JP2012142465A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体モジュール101において露出する金属板5と冷却装置102とが接合材7にて接合され、金属板5は、接合される接合領域52と、接合しない非接合領域53とを有する。このような半導体装置110において、非接合領域、接合材の周囲領域54、及び冷却装置において接合された部分の周囲の接合周囲領域63に対してさらに樹脂剤9を備えた。
【選択図】図1
Description
即ち、本発明の一態様における半導体装置は、半導体素子、及び、絶縁層と一体的に形成された金属板を樹脂にて封止した封止体を有しこの封止体の一面に上記金属板を露出させた半導体モジュールと、金属板の露出面に対向して配置され、接合材を介して上記露出面に接合される放熱部材とを備えた半導体装置であり、上記金属板の露出面は、接合材で接合される接合領域と、接合材が接触せず接合されない非接合領域とを有し、当該半導体装置は、さらに樹脂剤を備え、この樹脂剤は、上記非接合領域、上記半導体モジュールと上記放熱部材とを接合した接合材の周囲に対応する接合材周囲領域、及び上記金属板の露出面に対面する上記放熱部材の接合材接合面において上記金属板と接合された部分の周囲に対応する接合周囲領域に対して設けられることを特徴とする。
本発明の実施の形態1における半導体装置について、図を参照して説明する。
図1に示すように、実施の形態1における半導体装置110は、大きく分けて、半導体モジュール101と、放熱部材の一例に相当する冷却装置102とを備え、半導体モジュール101と冷却装置102とは、外接合材7にて接合されている。さらに、本実施形態の半導体装置110は、特徴的構成の一つとして、半導体モジュール101と冷却装置102との接合部分に樹脂剤9を備える。これらの構成部分について、以下に詳しく説明する。
半導体モジュール101の概略構成は、半導体素子1、及び、絶縁シート2と一体的に形成された金属板5を備え、これらをモールド樹脂8にて封止して封止体1011を形成する。このとき、封止体1011の一面には、金属板5を露出させている。また、半導体素子1は、ヒートスプレッダ3の実装面3aに実装されている。これらの構成部分については、以下でさらに詳しく説明する。尚、半導体モジュール101に含まれるが、本発明の構成とは直接に関係しない構成部分、例えば、半導体素子1に電気信号を供給するAlワイヤ15等については、説明を省略する。
逆に、金属板5がはんだ接合できない材料(例えばAl等)である場合には、金属板5の露出面51に、予めはんだ接合処理を施すことで、接合領域52を形成することができる。はんだ接合処理としては、上述のように、露出面51にNiメッキ等を施すこと等がある。
このようにして、半導体モジュール101が形成される。
冷却装置102は、半導体素子1で発生した熱を放熱して半導体装置110全体を冷却するための装置であり、放熱部材の機能を果たす一例に相当する。本実施の形態1では、冷却装置102は、図1に示すように、Alで形成された筒状の枠体6と、枠体6内に冷媒の一例としての冷却水を供給する冷却水供給部65とを有する。枠体6は、半導体モジュール101における金属板5の露出面51に対面して位置する接合材接合面61を有する。接合材接合面61は、外接合材7によって金属板5と接合可能な形状及び材料にて構成されればよい。本実施形態の場合、Al材の枠体6であることから、接合材接合面61には、Niメッキを施している。
樹脂剤9は、金属板5の露出面51を含む封止体1011の接続面1011cと冷却装置102の枠体6との隙間103において、金属板5における非接合領域53、外接合材7の接合材周囲領域54、及び枠体6の接合周囲領域63に設けられる。ここで接合材周囲領域54は、半導体モジュール101と冷却装置102とを接合している外接合材7の周縁の領域に相当する。また、接合周囲領域63には上述のように凹部62が形成されていることから、樹脂剤9が特に凹部62に入り込むことが重要となる。
1.半導体素子1とヒートスプレッダ3とを内接合材4を用いて接合するダイボンド工程。
2.半導体素子1が接合されたヒートスプレッダ3にリードフレーム10を内接合材41を用いて接合するフレーム接合工程。ここで、内接合材41は、内接合材4と同じ材料を用いてもよい。
3.リードフレーム11と半導体素子1とをワイヤボンドで接合するワイヤボンド工程。
4.リードフレーム10、11が接合されたヒートスプレッダ3、及び、金属板5と一体的に形成された絶縁シート2を、金型内で一体的にモールドすることで半導体モジュール101とするモールド工程。
5.モールドが完了した半導体モジュール101における露出面51の接合領域52と、冷却装置102の接合材接合面61とを外接合材7を用いて接合する接合工程。
6.樹脂剤9を、非接合領域53、枠体6の接合周囲領域63、特に凹部62、及び外接合材7の接合材周囲領域54に充填し、熱硬化させる樹脂充填工程。
まず、半導体モジュール101の金属板5と冷却装置102とを外接合材7を用いて接合することによって、グリスを用いた場合と比較して、接合材はグリスより熱伝導率が大きいため、半導体装置110の放熱性を向上することができる。
さらに、上述のように金属板5の端部で外接合材7に生じる熱応力が最大となることで、金属板5と一体的に形成されている絶縁シート2が半導体モジュール101の封止体1011から剥離し、半導体モジュール101の放熱性や絶縁性を劣化させることが考えられる。そのため、半導体装置110の信頼性をより向上させるためには、金属板5及び絶縁シート2の剥離や、外接合材7に生じる接合材のクラックを抑制することが重要となる。
次に、本実施の形態2における半導体装置について、図6を参照して以下に説明する。
