシング時には、信号「s2connect_p」における低電圧がPMOSトランジスタ1102をオンとし、電極をS2に連結する。さらに、信号「s2connect_n」における高電圧もNMOSトランジスタ1104をオンとし、NMOSトランジスタを介して電極をS2に連結する。信号「s1connect_n」における高電圧は、NMOSトランジスタ1106をオンとし、電極をバスワイヤS1に連結する。従って、信号の組み合わせ(「s2connect_p」、「s2connect_n」、「s1connect_n」)に対する値(1、0、0)、(0、1、0)および(1、0、1)を用いて、それぞれ、電極をS1およびS2から分離し、電極をS2に連結し、電極をS1に連結することができる。論理「1」はvhighにあり、論理「0」は0Vにあることに留意されたい。
電荷平衡化ペーシングサイクル中、S2の電圧がS1の電圧を下回ると、NMOSトランジスタ1106とPMOSトランジスタ1102の両方のボディダイオードに順方向バイアスがかかる。その結果、S1とS2の間にあるこれらの2つのオン状態のボディダイオードを経由して短絡回路が形成される。この短絡回路によって、ペーシング電圧が電極に到達するのが防止され、その結果、電荷平衡化ペーシングサイクル時の逆転した位相が無効となる。本発明の実施形態は、電荷平衡化ペーシングサイクルの両方の位相時において電源回路および電極スイッチング回路が作動状態を保持することを可能にする、独自の回路設計を提供する。
図12は、本発明の一実施形態による、3つの電源電圧、vhigh_core、vlow_core、およびvhigh_dcrを供給する電源回路の略回路図である。この回路は、S1およびS2上を搬送された電圧から、コアモジュールに対する一対の高電圧および低電圧、vhigh_coreおよびvlow_coreを得る。動作中、ダイオード1206は、S2上の高電圧が通過してコンデンサ1208に充電することを可能にする。DCRモジュール用の高電源電圧、vhigh_dcrは、ダイオード1206とコンデンサ1208の間で得られる。
S2が高電圧状態にある際に、コンデンサ1202が帯電し、コアモジュールに対して、高電源電圧、vhigh_coreを供給する。コア回路の保護のために、ツェナーダイオード1214を用いてコアの電源電圧を制限していることに留意されたい。さらに、ダイオード1204が、コンデンサ1202を放電させる可能性があるツェナーダイオード1214を通した漏れ電流を減らす。
さらに、低コア電源電圧vlow_coreが、コンデンサ1210を通して、S1上の電圧から得られる。ダイオード1212は、S2の電圧がS1の電圧を下回ったときに、vlow_coreが実質的にS2の電圧となることを可能にするために用いられる。
図13は、本発明の一実施形態による、電荷平衡化ペーシング時の大きい電圧の振れおよび極性変化に耐えることができる電極スイッチング回路を示した略回路図である。ソースが互いに連結された2つのNMOSトランジスタ1304および1302が、電極とS2との間のスイッチを形成している。一般に、NMOSトランジスタの基板は、ソースへの導電性パスを形成し、かつドレインを有するダイオードも形成するため、NMOSトランジスタ1302および1304の基板は、同一の電位を有する。従って、トランジスタ1302および1304のボディダイオードは、「背中合わせに」連結されている。その結果、2つのボディダイオードは同時にオンとなることができないため、トランジスタの基板を経由したS2から電極までの導電性パスを形成することはできない。
スイッチ1310ならびに2つの制御信号、vhigh_logic_s2およびvlow_logic_s2は、電極がS2につながるか否かを制御する。vhigh_logic_s2は、両方のNMOSトランジスタ1304および1302を完全にオンとすることができ、かつS2の電圧がS1の電圧を下回ったときにその相対レベルを保持することができる、十分に高い電圧である。それに対応して、vlow_logic_s2は、電荷平衡化ペーシング時に両方のNMOSトランジスタを完全にオフとすることができる、十分に低い電圧である。スイッチ1310の状態は、コアモジュールによって制御されることに留意されたい。図14および図15と併せた説明では、vhigh_logic_s2およびvlow_logic_s2を供給する回路に関する詳細を述べる。
S1から電極へのスイッチには、同様の構成が用いられている。ソースが互いに連結された2つのNMOSトランジスタ1308および1306が、電極とS1との間のスイッチを形成している。NMOSトランジスタ1308および1306の基板は、同一の電位を有する。従って、トランジスタ1308および1306の寄生的ボディダイオード1307は、「背中合わせに」連結されている。その結果、2つのボディダイオードは同時にオンとなることができないため、トランジスタの基板を経由したS1から電極までの導電性パスを形成することはできない。
スイッチ1312ならびに2つの制御信号、vhigh_logic_s1およびvlow_logic_s1は、電極がS1につながるか否かを制御する。vhigh_logic_s1は、両方のNMOSトランジスタ1308および1306を完全にオンとすることができ、かつS2の電圧がS1の電圧を下回ったときにその相対レベルを保持することができる、十分に高い電圧である。それに対応して、vlow_logic_s1は、電荷平衡化ペーシング時に両方のNMOSトランジスタを完全にオフとすることができる、十分に低い電圧である。スイッチ1312の状態はコアモジュールによって制御されることに留意されたい。図14および図15と併せた説明では、vhigh_logic_s1およびvlow_logic_s1を供給する回路に関する詳細を述べる。
図14は、本発明の一実施形態による、図13に示す電極スイッチング回路に2つのスイッチ制御信号、vhigh_logic_S1およびvhigh_logic_S2を供給する電源回路を示した略回路図である。この回路は最初の電荷平衡化ペーシングサイクル前には電圧を印加されていないと仮定する。S2が高電圧にある最初のサイクルの第1の位相時に、コンデンサ1402が帯電する。さらに、ダイオード1404はオフであり、vhigh_logic_S2を実質的にv1と同一としている。この瞬間には、vhigh_logic_S2はスイッチ1408を完全にオンとするのに十分には高くなることができないことに留意されたい。例えば、この位相においてS2が4Vにある場合、vhigh_logic_S2も約4Vにある。
S2の電圧が例えば−3Vに降下する第2の位相時に、ダイオード1410がオフとなり、コンデンサ1402によって保持されていた電圧がダイオード1404をオンとする。その結果、コンデンサ1402内に蓄積されていた電荷は、ダイオード1404がオフとなるまでコンデンサ1406に向かって流れる。その結果、vhigh_logic_S2は、v1と実質的に同一の状態にとどまる。v1は、コンデンサ1402のキャパシタンスがコンデンサ1406のキャパシタンスよりも大幅に大きくなるように選択された場合に約4Vとすることができる。従って、vhigh_logic_S2は4Vにあり、S2は−3Vにあるので、コンデンサ1406は、両端間に約7Vを保持する。従って、vhigh_logic_S2は、スイッチ1408を完全にオンとするのに十分に高い。
S2が再び4Vとなる次のサイクルの第1の位相では、コンデンサ1406は、7Vの電圧降下を保持する。次いで、ダイオード1404に逆バイアスがかかり、コンデンサ1406の放電が防止される。その結果、vhigh_logic_S2は、S2の電圧よりも大幅に高く、スイッチ1408を十分にオンに保つことができる11Vとなる。
同一のサイクルの第2の位相では、S2の電圧は、4Vから−3Vに降下する。ダイオード1410がオフであるので、v1は実質的に4Vにとどまる。S2上の電圧降下のため、またコンデンサ1406内に貯蔵された電荷はすぐには放電されないので、コンデンサ1406の両端間の7Vの電圧降下が保持され、vhigh_logic_S2は4Vとなる。v1とvhigh_logic_S2がほぼ同一のレベルにあるので、ダイオード1404はオフのままであることに留意されたい。従って、スイッチ1408はオンの状態にとどまる。
ダイオード1404の陽極とs2との間に配置されたツェナーダイオード1420は、コンデンサ1406が過充電されるのを防止し、vhigh_logic_s2の電圧を制限し、かつスイッチ1408内のトランジスタが故障するのを防御することに留意されたい。一実施形態では、ツェナーダイオード1420は、5Vの降伏電圧を有する。
上述の工程は、各電荷平衡化ペーシングサイクル中に繰り返される。その結果、S2が4Vにある位相時には、vhigh_logic_S2は約11Vにあり、S2が−3Vにある位相時には、vhigh_logic_S2は約4Vとなる。従って、vhigh_logic_S2は、スイッチ1408をオンとするのに十分な高さを保持する。さらに、vhigh_logic_S2とS2の電圧との間の差は、異なるペーシング位相時にも実質的に一定のままである。従って、スイッチ1408のインピーダンスも、実質的に一定のままとなる。
この例に用いた電圧値は単に例示を目的としたものに過ぎないことに留意されたい。本発明の実施形態は、他のペーシング電圧値に容易に応用することができる。さらに、この回路は、2つより多い位相を有するペーシングサイクルにも耐えることができる。
S1のスイッチ1414のゲート電圧は、S1の電圧よりも十分に高くありさえすればよいので、vhigh_logic_S1は、通常のダイオード−コンデンサ構成を用いて得られる。S2が高電圧にあるペーシングサイクルの第1の位相時には、ダイオード1411がオンとされ、この例では4Vである、S2の電圧とほぼ同一の電圧までコンデンサ1412に充電することが可能となる。S2の電圧が−3Vまで降下する第2の位相時には、ダイオード1410がオフとなり、vhigh_logic_S1は約4Vのままである。S1は全ペーシングサイクル中0Vにあると仮定されているので、vhigh_logic_S1は、スイッチ1413をオンとするのに十分な高さを保持することができる。
図15は、本発明の一実施形態による、図13に示す電極スイッチング回路に2つのスイッチング電圧、vlow_logic_s1およびvlow_logic_s2を供給する電源回路を示した略回路図である。この回路は最初の電荷平衡化ペーシングサイクル前には電圧を印加されていないと仮定する。S2が高電圧、例えば6Vにある最初のサイクルの第1の位相時、ダイオード1504がオンとなり、コンデンサ1502に充電する。その結果、v1は、0VにあるS1と同一の電圧となる。さらに、レジスタ1524を介してコンデンサ1510に6Vが充電されるまで、ダイオード1512、1508、および1504が一時的にオンとなり、その結果、回路が平衡状態に達した後、v2とvlow_logic_s2の両方が0Vとなる。スイッチ1532および1534内のトランジスタは、この例では約20Vと仮定されている、有限の降伏電圧を有することに留意されたい。この回路は、ツェナーダイオード1522および1520を用いて、スイッチング電圧がこれらのスイッチトランジスタを故障させないよう万全を期している。さらに、ツェナーダイオード1522および1520は5Vの降伏電圧を有すると仮定する。ツェナーダイオード1522および1520の動作について以下にさらに詳細に説明する。
S2の電圧が例えば−3Vまで降下する第2の位相時、最初に6Vを充電されているコンデンサ1502が、瞬間的にv1を−9Vまで引き下げる。その結果、ダイオード1504がオフとなる。v2は当初0Vにあるので、ダイオード1508がオンとなり、v2を−9Vまで引き下げ、レジスタ1524を介してコンデンサ1506を充電する。ツェナーダイオード1522は降伏していないので、レジスタ1524は導電性経路となることに留意されたい。回路が平衡状態に達した後、コンデンサ1510が、両端間の6Vを保持し、vlow_logic_s2は、S2の電圧およびS1の電圧よりもかなり低い約−9Vにある。
S2の電圧が6Vにある次のサイクルの第1の位相時、v2が−9Vにあり、v1が0Vあるため、ダイオード1508に逆バイアスがかかり、オフとなる。その結果、コンデンサ1510のキャパシタンスがコンデンサ1506のそれよりも大幅に大きい場合、v2およびvlow_logic_s2は、両方とも約−9Vにとどまることができる。同じサイクルの第2の位相では、S2の電圧は6Vから−3Vまで降下する。ダイオード1504に逆バイアスがかかり、v1は−9Vにある。v2は当初約−9Vにあるので、ダイオード1508はオンとされず、従って、vlow_logic_s2は約−9Vのままとなる。
上述の工程は、各電荷平衡化ペーシングサイクル中に繰り返される。その結果、vlow_logic_s2はS2上およびS1上の両方の電圧よりも大幅に低いままとなり、従って、スイッチ1532が十分にオフの状態にとどまることが確実となる。
vlow_logic_s1は、コンデンサ1502および1516、ならびにダイオード1514から得られる。S2の電圧が6Vにある第1の位相時には、v1とvlow_logic_s1は両方とも0Vにある。S2の電圧が−3まで降下する第2の位相時、ダイオード1504がオフとなるので、v1は−9Vまで降下する。その結果、ダイオード1514がオンとなり、ダイオード1516を負に充電し、それによりvlow_logic_s1を−9Vまで引き下げる。次のペーシングサイクル中S2の電圧が6Vとなると、v1が0Vにあり、vlow_logic_s1が−9Vにあるため、ダイオード1514がオフとされる。従って、vlow_logic_s1は、さらなるペーシングサイクル中に−9Vにとどまることができる。
直列に連結された場合、ツェナーダイオード1522および1520の降伏電圧は5Vであるので、これらのダイオードが協働してコンデンサ1516が10Vを越えて充電されるのを防止し、結果として、vlow_logic_s1が10Vより大きくS1の電圧を下回るのを防止していることに留意されたい。すなわち、
V(S1)−V(vlow_logic_s1)<10V (式1)
さらに、PMOSトランジスタ1518は、S2の電圧がS1の電圧よりも高いときのツェナーダイオード1520および1522を通る電流漏れを防止する。PMOSトランジスタ1518は、S2の電圧がS1の電圧を下回った場合にのみオンとされる。従って、S2の電圧がS1の電圧よりも高くある限り、コンデンサ1502内に貯蔵された電荷を保持することができる。
V(S1)−V(vlow_logic_s1)<10V (式1)
さらに、PMOSトランジスタ1518は、S2の電圧がS1の電圧よりも高いときのツェナーダイオード1520および1522を通る電流漏れを防止する。PMOSトランジスタ1518は、S2の電圧がS1の電圧を下回った場合にのみオンとされる。従って、S2の電圧がS1の電圧よりも高くある限り、コンデンサ1502内に貯蔵された電荷を保持することができる。
ツェナーダイオード1520も、コンデンサ1506が5Vより多く充電されるのを防止する。すなわち、
V(S1)−V(v2)<5V (式2)
さらに、全ペーシング工程中、S2の電圧はS1の電圧を10Vより大きく上回らないと仮定する:
V(S2)−V(S1)<10V (式3)
式2と式3をまとめると、次式となる:
V(S2)−V(v2)<15V (式4)
v2は実質的にvlow_logic_s2と同じであるので、次式が得られる:
V(S2)−V(vlow_logic_s2)<15V (式5)
S2とS1との間の最大ペーシング電圧は10Vを越えないので、図9と併せた説明を参照すると、次式が得られる:
V(vhigh_logic_s1)−V(S1)<10V (式6)
さらに、コンデンサ906が5Vを越えて充電されるのを防止するツェナーダイオード920のため、次の条件も真である:
V(vhigh_logic_s2)−V(S2)<5V (式7)
式5と式7をまとめると、次式となる:
V(vhigh_logic_s2)−V(vlow_logic_s2)<20V
(式8)
これにより、スイッチ1532内のトランジスタが約20Vより大きい電圧スイッチングを受けるのが防止される。
同様に、式1と式6をまとめると、次式となる:
V(vhigh_logic_s1)−V(vlow_logic_s1)<20V
(式9)
従って、式8および式9によれば、vhigh_logic_s2およびvlow_logic_s2、またはvhigh_logic_s1およびvlow_logic_s1を受けるすべての素子が、20Vより大きい電圧の振れを受けるのを防止される。
V(S1)−V(v2)<5V (式2)
さらに、全ペーシング工程中、S2の電圧はS1の電圧を10Vより大きく上回らないと仮定する:
V(S2)−V(S1)<10V (式3)
式2と式3をまとめると、次式となる:
V(S2)−V(v2)<15V (式4)
v2は実質的にvlow_logic_s2と同じであるので、次式が得られる:
V(S2)−V(vlow_logic_s2)<15V (式5)
S2とS1との間の最大ペーシング電圧は10Vを越えないので、図9と併せた説明を参照すると、次式が得られる:
V(vhigh_logic_s1)−V(S1)<10V (式6)
さらに、コンデンサ906が5Vを越えて充電されるのを防止するツェナーダイオード920のため、次の条件も真である:
V(vhigh_logic_s2)−V(S2)<5V (式7)
式5と式7をまとめると、次式となる:
V(vhigh_logic_s2)−V(vlow_logic_s2)<20V
(式8)
これにより、スイッチ1532内のトランジスタが約20Vより大きい電圧スイッチングを受けるのが防止される。
同様に、式1と式6をまとめると、次式となる:
V(vhigh_logic_s1)−V(vlow_logic_s1)<20V
(式9)
従って、式8および式9によれば、vhigh_logic_s2およびvlow_logic_s2、またはvhigh_logic_s1およびvlow_logic_s1を受けるすべての素子が、20Vより大きい電圧の振れを受けるのを防止される。
この例に用いた電圧値は単に例示を目的としたものに過ぎないことに留意されたい。本発明の実施形態は、他のペーシング電圧値に容易に応用することができる。さらに、この回路は、2つより多い位相を有するペーシングサイクルにも耐えることができる。
(電荷平衡化動作用阻止コンデンサの使用)
上に述べたように、MELの信頼性がありかつ堅調な動作は、ペーシング工程中の電荷平衡化動作に依存する。米国特許第4,903,700号には、ペースメーカ内の電荷の平衡を達成する手法が記載されている。一般的なペースメーカは、出力回路内に結合コンデンサを含む。コンデンサを通る正味の電流フローはゼロでなければならないので、AC結合を行うことにより、生体組織に正味の荷電が送達されることはないことが保証される。出力コンデンサは、通常、パルシング回路の一部である。電荷は、コンデンサ上に貯蔵され、次いで、刺激が必要な場合に、リードを介して素早く送達される。次いで、送達された電荷は、生体組織内の電荷が逃げるまで、コンデンサを経由して反対方向に流れる。
上に述べたように、MELの信頼性がありかつ堅調な動作は、ペーシング工程中の電荷平衡化動作に依存する。米国特許第4,903,700号には、ペースメーカ内の電荷の平衡を達成する手法が記載されている。一般的なペースメーカは、出力回路内に結合コンデンサを含む。コンデンサを通る正味の電流フローはゼロでなければならないので、AC結合を行うことにより、生体組織に正味の荷電が送達されることはないことが保証される。出力コンデンサは、通常、パルシング回路の一部である。電荷は、コンデンサ上に貯蔵され、次いで、刺激が必要な場合に、リードを介して素早く送達される。次いで、送達された電荷は、生体組織内の電荷が逃げるまで、コンデンサを経由して反対方向に流れる。
電荷中和の速度を上げるために、「アクティブな」再充電回路を用いて、出力コンデンサを、トランジスタスイッチを介して電位源に接続することができる。これによって、より大きい逆電流がコンデンサを経由して流れ、生体組織内に貯蔵された電荷がより素早く逃げることになる。負パルスは、心臓を刺激するのに最もよく用いられる。従って、アクティブな再充電回路に関しては、ペーシングサイクルは、正パルスが後続する負パルスからなる。
ただし、複雑な回路には、通常、この手法を用いて厳密な電荷平衡を達成することが求められる。本発明の実施形態は、ペースメーカリード内の厳密な電荷平衡を達成するための、効果的であるが、より単純な手法を提供する。
本発明は、電荷平衡を達成することができる、植え込まれたペースメーカリードに内蔵された阻止コンデンサを提供する。各コンデンサが、少なくとも1つの導電層と、誘電層とを含む。いくつかの実施形態によれば、ペーシング電極は、コンデンサの導電層のうちの1つを形成している。誘電層は、電極の上に形成されている。誘電層上に形成された第2の導電層によってコンデンサが完成している。その代案としては、第2の導電層が割愛され、患者の体内の組織がコンデンサの第2の導電板として機能する。
本発明のコンデンサは、ペーシング電極から完全に分離させることもできる。例えば、本発明のコンデンサは、ペースメーカリード内の電極と集積回路チップとの間に連結することができる。別の実施形態によれば、コンデンサは、電荷平衡を達成するための十分な電荷貯蔵を可能にするために、それらの表面積とキャパシタンスを増大させる不ぞろいな表面を有する。
本発明の他の目的、特徴、および利点は、以下の詳細な説明、および以下に参照する、図面全体を通して同じ参照番号は同じ特徴を表す添付の図面を検討すれば明らかとなろう。
図16に、植え込み型ペースメーカリード1602に接続することができるペースメーカ缶1601の一例を示す。ペースメーカリード1602は、心臓組織を刺激するために用いられる電極1603を含む。缶1601は、ペーシングパルスをリード1602にそって電極1603に送信する電子機器を含む。
図17に、本発明の第1の実施形態による、ペースメーカリード内の阻止コンデンサを示す。リードは、集積回路チップ1704と、電極を含む。電極は、導電層1703によって形成されている。誘電層1702は、導電層1703の上に形成され、第2の導電層1701は、誘電層1702の上に形成されている。層1701〜1703は、円筒状に形成されており、層1703は、チップ1704内の回路に電気的に連結されている。
コンデンサは、導電層1703、誘電層1702、および第2の導電層1701によって形成されている。従って、電極は、図17のコンデンサの一体化した部分を形成している。層1701〜1703によって形成されたコンデンサがペースメーカ缶に対してリードの遠位端上に位置するため、コンデンサは、ペースメーカリードに電荷平衡をもたらすことができる。従って、コンデンサは、電極内での電荷の蓄積を阻止する阻止コンデンサとしての機能を果たす。
導電層1701および1703は、金属、導電性高分子、または別の適切な種類の導電性材料で形成することができる。誘電層1702は、任意の適切な絶縁材料で形成することができる。誘電層1702(および本発明の他の誘電層)は、高い比誘電率を有する材料から形成されるのが好ましい。しかしながら、本発明のいくつかの用途では、誘電層は低い比誘電率を有することができる。
図17の1つの特定の例によれば、コンデンサは、300Å(オングストローム)の厚さの誘電層を有する2mmの直径を有し、該誘電層は比誘電率3を有し、11ナノファラッド(nF)のキャパシタンスを提供する。これらの数字は単に一例として提供するものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。本発明の他の実施形態は、以下に詳細に説明するようなより大きいキャパシタンスを提供することができる。
図18に、本発明の第2の実施形態による、ペースメーカリード内のコンデンサを示す。図18のリードは、集積回路チップ1803と、電極とを含む。電極は、導電層1802によって形成されている。誘電層1801は、層1802の上に形成されている。層1801〜1802は、円筒状に形成され、層1802は、チップ1803内の回路に電気的に連結されている。
コンデンサは、導電層1802、誘電層1801、および誘電層1801と接触する患者の心臓組織(図示せず)の一部によって形成されている。電極も、図18のコンデンサの一体化した部分を形成している。図18のコンデンサは、ペースメーカリードに電荷平衡をもたらすために電荷を貯蔵する阻止コンデンサとして機能する。
図18の実施形態は、心臓組織を刺激するのに、他の電極構造体よりも低いペーシング閾値を有することができる。より低いペーシング閾値を有する電極は、より短いペーシングパルスを必要とし、それにより、適切な電荷平衡をもたらすために必要なキャパシタンスの量が低減される。
図19A〜図19Cに、本発明のさらに別の実施形態による、四分円電極を有するペースメーカリード内に形成された4つの阻止コンデンサを示す。図19Aを参照すると、リード1901は、4つの電極1902、1903、1904、および1905を含む。4つの電極1902〜1905は、リード1901を取り囲んで円筒形状を形成している。各電極1902〜1905は、互いに電気的に絶縁されている。ペースメーカ缶は、電極のうちの1つから電極のうちの別の1つに(例えば、正電極から不電極に)ペースすることができる。
図19Bでは、ペースメーカリードを取り囲む四分円電極の各々が、リードに電荷平衡をもたらす阻止コンデンサを形成している。図19Bに、導電層1913A〜1913Dによって形成された4つの電極を示す。電極の各々が、チップ1915に電気的に連結されている。電極の導電層1913A〜1913Dは、それぞれ、誘電層1912A〜1912Dで覆われている。誘電層1912A〜1912Dは、第2の組の導電層1911A〜1911Dで覆われている。
