JP2012135809A - Laser beam machine - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machine capable of promptly executing inspection of machining quality of a substrate.SOLUTION: A machining optical system 131 is movable in the X-axis direction horizontal with respect to an upper face of a holder 113 on which the substrate 102 is installed and in the Y-axis direction horizontal with respect to the upper face of the holder 113 and orthogonal to the X-axis direction, and emits laser beams for machining the substrate 102. A resistance measuring unit 132 to which a probe card 133 is mounted measures a resistance value of a machined portion of the substrate 102 by the machining optical system 131, and takes an image of a measurement position Pb by a camera. The resistance measuring unit 132 is mounted to the machining optical system 131 so that a machining position of the machining optical system 131 and the imaging range of the camera are aligned in the Y-axis direction. This laser beam machine is applicable to for example, a substrate repair device.

Description

本発明は、レーザ加工装置に関し、特に、加工品質の検査を実行可能なレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly to a laser processing apparatus capable of executing processing quality inspection.

従来、レーザ光を用いて基板の配線の欠陥を修正するリペア装置に、給電プローブヘッドとセンサヘッドを備える給電プローブヘッドを２組設け、その２組の給電プローブヘッドを用いて、基板を加工した部分の抵抗値等を測定することにより、加工品質を検査できるようにすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。   2. Description of the Related Art Conventionally, two sets of power supply probe heads including a power supply probe head and a sensor head are provided in a repair device that corrects a wiring defect on a substrate using laser light, and the substrate is processed using the two power supply probe heads. It has been proposed that the processing quality can be inspected by measuring the resistance value or the like of the portion (see, for example, Patent Document 1).

特開２００７−２０６６４１号公報JP 2007-206641 A

特許文献１に記載のリペア装置などのレーザ加工装置では、基板の製造時間をさらに短縮するために、より迅速に加工品質を検査できるようにすることが望まれている。   In a laser processing apparatus such as a repair apparatus described in Patent Document 1, it is desired to be able to inspect the processing quality more quickly in order to further reduce the manufacturing time of the substrate.

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、迅速に基板の加工品質を検査できるようにするものである。   The present invention has been made in view of such a situation, and makes it possible to quickly inspect the processing quality of a substrate.

本発明の一側面のレーザ加工装置は、レーザ光を用いて基板を加工するレーザ加工装置において、レーザ光を出射する加工手段と、加工手段に取付けられ、加工手段による基板の加工部分の抵抗値を測定するとともに、測定位置付近を撮影する測定手段とを備え、加工手段は、基板を設置する台に対して水平な第１の方向、および、台に対して水平かつ第１の方向に直交する第２の方向に移動可能であり、測定手段は、加工手段の加工位置と測定手段の撮影範囲が第２の方向に並ぶように加工手段に取付けられていることを特徴とする。   A laser processing apparatus according to one aspect of the present invention is a laser processing apparatus that processes a substrate using laser light, a processing unit that emits laser light, and a resistance value of a processing portion of the substrate that is attached to the processing unit and is processed by the processing unit. And measuring means for photographing the vicinity of the measurement position, the processing means is a first direction horizontal to the table on which the substrate is placed, and is horizontal to the table and orthogonal to the first direction The measuring means is attached to the processing means so that the processing position of the processing means and the photographing range of the measuring means are aligned in the second direction.

本発明の一側面のレーザ加工装置においては、基板を設置する台に対して水平な第１の方向、および、台に対して水平かつ第１の方向に直交する第２の方向に移動可能な加工手段から出射されるレーザ光を用いて基板が加工され、加工手段の加工位置と撮影範囲が第２の方向に並ぶように加工手段に取付けられている測定手段により、基板の加工部分の抵抗値が測定されるとともに、測定位置付近が撮影される。   In the laser processing apparatus according to one aspect of the present invention, the laser processing apparatus is movable in a first direction horizontal to the table on which the substrate is placed and a second direction horizontal to the table and perpendicular to the first direction. The substrate is processed using laser light emitted from the processing means, and the resistance of the processed portion of the substrate is measured by the measuring means attached to the processing means so that the processing position of the processing means and the photographing range are aligned in the second direction. The value is measured and the vicinity of the measurement position is photographed.

