JP2012151504A - 薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平行平板電極を構成するサセプタ26にウエハWを載置し、シャワーヘッド9に高周波を供給してサセプタ26との間にプラズマを生成し、ウエハWに薄膜を形成する際に、シャワーヘッド9を内側電極部91と外側電極部92に分割するとともに、シャワーヘッド9全体に一応に同じレベルの電圧を供給して薄膜を形成したときに、ウエハWの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも薄くなる場合には、内側電極部91に供給される高周波電力よりも大きな高周波電力を外側電極部92に供給してウエハW上に薄膜を形成し、ウエハWの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも厚くなる場合には、内側電極部91に供給される高周波電力よりも小さな高周波電力を外側電極部92に供給してウエハW上に薄膜を形成する。
【選択図】図2
Description
V1=I1Z1≒I1/jω1C1…(1)
V2=I2Z2≒I2/jω2C2…(2)
V1=I1Z1≒I1/jωC1…(3)
V2=I2Z2≒I2R+I2/jωC2…(4)
但し、V1=V2
P2=I2V2=I2・I2Z2≒I2・I2R+I2・I2/jωC2…(5)
P1=I1V1=I1・I1Z1≒I1・I1/jωC1…(6)
Claims (1)
- 平行平板電極を構成する上部電極と下部電極のうち、前記下部電極に被処理基板を載置するとともに、前記上部電極に高周波電力を供給して前記下部電極との間にプラズマを生成し、前記被処理基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記上部電極を、前記下部電極に対向する部位が、前記下部電極に載置される前記被処理基板の周縁部に対応する外側電極部と、前記被処理基板の前記周縁部よりも内側に対応する内側電極部とに分割し、
前記上部電極全体に一応に同じレベルの電圧を供給して、前記被処理基板に薄膜を形成したときに、前記被処理基板の前記周縁部の膜厚が、前記周縁部よりも内側部分の膜厚よりも薄くなってしまう場合には、前記内側電極部に供給される高周波電力よりも大きな高周波電力を前記外側電極部に供給して、前記被処理基板上に薄膜を形成し、
前記上部電極全体に一応に同じレベルの電圧を供給して、前記被処理基板に薄膜を形成したときに、前記被処理基板の前記周縁部の膜厚が、前記周縁部よりも内側部分の膜厚よりも厚くなってしまう場合には、前記内側電極部に供給される高周波電力よりも小さな高周波電力を前記外側電極部に供給して、前記被処理基板上に薄膜を形成する
薄膜形成方法。
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2012
- 2012-04-09 JP JP2012088111A patent/JP2012151504A/ja active Pending
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