第1のコンデンサは、層1911A、1912A、および1913Aによって形成されている。第2のコンデンサは、層1911B、1912B、および1913Bによって形成されている。第3のコンデンサは、層1911C、1912C、および1913Cによって形成されている。そして、第4のコンデンサは、層1911D、1912D、および1913Dによって形成されている。層1913A〜1913Cの各々が、コンデンサのうちの1つの一体化した部分を形成している。
コンデンサは、ペースメーカリードに電荷平衡をもたらすために電荷を貯蔵する阻止コンデンサとして機能する。
図19Cの実施形態では、図19Bに示す第2の導電層が割愛されている。導電層1923A〜1923Dは、円筒形状を形成する四分円電極である、チップ1925に連結されている。4つのコンデンサは、導電層1923A〜1923D、誘電層1922A〜1922D、および周囲の心臓組織(図示せず)の部分によって形成されている。
第1のコンデンサは、層1923A、1922A、および周囲組織の一部によって形成されている。第2のコンデンサは、層1923B、1922B、および周囲組織の一部によって形成されている。第3のコンデンサは、層1923C、1922C、および周囲組織の一部によって形成されている。第4のコンデンサは、層1923D、1922D、および周囲組織の一部によって形成されている。4つのコンデンサが、リードに電荷平衡をもたらす。
図17〜図18および図19A〜図19Cに示すコンデンサの円筒形状は、例示の目的で示されており、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。本発明の手法は、任意の望ましい形状および大きさを有するコンデンサに応用することができる。
一般に、図19A〜図19Cの四分円電極の各々は、完全に円筒形の電極よりも小さい。また、図19A〜図19Cの四分円電極の各々によって生成される電荷は、完全に円筒形の電極よりも少ない組織を経由して駆動される。従って、図19A〜図19Cのリードを経由して駆動されるペーシングパルスは、図17〜図18の実施形態におけるよりも少ない抵抗に遭遇し、結果として、図19A〜図19Cに示すコンデンサに必要なキャパシタンスは、図17〜図18の実施形態におけるよりも少なくなる。いくつかのペースメーカリードは、多数の集積回路チップを含む。各チップは、通常、サテライトと呼ばれる。図19A〜図19Cの実施形態は、1つのチップに多数の電極が連結されているため、多数のサテライト内ペーシング電極を含む。一般に、多数のサテライト内ペーシング電極を有する本発明の実施形態は、各サテライト装置に対して単一の電極を有する実施形態よりも小さい阻止コンデンサを必要とする。
図19A〜図19Cの四分円電極およびコンデンサは、本発明の例に過ぎず、限定することを意図されてはいない。本発明の手法は、1チップ当たりに任意数の多数のサテライト内電極(例えば、3電極、5電極等)にも応用することができる。
いくつかのペースメーカリードにおいては、図17、図18、および図19A〜図19Cに示すコンデンサは、厳密な電荷平衡をもたらすのに十分なキャパシタンスを有していないかもしれない。図20A〜図20Cに、本発明のさらに別の実施形態による、より大きいキャパシタンスをもたらす不ぞろいな(非平滑な)表面を有するペースメーカリード内の阻止コンデンサを示す。
図20Aに、第1の導電層2001、誘電層2002、および第2の導電層2003を有するコンデンサを示す。第1の導電層2001は、例えば図17、図18、および図19A〜図19Cにおいて上に示したようなペースメーカリード用電極である。
第1の導電層2001は、凹凸を付けた表面2001Aを有して形成されており、第2の導電層2003は、凹凸を付けた表面2003Aを含む。凹凸を付けた表面2001Aおよび2003Aは、導電層2001および2003の表面積をそれぞれ増大させ、それによりコンデンサのキャパシタンスを増大させる。
凹凸を付けた表面2001Aおよび2003Aは、例えば、導電層の表面上に樹枝状構造を形成するための標準的な電極めっき手法を用いて形成することができる。凹凸を付けた表面2001Aおよび2003Aは、例えば、カーボンナノチューブで形成することもできる。代替的に、凹凸を付けた表面2001Aおよび2003は、例えばエッチング技術を用いたマイクロパターニングによって、または金属をシードして選択的成長を生じさせることによって形成することができる。
別の例として、凹凸を付けた表面2001Aおよび2003Aは、大粒子を含むプラズマスプレーを用いて多孔質表面を形成させるカソード技術を用いて形成することができる。多くの他のよく知られたコンデンサ形成技術を本発明の原理と共に用いて、不ぞろいな、またはでこぼこの多い表面を有するコンデンサを形成することができる。
図20Bに、第1の導電層2011、誘電層2012、および第2の導電層2013を有するコンデンサを示す。第1の導電層2011は、例えば図17、図18、および図19A〜図19Cにおいて上に示したようなペースメーカリード用電極である。
第1の導電層2011は、フィンガ2011Aを有して形成されており、第2の導電層2013は、フィンガ2013Aを含む。フィンガ2011Aおよび2013Aは、導電層2011および2013の表面積をそれぞれ増大させ、それによりコンデンサのキャパシタンスを増大させている。
フィンガ2011Aは、例えば、堆積および選択的エッチングによって形成することができる。次いで、層2011の不ぞろいな表面になじむ絶縁層を層2011の上に堆積または成長させることによって、誘電層2012を形成することができる。次いで、フィンガ2013Aが誘電層2012内の穴を埋めるように、層2013を層2012の上に形成または成長させることができる。
図20Cに、第1の導電性領域2021と、誘電性領域2022と、第2の導電性領域2023とを含む阻止コンデンサを示す。導電性領域2021もしくは2023のいずれかが電極を形成することができる。図20Aおよび図20Bでは、この構造体は、鉛直層に配列されている。それに対して、図20Cのコンデンサは、多層で水平に配列されている。導電性領域2021および2023は、誘電性領域2022によってインタリーブされて分離されたフィンガ(例えば2021Aおよび2023A)を有する。
図20A〜図20Cのコンデンサはより大きいキャパシタンスを有するため、図20A〜図20Cの阻止コンデンサは、同等の大きさの表面が平滑なコンデンサよりも長いペーシングパルスをペースメーカリードに供給することができる。例えば、1kΩ(電極から缶まで)の本体の抵抗を有するペースメーカ電極に対する1ミリ秒(ms)の時定数は、1マイクロファラッド(μF)のキャパシタンスを意味する。図20A〜図20Cのコンデンサの非平滑な表面は、キャパシタンスを例えば100倍〜400倍だけ増大させて、1μFのキャパシタンスをもたらすことができるより大きい表面積を有する。
図21に示す本発明のさらに別の実施形態によれば、ペースメーカリード内に電荷平衡をもたらすことができる阻止コンデンサ2101は、コルクスクリュー様形状のらせん状ねじ込み式電極の表面上に形成されている。コンデンサ2101の断面を図21の右側に示す。らせん状ねじ込み式電極は、第1の導電層2111によって形成されている。コンデンサ2101は、第1の導電層2111、誘電層2112、および第2の導電層2113によって形成されている。従って、電極2111は、コンデンサの一体化した部分である。本発明のさらに別の実施形態によれば、第2の導電層2113は割愛することができ、患者組織が、阻止コンデンサの第2の導電層として機能することができる。
図22に、ペースメーカリード内に形成された阻止コンデンサの一体化した部分ではない、電極の別の実施形態を示す。図22では、本発明の一実施形態により、阻止コンデンサ2211〜2214は、ペースメーカリード内に形成されている。コンデンサ2211〜2214は、マルチプレクサ2201と電極2221〜2224との間に連結されている。マルチプレクサ2201は、ペースメーカ缶からのペーシングパルスを、コンデンサ2211〜2214を経由して電極2221〜2224に、それぞれ選択的に連結する。コンデンサ2211〜2214は、それぞれ、電極2221〜2224に電荷平衡をもたらす。コンデンサ2211〜2214は、マルチプレクサ2201と共に、単一の集積回路チップ上に形成しても、別個のチップ上に形成してもよい。
本発明は、リードに電荷平衡をもたらすペースメーカリードの一部として形成されたどのような阻止コンデンサを含んでもよい。本発明は、ペーシング電極を形成する1つの導電層を有するコンデンサを含む。本発明は、どのペーシング電極からも完全に分離された、ペースメーカリード内のコンデンサも含む。
本発明は、ナノチューブと呼ばれる何百万もの極めて小さなフィラメントで覆われた1つ以上の導電層を有する、ペースメーカリード内の阻止コンデンサも含む。各ナノチューブはきわめて小さい(例えば人毛より30,000倍薄い)。コンデンサ上の各ナノチューブフィラメントが導電層の表面積を増大させ、コンデンサがより多くのエネルギーを貯蔵することを可能にする。このようなコンデンサは何度も再充電することができ、(例えば数十万回)極めて迅速に再充電することができる。
本発明の手法は、ペースメーカ缶内における阻止コンデンサの必要性を排除する。しかしながら、本発明の阻止コンデンサに加えて、阻止コンデンサをペースメーカ缶内に配置してもよい。
(マルチプレクサ回路)
主題の回路の実施形態は、例えば以下に説明する多重化機能を提供する。ペースメーカの性能および能力においては多くの向上が見られるが、現在利用可能なペースメーカには欠点がないわけではない。多くの患者が、限定された数より多い電極またはセンサに接続して通信することはできない植え込み型ペースメーカを有する。特に、ペーシング用であろうと検出用であろうと、あるいはそれらの両方であろうと、多数のエフェクタが用いられる場合、多重化能力を有するペースメーカであっても、エフェクタの動作特性の変更もしくはエフェクタの起動または動作停止は、ペースメーカの再プログラミングの複雑さを増大させる。
主題の回路の実施形態は、例えば以下に説明する多重化機能を提供する。ペースメーカの性能および能力においては多くの向上が見られるが、現在利用可能なペースメーカには欠点がないわけではない。多くの患者が、限定された数より多い電極またはセンサに接続して通信することはできない植え込み型ペースメーカを有する。特に、ペーシング用であろうと検出用であろうと、あるいはそれらの両方であろうと、多数のエフェクタが用いられる場合、多重化能力を有するペースメーカであっても、エフェクタの動作特性の変更もしくはエフェクタの起動または動作停止は、ペースメーカの再プログラミングの複雑さを増大させる。
従って、現在利用可能なペースメーカの機能パラメータを容易かつ都合よく向上および調整することができるのは望ましいであろう。従って、現在存在するいずれのブランドのペースメーカにも接続してプログラムまたは再プログラムするために広く用いることができるシステムを提供することは有利であろう。
本発明は、ペースメーカと関連する導線とに隣接しかつその間に電気的に連結して物理的に植え込み可能なモジュラー回路を提供する。このモジュラー回路は、ペースメーカとリードと関連付けられた複数の電極および/または複数のセンサとの間の通信リンクとなり、より詳細には、入力信号および出力信号を、ペースメーカと、電極および電極の関連する電極回との路間で通信する。より詳細には、多重化は、所与のペーシングリードと関連付けられた電極のいずれかをペースメーカに接続するか、またはペースメーカとの接続を絶つよう制御することができるラッチとなる。主題の回路は、漏れ電流を最小限に抑えながら、種々の電極を、それらのそれぞれの割り当てられた状態、すなわちアクティブ状態または非アクティブ状態に保持することができる。体内に植え込まれた電極およびセンサの制御に加え、主題の回路は、患者の体外にある装置への通信リンクとしても機能する。
これらおよび他の目的、利点、および特徴は、以下により十分に説明する本発明の詳細を読めば、当業者には明らかとなろう。
本発明は、ペースメーカと関連するペーシングリードとに隣接しかつその間に電気的に連結して物理的に植え込み可能なモジュラー回路を提供する。このモジュラー回路は、ペースメーカとペーシングリードと関連付けられた複数の電極(ペーシングと検出の両方のための)との間の通信リンクとなり、より詳細には、入力信号および出力信号を、ペースメーカと、電極および電極の関連する電極回路との間で通信する。より詳細には、多重化は、所与のペーシングリードと関連付けられた電極のいずれかをペースメーカに接続するか、またはペースメーカとの接続を絶つよう制御することができるラッチとなる。主題の回路は、漏れ電流を最小限に抑えながら、種々の電極を、それらのそれぞれの割り当てられた状態、すなわちアクティブ状態または非アクティブ状態に保持することができる。従って、本発明の回路は、ペーシング電極の状態を切り替え、かつ検出電極および他の種類のセンサをオンおよびオフとする本発明の回路の役割から、「スイッチング回路」と呼んでもよい。
体内に植え込まれた電極およびセンサの制御に加え、主題の回路は、患者の体外の装置への通信リンクとしても機能する。このような装置は、その患者用に特別に設計された運転パラメータまたは機能パラメータを有するスイッチング回路を遠隔で制御およびプログラムすることができるプログラマを含む。これらの運転パラメータには、限定するものではないが、電極状態の割り当て、パルスの幅、振幅、極性、ペーシング信号の動作周期および持続時間、心臓の拍動の1サイクル当たりのパルス数、種々の能動電極によって送達されるパルスのタイミングが含まれる。
プログラミング装置からの情報ダウンロードに加え、スイッチング回路は、スイッチング回路の記憶素子内に収集および格納された検出データのような情報をアップロードするように構成することもできる。そのような検出データには、限定するものではないが、血圧、血液量、血流速度、血中酸素濃度、血中二酸化炭素濃度、壁応力、壁厚さ、力、電荷、電流および導電率が含まれる。
スイッチング回路は、データ、すなわち、検出データからスイッチング回路またはペースメーカによって計算された心仕事量パラメータを格納および送信することもできる。そのような心仕事量パラメータには、限定するものではないが、駆出率、心拍出量、心係数、1回拍出量、1回拍出係数、圧予備力、量予備、心予備力、心予備力係数、1回拍出量予備力係数、心筋仕事量、心筋仕事量係数、心筋予備力、心筋予備力係数、1回仕事量、1回仕事量係数、1回仕事量予備、1回仕事量予備係数、収縮駆出期、心拍出力、心拍出予備力、心拍出予備力係数、心筋力、心筋力係数、心筋予備力、心筋予備力係数、心筋力要求量、駆出収縮能、心臓効率、心臓拡大、弁圧較差、弁圧較差予備力、弁口面積、弁口面積予備、弁逆流、弁逆流予備、心臓による電気的放出のパターン、血液中の二酸化炭素対酸素の比が含まれる。
ここで図面、具体的には図23を参照すると、ペースメーカ2304(通常ペースメーカ「缶」と呼ばれる)との間で動作可能に接続され、かつそれに電気的に連結された、本発明のスイッチング回路または「ボックス」2302の略図が示されている。ペースメーカ2304は、任意の通常のペースメーカであってよく、複数の導線L1〜LNは、当業者によく知られた配列および手順で心臓内に配置するように構成されている。スイッチング回路2302は、ペースメーカ2304に隣接して患者の体内に植え込むように構成された、ペースメーカ2304の「缶」と同様の「缶」内に格納することができる。
スイッチングボックス2302は、本明細書ではS1およびS2として参照される一対の信号線2306を介してペースメーカ2304に連結されている。S1はアースを表し、S2は電圧源である。線2306は、標準的なペースメーカリードのプラグコンセントに接続することができるコネクタの形で、ペースメーカの端部に構成することができる。
上に説明したように、スイッチング回路2302は、ペースメーカ2304とE1〜ENとして参照されるペーシング電極、および電極に対するラッチ機構(例えばコンデンサ)となる、電極の関連する回路C1〜CNとの間で信号を多重化する。そして、各リードL1〜LNは、アース線S1と、電圧供給線S2を含み、それらの信号は、スイッチング回路2302を介してペースメーカ2304から供給される。1リード当たりの電極の数は、システムによって、また用途によって変えることができる。一般的な実施形態は、1回路当たりに4つの電極、および1リードL1〜LN当たりに8つの回路を備えることができ、1リード当たりの電極の総数は、例えば32個である。4つの電極のうちの少なくとも1つが任意選択的に心臓をペースするために配置されることになるので、多電極リードは、リード配置において、より高い柔軟性を可能にする。リードの電極のいずれを配置するのが心臓を往復して正確な信号を取得または供給するのに最善となるかに関する決定については、心臓の制御ペーシングおよび得られた各電極のしきい電圧の測定により、実験的に判断することができる。この場合、最も低いしきい電圧を有する電極がそのリードに対して最適に配置された電極である。
また、上に述べたように、スイッチング回路2302は、プログラマ2310のような外部装置への通信リンクとなる。プログラマ2310は、スイッチング回路を遠隔操作し、スイッチング回路に運転パラメータまたは機能パラメータをプログラムすることができ、次いで、それらのパラメータのうちの特定のパラメータを、スイッチング回路2302によってペースメーカ2304に通信することができる。任意のモードの遠隔計測を用いてスイッチング回路2302とプログラマ2310との間でデータを転送することができるが、植え込み型装置と共に用いるのに適した1つの手段は、1つのコイルがスイッチング回路2302に備えられ、べつのコイルがプログラマ2310に備えられた電磁石コイルである。植え込まれたスイッチング缶の近くの患者の胸部に近接してプログラマを配置することにより、遠隔計測を確立することができる。スイッチング缶とプログラマとの間で送信される情報はAC信号の形式であり、該信号は、スイッチングボックス2302およびプログラマ2310の各々の内部にあるそれぞれの回路によって、対応するDC電圧に変換される。
プログラマ2310によって送信され、スイッチングボックス2302によって受信される信号(複数)が、回路構成要素に電源を供給するシステムの動作電流、さらには上に特定したシステムの運転パラメータを設定するための一連のコマンドを提供する。次いで、これらのパラメータのうちのいくつかが、リードL1〜LNを介して、電極回路C1〜CNに送信される。詳細には、これらのパラメータは、あらかじめ選択された構成により、アクティブまたは非アクティブとなる。次いで、スイッチング回路2302は、ペースメーカ2304と選択された電極との間に接続を確立し、通信を可能にする。
スイッチング回路2302は、いくつかの他の機能を提供することができる。電極回路C1〜CNのラッチコンデンサについては、それらに再充電するのに、植え込み型システムによって用いられる他のコンデンサと同様に漏れ電流が極めて少ないことを企図している。スイッチング回路は、数マイクロ秒、おそらくは約10マイクロ秒から約20マイクロ秒、定期的に高電圧パルスを供給し、すべての電極およびシステムコンデンサを再充電するように構成することができる。従って、いくらかの電流漏れが発生した場合、コンデンサの電荷が置換され、それにより電極をそれらの現在「ラッチされた」状態に保持する。さらに、スイッチング回路2302は、定期的に、例えば1日に1回、その時の電極状態をメモリに保存するようプログラムすることができる。電極の状態を乱す電源問題の場合、スイッチング回路2302は、電極コンデンサを、メモリに格納された最新の構成にリセットすることができる。
スイッチング回路2302によって実行することができる別の機能は、電極からペーシング缶2304へのアナログ信号の送信機能である。例えば、心電図を生成するために、ペースメーカが心臓内の複数の位置における電圧をサンプリングしようとしている場合、スイッチング回路2302は、電圧サンプリング用に選択された電極間の高速スイッチングを行うことによってこれを可能にする。より具体的には、ミリ秒のオーダの、極めて短い時間にわたって、選択された電極における電位がサンプリングされ、アナログ信号がペースメーカ2304に送信され、再度反復される。スイッチングが速いほど、心臓周辺の様々な位置における電位の「スナップショット」はより正確となり、従って、電位図がより正確なものとなる。
測定された電位は、アナログ信号として供給され、該アナログ信号は、スイッチング回路2302を経由して電極からペースメーカ2304に搬送され、スイッチング回路2302において、1つの電極からの信号は線S1上に供給され、別の電極からの信号は線S2上に供給される。次いで、ペースメーカ2304内の増幅器または電圧比較器が、2つのアナログ電圧信号を比較することができる。この比較に基づき、ペースメーカ2304は、必要に応じてペーシングパラメータを再構成することになる。各電極回路が、アナログ電圧信号をスイッチング回路2302への送信に先立ってデジタル化するアナログ・デジタル変換器を含むことができるが、そうするためには、より大きい電極回路チップが必要となろう。この後者の構成の方がより電力を消費するばかりでなく、電極コンデンサの電荷が安定し、平衡状態となるために必要な時間ははるかに長くなるであろう。
さらに、スイッチング回路2302は、アナログ・デジタル変換システムおよびデジタル・アナログ変換システムとして機能することができる。スイッチング回路2302内でプログラムされるか、または別にスイッチングシステム2310を介した外部プログラムによって送信されたデジタル信号形式の検出プロトコルは、スイッチング回路2302によってAC信号に変換される。これらのアナログ信号は、検出電極または他の種類のセンサ、すなわちトランスデューサを駆動し、それらが生理学的信号、化学信号および機械的信号、例えば患者の体内のコンダクタンス信号を測定することを可能にする。これもアナログ形式である測定された信号は、次いで、スイッチング回路2302によってデジタル信号に変換されてメモリに格納され、スイッチング回路によって他のパラメータを計算するために用いられるか、またはその後の処理のためにペースメーカ2304および/またはプログラマ2310に送信される。
ここで、同じ参照番号は同じ要素を表す図24、図25および図26を参照すると、スイッチング回路の種々の実施形態、本発明のスイッチング回路の種々の回路実施形態の略図が示されている。図24のスイッチング回路2420は、外部装置への通信リンク、特に、上述のプログラマを行き来するAC信号の送受信を可能にするコイル2422を含む。ペースメーカへの運転パラメータの供給に加え、受信信号は、スイッチボックスおよび電極回路を動作させるための電源信号も供給する。
コイル2422によって送信される信号には、心臓の動作特性およびシステムの状態に関する情報が含まれる。コイルのリードは、データクロック回復回路2424およびDC電源回復回路2426に接続されている。DC電源回路2426は、データクロック回復回路2424および論理制御回路2440に対する電源電圧であるDC電圧VDCを生成する。電源回路2426は、相対アースまたは局所アースのいずれであってもよいアース電圧VGRDも供給する。コンデンサ2434は、電源電圧とアース電圧との間に連結されており、それにより、外部電源が遮断された後、すなわちコイル2422がオフとなった後に電源回路2426および論理回路2440に電源を投入し続ける電荷を貯蔵する機能を果たす。図24の実施形態に関して説明したばかりの回路2420の電源部分は、図25および図26の実施形態にもそれぞれ当てはまる。
再び図24を参照すると、データクロック回復回路2424は、コイル2422によって受信されたAC信号を評価し、その中に埋め込まれたデータおよびクロック信号を抽出する。クロック信号は、論理・制御回路2436へ送信され、論理・制御回路から送信されるデータのタイミングを制御するために用いられる。クロック機能を実行するための多くの技術が電子業界で知られている。本発明のスイッチング回路と共に用いることができるそのような機構の1つは、周波数シフトキーイングである。周波数シフトキーイングは、受信AC信号の周期を変更する。例えば、1−MHzのAC信号すなわち1−msecの信号の周期は1を表し、2−MHzのAC信号すなわち0.5−msecの信号の周期はゼロを表す。データ信号2428およびクロック信号2430は、次いで、論理・制御回路2436に供給される。
論理回路2436は、関連する回路C1〜CNを通じて種々の電極E1〜ENを有する各リードL1〜LNの線S1と線S2との間の接続のスイッチングを制御する。換言すれば、スイッチ2438および2440を介して、回路2436は、論理回路2436がプログラムされているスイッチングプロトコルに従って、選択的に電極を線S1およびS2に接続または接続解除する。論理回路2436は、電極回路の再プログラミングおよび電極スイッチングプロトコルの実装も制御する。
種々の電極回路の再プログラミング中、論理回路2436は、リードL1〜LNの各々に対して同時に、線S1上でアース信号を、スイッチが行われるタイミング、すなわちスイッチクロック信号を含む、スイッチングプロトコルを表す電圧信号をS2上で供給する。従って、各電極回路は、極めて小さいコンデンサ、例えば約1ピコファラッド(1×10−12)のコンデンサ上に電荷を貯蔵する。電極回路の再プログラミングが完了した後、論理回路2436は、スイッチ2438および2440を開放することによってリードから切り離され、リードは、スイッチ2442および2444を閉鎖することによってペースメーカに接続される。論理回路2436は、それを比較的に再プログラミング可能でないシステムとする一組の固定ゲートを含んでもよく、スタンドアローンのマイクロプロセッサまたはASICに組み込まれたマイクロプロセッサの形態であってもよい。