従って、迅速に基板の加工品質を検査することができる。   Therefore, it is possible to quickly inspect the processing quality of the substrate.

この加工手段は、例えば、ミラーや対物レンズ等を備える加工光学系により構成される。この測定手段は、例えば、抵抗値を測定するためのプローブピンを有するプローブカード、測定に用いるプローブピンを選択するリレー回路、プローブカードを上下方向に移動させる機構、測定位置付近を撮影するカメラ等により構成される。   This processing means is constituted by, for example, a processing optical system including a mirror and an objective lens. This measuring means is, for example, a probe card having a probe pin for measuring a resistance value, a relay circuit for selecting a probe pin used for measurement, a mechanism for moving the probe card in the vertical direction, a camera for photographing the vicinity of the measurement position, etc. Consists of.

このレーザ加工装置には、梁が第１の方向に延伸し、台の上を第２の方向に移動可能なガントリをさらに設け、この加工手段は、ガントリの梁に第１の方向に移動可能に支持されるようにすることができる。   The laser processing apparatus further includes a gantry that extends in the first direction and can move in the second direction on the table, and the processing means can move in the first direction on the beam of the gantry. Can be supported.

これにより、加工位置と測定位置および撮影範囲とをより近接させることができ、より迅速に基板の加工品質を検査することができる。   Thereby, the processing position, the measurement position, and the imaging range can be brought closer to each other, and the processing quality of the substrate can be inspected more quickly.

この測定手段は、台および第２の方向に対して垂直な加工手段の面に対して、台に垂直な軸回りに開閉自在に加工手段に支持されるようにすることができる。   The measuring means can be supported by the processing means so as to be openable and closable about an axis perpendicular to the table with respect to the surface of the table and the processing means perpendicular to the second direction.

これにより、加工手段の調整や保守などのメインテナンス性、および、耐久性や安全性が向上する。   Thereby, maintenance, such as adjustment and maintenance of processing means, and durability and safety are improved.

この測定手段は、加工手段の加工位置と測定手段の測定位置が第２の方向にほぼ一直線に並ぶように加工手段に取付けられるようにすることができる。   The measuring means can be attached to the processing means so that the processing position of the processing means and the measurement position of the measuring means are substantially aligned in the second direction.

これにより、基板の加工後に、抵抗値を測定するために加工手段を移動させる距離を短くすることができ、より迅速に基板の加工品質を検査することが可能になる。   Thereby, after processing the substrate, the distance for moving the processing means to measure the resistance value can be shortened, and the processing quality of the substrate can be inspected more quickly.

本発明の一側面によれば、基板の加工後に続けて加工品質を検査することができる。特に、本発明の一側面によれば、迅速に基板の加工品質を検査することができる。   According to one aspect of the present invention, the processing quality can be inspected after the processing of the substrate. In particular, according to one aspect of the present invention, it is possible to quickly inspect the processing quality of a substrate.

本発明を適用したレーザ加工装置の一実施の形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Embodiment of the laser processing apparatus to which this invention is applied. レーザ加工装置の加工検査ユニットの上面図および正面図である。It is the top view and front view of the processing inspection unit of a laser processing apparatus. 加工対象となる基板の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the board | substrate used as a process target. プローブカードの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a probe card. 加工光学系の加工位置とプローブカードの測定位置の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the process position of a process optical system, and the measurement position of a probe card. 抵抗測定ユニットを閉じた状態の加工光学系および抵抗測定ユニットの周辺を示す図である。It is a figure which shows the periphery of the processing optical system of the state which closed the resistance measurement unit, and resistance measurement unit. 抵抗測定ユニットを開いた状態の加工光学系および抵抗測定ユニットの周辺を示す図である。It is a figure which shows the periphery of the processing optical system of the state which opened the resistance measurement unit, and the resistance measurement unit. 測定系ユニットの制御ユニットの構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the control unit of a measurement system unit. レーザ加工検査処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating a laser processing test | inspection process. ＺＡＰ加工の品質検査を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the quality inspection of ZAP processing. ＣＶＤ加工の品質検査を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the quality inspection of CVD process.