本実施の形態2における半導体装置120と、図1を参照して上述した半導体装置110との相違点は、リードフレーム11が内接合材42を用いて半導体素子1と接合されている点、及び、樹脂剤9を隙間103から封止体1011の側面1011aまで延在させて設けた点である。このような構成を有する実施形態2における半導体モジュールについて、101−2の符号を付す。
尚、半導体装置120におけるその他の構成については、上述した半導体装置110と同じであり、ここでの説明を省略する。同様に、製造工程についても上述の半導体装置110と同じであるため、説明を省略する。
リードフレーム11をワイヤボンドではなく内接合材42を用いて半導体素子1と接合することにより、半導体素子1とリードフレーム11との接合面積及び接合強度が増す。よって、ワイヤボンドで接合したときと比較して、熱的信頼性が向上する。ここで、内接合材42は、内接合材4や内接合材41と同じ材料を用いてもよい。
尚、本実施の形態2における構成を、実施の形態1における半導体装置に適用することも勿論可能である。
次に、本実施の形態3における半導体装置について、図7を参照して以下に説明する。
本実施の形態3における半導体装置130と、図6を参照して上述した実施形態2の半導体装置120との相違点は、金属板5の露出面51を含む、封止体1011の接続面1011cは、露出面51に対向する表面1011bに比べて面積を小さくした点である。つまり、半導体装置130は、図7に示すように、封止体1011の側面1011aにおいて、一体的に形成された金属板5及び絶縁シート2に対応する側面部分を、封止体1011の内側方向へ凹ませた構成を有する。このような構成を有する実施形態3における半導体モジュールについて、101−3の符号を付す。
尚、半導体装置130におけるその他の構成については、上述した半導体装置120と同じであり、ここでの説明を省略する。同様に、製造工程についても上述の半導体装置110の場合と同じであるため、説明を省略する。
上述したように絶縁シート2及び金属板5の周囲に対応した部分のモールド樹脂8の厚みを薄くすることで、つまり封止体1011の幅を小さくすることで、実施の形態2の場合に比べると、封止体1011の側面1011cまで延在する樹脂剤9が、一体的に形成された金属板5及び絶縁シート2により近づいて配置される。よって、モールド樹脂8の厚みが薄い分、一体的に形成された金属板5及び絶縁シート2の、熱膨張に起因する直交方向1011dにおける移動や変位がより効果的に抑制される。したがって、実施の形態2の半導体装置120に比して、外接合材7に生じる熱応力がさらに低減され、外接合材7の接合材のクラックをさらに抑制することが可能となる。その結果、さらに製品の信頼性を向上されることができる。
52 接合領域、53 非接合領域、54 接合材周囲領域、
62 凹部、63 接合周囲領域、
101、101−2、101−3 半導体モジュール、
110,120,130 半導体装置。
Claims (11)
- 半導体素子、及び、絶縁層と一体的に形成された金属板を樹脂にて封止した封止体を有しこの封止体の一面に上記金属板を露出させた半導体モジュールと、金属板の露出面に対向して配置され、接合材を介して上記露出面に接合される放熱部材とを備えた半導体装置において、
上記金属板の露出面は、接合材で接合される接合領域と、接合材が接触せず接合されない非接合領域とを有し、
当該半導体装置は、さらに樹脂剤を備え、この樹脂剤は、上記非接合領域、上記半導体モジュールと上記放熱部材とを接合した接合材の周囲に対応する接合材周囲領域、及び上記金属板の露出面に対面する上記放熱部材の接合材接合面において上記金属板と接合された部分の周囲に対応する接合周囲領域に対して設けられる、
ことを特徴とする半導体装置。 - 上記半導体モジュールは、上記半導体素子を実装する金属部材をさらに有し、この金属部材は、半導体素子を実装した実装面に対向する対向面を上記絶縁層に接して配置され実装された半導体素子とともに樹脂封止される、請求項1記載の半導体装置。
- 上記金属板の露出面は方形状の平面形状であり、上記非接合領域は、露出面の四隅に配置される、請求項1又は2記載の半導体装置。
- 上記非接合領域は、上記接合材周囲領域で上記露出面の四隅以外に配置される、請求項3記載の半導体装置。
- 上記接合領域は、上記金属板の露出面に予め接合材接合処理が施された領域であり、上記非接合領域は、上記露出面に予め接合材非接合処理が施された領域である、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記放熱部材は、上記接合材接合面における上記接合周囲領域に、上記樹脂剤が注入される凹部を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記樹脂剤は、上記半導体モジュールと上記放熱部材との隙間から上記半導体モジュールにおける上記封止体の側面まで設けられる、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記半導体モジュールの封止体は、上記金属板の露出面を含む接続面に対向する封止体表面を有し、上記接続面は封止体表面に比べて小さい面積を有する、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記樹脂剤は、上記非接合領域、上記接合材周囲領域、及び上記放熱部材における接合周囲領域において、上記半導体モジュール及び上記放熱部材に固着している、請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記接合材は、融点の比較的低い金属材料である、請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 上記金属板は、厚さ100μm程度の金属箔からなる、請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置。
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