図25に、図24のスイッチング回路2420に類似したスイッチング回路2550を示す。相違点は、信号線S1およびS2が種々のリードL1〜LNに配線で接続されずに、それらの間で多重化されている点である。この構成は、論理回路2536からの信号入力線2546および2548に連結され、かつ、その後ペースメーカに連結されている出力信号線2556および2558に連結されたマルチプレクサ回路2554によって達成される。この実施形態は、例えば、脳の上に配置された二次元パッチに多数のリードを用いる場合、または心外膜を覆って配置された多数のパッチを用いる際に、特に有用となる。多重化により、選択されたリードまたはパッチを論理回路2536およびペースメーカに活性的に連結し、一方で同時に、目下選択されていない他のリードまたはパッチから分離することによって、電力消費(漏れ電流のみならず)を低減することが可能となる。
図26に、リードL1〜LN上のペーシング電極の制御に加え、リード上に配置されたセンサ(図示せず)を制御することもできる、本発明の別のスイッチング回路2660を示す。例えばこれらのセンサは、リードのたわみを測定するひずみゲージセンサ、心室、心静脈または心臓もしくは身体の他の部分の内部の圧力を測定する圧力センサ、または2つのペーシング電極間の距離を測定するために比較的距離を置いて配置された2つのペーシング電極間の導電率を測定する導電率センサを含むことができる。スイッチング回路2660と共に用いることができる他の種類のセンサについては上に記載している。
図25の回路と同様に、スイッチング回路2660は、上述の複数のペーシング電極間で多重化する機能を果たすが種々のセンサ間で多重化する働きもするマルチプレクサ回路2676を含む。検出されたデータの収集および編集を促進し、かつ外部送信用のデータを表す信号を調整するために、アナログ・デジタル変換器2670および増幅回路2672が、論理・制御回路2636とマルチプレクサ2676との間に連結されている。アナログ・デジタル変換器2670は、線S1およびS2上の多重化されたセンサ信号を受信して、検出されたアナログ信号(例えば、温度、圧力、流速等)をデジタル値に変換する。次いで、そのデジタル値を表す信号は、外部装置への送信のために、増幅器2672によって増幅および調整される。マルチプレクサ2676の出力に位置するスイッチ2678は、ペースメーカへの信号の転送を制御し、一方で、スイッチ2674は、増幅器2672とマルチプレクサ2676との間に連結されており、これら2つの間での信号の方向を制御する。回路2660と説明済みの他のスイッチング回路との間の別の相違点は、論理・制御回路2636からデータクロック回路2662へデータを転送するための指定データ線2664、およびデータクロック回路2662から論理・制御回路へデータを転送するための指定データ線2666の提供である。クロック線2668は、入力データと出力データの両方の転送タイミングを制御する。
従って、先に説明した一方向のスイッチング回路と異なり、回路2660は、信号の双方向転送を行う二重システム、すなわち、信号がスイッチボックス2660から身体に送信され、他の信号が身体から(例えば、体内に配置されたセンサから)受信されるシステムである。スイッチング回路2660の双方向性は、適切な命令が受信され、電極/センサ回路の各々に送信されることを外部から確認することができるという追加の利点を提供する。
本発明の種々のスイッチング回路の別の利点は、それらが消費される電力の量を低減し、従って、再充電することなくより長期間機能することができる点である。具体的には、電力消費が、ペースメーカシステムによって実行されている現在の機能に必要ではない構成要素(例えば、電極回路およびセンサ回路)の動作を停止させることによって、最小限に抑えられる。使用されていない構成要素はスリープモードに置かれており、従って、電力は消費していない。上に述べたように、これを達成する1つの方法は、持続的に電荷を供給する電池を有して、種々の構成要素の漏れ電流を補うことによるものである。もう1つの方法として、ペーシングパルスからのわずかな電荷を用いてコンデンサに補充し、電池の必要性を排除するコンデンサを提供する。
本発明の以下の実施形態では、図23のスイッチング回路2302を参照する。この実施形態では、スイッチング回路は、IPGの外側に位置するアダプタ内に格納されているが、IPGのS1およびS2と電気的に並列接続されている。この実施形態では、アダプタは、IPGによって供給されるペーシングパルスの寄生物である。基本的に、電力のごく一部がペーシングパルスから取得され、図23のスイッチ回路2303に電力が供給される。この電力は、スイッチング回路の電子機器を起動するのに用いられる。これらの電子機器の唯一の目的は、特定の方法でスイッチ上の設定を保持することであるので、実際の通信による電力の消費はない。むしろ、装置を適切な設定状態に保持することが意図されている。これに関して考慮する1つの方法は、装置がペーシングパルスを確認するたびに、装置がスイッチコマンドを送出し、そのスイッチコマンドはペーシングパルス自体によって電源を供給されているというものである。
IPGインタフェース装置のこれらの追加の実施形態は、図23に示す幅広い概念に類似しているが、いくつかの主要な相違点がある。インタフェース装置のこれらの実施形態に対しては、2つの異なるアプローチがある。
第1のインタフェース装置では、スイッチング回路2302は固定されており、これによりスイッチング回路2302はプログラム可能ではなくなる。しかしながら、このインタフェース装置は、それでも、患者の体内への装置の取り付け後特定の時期に選択することができる電極の特定の組み合わせに用いることができる。リードが取り付けられて5年後の場合を例にとれば、埋め込み型スイッチング回路を有しない、専用のペースメーカが用いられている。プログラム可能なスイッチング回路を有する代わりに、スイッチング回路2302内に配線で接続されたサテライトと電極の固定された組み合わせが提供される。
このインタフェース装置構成を用いて、ペースメーカがパルスをペースするたびにスイッチコマンドが送出され、サテライトをその構成となるように再プログラムする。スイッチコマンドは、ペースメーカがパルスするたびに出現する必要はない。例えば、再プログラミングは、ペースメーカが10回パルスするごとに行われてよいであろう。あるいは、再プログラミングは、設定された数分の後に行われてもよい。他の再プログラミング手法も用いることができる。
スイッチング回路は、検索コマンドを送出する。これは、リフレッシュパルスも送出する。その結果、サテライトC1〜Cn上の電荷がリフレッシュされ、電極が適切に設定される。
このコントローラインタフェースの追加バージョンでは、装置は、ペースメーカの取り替えの間にプログラム可能である。一例は、患者に新たなIPGまたはICDが装着されているときのスイッチング回路であろう。スイッチング回路は、サテライトと電極の特定の組み合わせを起動するようにプログラムされる。プログラマがオフになると、設定がスイッチング回路2302に焼き付けられる。装置は、そのリフレッシュ・書き換え能力を継続して働かせる。
これらの構成の利点は、装置の簡素さにある。例えば、スイッチング回路2302は、電池を有する必要がない。スイッチング回路2302は、貯蔵コンデンサを有することができる。図24にデータクロック回復を示すコイル、およびDC電力回復を示す。
図27に、この構成の別のバージョンを示す。ペーシングはS2に入来し、変圧器を有するコイルを通過し、次いで極性が反対の、一連のコンデンサおよびダイオードを通過する。これによってV−highおよびV−lowが生成される。これは、この構成が保護され、かつ用いられているIC工程に対する降伏電圧を越えないことを保証するよう設計する必要がある。
次いで、これは、スイッチ回路に電源を投入する。この出力は、スイッチコマンドをS2内に連結するコンデンサに通す。結果として、ペーシングパルスが通過するたびに、ペーシングパルスによってシステムが充電されることになる。同時に、例えばペーシングパルスの終盤に、スイッチコマンドをS2上に送出する簡単な論理単位が実行される。
追加の手法は、高レベルおよび低レベルとなる双極性リフレッシュコマンドを送信する手法である。この手法の目的は、リード上のトランジスタに逆バイアスをかけ、それらがオンとされたときに、それらにより高いコンダクタンスを付与することである。場合によっては、この回路は、それらの信号も生成する。
(フォールトトレラント動作)
現在のペースメーカ技術は、ヒトの心臓の血管および心室内に植え込まれたリードを有する。これらの装置のうちの1つに故障が生じた場合、装置の除去は、外傷性となるおそれがある。長期の植え込み後、リードが身体に付着し、リードを手術によって除去する場合、外傷のリスクが著しい。
現在のペースメーカ技術は、ヒトの心臓の血管および心室内に植え込まれたリードを有する。これらの装置のうちの1つに故障が生じた場合、装置の除去は、外傷性となるおそれがある。長期の植え込み後、リードが身体に付着し、リードを手術によって除去する場合、外傷のリスクが著しい。
ペースメーカ装置の一部が故障した場合に、もし患者が医療を受けなければ、患者が医療を受けることができるまで、患者の心臓は危険にさらされる。ひとたび患者が手術施設に入れば、リードを除去して交換することができる。しかしながら、上に述べたように、植え込まれたリードの除去は、外傷を生じさせるおそれがある。また、植え込まれたリードを除去する工程は、一般に、かなりの時間および費用を要する。
従って、植え込み型装置における装置故障に対処し、かつ植え込み型装置の一部を除去する必要のないシステムを提供することは望ましいであろう。
本発明は、植え込み型装置を除去する必要なく植え込み型装置の故障に対処するためのシステムおよび方法を提供する。処理装置は、装置内のリードの動作を検知することによって、植え込み型装置内の故障を検出することができる。故障が検出された後、異なるリードに切り替え、リードの異なる部分を有効とするか、またはリードの故障部分を隔離することによって、回復または限定的回復を達成することができる。いくつかの実施形態では、故障回復が実行された後、装置の機能が保持される。機能を損なうことなく装置の故障部分を無効とすることができるように、植え込み型装置内には冗長性が備えられている。
医師が故障を検出して修復するためにシステムを医師の直接的ケアの下に置く必要がないため、本発明は、患者に対する外傷のリスクを著しく低減する。その結果、患者の健康が維持され、患者がさらに追跡治療を受けるために医療施設に出向く時間のリスクが低減される。本発明は、植え込み型装置の除去に対して、費用をより少なくし、外傷性のより低い代替手段を提供する。
本発明の回復可能なペースメーカシステムのうちのいくつかの種類は、多数の植え込みリードを有する。本発明のいくつかの実施形態によれば、ペースメーカのような制御装置を、多数の電極を有するリードに連結することができる。一部のペースメーカでは、電極の各々がプログラミング電極である。
図28に、3本のリード2805〜2807を有する植え込み型装置2800に接続されたペースメーカ缶2810を示す。リードの各々が、2つ以上の素子間での電気的接続(例えばワイヤ)を備える。図の拡大部分に示すように、リード2805および2806は、多数の電極2801〜2803に連結されている。中央の電極2802は、故障を含んでいる。電極2802の故障は、短絡を有する故障電極として示されている。缶2810に対し近位の電極2801は、スイッチ2815を有する。缶2810に対し遠位の電極2803は、スイッチ2816を有する。スイッチ2815および2816を開放し、電極2802の短絡部分を隔離することができる。
以下にさらに説明するように、ダイオード2811および2812は、予備リード2807と共に、開放部分もしくは短絡部分、または隔離部分(例えば電極2802)の回復に用いることができる追加の経路となる。
図29Aに、多数のサテライトに連結された2本のリードを有する植え込み型医療装置を示す。サテライトの各々が、4つの電極に連結されている。図29A左の缶2900は、S1リード2901およびS2リード2902を駆動する。リード2901〜2902に沿って分散しているのは、サテライトS1 2911、サテライトS2 2912、サテライトS3 2913、およびサテライトS4 2914であり、それらの各々がペーシング電極E1、E2、E3、およびE4を有する。
制御および電力の通常の流れは、缶2900からリード2901を通ってサテライトの各々(例えばサテライト2911〜2914)に流れ、リード2902上に戻って缶2900に帰還するかたちとなる。代替的実施形態によれば、図29Aに示す2本のリードの代わりに、1本のリードが植え込み型医療装置内に用いられる。この実施形態を図29Bに示す。図29Bでは、1本のリード2950が電力および制御を種々のサテライト2951〜2954に搬出する。帰還経路は、電極E1、E2、E3、またはE4を経由し、身体の導電性流体を通って、ペースメーカの缶2960、または帰還経路として備えられた電極2961へと提供される。
図29A〜図29Bに示すリードシステムのようなリードシステム上には、多数の故障が起こり得る。図30に、リード3001が開放故障を有する開路3005を示す。図30に、サテライトのうちの1つに生じた開路3004も示す。短絡3003は、リード3001と3002との間の直接短絡である。短絡3003は、装置内のサテライトのうちの1つにおける短絡回路である。部分的な故障も起こり得る。一例として、完全短絡となる途中、リードが徐々に故障するか、または導電性が徐々に大きくなり、最終的に短絡を生成する可能性がある。本願の残りの部分では開路および短絡を参照するが、本発明の手法によれば、同じ方法で、他の種類の故障も検出および対処することができる。
植え込み型医療装置は、予備ワイヤを含むことが多い。予備ワイヤは、装置に剛性を加えるために備えられる、一部の装置の構造上の特徴である。先行技術の装置では、予備ワイヤは、装置に剛性および力学的性質を付与する以上の機能は有しない。本発明の実施形態によれば、導電性材料で製造された予備ワイヤは、植え込み型装置内で故障回復を行うのを支援することができる。
予備ワイヤの一例は、図31に示す本発明の一実施形態により、故障回復を行うために用いられる。
図31に、予備ワイヤ3101を有する植え込み型装置を示す。図31では、電流は、ペースメーカ缶3100から、S1リード3102を通り、サテライト(例えばサテライト3104)を経由してS2リード3103上に戻り、缶3100に帰還する。図31に、開路3106のラベルが付けられた、リード3102内に生成された開路を示す。
図31に、予備ワイヤ3101を有する植え込み型装置を示す。図31では、電流は、ペースメーカ缶3100から、S1リード3102を通り、サテライト(例えばサテライト3104)を経由してS2リード3103上に戻り、缶3100に帰還する。図31に、開路3106のラベルが付けられた、リード3102内に生成された開路を示す。
開路3106は、先に、リード3102を通り、サテライト3104を経由してリード3103上に戻った電力および制御用の経路を事実上破壊する。図31では、予備リード3101は、スイッチ3107によってリード3102に、スイッチ3108によってリード3103に接続される。予備リード3101はまた、リード3102および3103の遠位端に位置するダイオード3109を通じてリード3102に、またダイオード3110を通じてリード3103に接続されている。ダイオード3109〜3110は、それらが、予備リード3101からダイオード3109およびサテライト3104〜3105を通ってリード3103上に戻るかたちで制御用電流または電力用電流を流すように配向されている。
あるいは、ダイオード3109〜3110は、電力がリード3103からダイオード3110、予備リード3101、およびスイッチ3108を通り、リード3103および缶3100に戻ることを可能にする。ダイオード3109〜3110は、電流が意図しない経路に流入するのを防止する。ダイオード3109〜3110は、ショットキダイオードによってもたらされる低電圧降下が得られるように、ショットキダイオードとして示されている。低電圧降下によって、冗長機構として予備経路3101を用いるシステム上への影響が最小限に抑えられる。
缶3100は、植え込み型装置内のリードもしくはサテライトのいずれかに関する、開路、短絡回路のような故障、または中間故障を検出することができる処理装置(例えば、制御装置)を含む。缶3100は、それがもはや開路3106の下流のサテライト(例えばサテライト3104)と通信することができないと認識すると、スイッチ3107を閉鎖させる信号をスイッチ3107に送信する。次いで、缶3100は、開路3106の下流のサテライトと再度通信を試みる。スイッチ3107が閉じた後、予備リード3101に沿いダイオード3109を経由して信号を送信することにより、缶3100と開路3106の下流のサテライトとの間の通信が無事回復する。このようにして、予備リード3101は、他のリード内またはサテライト内の故障を迂回するための冗長性を装置に提供する。
リード3103内に開路が形成された場合、スイッチ3107を閉鎖することでは該開路の下流のサテライトとの通信は回復しない。しかしながら、缶3100は、スイッチ3108を閉鎖して、リード3103上の開路によって失われた通信を回復することができる。スイッチ3108が閉鎖された後、リード3103上の開路の下流のサテライトは、ダイオード3110、予備リード3101、およびスイッチ3108を通ってリード3103に戻る経路に沿って、缶3100に信号を送信することができる。スイッチ3107および3108、ダイオード3109および3110、ならびに予備リード3101を備えることによって、リード3102または3103内の故障から植え込み型装置が回復することが可能となる。
図31は、リード3102または3103内の故障から回復するために予備リード3101に切り替えるための機構を実証している。
図32に、本発明の別の実施形態による、故障を含むサテライトのうちの1つの内部にある回路の一部を隔離するための機構を示す。図32では、サテライトS6 3201およびその導電電極E1〜E4は、処理または機能の要素を表す。
サテライト3201は、図32においてペーシング電極を有するペーシングサテライトとして示されている。しかしながら、サテライト3201は、代替的に、別の機能を実行することができる。例えば、サテライト3201は、温度センサ、圧力トランスデューサ、または他の種類の測定装置のような、センサ機能を実行することができる。ペーシングリードにおけるサテライトの使用は例示の目的のみで本明細書に示しかつ説明されており、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
追加の回路を、サテライト3201と併せて図32に示す。追加の回路は、論理3204と、接合点3207および3208でのリード3202およびリード3203への論理3204の接続と、ダイオード3205およびコンデンサ3206のような局所電源または電力貯蔵装置とを含む。追加の回路は、スイッチ3209〜3210も含む。
図32中の論理3204は、リード3202および3203が電力を供給する際に電力を供給される。論理3204は、任意の好都合なプロトコルを用いて缶(図示せず)と通信することができる。缶の制御下で(または、潜在的に、自律的に動作する論理3204の制御下で)リード3202および3203を通じて供給される電力からサテライト3201を隔離し、スイッチ3209および3210を開放することができる。スイッチ3209および3210を開放することにより、故障したサテライト3201をシステムが隔離し、システム上への電気負荷を低減することが可能となる。
スイッチ3209および3210は、サテライト3201によって実行される現在必要ではない機能を隔離することによって、システムが潜在的に電力消費を低減することも可能にする。圧力トランスデューサは、通常ごくまれにしか必要とされない機能の一例である。図32に示すスイッチング機構は、まれにしか使用されない機能を、その使用が必要な時にのみ有効にすることを可能にする。論理3204は、缶の制御下のシステムが、スイッチ(スイッチ3209〜3210のような)を開放することによって故障した要素を隔離するか、またはスイッチを開放することによってそれらの要素をそれらが必要ではないときに隔離することにより電力を低減することを可能にする。
図32に、サテライトのうちの1つの内部にある機能を隔離する機構を示す。図33に、本発明のさらに別の実施形態による、故障回復を行うために1要素の2つの端部間の電気的接続を断つことができる植え込み型装置を示す。電気的接続を断つことにより、破壊部の下流のリードの部分が効果的に隔離される。
図33に示すシステムは、2本のリードにわたる短絡回路または開路のような重大な故障がある状況において有用性を有する。リード内の接続を開放することができることにより、故障をシステムの他の部分から隔離することが可能となる。図33の実施形態は、リード3102および3103に連結されたスイッチ3308〜3309を含む。
図33では、リード3102および3103はそれらの中に電気的な破壊部(例えば、開路故障によって引き起こされるか、または意図的に生成された)を有する。これらの破壊部は、図33では、破壊部3303および3304として特定されている。論理素子3305は破壊部3303および3304の両側でリード3102および3103に接続されている。論理素子3305とリード3102および3103との間の接続を、図33に接合点J6、J8、J10およびJ12として示す。スイッチ3308および3309は、論理3305によって制御される。缶が論理回路3305を制御するため、スイッチ3308および3309は、間接的に缶の制御下にある。
論理3305は、スイッチ3308を閉鎖し、破壊部3303を迂回する電気的接続を接合点J6とJ8との間にもたらすことができる。論理3305は、スイッチ3309を閉鎖し、破壊部3304を迂回する電気的接続を接合点J10とJ12との間にもたらすことができる。このようにして、スイッチ3308および3309を閉鎖し、それぞれ、破壊部3303および3304を越えて導電することができる。
論理素子3305用の電力は、リード3102の近位端もしくは遠位端またはリード3103の近位端もしくは遠位端から取得することができる。ダイオード3306および3307は、接合点J6およびJ8から電力を伝えることができ、接合点J6およびJ8のうちのいずれかは、コンデンサ3310および論理3305に電力を供給することができる。ダイオード3311および3312は、電力を伝えるか、またはリード3103上の接合点J10およびJ12における、コンデンサ3310および論理3305からの電力の帰還路を提供する。
コンデンサ3310は、論理素子3305に貯蔵エネルギーを供給する。ダイオード3306および3307は、リード3102の遠位端または近位端から論理素子3305へ電力が到達することを可能にする。スイッチ3308が開放されており、かつリード3102の破壊部3303に破壊が存在する場合、電力は機能J6とJ8との間には流れない。
リード3102の近位端(図上のJ6の左)における開路のために電力が缶から接合点J6に供給されない場合、電力を、電流路に沿い、図31に示す予備リード3101、ショットキダイオード3109、接合点J8、ダイオード3307を経由して論理3305へ、さらに最終的にはコンデンサ3310へと導くことができる。接合点J10の近位端(図上のJ10の左)のリード3103に破壊部がある場合、コンデンサ3310から、ダイオード3312、接合点J12、ショットキダイオード3110、および予備リード3101を経由して、帰還路を提供することができる。予備リード3101ならびにダイオード3109および3110は、リード3102またはリード3103における故障の存在にもかかわらず、論理3305が機能することを可能にする冗長経路となる。リード3103は、リード3103の遠位端に位置する第2のダイオード3110を通じて、予備リード3101によって連絡される。
本願における前の図面では、リードに沿ってサテライトに電力を供給し、リード内に生じた故障を迂回するための隔離された機能を示した。図34に、植え込み型装置の1つの部分で実行されるこれらの2つの機能の組み合わせたものを示す。図34の例では、リード3102〜3103は、破壊部3303および3304を有する。接合点J6およびJ8はリード3102の破壊部3303を挟み、接合点J10およびJ12はリード3103の破壊部3304を挟んでいる。追加の素子、サテライト3401は、スイッチ3402および3403を通じてリード3102の遠位端または近位端から電力を受け取る。スイッチ3402は、接続点2で接合点J6に連結されており、スイッチ3403は、接続点4で接合点J8に連結されている。電力の戻りは、スイッチ3404および3405を経由し、リード3103の遠位端または近位端に沿って行われる。スイッチ3404は、接続点6で接合点J10に連結されており、スイッチ3405は、接続点8で接合点J12に連結されている。スイッチ3402〜3405は、論理3305の局所制御下にあり、かつペーシング缶または他の処理装置の間接的制御下にある。