以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．変形例 Hereinafter, modes for carrying out the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described. The description will be given in the following order.
1. Embodiment 2. FIG. Modified example

＜１．実施の形態＞
［レーザ加工装置の構成例］
まず、図１および図２を参照して、本発明の一実施の形態であるレーザ加工装置１０１の構成例について説明する。なお、図１はレーザ加工装置１０１の斜視図であり、図２はレーザ加工装置１０１の加工検査ユニット１１４の上面図および正面図である。 <1. Embodiment>
[Configuration example of laser processing equipment]
First, with reference to FIG. 1 and FIG. 2, the structural example of the laser processing apparatus 101 which is one embodiment of this invention is demonstrated. 1 is a perspective view of the laser processing apparatus 101, and FIG. 2 is a top view and a front view of the processing inspection unit 114 of the laser processing apparatus 101. FIG.

なお、以下、定盤１１１の上面（ホルダ１１３の上面）に対して水平、かつ、ガントリ１１２Ｂが延伸する方向（レーザ加工装置１０１の左右方向）をＸ軸方向とし、左から右に向かう方向を正の方向とする。また、以下、定盤１１１の上面（ホルダ１１３の上面）に対して水平かつＸ軸に直交する方向（レーザ加工装置１０１の前後方向）をＹ軸方向とし、後ろから前に向かう方向を正の方向とする。さらに、以下、Ｘ軸およびＹ軸に直交する方向（レーザ加工装置１０１の上下方向）をＺ軸方向とし、下から上に向かう方向を正の方向とする。   Hereinafter, the direction from the left to the right is defined as the X-axis direction, which is horizontal to the upper surface of the surface plate 111 (the upper surface of the holder 113) and in which the gantry 112B extends (the left-right direction of the laser processing apparatus 101) The direction is positive. Also, hereinafter, the direction (front-rear direction of the laser processing apparatus 101) that is horizontal to the upper surface of the surface plate 111 (the upper surface of the holder 113) and orthogonal to the X-axis is defined as the Y-axis direction, The direction. Further, hereinafter, a direction orthogonal to the X axis and the Y axis (up and down direction of the laser processing apparatus 101) is defined as a Z axis direction, and a direction from bottom to top is defined as a positive direction.

レーザ加工装置１０１は、加工対象となる基板１０２に対して、レーザ光を用いたZAPPING加工（以下、ＺＡＰ加工と称する）により配線ミスを除去したり、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いたＣＶＤ加工により配線を行ったりするリペア装置である。   The laser processing apparatus 101 removes wiring mistakes by ZAPPING processing (hereinafter referred to as ZAP processing) using laser light, or uses a laser CVD (Chemical Vapor Deposition) method on the substrate 102 to be processed. It is a repair device that performs wiring by CVD processing.

なお、基板１０２は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板等により構成される。また、図３に示されるように、基板１０２には、レーザ加工装置１０１によるＺＡＰ加工およびＣＶＤ加工の品質検査を行うためのエリアであるＴＥＧ（Test Element Group）−ＰＡＤ１８１ａ乃至１８１ｆが設けられている。   The substrate 102 is composed of, for example, a TFT (Thin Film Transistor) substrate. Further, as shown in FIG. 3, the substrate 102 is provided with TEG (Test Element Group) -PADs 181a to 181f, which are areas for performing quality inspection of ZAP processing and CVD processing by the laser processing apparatus 101. .

なお、図３では、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａ乃至１８１ｆのみ図示されているが、ＴＥＧ−ＰＡＤの数は、この例に限定されるものではない。また、以下、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａ乃至１８１ｆを個々に区別する必要がない場合、単にＴＥＧ−ＰＡＤ１８１と称する。   In FIG. 3, only TEG-PADs 181a to 181f are shown, but the number of TEG-PADs is not limited to this example. Hereinafter, when it is not necessary to individually distinguish the TEG-PADs 181a to 181f, they are simply referred to as TEG-PAD181.

なお、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１の具体例については、図１０および図１１を参照して後述する。   In addition, the specific example of TEG-PAD181 is later mentioned with reference to FIG. 10 and FIG.

レーザ加工装置１０１は、定盤１１１、ＸＹガントリステージ１１２、ホルダ１１３、および、加工検査ユニット１１４を含むように構成される。   The laser processing apparatus 101 is configured to include a surface plate 111, an XY gantry stage 112, a holder 113, and a processing inspection unit 114.