論理3305およびサテライト3401の機能は図34では別個のブロックとして示されているが、それらは、様々な方式で実装することができる。それらは、例えば単一の集積回路として、単一の半導体内に統合してもよい。あるいは、論理3305およびサテライト3401によって実行される機能を別個のチップに組み込み、缶内のポケットに個々に搭載してもよく、リードに沿ったある位置に搭載してもよい。種々様々な他の実施形態も可能である。
リード3102および3103における破壊部(破壊3303および3304など)の生成は、システムの機械的設計に弱点を生成する潜在性を有する。リードが破壊され、次いで本発明の迂回機構のうちの1つによって橋渡しされた場合、通常はリードを通じて伝達される機械力が、代わりに、破壊点において、缶に、次いで機能を実行するサテライトに移転される。
図35および図36に、本発明のさらに別の実施形態による、導電性リードに破壊部(破壊部3303および3304のような)を生成する2つの実施形態を示す。図35に、強度を付与する非導電性コア3501、およびコア3501に巻き付けられたコイル状ワイヤ3502を有するリードを示す。ワイヤ3502の小さい部分をいくつか切断することにより、そのワイヤに開口部/電気的破壊部が生成される。ワイヤ3502の切断が行われた後、内部のコア3501は損なわれないままで、リードに強度を付与し続け、その一方で、ワイヤ3502の切断部における導電性は破壊されている。ワイヤ3502の切断部は、破壊部3303および3304を形成し得る方法の例である。ワイヤ3502との接続は、切断部のいずれの側でも行うことができる。例えば、接続は、前図に示す接合点で行うことができる。
図36に、リードがその物理的強度を保持することを可能にする、導電性リードに電気的破壊部を生成する別の手段を示す。図36に示す同軸導体では、該導体の中心の強度は、非導電性コア3601によって付与される。コア3601は、導電性シース3602によって取り囲まれている。導電性シース3602は、切断して導体内に電気的破壊部を形成することができるが、コア3601は、損なわれないままの状態を保つ。
住宅建築に用いられるパイプカッタに類似した道具を用いて、シース3602内に切断部を生成することができる。この道具は、同軸コア3601とシース3602を組み合わせたものの周りをしっかりと締め付けることができる。切断要素は、導電性シース3602上にしっかりと締め付けることができる。この道具が導電性シース3602の周りで回転する際に、この道具が導電性シース3602に切断部を生成する。この道具は、内部のコア3601を損傷することなく切断部が電気的接続を完全に断つことができるように調整可能である。
先の論述では、導電性パスの橋渡しをするかまたは導電性パスを開放するために用いることができる機構に加えて、スイッチング素子およびサテライトの機械的能力および電気的能力を主題としてきた。ここで、故障に対する回復戦略を詳細に述べる。システムが当初電源を投入される際に、システムが故障を含んでいるか否かが分からない。本発明のさらに別の実施形態によれば、装置の部分に徐々に電力を追加する機構が用いられる。装置が適切に作動している場合、電源投入シーケンスに対する妨害はないことになる。装置内のすべての要素が電力を有し、装置が完全に機能している状態となるまで、装置内の要素に次々に電源が投入される。装置のさらに遠位の部分まで電力が漸進的に印加されるにつれて、電流の増加または装置の他の要素との通信不能が検出されるなど、最終的に故障が明らかになるかもしれない。
本発明は、電源投入と故障回復の両方に対する基本的機構を含む。電源投入時、装置内の各要素に順次電源が投入される。最終的に、装置は完全に作動状態となる。この同じ動作が、故障後も続けられる。本発明によれば、故障が検出されると、閉鎖されていた最後のスイッチが故障前の最後のスイッチとなり、その最後のスイッチを開放して故障を隔離することができる。
図37に、本発明の一実施形態による、リードの近位端から遠位端まで徐々に電流を印加して故障を検出することができる方法を示す。図37では、缶3700は、サテライト3701〜3703に電源投入シーケンスを加えるプロセッサを含む。サテライト3703は故障を含んでいる。サテライト3701内のスイッチ3704が最初に閉鎖され、接合点J6からJ8までの橋渡しが行われ、電力がスイッチ3705に到達することが可能となる。サテライト3702内のスイッチ3705が開放されているときには、缶3700は故障を検出せず、システムは適切に機能し続ける。スイッチ3705を閉鎖すると、電力が故障したサテライト3703に到達することが可能となる。この時点で、サテライト3703内のエラーによって、電流消費の大幅かつ不測の増加が引き起こされる。缶3700が電流消費の増加を検出すると、缶3700は、サテライト3703における故障を隔離し、サテライト3701〜3702が正常に動作させるために、スイッチ3705を開放させる。
同様の方法で、ひとたび故障が検出されるか、またはリードの一部分が隔離されていれば、図31に示す予備リードを用いて、隔離されたサテライトにアクセスすることができる。本装置は、予備リードを通り、サテライトおよびリードの最遠位端上の他の要素に到達する経路を有する。電力が最初にリードに印加されて缶を始動させると、システムは、缶が故障を明らかにするまで、予備リードを通り、主リードの遠位端から主リードの近位端に向けて移動しながら電力を印加することができる。予備リードを用いた検出機構および一度に1つのサテライトを追加する能力は、缶から主リードを通って外方に移動する、前述の工程に類似している。
図38に、本発明のさらに別の実施形態による、故障から回復するための別の手法を示す。上の論述では、図38に示す経路2および経路4を対象として取り上げた。経路6は、追加の回復機構である。経路2では、制御は、経路2をたどり、リード3801からサテライト3803を通ってリード3802上に戻る。前図に関して上に論じたように、追加の回復経路4は予備リード3810を用いる。回復経路4は、リード3801からサテライト3805を通り、ダイオード3807を経由して予備リード3810上に戻る。
図38に示す第3の経路6は、リード3802上にサテライト3804の近位と遠位の両方の開路3811および3812が存在していても、サテライト3804が機能することを可能にする。この故障機構では、リード3802沿いにも予備リード3810沿いにも帰還路は存在しない。この状況では、サテライト3804は、リード3801のみを用いる1ワイヤ動作に戻ることができ、一方、サテライト3803および3805を含むシステムの他の部分は、通常の2ワイヤモードで動作を続行する。
(過電圧・過電流保護)
心臓用装置の場合、除細動治療に必要となることがある内部高電圧ショックまたは外部高電圧ショックの場合における患者に対する傷害電流による不慮の組織損傷を回避するために、過電流保護は、回路における重要な構成要素である。過電圧の影響からの保護も、装置の利点を保持するにあたって有用となろう。しかしながら、現在利用可能な過電流および/または過電圧保護戦略は、高度に小型化された医療装置には適切ではない。
心臓用装置の場合、除細動治療に必要となることがある内部高電圧ショックまたは外部高電圧ショックの場合における患者に対する傷害電流による不慮の組織損傷を回避するために、過電流保護は、回路における重要な構成要素である。過電圧の影響からの保護も、装置の利点を保持するにあたって有用となろう。しかしながら、現在利用可能な過電流および/または過電圧保護戦略は、高度に小型化された医療装置には適切ではない。
離散型高電圧MOSデバイス(discrete high voltage MOS
device)、過渡電圧抑制器、ツェナーダイオードを用い、高度に小型化された装置内で過電圧保護を行う努力がなされてきた。しかしながら、このアプローチでは、保護回路がチップの外部にある必要があり、製造の困難性および不確実性を増大させ、また装置のサイズが相当に大きい必要がある。
device)、過渡電圧抑制器、ツェナーダイオードを用い、高度に小型化された装置内で過電圧保護を行う努力がなされてきた。しかしながら、このアプローチでは、保護回路がチップの外部にある必要があり、製造の困難性および不確実性を増大させ、また装置のサイズが相当に大きい必要がある。
本発明は、不慮の組織損傷を回避するための回路における過電流保護と、傷害電流による患者に対する組織損傷を回避するための高度に小型化された医療装置における回路の過電圧保護の両方を行う回路構成に対する戦略を提供する。本発明は、以下に説明する、本発明者らの一部が先に説明したもののような、S1ワイヤおよびS2ワイヤに鎖状に接続されたサテライトがある場合に特に適している。
本発明は、組織を保護するための過電流に対する保護、および高度に小型化された医療装置内の回路を保護するための過電圧保護を行う保護回路戦略を提供する。本発明による保護回路は、本発明者らの一部によって開発された、ペーシング信号と検出信号の多重化という新しく新規な概念に特に適している。植え込み型回路の新たな構成が、回路に接続された電極間の介在組織に対する障害電流による損傷、および過電圧による装置回路の損傷もしくは破壊を制限または排除しながら、厳密な小型化要件を満たすのに必要である。
潜在的な障害電流の課題は、除細動、および除細動のような重大な臨床上の目的を達成するために必要な他の高電圧治療によって提示される。装置が接触している組織、特に電極のような的を絞った接触点に障害電流が到達すると、臨床上の切除目的で用いられるものに類似した、障害電流に起因する大電流サージおよびその結果としての熱サージが発生することになる。しかしながら、障害電流による不慮の健常組織「切除」型損傷の場合には、重大な組織の損傷および破壊が生じるおそれがある。これは、特に、その手技によって健康をさらに損ねる可能性がある、心臓に障害のある患者には、よい臨床プラクティスではない。
図39に示すように、サテライトが鎖状にS1ワイヤおよびS2ワイヤに接続された実施形態の本発明による保護回路について説明する。サテライト1およびサテライト2が備えられている。各サテライトは、2つのダイオードを通じてワイヤS1およびS2に接続されている。
サテライト1は、ダイオードD1およびダイオードD2を通して接続されている。同様に、サテライト2は、ダイオードD3およびダイオードD4を通して接続されている。サテライトをワイヤS1およびS2に接続しているダイオードの内側にある各サテライトをまたいで、ツェナーダイオードがある。サテライト1は、それをまたぐツェナーダイオードZ1を有する。ツェナーダイオードZ1は、ダイオードD1およびD2の内側にある。サテライト2は、それをまたぐツェナーダイオードZ2を有する。ツェナーダイオードZ2は、サテライトとダイオードD3およびD4の間にある。
サテライト1および2の各々は、それらから出ている4つの電極、e1、e2、e3、およびe4を有する。これらの電極は、内部でS1またはS2に接続されるように構成することができる。
本発明による保護機構は、1つのサテライト上の電極e1、e2、e3、またはe4のいずれかに第2のサテライトの電極上のそれと比較して高い電圧があった場合、各サテライト上の回路を過電圧から保護しながら、1つのサテライト上の電極から他方のサテライト上の電極へ電流が移動するのを確実に防止し、障害電流を回避する。例えば、サテライト2上の電極0に高電圧事象が発生した場合、サテライト2上の電極0から別のサテライト上のある電極に流れる電流は防御する必要がある。ここで示す本発明の実施形態に構成されたダイオードD1、D2、D3、およびD4、ならびにツェナーダイオードZ1およびZ2は、そのような保護を行う。サテライト間の電流は抑制されており、同時に、サテライトの電圧不平衡は安全範囲内に制限されている。
例えば、サテライト1上で、電極3がワイヤS1に接続され、電極3がサテライト2と比較して高い電圧事象に遭遇する場合がある。この事象により、ダイオードD2に順方向バイアスがかかることになる。その結果、電流は、ダイオードD2を通って流れ、逆バイアスがかかるダイオードD4に到達する。そこで、電流は、漏れレベルまでクランプされる。このようにして、サテライト1上にサテライト2と比較して高い電圧があった場合、障害電流がE3を通って流れるのが停止される。別の例では、サテライト2上で電極0がS2に接続されている場合がある。サテライト2上にサテライト1と比較して高い電圧があった場合、電流は、E0を通ってダイオードD3に到達する。ダイオードD3には逆バイアスがかかるので、漏れ電流のみがダイオードD3を通って流れることになる。引き続き、高電圧は、ツェナーダイオードZ2を経由して電流を流し、Z2を経由した後D4に至らせる。電流は、D4を通って流れ、その後D2に到達する。D2には逆バイアスがかかるので、電流は流れず、回路は閉鎖されない。従って、過剰な電流による潜在的損傷が回避される。
上の図39に類似した図40に示すように、サテライトが鎖状にS1ワイヤおよびS2ワイヤに接続された実施形態の本発明による過電圧保護回路について説明する。図40は、検出能力を提供する実施形態の略図である。
サテライト1およびサテライト2が備えられている。各サテライトは、2つのダイオードを通じてワイヤS1およびS2に接続されている。この場合、レジスタR1、R2、R3、R4の追加によって、図39に示す実施形態を越える追加の検出能力がもたらされる。レジスタR1、R2、R3、R4は、約20k〜約100k、好ましくは約30k〜約70k、最も好ましくは約50kとすることができる。
本発明の保護回路を組み込んだ装置の目的は、例えば上に述べたような、植え込み型の小型集積回路用高電圧保護回路に対して意図されている。この回路は、最初に、特定の電極において高電圧事象を検出する。電極は、その電圧が他の電極に流れ、それにより過電流から障害電流を生成されるのを防止することによって応答する。
図41A〜図41Cは、図46に示す例の略図である。図42は、図41Aから図41Cに見られる除細動モジュールの図である。図43〜図47には、この目的が達成される機構を示す図を提供している。ここで図43を参照すると、所与の電極e0が、ペーシングのために、スイッチ4301を通じて、ペーシング用または検出用の線S2に接続されている。電極e0は、線S1に対して、線S2を用いてペースされる。この構成では、スイッチ4301は、電極e0をS2に接続するために閉鎖されている。これが電荷をS2に注入し、S2は、電極e0およびスイッチ4301を経由して、線S1に放電する。図44に示すように、もし、このシステム内で、電極e0上に高電圧事象、例えば除細動ショックがあり、サージを約+/−60Vとすれば、その電流は、低電圧電極e31に向かって流れることになる。この事象は、関与するいずれかの電極と接触するどのような組織に対しても、潜在的に損傷を与える。
図45に、そこでの高電圧事象の発生を検出する方法を表した図を示す。高電圧事象検出器は、ツェナーダイオードを用いて実装されている。この検出器は、背中合わせの構成で互いに接続されたツェナーダイオード4501および4503である。これは、レジスタ−電圧デバイダを通じて送られ、次いで、この場合はS1である参照へ行く。例えば、60ボルトのサージのような高電圧の発生を考えよう。S1は、60ボルトよりかなり低い低電圧にある。結果として、電流はS1に向かって流れる。しかしながら、降伏電圧を有する本発明の介在ツェナーダイオードが備えられている。
第1のツェナーダイオード4501は、順方向にバイアスがかかる。この結果は、ツェナーダイオード4501が順方向バイアス構成で接続されていることに起因するものであり、ツェナーダイオード4501は、導電を開始する。次に、ツェナーダイオード4503は、ノードAがその降伏限界に達するまで導電しない。
例えば、ツェナーダイオードの降伏限界は6ボルトであり、従って、このツェナーダイオードの両端に6ボルトがかかれば、それは降伏する。その結果、ツェナーダイオードに電流が流れてしまう。電流はツェナーダイオードを通り、次に2つのレジスタR1およびR2を通って流れる。これらの2つのレジスタは、抵抗電圧デバイダとして機能する。R1は、R2に対する比として設定されている。V0は、R2を、R1とR2をプラスした値で除し、これに電極にかかっている電圧を乗じたものに比例する。このようにして、大きい電圧がより小さい電圧に縮小される。
同時に、本発明による回路は、低電圧事象または高電圧事象があるか否かを検出するよう機能する。実際にはこのツェナーダイオードによって検出される高電圧の不存在下では、例えば、もしパルスが10ボルトにあれば、このダイオードは降伏しない。その結果、その電圧レベルは、通常の電圧事象として検出される。ペーシングパルスは、そのような電圧レベルの典型的な例となる。高電圧検出は、効力を生じない。
図46に示すように、高電圧事象の存在下では、本発明による回路は、この状態を検出する。この検出は、スイッチMN1を制御するために用いられる。高電圧事象の検出は、2つのツェナーダイオードおよび2つのレジスタを用いて達成される。図示されているのは、電極およびCMOSスイッチとすることができるスイッチである。電流は、CMOS素子であるトランジスタを通って流れる。この流れは、この場合もまたCMOSスイッチとすることができる別のスイッチによって処理される。その結果、電極e0上に高電圧事象が発生すると、Voutが高くなる。これがMN2をオンとする。MN2がオンとなると、それは、電位S1によってMN1のゲートを駆動する。基本的に、MN2はMN1をオフとし、それにより電流がe0から、さらには他のどこかから流れるのを防止する。電極e0は、開路によって回路から隔離される。
本発明による回路のこの実施形態の目的は、通常動作モードにある当該のスイッチMN1の状態を制御することができることである。すなわち、e0上に高電圧事象がない場合、論理回路がMN1の状態を判断する。例えば、上述の回路は、スイッチの状態を、オンまたはオフとなるように制御することができる。高電圧事象が発生した場合にのみ、MN2が影響を受けることになる。
MN2は、論理がどのスイッチ状態を望むかとは関係なく、スイッチをオフとする。それを達成するために、論理信号が、バッファを経由して中継される。この場合、バッファ4601は、MN1のゲートに接続されている。この装置は、MN2が強とされるように構成されている。バッファ4601は、弱となるように構成されている。その結果、この例では、バッファ4601がゲートをオンとしようとする際には、バッファ4601は、ゲートを強制的に例えば論理高とする。これは、4ボルトの範囲内とすることができる。高電圧事象が検出されてスイッチMN2がオンとなると、スイッチMN2は、ゲートを強制的に論理低、一例を挙げれば約0.5ボルトとする。
MN2は弱いバッファ4601よりはるかに強いので、MN2がオンとなると、それはさらに、バッファの出力状態を、強制的に1からレベル低とする。事象が去り、MN2がバッファをオフとすると、ゲートを再びオンとすることができる。
上に、この動作の背景にある基本原理を示したシステムについて説明しているが、他の多くのものが本発明の教示内で利用可能である。MN1がPMOSスイッチからなる場合、同じ構成を用いることができる。MN1がPMOSスイッチとなった場合、MN2上のドレインにインバータ段が別に追加される。次いで、MN2は、そのインバータ段を経由してゲートを駆動する。
図47Aに、上述の本発明の集積回路を採用した実際の用途における、上の構成の具体例を示す。この例では、集積回路チップは、e0、e1、e2、およびe3として示す4つの電極が所与のサテライト上に備えられている。この例における検出回路は、スイッチMN1が当初オンモードにある場合に用いられる。これは、電極e0が線S1に接続されているときに生じる。実際には、検出回路を横断して短絡回路が生成される。検出回路の片側は、レジスタの下側、S1に接続されている。スイッチMN1を経由して電極e0に接続された側も、S1に接続されている。
この検出回路の両側に電圧事象があった場合、検出回路の両側は同じ電位にあり、電圧事象を検出しないことになる。この影響を回避するために、e0、e1、e2、およびe3からなる多電極リードを検討されたい。図47Bに、心臓組織と接触しているe0およびe3を示す。電極e1およびe2は心臓組織に接触していない。e0を用いているときは、e2となる反対側の電極はオフである必要がある。それに備えるために、e2にはスイッチMN3(図示せず)が備えられている。MN3は、S1に行くスイッチを有する。このスイッチは、確実にオフモードである必要がある。
電極e2もそれに取り付けられた検出回路を有し、検出電極e2となっている。検出回路2は、e0の検出回路3とは異なる。e0の両端が検出回路1と同じ電位に短絡されていないからである。制御e0は、検出回路として機能することができる。その結果、たとえ短絡があっても、e2はそれによる影響を受けない。e2は心臓組織と対向しており、心臓に接触していないため、オフとして、高電圧検出器として用いることができる。
同一の手法を、e3対e1に適用することができる。各1つがどこに接続されているかを判断し、対向するもの同士を作ることが可能である。この手法は、どのような構成にも展開することができる。例えば、対向せずに隣接する電極を用いてもよく、使用されていない電極を検出用に用いてもよい。これは、業務を中断することのないフェイルセーフ手法を提供する。
図39と併せて上に述べたように、ダイオードは、除細動中にサテライトおよび2本のバスワイヤが低インピーダンス回路を形成するのを防止するために用いることができる。低インピーダンス回路は、電極の周りに高電流密度をもたらし、組織を損傷するおそれがある。しかしながら、ダイオードは、順方向バイアスをかけられたときに、0.7ボルトの電圧降下をさらに誘起し、それによってサテライトへの電力供給の効率が低下する。本発明の一実施形態は、この追加の電圧を低減するために、トランジスタをベースとする限流回路を用いている。
図48は、一実施形態による、サテライトおよび組織を過電流から保護するためにトランジスタをベースとする限流回路を用いる構成を示したブロック図である。ダイオードを用いずに、この構成では、高電圧電源となると推定される過度の電流がサテライトからS2ワイヤに流れるのを防止し、かつ過度の電流がS1ワイヤからサテライトに流れるのを防止するために、回路4802のようなトランジスタをベースとする限流回路を用いている。
限流回路4802は、2つのポート、AおよびBを有する。一実施形態によれば、限流回路4802は、最小の電圧降下で電流がポートAからポートBに流れることを可能にするが、過度の電流がポートBからポートAに流れるのを防止し、それによりサテライトを過電流から防御し、またいずれかの電極で高電流密度が形成されるのも防止する。
図49は、一実施形態による、単方向限流回路を示した略回路図である。この回路は、空乏型NMOSトランジスタ4902と、レジスタ4904とを含む。NMOSトランジスタ4902のソースは、レジスタ4904の片側に連結され、NMOSトランジスタ4902のゲートは、レジスタ4904の反対側に連結されている。電流がポートAからポートBに流れる際に、レジスタ4904は、NMOSトランジスタ4902のゲートとソースとの間に電圧降下を誘起する。この正のVGSによってNMOSトランジスタ4902がオンを維持することが可能となり、電流がソースからドレインに流れることが可能となる。
電流がポートBからポートAに流れている際に、レジスタ4904の両端間の電圧降下により、負のゲート対ソース電圧が生成される可能性がある。すなわち、VGS<0。この負のゲート対ソース電圧は、十分な場合、空乏型NMOSトランジスタ4902内の導電チャネルをピンチオフし、さらなる電流がポートBからポートAに流れるのを妨げる。ピンチオフ閾値電流は、NMOSトランジスタ4902の設計およびレジスタ4904の抵抗に基づいて決定される。例えば、選択されたパラメータの適切な組み合わせにより、約50mAの閾値逆電流を生成することができる。
図49に示す限流回路は、一方向の過電流に対する保護を行う。しかしながら、多数のサテライトが2本のバスワイヤに連結されている場合、多くのサテライトからの累積逆電流が、それでもなお、許容方向にある1つのサテライトを通って流れる大電流となる可能性もある。例えば、図48を参照し、8つのサテライトがS2とS1との間に連結され、各サテライトは、50mAの電流がS2に逆流するのを許容すると仮定する。1つのサテライトは、約50×8=400mAの高さとなることができるこれらの電流の集合体が通過する低インピーダンス通路となることができる。一実施形態によれば、そのような集合電流は、「連結電流(gang current)」と呼ばれる。
本発明の一実施形態は、連結電流の形成を防止するために、双方向限流回路を用いている。図50は、一実施形態による、双方向限流回路を示した略回路図である。この回路は、2つの空乏型NMOSトランジスタ5002および5004を含む。NMOSトランジスタ5002および5004のソースは、レジスタ5006の両側に連結されている。NMOSトランジスタ5002のゲートは、NMOSトランジスタ5004のソースに連結され、NMOSトランジスタ5004のゲートは、NMOSトランジスタ5002のソースに連結されている。
小電流がポートAからポートBに流れているときは、レジスタ5006は、NMOSトランジスタ5004上のゲート対ソース電圧を負とする。電流が十分に小さい場合、NMOSトランジスタ5004上の導電チャネルは、小電流が通過するのをそのまま許容し続ける。一方、レジスタ5006もNMOSトランジスタ5002上のゲート対ソース電圧を正とし、それによりNMOSトランジスタ5002のオン状態が確保される。ポートAからポートBへの電流が閾値を上回ると、レジスタ5006は、ゲート対ソース電圧をピンチオフ電圧よりも降下させてNMOSトランジスタ5004をオフとし、そのようにして過剰な電流がポートAからポートBに流れるのを防止する。
同様に、ポートBからポートAに流れる電流が十分に小さい場合、NMOSトランジスタ5002のゲート対ソース電圧はピンチオフ閾値を上回っており、NMOSトランジスタ5002の導電チャネルはオンのままである。ゲート対ソース電圧が正であるため、NMOSトランジスタ5004もオンとされる。電流がポートBからポートAに流れるときは、ピンチオフ閾値を上回り、NMOSトランジスタ5002がピンチオフされ、電流がさらにポートBからポートAに流れるのが防止される。
一実施形態によれば、所望の電流制限値ID、レジスタ4904の抵抗R1は、次の式に基づいて選択することができる。
一実施形態によれば、限流回路のターンオン時間は、最大限でも1μSとなるように構成されている。さらに別の実施形態では、より少ないターンオン時間も可能である。さらに、限流回路は、10ボルトで、基板に対する1ピン当たり最大限でも10nAの漏れ電流しか発生しない。
多電極の植え込みは、除細動手技または高電圧源を含む他の手技を患者が受ける際に、損傷のリスクを生じさせる。除細動手技中、高電圧が患者の身体に印加される。電圧は、患者の胸部内に強い電界を作り、それが電極間に高い電圧差を誘起する可能性があり、もし低インピーダンス回路が形成されると、その結果、電極近傍に高電流密度がもたらされるおそれがある。そのような高電流密度は、損傷を引き起こすおそれがある。本発明の実施形態は、除細動または多電極ペーシングシステム内の高電圧を含む他の事象中の高密度組織電流を防止する回路を提供する。規則的なペーシングパルスに対してはオンとなり、除細動中はオフとなるトランジスタを用いることにより、この回路は、除細動中、電極をペーシングワイヤから効果的に隔離することができ、従って、患者の組織を通じた低インピーダンス回路の形成を防止する。さらに、この回路は、ペーシング信号に対して有意な電圧降下を生じさせることなく、規則的なペーシングパルスに対するパススルーを提供し、それにより電力効率のより良いペーシングシステムを促進する。
本発明の実施形態は、高電圧を含む幅広い範囲の事象において高密度電流によって引き起こされる損傷を防止することができる。そのような事象には、事故による感電死、ショック療法、および患者の身体に高電圧を印加する他の医学的手技が含まれる。本明細書に開示する回路構成は、約500ボルトの電圧にある除細動器のような高電圧源からの防御を促進する。さらに別の実施形態では、1000ボルトより高い電圧からの防御が可能である。
除細動は、心室細動または無脈性心室頻拍を停止するための、救急医療に用いられる手法である。制御された電気ショックが患者の身体に印加され、心臓の電気状態をリセットし、それによって心臓は、通常のリズムで拍動することができる。ショックは、一般に2つの手持ち式パドルまたは接着性パッチの形態の2つの電極を通じて印加される。1つの電極は、鎖骨の直下の胸郭前面の右側に配置され、もう1つの電極は、胸筋または胸部の真下の胸郭の左側に配置される。
除細動中、一般に何百ボルトもの高電圧パルスが患者の上体を通過する。この電圧が、植え込まれたペーシングサテライトの電極上に対応する電圧を誘起する可能性のある電界をもたらす。図51に、除細動電界が2つのペーシングサテライト間に電圧降下をもたらす例示的なシナリオを示す。除細動パルスは、2つの除細動パッド5102および5104を通じて印加される。破線の等電位線5120によって表された対応する電界が存在する。2本のバスワイヤS1およびS2にそれぞれ連結された2つのペーシングサテライト5112および5114が、患者の心臓5110に植え込まれている。電極5112および5114は導体であるため、電界が各電極上に電圧を誘起する可能性がある。電極5112および5114の位置が異なることにより、サテライト5112とサテライト5114との間に電圧差が生じる可能性がある。もし、サテライト5112および5114、ならびにバスワイヤS1およびS2が、除細動装置、除細動パッド、および心臓組織を含む閉回路の一部として低インピーダンス回路を形成すれば、サテライト上の電極近傍に高電流密度が存在する可能性がある。
ペーシングサテライトを取り囲む組織、特に電極近傍の的を絞った点に高密度電流が到達すると、その結果として、大きな電気サージおよび熱サージが発生する可能性がある。そのような効果は、切除の目的で臨床的に用いられるものに類似している。しかしながら、高密度電流によって引き起こされた健常組織への不慮の「切除」型損傷の場合には、重大な組織の損傷および破壊が生じるおそれがある。これは、特に、その手技によって健康をさらに損ねる可能性がある、心臓に障害のある患者には、よい臨床プラクティスではない。
図52に、除細動工程中、過電流保護を有しない2つのペーシングサテライトが、電極を取り囲む組織に高密度電流を貫通させてしまう例示的なシナリオを示す。2つの電極パッド5202および5024を通じて除細動パルスが印加される。2つのペーシングサテライト、SAT1およびSAT2は、2本のバスワイヤS1およびS2に連結されている。各サテライトは、4つの電極、e0、e1、e2、およびe3を含む。所与のサテライト上の電極を以下SATi_ejと呼ぶ。iはサテライトの指数であることを表し、jは電極の指数であることを表す。
SAT2_e1が選択されてS1に連結されており、除細動領域がSAT2上の全電極上に+60Vの高電圧を誘起すると仮定する。この誘起電圧は、容易にS2上まで進むことができ、すべての電極およびスイッチ回路が、誘起された高電圧により降伏状態となる。さらに、この誘起電圧は、出力制御スイッチとして単一のMOSFETトランジスタを用いていることからもたらされるダイオード/スイッチ効果により、SAT2_e1を通じてS1上にも進むことができる。この理由により、SAT2上の全電極を効果的にS1およびS2に連結し得る。内部のトランジスタスイッチが降伏すると、通過中の電圧がダイオード電圧降下に遭遇する可能性があることに留意されたい。それでもなお、そのような電圧降下(例えば0.7V)は、+60Vのような誘起高電圧の規模と比較して小さい。
S1およびS2上まで進んだ高電圧は、さらに、SAT1内の電極とS1との間のスイッチ回路を降伏させる。従って、SAT1上の全電極を効果的にS1に連結し得る。SAT1上の電極のうちの1つ、SAT1_e1は、通常ペーシング動作用の構成の一部としてすでにS2に連結されていると仮定する。その結果、S2上の高電圧がSAT1_e1に電流を貫通させ、内部スイッチの降伏により、S1上の高電圧が4つのすべての電極に電流を貫通させる。
それにより、SAT2上の電極、2本のバスワイヤS1およびS2、およびSAT1上の電極を通る低インピーダンス回路が形成される。パッド5202からパッド5204に流れる、組織を通じて流される別の低密度組織電流である電流が、ここで、SAT2およびSAT1上の電極に集中する。この電流は、これらの電極のサイズが小さいことから、電極近傍に高電流密度をもたらす可能性がある。高電流密度は、例えば、周囲組織を過熱することによって、患者に損傷を与える恐れがある。従って、除細動中、多電極ペーシングシステムを通る低インピーダンス回路の形成を防止することは、極めて重要となる。
図53に、低インピーダンス回路の形成を防止するためにダイオードが用いられている2つのペーシングサテライトの例示的な構成を示す。ダイオード5302および5306は、SAT1と2本のバスワイヤS1およびS2との間にそれぞれ配置されている。同様に、ダイオード5304および5308は、SAT2とS1およびS2との間にそれぞれ配置されている。除細動中、SAT2上の電極上に+60Vの電圧が誘起されると仮定する。誘起された高電圧は、ダイオード5304には逆バイアスがかかるため、S2に到達することはできない。この電圧は、電極および降伏スイッチ回路(および、もしそのような電極があれば、すでにS1に連結されている電極)を通って、S1にのみ到達することができる。
しかしながら、S1上の高電圧は、この電圧によってダイオード5306に逆バイアスがかかるため、SAT1に到達することはできない。その結果、SAT1はS1から隔離され、SAT1上の電極を通る低インピーダンス回路は形成されることができない。低インピーダンス回路がなければ、いずれかの電極を通って組織内に流れる除細動電流は無視し得る。
除細動が実行されていないとき、およびサテライトを通して通常ペーシングが行われているときは、S1およびS2は、ペーシング信号を搬送するために用いられる。図53に示す構成では、S2が高電圧信号を搬送し、S1がその信号用の帰還回路として動作すると仮定する。ペーシング中、4つのダイオードに順方向バイアスがかかっており、ペーシング信号が選択されたサテライトを通って流れることを可能にしている。S1が高電圧ペーシング信号を搬送し、S2が帰還回路となる場合、それに対応して4つのダイオードの方向を逆にし、ペーシング信号が通過することを可能にする必要がある。
図53に示す構成には、2つのツェナーダイオード、5310および5312も含まれている。これらのツェナーダイオードは、S2およびS1によってサテライトに供給されるレールツーレール電源電圧が、これらのツェナーダイオードに対するしきい電圧である所定の値を超えないことを保証する。
ダイオード5302、5304、5306、および5308の使用により、除細動中の低インピーダンス回路の形成が防止される。しかしながら、これらのダイオードは、通常ペーシング中に、望ましくない電圧降下を生じさせる。順方向バイアス時には、各ダイオードは、通常、0.7Vの順方向電圧降下を生じさせる。ダイオード5304および5308によってS2とS1との間に生じる総電圧降下は、約1.4Vの高さとなることができる。そのような電圧降下は、電力消費を増大させ、ペーシングシステムが非効率的となる原因となる。さらに、ダイオードは、余分のチップスペースをとることができ、それは、約1mm2に限定されたサテライト制御チップにおいては貴重である。
本発明の一実施形態は、除細動中は異なるサテライト上の電極を隔離し、電極が通常ペーシングに用いられているときは生じる電圧降下を最小限とする回路を提供する。図54に、本発明の一実施形態による、トランジスタを用いて電極をバスワイヤから隔離する構成を図解した略回路図を示す。
本発明の一実施形態は、除細動中は異なるサテライト上の電極を隔離し、電極が通常ペーシングに用いられているときは生じる電圧降下を最小限とする回路を提供する。図54に、本発明の一実施形態による、トランジスタを用いて電極をバスワイヤから隔離する構成を図解した略回路図を示す。
この回路は、S1およびS2に接続するための4つのポート、S1_in、S1_out、S2_in、および S2_outを備えている。2つの制御信号、すなわちp_controlおよびn_controlは、電極を連結するバスワイヤを決定する。p_controlは、PMOSトランジスタ5404のゲートに供給される。p_controlが低電圧にあるときは、PMOSトランジスタ5404がオンとされ、それに対応して、PMOSトランジスタ5402の状態の支配下にあるS2_inに電極を連結することが可能となる。p_controlが高電圧にある場合、PMOSトランジスタ5404はオフとされ、電極はS2から隔離される。
同様に、n_controlが高電圧にあるときは、NMOSトランジスタがオンとされ、NMOSトランジスタ5408の状態の支配下にあるS1_inに電極を連結することが可能となる。n_controlが低電圧にある場合、NMOSトランジスタ5408はオフとされ、電極はS1から隔離される。
PMOSトランジスタ5402は、S2_inとS2_outとの間に配置されており、除細動中における必要な隔離、通常ペーシング中における最小電圧降下でのパススルーを行う。除細動が適用されていないとき、およびサテライトが2つのペーシングパルス間にあるときは、PMOSトランジスタ5402のゲート、ソース、およびドレインは、実質的に低電圧、例えば0Vにある。高電圧ペーシングパルスがS2_inから到着するときは、PMOSトランジスタ5402のソース電圧は、依然として低電圧にあるそのゲート電圧より十分に高い。従って、PMOSトランジスタ5402はオンとされる。
このペーシングパルスは、電極がペーシングの目的でS2に連結するために選択されていると仮定すると、わずかな電圧降下(例えば数mV)でPMOSトランジスタ5402を通過し、その電極に到達する。レジスタ5412および5413、ならびにコンデンサ5430は、ペーシングパルスが通過し始めた後にPMOSトランジスタ5402のゲート電圧が十分に上昇することを可能にするR−Cフィードバック回路を形成している。増大したゲート電圧が、或る一定の期間後に、PMOSトランジスタ5402をオフとする。その一定の期間は、R−Cフィードバック回路の電気抵抗およびキャパシタンスの値をペーシングパルスの幅に合うように変更することによって調整することができる。従って、PMOSトランジスタ5402は、ペーシングパルスを通過させ、その後オフとするのにちょうど十分な長さだけオンとなることができる。
除細動中は、電極は誘起高電圧、例えば+60Vにあると仮定する。PMOSトランジスタ5404のゲートは実質的により低い電圧にあるため、この高電圧が、PMOSトランジスタ5404をオンとする。しかしながら、3つの順方向バイアスがかかるダイオード5410がそのゲート電圧を素早く上昇させてPMOSトランジスタ5402をオフとするため、この高電圧は、PMOSトランジスタ5402を通過することができない。各ダイオードが約0.7Vの順方向電圧降下を生じさせた場合でさえも、PMOSトランジスタ5402は、そのソース電圧より実質的に高いままであり、従って、PMOSトランジスタ5402はオフとされる。誘起高電圧は、S2_inから隔離され、低インピーダンス回路を形成することは一切できない。フィードフォワードダイオード5410の数は、除細動中、回路がPMOSトランジスタ5402をオフとするのに十分に素早い応答を提供することができ、かつ依然として、ペーシングパルスの通過を可能にするのに十分に長い期間PMOSトランジスタ5402がオン状態であることができるように調整することができることに留意されたい。除細動中電極はS2_inから隔離されているが、誘起高電圧は依然としてS1_inに進み、別のサテライトに到達することができることに留意されたい。S1_inが高電圧にあるときの電極とS1_inとの間の隔離は、NMOSトランジスタ5408によって行われる。
NMOSトランジスタ5408、ダイオード5414、レジスタ5416および5418、ならびにコンデンサ5432は、同様の保護を行う。通常ペーシング中、NMOSトランジスタ5408は、ペーシングパルスがS1を通過することを可能にするために、一時的にオンとされる。レジスタ5416および5418ならびにコンデンサ5432によって形成されたR−Cフィードバック回路は、その通過に対する十分なターンオン時間を可能にする。除細動中、もしS1_inが誘起高電圧にある場合、ダイオード5414は、NMOSトランジスタ5408のゲートが低電圧に維持され、そしてNMOSトランジスタ5408がオフとされてS1_in上の電圧が電極に到達することから隔離されることを保証する。
2つのツェナーダイオードがS2_outとS1_outとの間に配置されていることに留意されたい。上に述べたように、電極が誘起高電圧にある場合、電極は効果的にS2_inから隔離されているが、この高電圧は、それでもなお、S2_outに到達することができ、さらに、「下流の」ペーシングサテライトに到達することができる。ツェナーダイオードは、S2_outとS1_outとの間の電圧が対応するツェナーのしきい電圧を越えないよう万全を期し、それにより「下流の」ペーシングサテライトを過電圧から保護する。
一実施形態では、レジスタ5412、5413、5416、および5418は各々、約2,000kΩの抵抗を有する。さらに別の実施形態では、約2,000kΩより大きい抵抗が可能である。コンデンサ5430および5432は各々、約500pFのキャパシタンスを有する。さらに別の実施形態では、約500pFより大きいキャパシタンスが可能である。
PMOSトランジスタ5402および5404の設計、およびNMOSトランジスタ5406および5408の設計は、各々、10,000の幅対長さの比を有する。さらに別の実施形態では、ラムダベースのCMOS設計ルールに基づけば、これらのトランジスタの長さは実質的に2ラムダであり、これらのトランジスタの幅は実質的に20000ラムダである。1ラムダは、一般的にトランジスタチャネルの長さである「最小」マスク寸法の二分の一に等しいことに留意されたい。他の幅対長さのサイズおよび特定の幅または長さのサイズは可能である。
図55に、本発明の一実施形態による、電流ミラーを用いて電極をバスワイヤから隔離する構成を図解した略回路図を示す。図54に示すR−Cフィードバック回路は、チップスペースを消費する大きいコンデンサを含むかもしれない。さらに、MOSFETトランジスタを伴うレジスタ(例えば、詰め込まれた、長いゲート領域)の製造では、正確な抵抗を生成しないかもしれない。
図55に示す回路は、除細動中、電流ミラーを用いて電極をバスワイヤから隔離する。S2_in側で、PMOSトランジスタ5512、5514、およびレジスタ5520が電流ミラーを形成している。電極が誘起高電圧にあるときは、この電圧がPMOSトランジスタ5504をオンとし、PMOSトランジスタ5514およびレジスタ5520を含む電流ミラーの電流定義枝に到達する。レジスタ5520は、電流定義枝を経由してS2_inに向かって流れる電流が十分に小さい、例えば1mAとなるように選択される。PMOSトランジスタ5512は、それ自体を経由して流れる電流が定義枝に流入する電流よりも実質的に大きく(例えば10mA)なるように選択される。この構成は、電極が高電圧にあるときに、十分な電流がPMOSトランジスタ5502のゲートに流入してその電圧を引き上げ、それによりPMOSトランジスタ5502を素早くオフとすることができることを保証する。
通常ペーシング中、S2_inは、ダイオード接続されたPMOSトランジスタ5514をオンとし、レジスタ5520を通る電流を生成する。その結果、PMOSトランジスタ5512も、PMOSトランジスタ5502のゲートから流れ去る電流を生成し、それによってPMOSトランジスタ5502のゲート電圧が減少し、PMOSトランジスタ5502をオンとし、ペーシングパルスを通過させる。
NMOSトランジスタ5516および5518、ならびにレジスタ5522を含むS1_in側の電流ミラーは、同様の方法で機能する。除細動中、S1_inは誘起高電圧を呈し、その結果、レジスタ5522を経由してNMOSトランジスタ5518に向かって流れる電流が生じる。電流ミラーの電流生成側にあるNMOSトランジスタ5516は、そこで生成された電流がNMOSトランジスタ5518を通って流れる電流よりも実質的に大きくなるように選択される。その結果、NMOSトランジスタ5508のゲート内に貯蔵された電荷が瞬時に減少し、NMOSトランジスタ5508をオフとする。
通常ペーシング中、S1_inは、ダイオード接続されたNMOSトランジスタ5518をオンとし、レジスタ5522を経由してS1_inに向かって流れる電流を生成する低電圧戻り回路を提供する。その結果、NMOSトランジスタ5516も、NMOSトランジスタ5508のゲートに流入する電流を生成し、それによってNMOSトランジスタ5508のゲート電圧が増大し、NMOSトランジスタ5508をオンとし、ペーシングパルスを通過させる。
一実施形態では、レジスタ5520は、約50,000Ωの抵抗を有する。レジスタ5522は、約1,000Ωの抵抗を有する。さらに別の実施形態では、他の値の抵抗が可能である。S2_inおよびS1_inに連結されたコンデンサは、各々、1pFのキャパシタンスを有する。さらに別の実施形態では、1pFより大きいキャパシタンスが可能である。
一実施形態では、PMOSトランジスタ5514は、約100ラムダの幅および約2ラムダの長さを有する。PMOSトランジスタ5512は、約1000ラムダの幅および約2ラムダの長さを有する。PMOSトランジスタ5502および5504は、各々、約10,000ラムダの幅、および約2ラムダの長さを有する。NMOSトランジスタ5518は、約60ラムダの幅および約2ラムダの長さを有する。NMOSトランジスタ5516は、約600ラムダの幅および約2ラムダの幅を有する。NMOSトランジスタ5506と5508の両方は、各々、約10,000ラムダの幅および約2ラムダの長さを有する。これらのトランジスタに対する他の値の幅および長さは可能である。
PMOSトランジスタ5502および5504の設計、およびNMOSトランジスタ5506および5508の設計は、各々、10,000の幅対長さの比を有する。さらに別の実施形態では、ラムダベースのCMOS設計ルールに基づけば、これらのトランジスタの長さは実質的に2ラムダであり、これらのトランジスタの幅は実質的に20000ラムダである。1ラムダは、一般的にトランジスタチャネルの長さである「最小」マスク寸法の二分の一に等しいことに留意されたい。他の幅対長さのサイズおよび特定の幅または長さのサイズは可能である。
(オフチップコンデンサ)
大きいエネルギー貯蔵を必要とする集積回路上に用いることができるコンデンサ、またはバイパスコンデンサを必要とする集積回路が必要である。集積回路チップ上にキャパシタンスを備えるために現在採用されている方法の1つは、コンデンサをシリコン自体の上に統合する方法である。本発明の実施形態は、両方とも引用によりそれらの全体が本明細書に組み込まれる、2005年12月22に出願された係属中の国際出願PCT/US2005/046811号「Implantable Addressable Segmented Electrodes」、および2005年12月22に出願された係属中の国際出願PCT/US2005/046815号「Implantable Hermetically Sealed Structures」に関連する。
大きいエネルギー貯蔵を必要とする集積回路上に用いることができるコンデンサ、またはバイパスコンデンサを必要とする集積回路が必要である。集積回路チップ上にキャパシタンスを備えるために現在採用されている方法の1つは、コンデンサをシリコン自体の上に統合する方法である。本発明の実施形態は、両方とも引用によりそれらの全体が本明細書に組み込まれる、2005年12月22に出願された係属中の国際出願PCT/US2005/046811号「Implantable Addressable Segmented Electrodes」、および2005年12月22に出願された係属中の国際出願PCT/US2005/046815号「Implantable Hermetically Sealed Structures」に関連する。
コンデンサを直接チップ内に製造する方法は、単純明快な製造手法となり、効果的なキャパシタンスが得られる。しかしながら、これらの工学的設計は、一定の制限を有する。例えば、チップ上で非常に大きい割合のスペースを占有するという犠牲を払って、比較的少量のキャパシタンスが達成される。場合によっては、チップスペースの損失により、望ましい追加回路の可用性が、それに付随する追加の特徴と共に限定される。いくつかの例では、より大きいチップを備えて、この不利益を制限することができる。しかしながら、より大きいチップは、チップ封入に関するサイズ制限により、非現実的かもしれない。
集積回路チップ上にキャパシタンスを備える代替的手法は、集積回路と同一のパッケージ内に別個のコンデンサを備える手法である。集積回路と同一のパッケージ内に別個のコンデンサを備えることで、チップ上における他の回路用のスペースが解放される。付随する追加の特徴を有する追加回路はチップに組み込むことができるため、この手法は、直接チップに統合されたコンデンサに勝る利点を有する。しかしながら、別個のコンデンサは、完成品の複雑さのみならず、組み立て工程の複雑さも増大させ、製品原価および負荷リスクを増大させる。1つのパッケージ内に1つより多い構成要素を配置することも必要となる。単一ユニットと違い、装置に追加の破損点が持ち込まれ、追加の破損点は望ましいものではない。
集積回路上にキャパシタンスを備える別の手法は、1つの回路基板上に集積回路とコンデンサを取り付ける手法である。パッケージ全体が1パッケージ内に配置される。この場合もまた、この手法は、ほとんどの場合に実用に供されるには構成要素を多く含み過ぎる。
もし、チップ表面を占有しないが、別個のコンデンサユニットの設計上の不利益を招かないキャパシタンスが利用可能であれば、超小型回路設計業界における重要な前進となろう。植え込み型医療装置に対する特別な利点と共に、そのような前進の特別な適用可能性は医療装置にあろう。本発明は、はじめて、これまで利用不可能であったこれらの特徴を提供する。
本発明は、物理的にICチップに近い構造物の表面を活用し、別個のコンデンサユニットなくしてキャパシタンスを提供する。一実施形態では、チップのハーメチックシールに用いられるMEMSパッケージの内側表面を用いて、エネルギー貯蔵コンデンサを提供する。このオフチップ統合コンデンサという新機軸の導入の利点は、完成パッケージを大幅に大きく、またはより複雑にすることなく、相当な大きさのコンデンサがシステムに利用可能となる点である。
オフチップ統合コンデンサという本新機軸では、装置が、チップパッケージ自体を効果的にコンデンサに変換する。従来のチップパッケージに追加するのは、装置の内側への少数の材料層で十分である。電極のような別の関連する装置部材も活用して、オフチップ統合コンデンサを備えることができる。
このオフチップ統合コンデンサは、追加の利点と共に、よりかさばる、先行技術のコンデンサのもつすべての多用性を有している。例えば、本発明によるオフチップ統合コンデンサは、システムの必要性に応じて、エネルギー貯蔵用またはバイパス用に用いることができる。