ＸＹガントリステージ１１２のガイド１１２Ａ１およびガイド１１２Ａ２は、定盤１１１の上面の左右の両端にＹ軸方向に延伸するように設置されている。ＸＹガントリステージ１１２のガントリ１１２Ｂは、梁（ビーム）がＸ軸方向に延伸するようにガイド１１２Ａ１，１１２Ａ２の上に設置され、ガイド１１２Ａ１，１１２Ａ２に従ってＹ軸方向に移動することができる。   The guide 112A1 and the guide 112A2 of the XY gantry stage 112 are installed so as to extend in the Y-axis direction at both left and right ends of the upper surface of the surface plate 111. The gantry 112B of the XY gantry stage 112 is installed on the guides 112A1 and 112A2 so that the beam (beam) extends in the X-axis direction, and can move in the Y-axis direction according to the guides 112A1 and 112A2.

ホルダ１１３は、定盤１１１の上面のガイド１１２Ａ１とガイド１１２Ａ２の間に設置され、加工対象となる基板１０２が設置される。また、ホルダ１１３は、基板１０２の搬入および搬出等を行うために、定盤１１１上をＹ軸方向に移動させることができる。   The holder 113 is installed between the guide 112A1 and the guide 112A2 on the upper surface of the surface plate 111, and the substrate 102 to be processed is installed. The holder 113 can be moved on the surface plate 111 in the Y-axis direction in order to carry in and out the substrate 102 and the like.

加工検査ユニット１１４は、基板１０２を加工するためのレーザ光を出射するとともに、基板１０２の加工品質を検査するためのユニットである。加工検査ユニット１１４は、ガントリ１１２Ｂの梁にＸ軸方向に移動可能に支持されている。また、加工検査ユニット１１４は、加工光学系１３１、抵抗測定ユニット１３２、プローブガード１３３、および、抵抗測定器（ソースメータ）１３４を含むように構成される。   The processing inspection unit 114 is a unit for emitting a laser beam for processing the substrate 102 and inspecting the processing quality of the substrate 102. The processing inspection unit 114 is supported by the beam of the gantry 112B so as to be movable in the X-axis direction. The processing inspection unit 114 is configured to include a processing optical system 131, a resistance measurement unit 132, a probe guard 133, and a resistance measuring device (source meter) 134.

加工光学系１３１は、レーザ光を用いて基板１０２に対してＺＡＰ加工およびＣＶＤ加工を行う光学系である。   The processing optical system 131 is an optical system that performs ZAP processing and CVD processing on the substrate 102 using laser light.

抵抗測定ユニット１３２、プローブカード１３３、および、抵抗測定器１３４は、加工光学系１３１による基板１０２の加工品質の検査に用いられる。   The resistance measuring unit 132, the probe card 133, and the resistance measuring device 134 are used for inspection of the processing quality of the substrate 102 by the processing optical system 131.

抵抗測定ユニット１３２は、ベース部材１５１、上下機構１５２、パルスモータ１５３、パルスモータドライバ１５４、カメラ１５５、照明１５６、および、リレー回路１５７を含むように構成される。   The resistance measurement unit 132 is configured to include a base member 151, a vertical mechanism 152, a pulse motor 153, a pulse motor driver 154, a camera 155, an illumination 156, and a relay circuit 157.

抵抗測定ユニット１３２のベース部材１５１は、Ｚ軸方向に延伸する軸回りに回転自在なヒンジ機構１３５を介して、加工光学系１３１の前面（ホルダ１１３およびＹ軸に対して垂直な面）に開閉自在に取付けられている。また、ベース部材１５１を閉じたときに、ストッパ１３６によりベース部材１５１が固定され、抵抗測定ユニット１３２の位置が固定される。   The base member 151 of the resistance measurement unit 132 is opened and closed on the front surface of the processing optical system 131 (the surface perpendicular to the holder 113 and the Y axis) via a hinge mechanism 135 that is rotatable about an axis extending in the Z-axis direction. It is installed freely. Further, when the base member 151 is closed, the base member 151 is fixed by the stopper 136, and the position of the resistance measurement unit 132 is fixed.