オフチップ統合コンデンサのキャパシタンスは、厚さ、誘電体材料、および当業界の通常の技術者によく知られている他の変数を変えることによって調整することができる。例えば、スペーシングdで面積Aの2つの平面電極で構成されたコンデンサのキャパシタンスは、次式にほぼ等しい。
約1μm2の表面積を有するコンデンサ材料、二酸化ケイ素の比誘電率、3.9、および蓄電板間の種々のスペーシングを仮定すれば、様々なキャパシタンス値を得ることができる。25μmの厚さは、約6.9fFのキャパシタンスを達成する。同様に、10μmの厚さは、約0.345fFのキャパシタンスを達成する。さらに、1μmの厚さは、約0.07fFのキャパシタンスを達成する。
キャパシタンスは、約0.07fFから約6.9fF、より具体的には約0.2fFから約1fF、最も具体的には約0.4fFのレベルで達成することができる。
充電量は、次式によって定義される。
Q=C・V
ここで、
Qは電荷
Cはキャパシタンス
Vはコンデンサ上に貯蔵される電圧
である。
Q=C・V
ここで、
Qは電荷
Cはキャパシタンス
Vはコンデンサ上に貯蔵される電圧
である。
本システムの一実施形態は、それが約5ボルト〜約10ボルトで役に立つ装置の用途に適切な、適度にロバストな容量を提供する。例えば、コンデンサ上に貯蔵された5Vで、オフチップ統合コンデンサは、約0.35fC〜約35fC、より具体的には約1fC〜約5fC、最も具体的には約2fC、電荷を保持することができる。
本発明による統合型オフチップキャパシタンス設計は、先行技術のキャパシタンス手法に勝るいくつかの利点を有する。第1に、コンデンサの機能を失うことに伴うリスクなくして、チップの「不動産」で莫大な利益がある。実際、本発明による構成概念によって得られるコンデンサは、本質的に統合されており、以前の方法によるコンデンサより信頼性がある。追加の利点は、この改善された設計が先行技術の手法より低コストである点である。さらなる利点は、組み立てがより簡単であることから組み立て速度が加速され、生産時間が短縮される点、および不適切な取り扱いによってもたらされる不具合およびストレスを制限する点である。
本発明の一実施形態を以下に説明するが、本発明は、MEMS実装装置のすべての内側表面に用いることができる。例えば、ビアおよび端子開口部を用いて、コンデンサ構造体をICに取り付けることができる。このICは、パッケージの上面に置かれていても、底面に置かれていてもよい。
一実施形態では、チップのハーメチックシールに用いられるMEMSパッケージの内側表面を用いて、エネルギー貯蔵コンデンサが提供される。コンデンサは、コンデンサの表面積を最適化するための高多孔質材料の薄い層を堆積させることによって製造することができる。次いで、コンデンサの1つの板を形成するために、導体材料が堆積される。この上に堆積されるのは、コンデンサ用の誘電体を生成するための絶縁体である。この絶縁体は、高度の多孔率を有するのが好ましいであろう。この材料が低誘電体であれば、統合型オフチップキャパシタンス装置の多くの実施形態に望ましい特性となる。最終段階として、コンデンサの第2の板を形成するために、導体材料が堆積される。
図解するために、図56Aに、統合型オフチップキャパシタンス装置製造の初期段階の一例の流れ図を示す。第1の段階Aは、ICチップの挿入前の中身のない空洞、チップパッケージ5601を示している。チップパッケージ5601は一般的にはシリコンで構築されるが、これに関しては他の材料も有用である。
図56Bに、絶縁体5603の層で覆われたチップパッケージ5601の同一の空洞を示す。絶縁体5603は、一般に、高度の多孔率を有する。この特質により、絶縁体5603の表面積は、絶縁体5603が中に存在するチップパッケージ5601内の空洞の物理的表面積と比較して大きく保たれる。絶縁体5603を製造するために用いられる材料は、一般に、低誘電特性を有することになる。絶縁体5603を製造するために用いられる材料のこの特性により、寄生コンデンサの潜在的生成が回避される。
図56Cに絶縁体5603の上への導電層5605の塗布を示す。この製造段階で、最終組み立てされた統合型オフチップコンデンサの底板が形成される。
図56Dに、誘電体材料5607の層の追加を示す。
図56Eに、第2の導電層5609の追加を示す。第2の導電層5609の追加によって、統合型オフチップコンデンサの第2の板が備えられる。この追加によって、装置のコンデンサ構成要素が完了する。
図56Eに、第2の導電層5609の追加を示す。第2の導電層5609の追加によって、統合型オフチップコンデンサの第2の板が備えられる。この追加によって、装置のコンデンサ構成要素が完了する。
図56Fに、新たなコンデンサの最上層上、すなわち第2の導電層5609上に生成された開口部5611を示す。開口部5611は、コンデンサの第1の板まで誘電体を貫通して設けられる。
図56Gでは、ICデバイス5615は、パッド5613を介して第2の導電層5609に取り付けられることができる。導電層5605は、パッド5613を介してICデバイス5615に取り付けることができる。
図56Hに、統合型オフチップコンデンサに対する最終工程段階を示す。図56Gに示す建造物全体の上に、絶縁体5619が注入される。絶縁体5617は、統合型オフチップコンデンサおよびそれと関連するICデバイス5615を保有する働きをする。
本発明の一実施形態に関して、図57に統合型オフチップコンデンサ装置5719に取り付けることができる一方向ICデバイス5715を示す。図57は、陽極ワイヤ5721と、陰極ワイヤ5723とを含む。陽極ワイヤ5721は、パッド5727を介してICデバイス5715に取り付けることができる。ICデバイス5715は、パッド5729および5731を介して統合型オフチップキャパシタンス装置5719に取り付けることができる。電極5716は、統合型オフチップキャパシタンス装置5719によって電力を供給される。
統合型オフチップキャパシタンス装置5719は、通常、陽極ワイヤ5721から整流ダイオード5725に流れ、統合型オフチップキャパシタンス装置5719を経由し、陰極ワイヤ5723を通って戻るペーシングパルスによって充電される。ペーシングパルスは、統合型オフチップキャパシタンス装置5719上に貯蔵される前に、整流ダイオード5725によって整流される。統合型オフチップキャパシタンス装置5719は、数ナノファラッドから数十ナノファラッドまでのキャパシタンスを加えることができる。これらのレベルは、バーストモードで動作する装置に対し、容易に適切な電力を供給する。
(植え込み型オンチップコンデンサ)
大きなエネルギー貯蔵を必要とする集積回路、またはバイパスコンデンサを必要とする集積回路が必要である。集積回路チップ上にキャパシタンスを備えるために現在用いられている方法の1つは、コンデンサをシリコン自体の上に統合する方法である。
大きなエネルギー貯蔵を必要とする集積回路、またはバイパスコンデンサを必要とする集積回路が必要である。集積回路チップ上にキャパシタンスを備えるために現在用いられている方法の1つは、コンデンサをシリコン自体の上に統合する方法である。
コンデンサを直接チップ内に製造する方法は、単純明快な製造手法となり、効果的なキャパシタンスが得られる。しかしながら、これらの工学的設計は、一定の制限を有する。例えば、チップ上で非常に大きい割合のスペースを占有するという犠牲を払って、比較的少量のキャパシタンスが達成される。場合によっては、チップスペースの損失により、望ましい追加回路の可用性が、それに付随する追加の特徴と共に限定される。いくつかの例では、より大きいチップを備えて、この不利益を制限することができる。しかしながら、より大きいチップは、チップ封入に関するサイズ制限により、非現実的かもしれない。
集積回路チップ上にキャパシタンスを備える代替的手法は、集積回路と同一のパッケージ内に別個のコンデンサを備える手法である。集積回路と同一のパッケージ内に別個のコンデンサを備えることで、チップ上における他の回路用のスペースが解放される。付随する追加の特徴を有する追加回路はチップに組み込むことができるため、この手法は、直接チップに統合されたコンデンサに勝る利点を有する。しかしながら、別個のコンデンサは、完成品の複雑さのみならず、組み立て工程の複雑さも増大させ、製品原価および負荷リスクを増大させる。1つのパッケージ内に1つより多い構成要素を配置することも必要となる。単一ユニットとは違い、装置に追加の破損点が持ち込まれ、追加の破損点は望ましいものではない。
集積回路上にキャパシタンスを備える別の手法は、1つの回路基板上に集積回路とコンデンサを取り付ける手法である。パッケージ全体が1パッケージ内に配置される。この場合もまた、この手法は、ほとんどの場合に実用に供されるには構成要素を多く含み過ぎる。
もし、チップ表面を占有しないが、別個のコンデンサユニットの設計上の不利益を招かないキャパシタンスが利用可能であれば、超小型回路設計業界における重要な前進となろう。植え込み型医療装置に対する特別な利点と共に、そのような前進の特別な適用可能性は医療装置にあろう。本発明は、初めて、これまで利用不可能であったこれらの特徴を提供する。
本発明は、物理的にICチップに近い構造物の表面を活用し、別個のコンデンサユニットなくしてキャパシタンスを提供する。一実施形態では、チップのハーメチックシールに用いられる保護層または外側表面を用いて、エネルギー貯蔵コンデンサを提供する。この植え込み型オンチップコンデンサという新機軸の利点は、完成パッケージを大幅に大きく、またはより複雑にすることなく、相当な大きさのコンデンサがシステムに利用可能となる点である。
本発明の植え込み型オンチップコンデンサという新機軸では、装置が、チップパッケージの表面を効果的にコンデンサに変える。従来のチップパッケージに追加するのは、装置の外側への少数の材料層で十分である。ハーメチックシールを施す必要がなければ、この植え込み型オンチップコンデンサは、電極をチップから分離する誘電体上に堆積させることができる。
本発明による植え込み型オンチップコンデンサは、回路チップを取り囲む保護層の外側表面上に堆積された容量性材料を用いる。この構造物が身体からのイオン流体と接触すると、それは、電極間の導電経路となる。植え込み型オンチップコンデンサは、小型サイズを保持しながら、極めて高いキャパシタンスを提供する。
一実施形態では、植え込み型オンチップコンデンサは、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる、2006年4月28に出願された国際出願PCT/US2006/016370号「Pharma−lnformatics System」に記載されたシステムに用いられている。植え込み型オンチップコンデンサは、チップの外側表面上に配置してもよく、薬剤活性剤を含有する錠剤の内部に配置しても、それに付着させてもよい。錠剤が摂取されたときに、植え込み型オンチップコンデンサは、胃液を用いて電解コンデンサを生成することができる。そうすることにより、植え込み型オンチップコンデンサは、従来のコンデンサのハーメチックシールのみならず、パッケージされた電解流体をも廃止する。
この植え込み型オンチップコンデンサは、追加の利点と共に、よりかさばる、先行技術のコンデンサのもつすべての多用性を有している。例えば、本発明によるオフチップ統合コンデンサは、システムの必要性に応じて、エネルギー貯蔵用またはバイパス用に用いることができる。
植え込み型オンチップコンデンサのキャパシタンスは、厚さ、および当業界の通常の技術者によく知られている他の変数を変えることによって調整することができる。例えば、スペーシングdで面積Aの2つの平面電極で構成されたコンデンサのキャパシタンスは、次式にほぼ等しい。
ε0は真空の誘電率
εr用いられる絶縁体の比誘電率
Cは得られるキャパシタンス
である。
充電量は、次式によって定義される。
Q=C・V
ここで、
Qは電荷
Cはキャパシタンス
Vはコンデンサ上に貯蔵される電圧
である。
植え込み型オンチップコンデンサの電極は、様々な構成に設計することができる。植え込み型オンチップコンデンサの一実施形態では、コンデンサを構成する電極は、柱状に形成することができる。これにより、より高い柱から追加された追加表面積を、植え込み型オンチップコンデンサが活用することが可能となる。植え込み型オンチップコンデンサの電極は、基板の両側に配置することができる。これが、特定の用途において有益となることができる異なるフォームファクタとなる。
植え込み型オンチップコンデンサは、並列に配列することもできる。植え込み型オンチップコンデンサは、1つより多いコンデンサを含むことができる。多数の植え込み型オンチップコンデンサを、直列に接続することができる。コンデンサを直列に配置することにより、より高い電圧が可能となるか、または電圧をより多くの電極にわたって分散させ、それによってそれらの電極がより少ない電圧を個々に保持することを可能にすることができる。これは、より大きい電圧を必要とするが、所与のコンデンサ上の最大電圧を越えることなく、例えば水の窓(water window)を破壊することなく、またはホストに悪影響を与えることなくそうする必要がある用途に対しては利点となることができる。
植え込み型オンチップコンデンサの一実施形態では、電極は体液を電極板に到達させることになる多孔質材料で覆われている。高多孔質材料は、流体が確実に電極との接触を続けるようにし、体内に存在するかもしれないあらゆる残屑から電極の表面を防御する。これにより、依然としてコンデンサを機能させながら、体内の何もが導電経路を妨げないことになる。
植え込み型オンチップコンデンサは、体内に見出されるような、周囲のイオン流体と接触する構造物の外側表面上に堆積された容量性材料を用いる。この設計は、小さい装置外形寸法を維持しながら極めて高いキャパシタンスを提供し、それを植え込み型医療装置に理想的なものとしている。本発明による植え込み型オンチップコンデンサは、システムの必要性に応じて、エネルギー貯蔵用またはバイパス用に用いることができる。
植え込み型オンチップコンデンサは、そのような装置を設計するために以前必要とされた大きさを有せずに、電解コンデンサの能力を有する。植え込み型オンチップコンデンサは、チップの外側に配置され、封入を必要としない。チップ上に余分な空間を取るパッケージ化がないため、このコンデンサは、同じキャパシタンスを提供しながら、より小さくすることができる。植え込み型オンチップコンデンサは周囲の自然発生的なイオン流体を用いるため、イオン溶液を缶または容器に封入する必要がない。これは、コンデンサ用の空間をよりいっそう節約し、より小さい装置サイズを可能にする。
一実施形態では、植え込み型オンチップコンデンサは、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる、2006年4月28に出願された国際出願PCT/US2006/016370号「Pharma−lnformatics System」に記載されたシステムに用いることができる。本発明による植え込み型オンチップコンデンサは、薬剤活性剤を含有する錠剤の外側表面上に配置することができる。錠剤が体内に摂取されたときに、コンデンサを動作させるのに必要なイオン流体としての役割を果たす胃液に錠剤が接触する。コンデンサの小さい輪郭は、この用途、および心臓移植、脊椎移植、耳移植、網膜移植、胃移植のような多くの他の用途に対して理想的である。
植え込み型オンチップコンデンサは、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる、2006年4月12に出願された米国仮出願第60/791,244号「Void−Free Implantable Hermetically Sealed Structures」に記載されたシステムに用いることができる。ハーメチックシールを必要とする用途に対しては、植え込み型オンチップコンデンサは、外側表面上に堆積され、ハーメチックシールから突出する回路端子に接続され得る。
図58に、中に多孔質電極材料5801が、基板5803上で同一平面上にあるように、2つの間に適切な領域および距離間隔5805を置いて並べて堆積された、植え込み型オンチップコンデンサの一実施形態を示す。距離間隔5805は、約0.25μm〜約10.0μm、より具体的には約3.0μm〜約8.0μm、最も具体的には約5.0μmとすることができる。
図59に、電極5907が柱として形成された別の実施形態を示す。この配列は、柱の側面上の表面積が追加されるという利点を与える。代替的に、電極は、回路チップの表面になじむことができる多くの他の形状に堆積することができる。距離間隔は、約0.25μm〜約10.0μm、より具体的には約3.0μm〜約8.0μm、最も具体的には約5.0μmとすることができる。
図60に、電極6001を基板6003の両側に配置することができる、植え込み型オンチップコンデンサの一実施形態を示す。これは、狭く、細長い輪郭を必要とする用途に対して好都合となることができる異なるフォームファクタを提供する。
図61に、電極材料6101が同心円に形成された、植え込み型オンチップコンデンサの別の実施形態を示す。距離間隔6105は、約0.25μm〜約10.0μm、より具体的には約3.0μm〜約8.0μm、最も具体的には約5.0μmとすることができる。別の実施形態では、電極材料6101は、より多くの同心円を形成することによって、直列に配置される。
電極材料6101は、任意の容量性材料から作ることができる。生物学的用途では、体内での使用に対して安全な任意の材料を用いることができる。プラチナイリジウムは、その高いキャパシタンスのため、およびそれが植え込み可能な材料として定着しているため、植え込み型オンチップコンデンサに用いるのに適している。
合金および他の不活性物質も、潜在的に材料となることができる。比較的厚くかつ多孔質の層に堆積することができる材料を選択することができる。陰極アーク堆積法を用いて、大きいキャパシタンスを生成するのに必要な表面積および多孔率をもたらすことができる。電極材料6101は、厚さ約2.0μm〜約200μm、より具体的には厚さ約10μm〜約40μm、最も具体的には厚さ約15μm〜約30μmとすることができる。
酸化することができる金属も、電極材料6101に適している。チタニウムは、陰極アークによってその純粋な形で堆積させ、キャパシタンスを提供することができる。酸化チタンの表面は、植え込み型オンチップコンデンサに対する保護層となる。酸化層は、植え込み型オンチップコンデンサのドレインを減らし、電極6101を保護する。保護層も、事偶発的な放電からさらに保護する。タンタルは、陰極アークによって堆積させ、次に酸化させることができる別の材料である。酸化チタンおよび酸化タンタルは、陰極アーク堆積法によって堆積させることができる。
酸化することができる金属も、電極材料6101に適している。チタニウムは、陰極アークによってその純粋な形で堆積させ、キャパシタンスを提供することができる。酸化チタンの表面は、植え込み型オンチップコンデンサに対する保護層となる。酸化層は、植え込み型オンチップコンデンサのドレインを減らし、電極6101を保護する。保護層も、事偶発的な放電からさらに保護する。タンタルは、陰極アークによって堆積させ、次に酸化させることができる別の材料である。酸化チタンおよび酸化タンタルは、陰極アーク堆積法によって堆積させることができる。
電極材料6101として用いることができる他の材料には、限定するものではないが、マイクロ酸化物およびナノ多孔性酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物およびPtOx、IrOx、PdOx、OsOx、PhOx、PtN、IrN、PdN、RhN、AuN、PtC、IrC、PdC、AuC、PtON、PdON、IrON、RhON、PtCN、PdCN、IrCN、RhCNのような白金族材料の炭窒化物が含まれる。コンデンサは、TiO2およびAI2O3、TiON、AION、TiC、AIC、TiCn、AICN、 TiCN、AICNの多孔性化合物、マイクロ多孔性化合物およびナノ多孔性化合物も含むことができる。
体内に摂取可能な装置への用途に電極材料6101を用いるためには、それは飲み込まれることになるが、過度に高い機械的強度を有する必要はないので、それは、適度に、物理的、機械的および化学的に安定し、かつ堅牢であることが必要である。植え込み型オンチップコンデンサは、それが胃まで移動し、胃液によって活性化される短時間の間を耐え抜く必要がある。
図62に、本発明者らの一部によって行われた実験から得られたデータを示す。両電極をプラチナイリジウムで作製したコンデンサを製造した。電極は、約7.1mm2の面積を有し、3.44mC/cm2のキャパシタンスを保持した。キャパシタンスは、異なる速度で電圧を走査し、コンデンサを通過した電流の量を測定して求めた。実験は、2つの異なる走査速度で、約−0.2V〜約0.2Vの範囲の電圧で実行した。キャパシタンスは、電流を電圧の経時変化で除算して計算した。
同様の実験を、はるかに広い電圧範囲にわたり、プラチナイリジウム植え込み型オンチップコンデンサを用いて行った。その設定では、コンデンサは、約10mC/cm2のキャパシタンスをもたらした。
植え込み型オンチップコンデンサは、約0.5mC/cm2〜約50mC/cm2、より具体的には約1mC/cm2〜約25mC/cm2、最も具体的には約3mC/cm2〜約10mC/cm2のキャパシタンスをもたらすことができる。
図63は、7.1mm2の面積を有するプラチナイリジウム−プラチナイリジウム電池の電圧保持率を示したグラフである。植え込み型オンチップコンデンサを0.5Vで120秒間充電し、次いで電源を遮断し、植え込み型オンチップコンデンサが半ボルトをどの程度良好に保持するかについて観察した。グラフから見て取れるように、植え込み型オンチップコンデンサは、約432mVで開始する場合、効率の悪さを少々有する。約4分間で、電圧は、約402mVまでしか降下しない。コンデンサを酸化保護層を有するチタニウムのような金属で作製すれば、自己放電は、はるかに小さくなるであろう。
図64に、多孔質材料6409で覆われた、基板6403上に電極材料1を有する植え込み型オンチップコンデンサの一実施形態を示す。多孔質材料9は、流体を保持し、電極材料6401の表面が体内の残屑によって妨げられるのを防止することになる。導電経路は、なおも、多孔質材料6409を通って2つの電極6401間にわたることができる。
多孔質材料6409は、二酸化チタンのようないくつかの材料を用いて製造することができる。二酸化チタンは、陰極アーク堆積法を用いて極めて多孔質な状態で塗布することができ、体内で溶解または腐食しないため、理想的な物質である。
液体を保持することができる、酢酸セルロースまたは多孔質ポリエチレンのような他の多孔質材料も用いることができる。液体が電極材料6401に浸透することができる必要があるので、多孔率は、多孔質材料6409の最も重要な物理的特徴である。孔に残屑が詰まったときでさえも、液体は依然として電極1の周りに閉じ込められているように、最小の厚さで塗布する必要がある。多孔質材料は、厚さ約5μm〜約75μm、より具体的には厚さ約15μm〜約40μm、最も具体的には、厚さ約20μm〜約30μmとなろう。多孔質層は、上述のいずれの電極構成にも適用することができる。
図65、図66、および図67に、直列に配置された電極材料1を示す。一対の電極が体内に存在するような水溶液中に置かれると、それらの電極は、水を分解し始めるまでに、約1ボルトから約1.2ボルトより多くを貯蔵することができない。より高い電圧が所望される場合、本発明による植え込み型オンチップコンデンサを直列に配置することができる。植え込み型オンチップコンデンサを直列に配置することにより、電圧を電極間に拡散することが可能となり、これによりいずれの2つの電極の間でも1ボルトまたは1.2ボルトより多くが貯蔵されることはなくなり、従って、水の窓を破壊することはない。より高い電圧を回避するために、電極の各々を他から適切に離間させることができる。
例として、図65に、一連の本発明の植え込み型オンチップコンデンサが水の窓を破壊することなく合計3Vの電荷を貯蔵することができる方法を示す。図67に、各電極にわたって電圧を低下させ、特定の生物学的用途に対して電極をより安全にするために、5つの電極1を用いる能力を有する設計を示す。図67の場合、電極1間に4つの0.2Vの電荷が貯蔵されており、合計0.8Vの電荷をもたらしている。
別の実施形態では、本発明による植え込み型オンチップコンデンサは、イオン流体を充填した膜内に封入することができる。これは、植え込み型オンチップコンデンサが体液の必要なくして動作することを可能にする。そのような膜の利用は、体液が存在しない場合、または存在にムラがある場合に有用となろう。
別の実施形態では、本発明による植え込み型オンチップコンデンサは、イオン流体を充填した膜内に封入することができる。これは、植え込み型オンチップコンデンサが体液の必要なくして動作することを可能にする。そのような膜の利用は、体液が存在しない場合、または存在にムラがある場合に有用となろう。
(データクロック回復)
本発明による制御回路のいくつかの実施形態では、制御回路は、2本のワイヤ、S1およびS2のみを介して制御装置に取り付けられている。同一の2本のバスワイヤにいくつかの制御回路を並列に取り付けてもよい。各制御回路は、その後、1つ以上のエフェクタを制御することができる。制御回路は、エフェクタを、S1、S2、に連結されるように設定するか、または中立の高インピーダンス状態に設定する。次いで、S1またはS2を通じて、接続された各エフェクタに信号を送信してもよく、エフェクタから信号を受信してもよい。2本だけのワイヤですべての通信、電力供給、エフェクタを往復する信号を処理するため、任意の所与の時刻に、様々な信号がバスワイヤS1およびS2上に存在する。存在する可能性がある他の信号と混同しない方法で制御装置に正確にコマンドを送達するデータ符号化スキームを提供する。これを達成し、同時に、クロックを取得し、かつ同一の信号から電力を生成する、効率的な符号化スキームおよび復号回路を提供する。
本発明による制御回路のいくつかの実施形態では、制御回路は、2本のワイヤ、S1およびS2のみを介して制御装置に取り付けられている。同一の2本のバスワイヤにいくつかの制御回路を並列に取り付けてもよい。各制御回路は、その後、1つ以上のエフェクタを制御することができる。制御回路は、エフェクタを、S1、S2、に連結されるように設定するか、または中立の高インピーダンス状態に設定する。次いで、S1またはS2を通じて、接続された各エフェクタに信号を送信してもよく、エフェクタから信号を受信してもよい。2本だけのワイヤですべての通信、電力供給、エフェクタを往復する信号を処理するため、任意の所与の時刻に、様々な信号がバスワイヤS1およびS2上に存在する。存在する可能性がある他の信号と混同しない方法で制御装置に正確にコマンドを送達するデータ符号化スキームを提供する。これを達成し、同時に、クロックを取得し、かつ同一の信号から電力を生成する、効率的な符号化スキームおよび復号回路を提供する。
図68に、すべてを体内に植え込むかまたは挿入することができる多数の制御回路6802が各々導体6806および6808を通じて制御装置回路6804に接続された、本発明の一実施形態を示す。各制御回路6802は、制御装置回路6804によって個々にアドレス指定可能とすることができる。各制御回路6802は、局所的に接続することができる1つ以上のエフェクタの状態を設定することができる。導体6806および6808は、制御回路6802にコマンドおよび電力を送信し、関連するエフェクタを通じて信号を送信し、エフェクタおよび制御回路6802から返された信号を受信するために用いることができる。ペースメーカリードの場合、制御回路6802は、1つ以上の電極に接続することができる。電極は、ペースまたは検出するように設定することができ、ペーシングパルスおよび検出信号は、導体6806および6808上に伝わることができる。
本発明によるDCR回路は、導体上に存在する可能性がある何らかの他の信号から区別することができるように符号化されたデータを復号する能力を有する。DCR回路は、クロックおよび電力をデータストリームから抽出することができる能力も備えている。図69に、データ符号化スキームの一実施形態を示す。図示された波形は、導体6806および6808であるS1およびS2の両端の差動電圧信号を表している。この実施形態では、用いられる信号はS2−S1である。ビット0 6902は、高電圧+Vbit0 6904まで上昇し低電圧−Vbit0 6906まで下降する方形波の2つの全サイクルで表されている。ビット1 6908は、+Vbit0 6904まで上昇し−Vbit0 6906まで下降する第2の全サイクルが後続する、より低い高電圧+Vbit1 6910まで上昇し同じ低電圧−Vbit0 6906まで下降する1サイクルで表されている。スタートビット6912は、より高い低電圧−Vstart6914まで下降し完全な高電圧6904まで上昇する方形波の1サイクルによってのみ表されている。一実施形態では、電圧+Vbit 06912は約+4Vとすることができ、電圧+Vbit1 6910は、約+1Vとすることができ、電圧−Vbit0 6906は約−4Vとすることができ、電圧−Vstart6914は約−1Vとすることができる。この符号化スキームは、本発明による実施形態を用いて利用可能な種々の手法の一例に過ぎない。例えば、任意の電圧値またはビットの割り当てを用いることができる。
電源および基準電圧は、両方とも、図70の回路によって生成される。Vhigh_dcr7002は、S2を下回るダイオード降下電圧である。Vlow_core7004は、S2を上回るダイオード降下電圧である。ツェナーダイオード7006は、5Vの降伏電圧を有し、Vhigh_dcr7002とVlow_core7004との間の5Vの差を保持する。上の例を用い、ダイオード7008および7010は1Vの降伏電圧を有すると仮定すれば、S2とS1との間の差動電圧が4Vまで上昇すると、Vhigh_dcrは3Vとなり、Vlow_coreは−2Vとなる。差動電圧が−4Vまで降下すると、Vlow_coreは−3Vとなり、Vhigh_dcrは2Vとなる。次いでVhigh_dcrおよびVlow_coreを電源および各ビットが1であるか、0であるか、それともスタートビットであるかを判断する基準として用いることができる。
図71に制御回路が入力信号からビットおよびクロック信号を抽出する方法の一実施形態を示す。3つの比較器7102、7104、および7106があり、それらの各々が、Vhigh_dcr7002およびVlow_core7004によって電力を供給される。比較器7102は、S2 6808をS1 6806と比較する。これによって、ビットの復号に用いることができ、また他の回路ブロックによって用いられるクロック信号Dcr_clk7108が得られる。
比較器7106は、Vlow_coreをS2と比較する。シンボルタイミングに対しクロックを用いて、回路は、方形波の低期間がvlow_coreを上回る時を特定することによって、スタートビットが現れる時を判断する。ひとたびスタートビットが発見されれば、後続のビットが復号され、コマンドとなる。
比較器7104は、S2をVhigh_dcrと比較する。この情報は、各シンボル期間の最初の高期間からビットが1であるかそれとも0であるかを判断することによって用いることができる。最初の高期間の電圧がVhigh_dcrを上回っていれば、それはビット0として復号される。あるいは、最初の高期間の電圧がVhigh_dcrを下回っていれば、それはビット1として復号される。
各ビットが0であろうと1であろうと、2つのサイクルが各ビットに対して用いられ、2番目のサイクルは、常に高値に戻る。この段階で電源Vhigh_dcr7002に充電が行われる。もし1つのサイクルだけが用いられ、一連のビット1が送信されれば、電圧はVhigh_dcrを上回らず、電源が垂下することになる。Vhigh_dcrも基準としての役割を果たすので、Vhigh_dcrがビット1の高電圧よりも下に垂下するときは、誤りがあり、ビット1はビット0として復号される。完全な高電圧に常に戻ることにより、電源が回復する。Vhigh_dcrのレベルにいくらかの変動があるが、常に+Vbit0と+Vbit1の間にとどまり、ビットを正確に復号する。
このスキームは、データ信号自体によって復号回路に電力を供給しながら、ビット0、ビット1、およびスタートビットを同じ周波数で送信することを可能にする。
(ウェイクアップ回路)
植え込み型装置を設計する際の1つの課題は、それらの電力消費を可能な限り制限することである。植え込み型装置の電池を交換または再充電するという標準的な手法は、危険を伴いかつ費用のかかるものであり、電池を交換するために外科的手技を必要とすることが多い。一実施形態では、本発明による回路は、特定のブロックが必要とされないときにそれらの電源を切るスリープモードを含むことによって、電力消費を大幅に減らす。追加の実施形態では、通常の通信中にスリープコマンドを送信することができる。この手法では、回路は、特定のブロックの電源を切るように命じられる。
植え込み型装置を設計する際の1つの課題は、それらの電力消費を可能な限り制限することである。植え込み型装置の電池を交換または再充電するという標準的な手法は、危険を伴いかつ費用のかかるものであり、電池を交換するために外科的手技を必要とすることが多い。一実施形態では、本発明による回路は、特定のブロックが必要とされないときにそれらの電源を切るスリープモードを含むことによって、電力消費を大幅に減らす。追加の実施形態では、通常の通信中にスリープコマンドを送信することができる。この手法では、回路は、特定のブロックの電源を切るように命じられる。
課題は、回路を起動する必要があるときに出現する。いくつかの実施形態では、他の構成要素との回路の唯一の通信手段である2本のバスワイヤ、S1およびS2にウェイクアップ回路が取り付けられている。追加の実施形態では、コマンド信号を他の制御回路に送信するために同じバスワイヤが用いられ、また、取り付けられたエフェクタを往復する信号を送受信するために用いられている。これらの革新の結果、任意の所与の時刻に、S1およびS2上に広範囲の電圧信号が存在することができる。
特定のウェイクアップ信号に応答することができるが、何らかの他の信号が存在する際に誤った起動を引き起こさないウェイクアップ回路を有することは有益である。バスワイヤ上に存在することになるどのような他の信号とも重複しないが、ウェイクアップ回路によって検出することができるウェイクアップ信号を選択することができる。
一実施形態では、特定の周波数範囲において、ウェイクアップ回路をトリガするためのウェイクアップ信号が選択される。別の実施形態では、特定のレベルにある電圧が選択される。他の実施形態では、周波数と電圧の両方が、回路を起動するための特定の範囲内にある。さらに別の実施形態では、特定の数のパルスが特定の時間内に送信され、ウェイクアップ回路をトリガする。
本発明による回路の実施形態を実証する目的で、2本のバスワイヤ、S1およびS2に取り付けられた制御回路に関する上述の例を検討する。各々が個々に制御装置ICによってアドレス指定可能ないくつかの制御回路を同一のバスワイヤに取り付けることができる。通常の通信信号は、1MHzの公称周波数、および4Vの振幅で伝送することができる。S1およびS2も、各制御回路と関連付けられたエフェクタを往復して信号を送信するために用いることができ、S1およびS2上の電圧レベルは変化することになる。心臓にペーシングパルスを送信するために用いられるペーシングリードの例では、最大約10VのペーシングパルスがS1およびS2上に存在するかもしれないが、低周波数パルスとして送信される。この例に対しては、+/−9Vの振幅を有する方形波であり、1MHzの数サイクルが後続する数サイクルに対して約500kHzの周波数のウェイクアップ信号が選択される。この理由は、以下の説明を検討すれば明らかになろう。
S1およびS2は、厳密に通信用に用いられるわけではないため、存在する電圧は、回路によって用いられる電源電圧、VhighとVlowの間にあることができる。この電源は、通常、図70に示すコンデンサによって保持される。もしS1およびS2上の信号が、それがVhighとVlowの間にあり、従って論理1でも論理0でもないときに、回路の他の部分を通過することが可能となる場合には、電源は極めて急速に消耗することになる。例えば、もしインバータがVhighおよびVlowによって電力を供給され、入力信号がVhighとVlowの間にある場合、インバータは、その内部の両方のトランジスタをオンとし、VhighからVlowへのDC経路を生成し、コンデンサの電荷を急速に消耗させる。
同時に、内部電源があちこち移動する。図70のVhigh_dcrおよびVlow_coreに類似する方法で、VhighおよびVlowが生成される。Vhighは、S2を下回る1つのダイオード降下電圧であり、一方、Vlowは、S1を上回るダイオード降下電圧である。VhighとVlowの間に、5Vのツェナーダイオードがある。例えば、もしS1とS2との間の差動電圧が+9Vに上昇すると、Vhighは+8Vとなり、Vlowは5Vそれを下回った+3Vとなる。もし差動電圧が−9Vに降下すると、Vlowは−8Vとなり、Vhighはそれを5V上回った−3Vとなる。従って、供給を追跡する信号が達成され、回路に到達する信号が供給の途中で終わることがなく、電荷を消耗する。5Vを上回るどのような電圧も、それが電源を再充電することになるため、許容され得る。
図72に、ウェイクアップ回路の残部を通過するすべての信号を確実に正しい論理形式にする回路の実施形態を示す。S1とS2との間にダイオード7202およびコンデンサ7204がある。電圧が線上にある場合には常に、電圧がコンデンサ7204を充電している。コンデンサは、回路の残部に対する電源として機能する。電源電圧Vhigh_coreはノード7206に接続され、Vlow_coreはノード7208に接続されている。ノード7210は、インバータとして配列されたトランジスタ7212および7214に対する入力である。
S1およびS2が5Vよりも低い電圧信号を搬送している限り、ツェナーダイオード7216は降伏しない。従って、入力7210での電圧は、レジスタ7218を通じてノード7208においてVlowに向けて引き下げられる。その場合、入力7210はデジタルゼロとなり、VhighからVlowへと電流を消費しない。これは、通信が+/−4Vで搬送される上述の例のような状況に有益である。コマンドがスリープモード中に送信される場合、それらはウェイクアップをアクティブにしない。
ウェイクアップ信号が送信される場合、より高い電圧が用いられる。+/−9Vのウェイクアップ信号に関しては、信号が+9Vとなる第1のサイクルでは、S2は+9V、S1は0Vとなり、信号はコンデンサ7204を充電する。次いで、S2が−9Vに降下し、Vlow_core7208を−8Vまで引き下げる。コンデンサ7204によって+9Vに保持されているノード7220に関しては、ツェナーダイオード7216をトリガするのに十分な電圧差がある。次いで、インバータに対する入力7210が、9V−5V=4Vとなる。vhigh_coreはVlow_coreを上回る1つのツェナーダイオードであるので、Vlow_coreが−8Vに引き下げられると、Vhigh_coreは−3Vとなる。その場合入力7210はVhigh_coreよりも高いので、入力7210は論理1となる。トランジスタ7212および7214で構成されたインバータの出力における別のインバータ7222に関しては、論理1は、本質的に次の回路に通される。
第1のサイクル後、入力7210が電源を追跡し、差分信号S2−S1は、それが+/−9Vの間で変動している限り送られる。ペーシングパルスのようなウェイクアップ信号ではない信号は、回路のこの部分を通過することが可能である。このため、周波数に基づいて信号を区別する回路部分も存在し得る。
ウェイクアップコマンドが発行されるためには、レジスタ7226の設定入力7224に送信されるパルスが存在する必要がある。方形波信号は、入力7228において回路のこの部分に入る。方形波の高電圧で、コンデンサ7230が充電する。電圧信号の低部分では、コンデンサ7230が放電する量は、コンデンサ7230およびレジスタ7232によって決定される時定数に依存する。周波数がカットオフf1よりも低い場合、コンデンサ7230によって保持された電圧7234は、信号電圧が再び高となる時までにはすでに放電され、ノード7234でのフリップフロップ7236に対する入力はゼロとなる。その場合、出力7238は常にゼロとなる。入力信号7228の周波数がf1を上回る場合、コンデンサ7230は、次の高電圧が出現する際に、依然としてノード7234において高電圧を保持しており、出力7238を論理1とする。フリップフロップ7240は、コンデンサ7242およびレジスタ7244と共に、その入力において同様の接続形態を有する。フリップフロップ7240が1を出力するためのカットオフ周波数f2がf1と異なるように、値の異なるコンデンサおよび/またはレジスタを選択することができる。例えば、f2をf1より高くしてもよい。出力7238および7246はNORゲート7248に供給される。入力信号の周波数がf1を下回る場合、出力7238および7246は両方とも論理0であり、従って、NORゲートの出力7224は論理0となる。これにより、f1より低い周波数を有するどのような信号もウェイクアップ信号をアクティブにはしないことが確実となる。
f1からf2までの間の周波数では、出力7238は1となり、一方で入力7246は0となり、NOR出力7224を論理1とする。これがレジスタ7226の設定入力に行き、ウェイクアップコマンドをアクティブにする。スリープコマンドをその後問題なくレジスタ7226のリセット入力に送信することができるように、パルスが必要となるため、NOR出力は、その後、論理0にされなければならない。これを行うために、回路の入力7228に送信されたウェイクアップ信号は、f1からf2までの間の期間の後、f2を越える周波数まで上昇する。これが、出力7238および7246を両方とも論理1とさせ、結果としてNOR出力7224は論理0となる。より高い周波数は、通常の通信周波数と同一とすることができる。ウェイクアップ後、通常、コマンドが送信されるので、これは好都合である。
周波数f1およびf2は、ウェイクアップ信号を除くS1およびS2上に存在することができるすべての信号がf1からf2までの範囲に入らないように選択される。
ウェイクアップ回路の別の実施形態を図73に示す。装置に初めて電源が投入される際、またはスリープモードにあった後、Vhigh_sleep7302が上昇する。相対的に小さい保持コンデンサ7304および小さいダイオード7306があり、従って、電圧は急速に上昇する。電圧が上昇する際に、reset_b7308においてワンショットがある。reset_bパルスは、レジスタ7310、7312、および7314をクリアする。レジスタ7310、7312、および7314は、0から7まで数えるカウンタとして配列されている。それらが7まで数えると、ウェイクアップコマンドが発行される。パルスが1つしかない場合、またはペーシングパルスのような低周波のパルスがある場合、Vhigh_sleep7302は極めて急速に消耗する。それが発生すると、フリップフロップ7310、7312、および7314もまた、ゼロとなる。次回パルスが通過すると、カウントが最初からやり直される。しかしながら、7パルスが十分高い周波数でVhigh_sleepを通して送信されると、フリップフロップ7310、7312、および7314のカウンタ配列が7まで数え、ウェイクアップコマンドが発行される。任意の周波数を、ウェイクアップコマンドが発行されることになるカットオフとして選択することができる。線上に存在することができる、ペーシングパルスのような他のパルスの周波数より高い周波数を選択することができる。
論理に対する入力は、インバータ7316である。もしS2 7318がレール電圧間にあった場合、S2はインバータ7316を通じた持続的ドレインを引き起こす可能性があるという問題があり得る。信号が、一時的にVhigh_sleepよりも高いS2に沿って送信される必要がある。0Vから5Vにすることによって、S2は5Vに、Vhigh_sleepは4Vになり、明確な論理1が得られる。常に0Vから5Vにすることによって、信号が論理信号を維持し、電流のドレインを引き起こさないことが保証される。約5Vのウェイクアップ信号を用いる際には、この回路を、図72の回路より低い電圧で用いることができる。
(電極サテライト構造体)
本発明の実施形態は、電極サテライト構造体のような電極アセンブリをさらに含み、該構造体は、例えば上に考察した回路を含んだ集積回路制御装置、および少なくとも1つの電極素子を含む。従って、サテライト構造体は、該サテライト構造体がアドレス指定可能となるように、例えばIC(例えば、支持体の内側にあるIC)の形態の制御回路を含む。特定の実施形態では、この構造物は、例えばそれが分割電極構造体である場合、4つ以上の電極素子を含む、例えば3つ以上の電極素子など、2つ以上の電極素子を含む。
本発明の実施形態は、電極サテライト構造体のような電極アセンブリをさらに含み、該構造体は、例えば上に考察した回路を含んだ集積回路制御装置、および少なくとも1つの電極素子を含む。従って、サテライト構造体は、該サテライト構造体がアドレス指定可能となるように、例えばIC(例えば、支持体の内側にあるIC)の形態の制御回路を含む。特定の実施形態では、この構造物は、例えばそれが分割電極構造体である場合、4つ以上の電極素子を含む、例えば3つ以上の電極素子など、2つ以上の電極素子を含む。
上に再度考察したように、この集積回路は、密閉してシールまたは保護することができる。ハーメチックシールICチップの実施形態は、限定するものではないが、2005年12月22日に出願された、「Implantable Hermetically Sealed Structures」と題する国際出願PCT/US2005/046815号に記載されているものを含む。この出願において提供されたハーメチックシール構造体に関する記載内容は、引用により具体的に本明細書に組み込まれる。
上に概要を述べたように、本発明は、上述の電極構造体を含む植え込み型医療装置を提供する。植え込み型医療装置とは、生体上または生体内に配置するように構成された装置を意味する。特定の実施形態では、植え込み型医療装置は、生体内に植え込むように構成されている。植え込み型装置の実施形態は、2日以上、約1週間以上、約4週間以上、約6ヶ月以上、約1年以上、例えば約5年以上の間、体内に見出される高塩分、高湿度環境を含む生理環境中に存在する場合に機能を保持するように構成されている。特定の実施形態では、植え込み型装置は、約10年から約50年以上にわたる期間を含む、約1年から約80年以上、例えば約5年から約70年以上にわたる期間生理学的部位に植え込まれている場合に機能を保持するように構成されている。本発明の植え込み型医療装置の大きさは変更することができる。しかしながら、植え込み型医療装置が植え込み型であるため、装置の特定の実施形態の大きさは、装置を成人の体内に配置することができないほど大きくはない。
(脈管リード)
本発明の実施形態は、例えば上に述べたような1つ以上の電極サテライト構造体を含む医学的搬送体も含む。関心のある搬送体には、限定するものではないが、脈管リード構造体が含まれる。そのような構造体は、一般に、植え込み可能な寸法を有しており、生理学的に適合性を有する材料から製造される。脈管リードに関しては、種々の異なるリード構成を採用することができ、特定の実施形態における脈管リードは、近位端および遠位端を有する細長い管状、例えば円筒状の構造体である。近位端は、例えば「缶」または類似の装置内に存在する制御装置に接続するためのコネクタ要素、例えばIS−1コネクタを含むことができる。リードは、1つ以上の導体要素、例えばワイヤ等を格納するために、例えばガイドワイヤと共に用いるための1つ以上の管腔を含むことができる。遠位端は、所望に応じた種々の異なる特徴、例えば固定手段等を含むことができる。
本発明の実施形態は、例えば上に述べたような1つ以上の電極サテライト構造体を含む医学的搬送体も含む。関心のある搬送体には、限定するものではないが、脈管リード構造体が含まれる。そのような構造体は、一般に、植え込み可能な寸法を有しており、生理学的に適合性を有する材料から製造される。脈管リードに関しては、種々の異なるリード構成を採用することができ、特定の実施形態における脈管リードは、近位端および遠位端を有する細長い管状、例えば円筒状の構造体である。近位端は、例えば「缶」または類似の装置内に存在する制御装置に接続するためのコネクタ要素、例えばIS−1コネクタを含むことができる。リードは、1つ以上の導体要素、例えばワイヤ等を格納するために、例えばガイドワイヤと共に用いるための1つ以上の管腔を含むことができる。遠位端は、所望に応じた種々の異なる特徴、例えば固定手段等を含むことができる。
主題のシステムの特定の実施形態では、1つ以上の組の上述の電極サテライトが、少なくとも1つの細長い導電性部材、例えば、心臓脈管リードのようなリード内に存在する細長い導電性部材に電気的に連結されている。特定の実施形態では、細長い導電性部材は、多重リードの一部である。多重リード構造体は、所望に応じて、2つ以上、例えば3つ以上、4つ以上、5つ以上、10以上、15以上、20以上等のサテライトを含むことができ、特定の実施形態では、多重リードは、サテライトより数の少ない導電性部材を有する。特定の実施形態では、多重リードは、3本以下の、例えば2本のみまたは1本のみのワイヤを含む。関心のある多重リード構造体は、2003年12月11日に出願された、「Method and System for Monitoring and Treating Hemodynamic Parameters」と題する出願第10/734,490号、2006年9月1日に出願された、「Methods and Apparatus for Tissue Activation and Monitoring」と題する国際出願PCT/US2005/031559号、2005年12月22日に出願された、「Implantable Addressable Segmented Electrodes」と題する国際出願PCT/US2005/46811号、2005年12月22日に出願された、「Implantable Hermetically Sealed Structures」と題する国際出願PCT/US2005/46815号、2006年4月18日に出願された、「High Phrenic,
Low Pacing Capture Threshold Implantable Addressable Segmented Electrodes」と題する国際出願60/793,295号および2006年7月13日に提出された、「High Phrenic, Low Capture Threshold Pacing Devices and Methods」と題する国際出願60/807,289号に記載されたものを含み、これらの出願の種々の多重リード構造体の開示内容は、引用により本明細書に組み込まれる。本発明のいくつかの実施形態では、装置およびシステムは、例えば、ペースメーカ缶のような中央制御装置内に存在する、内蔵論理回路またはプロセッサを含むことができる。これらの実施形態では、中央制御装置は、近位端のIS−1接続のように、コネクタによってリードに電気的に連結することができる。
Low Pacing Capture Threshold Implantable Addressable Segmented Electrodes」と題する国際出願60/793,295号および2006年7月13日に提出された、「High Phrenic, Low Capture Threshold Pacing Devices and Methods」と題する国際出願60/807,289号に記載されたものを含み、これらの出願の種々の多重リード構造体の開示内容は、引用により本明細書に組み込まれる。本発明のいくつかの実施形態では、装置およびシステムは、例えば、ペースメーカ缶のような中央制御装置内に存在する、内蔵論理回路またはプロセッサを含むことができる。これらの実施形態では、中央制御装置は、近位端のIS−1接続のように、コネクタによってリードに電気的に連結することができる。
図2に、本発明の多重リード実施形態による、いくつかの例示的なペーシングサテライトの外観図を示す。一実施形態によれば、ペーシングリード200(例えば、図1の右心室リード102または左心室リード105)は、サテライト202のようないくつか(例えば8つ)のサテライトに連結された2本のバスワイヤS1およびS2を収容している。図2に、拡大図でのサテライト202も示す。サテライト202は、サテライト202の円筒状外壁の四分円に配置され、本発明の支持構造体によって支持された電極212、214、216、および218を含む。各サテライトは、4つの電極のうちのいずれをバスワイヤS1またはS2に連結すべきかを決定する設定信号を受信するためにペーシング・信号検出システムと通信する制御チップも、構造体の内側に含む。
設定信号、それに続くペーシングパルス信号、および電極によって収集されたアナログ信号はすべて、いずれの方向にでも、バスワイヤS1およびS2を通して通信することができる。対称配列で示しているが、電極212、214、216、および218は、これらの電極間の静電結合を最小限に抑えるために、リード200に沿ってずらされ得る。電極の象限配列は、好ましい方向、例えば、神経から離れる方向、またはペーシング電流を弱めるように構成された電極に面して配向された電極を介したペーシング電流の管理を可能にする。そのような正確なペーシングによって、低電力ペーシングが可能となり、またペーシング信号による組織損傷を最小限に抑えることができる。
リードは、サテライトまたはサテライトとは別個の構造体を用いることができる、種々の異なるエフェクタ要素をさらに含む。エフェクタは、限定するものではないが、圧力データ、体積データ、寸法データ、温度データ、酸素濃度データ、二酸化炭素濃度データ、ヘマトクリットデータ、導電率データ、電位データ、pHデータ、化学的データ、血流速度データ、熱伝導率データ、光学特性データ、断面積データ、粘性データ、放射線データ等のようなデータの収集を目的とすることができる。従って、エフェクタは、センサ、例えば温度センサ、加速度計、超音波送信機または超音波受信機、電圧センサ、電位センサ、電流センサ等とすることができる。あるいは、エフェクタは、電流または電圧の供給、電位の設定、基板または部位の加熱、圧力変化の誘起、材料もしくは物質の放出または捕獲、発光、音響エネルギーまたは超音波エネルギーの放出、放射線放出等のような、作動または介入を目的とするものであってもよい。
関心のあるエフェクタには、限定するものではないが、本願の発明者らのうちの少なくとも一部による次に挙げる出願に記載されたエフェクタが含まれる。20040193021として公開された、「Method And System For Monitoring And Treating Hemodynamic Parameters」と題する米国特許出願第10/734490号、20060058588として公開された、「Methods And Apparatus For Tissue Activation And Monitoring」と題する米国特許出願第11/219,305号、「Implantable Addressable Segmented
Electrodes」と題する国際出願PCT/US2005/046815号、「Implantable Accelerometer−Based Cardiac Wall Position Detector」と題する米国特許出願第11/324,196号、「Method and Apparatus for Enhancing Cardiac Pacing」と題する米国特許出願第10/764,429号、「Methods and Systems for Measuring Cardiac Parameters」と題する米国特許出願第10/764,127号、「Method and System for Remote Hemodynamic Monitoring」と題する米国特許出願第10/764,125号、「Implantable Hermetically Sealed Structures」と題する国際出願PCT/US2005/046815号、「Fiberoptic Tissue Motion Sensor」と題する米国出願第11/368,259号、「Implantable Pressure Sensors」と題する国際出願PCT/US2004/041430号、「Implantable Doppler Tomography System」と題する米国特許出願第11/249,152号。また、米国特許仮出願第60/617,618号、「Cardiac Motion Characterization by Strain Gauge」と題する国際出願PCT/USUS05/39535号に対する優先権を主張する。これらの出願は、その全体が引用により本明細書に組み込まれる。
Electrodes」と題する国際出願PCT/US2005/046815号、「Implantable Accelerometer−Based Cardiac Wall Position Detector」と題する米国特許出願第11/324,196号、「Method and Apparatus for Enhancing Cardiac Pacing」と題する米国特許出願第10/764,429号、「Methods and Systems for Measuring Cardiac Parameters」と題する米国特許出願第10/764,127号、「Method and System for Remote Hemodynamic Monitoring」と題する米国特許出願第10/764,125号、「Implantable Hermetically Sealed Structures」と題する国際出願PCT/US2005/046815号、「Fiberoptic Tissue Motion Sensor」と題する米国出願第11/368,259号、「Implantable Pressure Sensors」と題する国際出願PCT/US2004/041430号、「Implantable Doppler Tomography System」と題する米国特許出願第11/249,152号。また、米国特許仮出願第60/617,618号、「Cardiac Motion Characterization by Strain Gauge」と題する国際出願PCT/USUS05/39535号に対する優先権を主張する。これらの出願は、その全体が引用により本明細書に組み込まれる。
(植え込み型パルス発生器)
本発明の実施形態は、植え込み型パルス発生器をさらに含む。植え込み型パルス発生器は、電源および電気刺激制御要素を含むハウジングと、各々が適切なコネクタ、例えばIS−1コネクタを介してハウジング内の制御要素に連結された1つ以上の上述の脈管リード、例えば2つ以上の脈管リードとを含む。特定の実施形態では、植え込み型パルス発生器は、心臓血管用途、例えばペーシング用途、心臓再同期療法用途等に用いられるものである。従って、特定の実施形態では、制御要素は、例えば該制御要素のプロセッサのコンピュータ可読媒体上に記録された適切な制御アルゴリズムを有することによって、パルス発生器がペースメーカとして動作するようパルス発生器を作動させるように構成されている。
本発明の実施形態は、植え込み型パルス発生器をさらに含む。植え込み型パルス発生器は、電源および電気刺激制御要素を含むハウジングと、各々が適切なコネクタ、例えばIS−1コネクタを介してハウジング内の制御要素に連結された1つ以上の上述の脈管リード、例えば2つ以上の脈管リードとを含む。特定の実施形態では、植え込み型パルス発生器は、心臓血管用途、例えばペーシング用途、心臓再同期療法用途等に用いられるものである。従って、特定の実施形態では、制御要素は、例えば該制御要素のプロセッサのコンピュータ可読媒体上に記録された適切な制御アルゴリズムを有することによって、パルス発生器がペースメーカとして動作するようパルス発生器を作動させるように構成されている。
本発明の一実施形態による植え込み型パルス発生器が図1に描かれている。図1に、本発明の一実施形態による、多電極ペーシングリードに組み込まれたいくつかのペーシングサテライトの位置を示している。ペーシング・信号検出システム101は、心臓外通信を行い、システム全体に対する要素を制御する。いくつかの実施形態では、ペーシング・信号検出システム101は、例えば、外部または体外にあるペースメーカのペーシング缶とすることができる。
右心室リード102は、ペーシング・信号検出システム101から出て、ペーシング・信号検出システム101からの皮下位置から進んで患者の体内に入り(例えば、好ましくは、鎖骨下静脈アクセス)上大静脈を通って右心房に入る。右心室リード102は、右心房から三尖弁に通され、右心室の壁に沿った位置まで到達している。右心室リード102の遠位部分は、心室中隔に沿って配置され、固定によって右心室心尖部内で終了するのが好ましい。右心室リード102は、位置103および104に配置されたサテライトを含む。心室リード102のサテライト数に制限はなく、図1に示すサテライト数より多くても少なくてもよい。
同様に、左心室リード105は、ペーシング・信号検出システム101から出て、右心室リード102とほぼ同一の経路をたどる(例えば、鎖骨下静脈アクセスにより上大静脈を通って右心房内へ)。右心房内で、左心室リード105は、冠状静脈洞内に流れ出る心静脈内の心臓後壁を回って冠状静脈洞に通される。左心室リード105は、2心室ペーシングに対して有利な位置となる可能性が高い左心室の壁に沿って側方に配置される。図1に、左心室リード105に沿って位置106および107に配置されたサテライトを示す。右心室リード102には、任意選択的に、右心室内の位置に圧力センサ108を備えてもよい。信号多重化配列により、リードがペーシングおよび信号収集の目的(例えば右心室リード102)でそのような能動素子(例えば圧力センサ108)を含むことが可能となる。ペーシング・信号検出システム101は、位置103、104、106、および107において、サテライトの各々と通信する。サテライトによって制御される電極は、心臓脱分極信号を検出するためにも用いることができる。さらに、加速度計、ひずみゲージ、角度ゲージ、温度センサのような他の種類のセンサを、電極のいずれかに含めることができる。
上述のシステムでは、多重化システム(例えば、公開済みの、「Methods and systems for measuring cardiac parameters」と題する米国特許出願公開第20040254483号、「Method and
apparatus for enhancing cardiac pacing」と題する米国特許出願公開第20040220637号、「Method and system for remote hemodynamic monitoring」と題する米国特許出願公開第20040215049号、および「Method and system for monitoring and treating hemodynamic parameters」と題する米国特許出願公開第20040193021号に記載された(それらの開示内容は、引用により本明細書に組み込まれる))によって、装置構成要素を電極リード105の近位端に接続することができる。電極リード105の近位端は、例えばIS−1コネクタを介して、ペースメーカ101に接続する。
apparatus for enhancing cardiac pacing」と題する米国特許出願公開第20040220637号、「Method and system for remote hemodynamic monitoring」と題する米国特許出願公開第20040215049号、および「Method and system for monitoring and treating hemodynamic parameters」と題する米国特許出願公開第20040193021号に記載された(それらの開示内容は、引用により本明細書に組み込まれる))によって、装置構成要素を電極リード105の近位端に接続することができる。電極リード105の近位端は、例えばIS−1コネクタを介して、ペースメーカ101に接続する。
使用の特定の実施形態中、電極リード105は、誘導針、ガイドカテーテル、ガイドワイヤ、および/または探り針を含む標準的な心臓リード配置装置を用いて心臓内に配置される。簡潔に述べれば、誘導針は鎖骨静脈内に配置される。ガイドカテーテルは、誘導針を介して配置され、右心房内の冠状静脈洞の位置を突き止めるために用いられる。次いで、ガイドワイヤを用いて左心室心静脈の位置が突き止められる。電極リード105は、ガイドワイヤ上を左心室心静脈内に通され、CRTに最適な位置が見つかるまでテストされる。ひとたび植え込まれれば、多電極リード105は、最適な電極の位置の継続的再調整を引き続き可能とする。
電極リード102は、心臓の右心室内に配置される。この観点から、電極102には、1または複数の電極103、104が備えられている。
電極リード102は、心臓右心室リードの一般的な配置手順に類似した手順で心臓内に配置される。電極リード102は、誘導針、ガイドカテーテル、ガイドワイヤ、および/または探り針を含む標準的な心臓リード装置を用いて心臓内に配置される。電極リード102は、鎖骨静脈に挿入され、上大静脈を通り、右心房を経由して右心室内に下る。電極リード102は、蛍光板透視下で、電極リード102を固定するのに臨床的に最適かつ運搬上実際的であると臨床医学者が判断した位置に配置される。
上の説明の態様を要約すると、本発明の植え込み型パルス発生器を用いるにあたり、上記の方法は、例えば上に述べた植え込み型パルス発生器を被術者の体内に植え込む工程と、例えば被術者の心臓をペースするための植え込み型パルス発生器が被術者の体内で心臓再同期療法等を行う工程とを含む。被術者または患者を参照する特定の例で、本発明の説明を本明細書において行う。本明細書において使用する用語「被術者」および「患者」は、動物のような生きている実体を指す。特定の実施形態では、動物は、「哺乳類」(「mammals」または「mammalian」)あり、これらの用語は、肉食目(例えばイヌおよびネコ)、齧歯目(例えば、マウス、テンジクネズミ、およびラット)、ウサギ目(例えばウサギ)および霊長目(例えば、ヒト、チンパンジー、およびサル)を含む哺乳綱に属する生物を言葉で表わすために広く用いられる。特定の実施形態では、被術者、例えば患者は、ヒトである。
操作時、植え込み型パルス発生器の使用は、パルス発生器の電極のうちの少なくとも1つを起動して被術者に電気エネルギーを送達する工程を含むことができ、パルス発生器の起動対象電極をまず決定し次いでその電極を起動する工程を本方法が含むように、起動を選択的とすることができる。例えばペーシングおよびCRT用のIPGの使用方法は、2006年9月1日に出願された、「Methods and Apparatus for Tissue Activation and Monitoring」と題する国際出願PCT/US2005/031559号、2005年12月22日に出願された、「Implantable Addressable Segmented Electrodes」と題する国際出願PCT/US2005/46811号、2005年12月22日に出願された、「Implantable Hermetically Sealed Structures」と題する国際出願PCT/US2005/46815号、2006年4月18日に出願された、「High Phrenic,Low Pacing Capture Threshold Implantable Addressable Segmented Electrodes」と題する国際出願60/793,295号および2006年7月13日に提出された、「High Phrenic, Low Capture Threshold Pacing Devices and Methods」と題する国際出願60/807,289号に開示されており、これらの出願の種々の起動方法は、引用により本明細書に組み込まれ、本装置の使用に適用可能である。
(システム)
植え込み型パルス発生器のような、上述の1つ以上の装置を含むシステムも提供する。本発明のシステムは、信号を送信および/または受信するように構成されたトランシーバを含む上述のIPG装置のような第1の植え込み型医療装置と、信号を送信および/または受信するように構成されたトランシーバを備える第2の装置との両方を含む、被術者、例えばヒトの体内で情報を通信するためのシステムと見なすことができる。第2の装置は、使用中、身体の内部にある装置であっても、身体の表面にある装置であっても、身体から離れている装置であってもよい。
植え込み型パルス発生器のような、上述の1つ以上の装置を含むシステムも提供する。本発明のシステムは、信号を送信および/または受信するように構成されたトランシーバを含む上述のIPG装置のような第1の植え込み型医療装置と、信号を送信および/または受信するように構成されたトランシーバを備える第2の装置との両方を含む、被術者、例えばヒトの体内で情報を通信するためのシステムと見なすことができる。第2の装置は、使用中、身体の内部にある装置であっても、身体の表面にある装置であっても、身体から離れている装置であってもよい。
本発明のシステムを用いる方法も提供する。本発明の方法は、1つを植え込み型とすることができる第1および第2の医療装置を含む、例えば上述の本発明のシステムを準備する工程と、第1の装置と第2の装置との間で信号を伝送する工程とを含む。特定の実施形態では、伝送するステップは、第1の装置から上述の第2の装置へ信号を送信する工程を含む。特定の実施形態では、伝送するステップは、第2の装置から上述の第1の装置へ信号を送信する工程を含む。信号は、任意の都合のよい周波数で伝送することができ、特定の実施形態では、周波数は、約400MHzから約405MHzの範囲にわたる。信号の性質は大きく異なってもよく、患者から取得した1つ以上のデータ、植え込み型装置から取得した装置の機能に関するデータ、植え込み型装置に対する制御情報、電力等を含むことができる。
システムの使用は、装置によって取得されたデータの視覚化を含むことができる。本発明者らの一部は、本発明によるシステムを用いて収集されることになるセンサ情報の多数のソースを統合するための種々のディスプレイツールおよびソフトウェアツールを開発してきた。これらの例は、国際出願PCT/US2006/012246号に見ることができ、その開示内容、およびその出願の優先権の基礎となる出願は、それらの全体が引用により本明細書に組み込まれる。
(製造方法)
本明細書に記載した主題の回路、構造体および装置は、任意の有利なプロトコルを用いる製造することができる。
本明細書に記載した主題の回路、構造体および装置は、任意の有利なプロトコルを用いる製造することができる。
本発明の態様は、脈管リードの電極サテライトを製造する方法を含んでおり、該方法は、上述の電極支持体を準備する工程と、電極素子を支持体の陥凹部に配置する工程とを含み、特定の実施形態では、IC(上に再度考察した集積回路のような)が支持体の陥凹部(複数)内の電極素子(複数)に電気的に連結されるように、ICを支持体内に配置する工程をさらに含む。特定の実施形態では、配置するステップは、例えば電極を陥凹部に滑り込ませることによって、あらかじめ製造された電極素子を陥凹部内に嵌合させる工程を含む。従って、2005年12月22日に出願された、「Implantable Addressable Segmented Electrodes」と題する国際出願PCT/US2005/46811に記載された花びら形電極のようなあらかじめ製造された電極素子を陥凹部に滑り込ませて、所望の電極構造を製造することができる。特定の実施形態では、本方法は、例えば、陰極アーク堆積法のような堆積プロトコルによって、支持体の陥凹部内に電極を製造する工程を含む。電極アセンブリを製造する方法に関するこれ以上の説明は、2006年11月14日に出願された仮出願第60/865,760号に提供されており、その開示内容は、引用により本明細書に組み込まれる。
(キット)
例えば上に再度考察した主題の回路を例えば含む、回路ならびに/または植え込み型医療装置およびシステムまたはシステムの構成要素含むキットも提供する。特定の実施形態では、キットは、例えばペースメーカ缶の形の少なくとも1つの制御装置をさらに含む。
例えば上に再度考察した主題の回路を例えば含む、回路ならびに/または植え込み型医療装置およびシステムまたはシステムの構成要素含むキットも提供する。特定の実施形態では、キットは、例えばペースメーカ缶の形の少なくとも1つの制御装置をさらに含む。
主題のキットの特定の実施形態では、キットは、主題の装置を用いるための説明またはそれを入手するための要素(例えば、指示を与えるウェブページへユーザを導くウェブサイトのURL)をさらに含むことになり、これらの説明は、一般に、パッケージ挿入物、パッケージ、試薬容器等のうちの1つ以上とすることができる基材上に印刷される。主題のキットでは、1つ以上の構成要素は、利便性または所望に応じて、同一または異なる容器内に存在する。
本発明は、説明済みの特定の実施形態に限定されるものではなく、従って、多様であってよいことを理解されたい。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定されることになるので、本明細書において使用する専門用語は、特定の実施形態を説明する目的のために過ぎないことも理解されたい。
値の範囲が提供されている場合、文脈によって特に明示されない限り下限の10分の1の単位まで、その範囲の上限と下限の間にある各値およびその記載範囲内の何らかの他の記載値または間にある値は本発明内に包含されることを理解されたい。これらのより小さい範囲の上限および下限は、記載範囲内の何らかの具体的に除外された制限に従うことを条件として、より小さい範囲内に単独で含めることができる。記載範囲に1つまたは両方の限界が含まれる場合、それらの含まれた限界の一方または両方を除外した範囲も本発明に含まれる。
別途定義がない限り、本明細書において使用する技術用語および科学用語は、本発明の属する業界の通常の技術者によって一般に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書に記載するものと類似するかまたは等価の方法および材料は、本発明の実施または試験にも用いることができるが、代表的な例示的方法および材料についてここで説明されている。
本明細書および添付の特許請求の範囲において使用する単数形「1つの」および「その」は、文脈によって特に明示されない限り、複数の指示対象を含むことに留意されたい。特許請求の範囲は、あらゆる随意的要素を排除するよう起草することができることにさらに留意されたい。従って、この記載は、特許請求の範囲の構成要素の列挙に関連した「唯一」、「のみ」等のような排他的専門用語の使用、または「否定」的制限の使用の根拠となることを意図されている。
本開示を読めば当業者には明らかとなるように、本明細書に説明し図解した個々の実施形態の各々は、本発明の範囲または精神から逸脱することなく、他のいくつかの実施形態のうちのいずれかの特徴から容易に分離または組み合わせることができる別個の構成要素および特徴を有する。列挙された方法のいずれも、列挙された事象の順に、または論理的に可能な任意の他の順序で実行することができる。
前述の発明を、理解を明確にするために、説明および例示の目的で、ある程度詳細に説明してきたが、本発明の教示に照らして、当業界の通常の技術者には、添付の特許請求の範囲の精神または範囲から逸脱することなく本発明に特定の変更および修正を行うことができることは容易に明らかであろう。
従って、上記の説明は、単に本発明の原理を説明するものに過ぎない。当業者は、たとえ本明細書に明確に説明または示されていなくとも、本発明の原理を具現した、本発明の精神および範囲内に含まれる種々の配列を考え出すことができることが分かるであろう。さらに、本明細書に列挙したすべての例および条件付き言語は、主として、本発明の原理および技術の推進のために本発明らが導いた概念を読者が理解するのを助けることを目的としており、そのような具体的に列挙した例および条件に対して制限はないと見なすべきである。さらに、本発明の原理、態様、および実施形態、ならびに本発明の具体例を列挙した本明細書におけるすべての記載は、本発明の構造的均等物および機能的均等物の両方を包含することを意図されている。さらに、そのような均等物は、現在知られている均等物および将来において開発される均等物、すなわち、構造に関わりなく、同じ機能を実行する、あらゆる開発された要素を含むことが意図されている。従って、本発明の範囲は、本明細書に示して説明した例示的な実施形態に限定されることを意図されてはいない。むしろ、本発明の範囲および精神は、添付の特許請求の範囲によって具体化される。
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- 明細書に記載された発明。
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