上下機構１５２およびパルスモータ１５３は、ベース部材１５１の前面の左下隅に設置され、パルスモータドライバ１５４は、ベース部材１５１の前面のパルスモータ１５３の上方に設置されている。また、上下機構１５２には、プローブカード１３３が取付けられている。そして、パルスモータドライバ１５４は、パルスモータ１５３を制御し、上下機構１５２を駆動することにより、プローブカード１３３をＺ軸方向に移動させる。   The vertical mechanism 152 and the pulse motor 153 are installed at the lower left corner of the front surface of the base member 151, and the pulse motor driver 154 is installed above the pulse motor 153 on the front surface of the base member 151. A probe card 133 is attached to the vertical mechanism 152. The pulse motor driver 154 controls the pulse motor 153 and drives the vertical mechanism 152 to move the probe card 133 in the Z-axis direction.

カメラ１５５および照明１５６は、ベース部材１５１の前面、かつ、プローブカード１３３の上方に設置され、プローブカード１３３を用いて基板１０２の抵抗値を測定するときに、測定位置付近を観察するために用いられる。すなわち、照明１５６は、プローブカード１３３の測定位置付近に照明光を照射し、カメラ１５５は、照明光が照射された測定位置付近を撮影し、その結果得られる画像をメインパーソナルコンピュータ（メインＰＣ）３２１（図８）に供給する。   The camera 155 and the illumination 156 are installed in front of the base member 151 and above the probe card 133, and are used to observe the vicinity of the measurement position when measuring the resistance value of the substrate 102 using the probe card 133. It is done. That is, the illumination 156 irradiates illumination light in the vicinity of the measurement position of the probe card 133, and the camera 155 photographs the vicinity of the measurement position irradiated with the illumination light, and the resulting image is displayed as a main personal computer (main PC). 321 (FIG. 8).

リレー回路１５７は、ベース部材１５１の前面に設置され、抵抗値の測定に用いるプローブカード１３３のプローブピンを選択する機能を有している。   The relay circuit 157 is installed on the front surface of the base member 151 and has a function of selecting a probe pin of the probe card 133 used for measuring the resistance value.

［プローブカードの構成例］
ここで、図４を参照して、プローブカード１３３の構成例について説明する。図４の上の図は、プローブカード１３３の上面図であり、下の図は、プローブカード１３３のプローブピン２０１ａ１乃至２０１ｋ２の配置例を示している。なお、図４の上部に示される座標系は、抵抗測定ユニット１３２を閉じたときの座標系を示している。 [Example of probe card configuration]
Here, a configuration example of the probe card 133 will be described with reference to FIG. The upper diagram of FIG. 4 is a top view of the probe card 133, and the lower diagram shows an example of arrangement of the probe pins 201 a 1 to 201 k 2 of the probe card 133. The coordinate system shown in the upper part of FIG. 4 shows the coordinate system when the resistance measurement unit 132 is closed.

プローブカード１３３のほぼ中央には、カメラ１５５の撮影用の窓２０２が設けられている。すなわち、照明１５６からの照明光は、窓２０２を介して、プローブカード１３３の測定位置付近に照射され、カメラ１５５は、窓２０２を介して、プローブカード１３３の測定位置付近を撮影する。また、窓２０２からは、プローブカード１３３の下面に設けられているプローブピン２０１ａ１乃至２０１ｋ２が見えるようになっている。   An imaging window 202 for the camera 155 is provided in the approximate center of the probe card 133. That is, the illumination light from the illumination 156 is irradiated near the measurement position of the probe card 133 via the window 202, and the camera 155 images the vicinity of the measurement position of the probe card 133 via the window 202. Further, from the window 202, the probe pins 201a1 to 201k2 provided on the lower surface of the probe card 133 can be seen.

プローブピン２０１ａ１乃至２０１ｋ２は、それぞれ先端の測定点Ｍａ１乃至Ｍｋ２が最も低い位置になるように、プローブカード１３３の下面に取付けられている。また、プローブピン２０１ａ１乃至２０１ｋ２は、２本ずつ１組とされ、同じ組の測定点がＹ軸方向に対向し、各組の測定点がＸ軸方向に等間隔に並ぶように配置されている。   The probe pins 201a1 to 201k2 are attached to the lower surface of the probe card 133 so that the measurement points Ma1 to Mk2 at the tips are at the lowest positions. Further, two probe pins 201a1 to 201k2 are formed as a pair, and the same set of measurement points face each other in the Y-axis direction, and the measurement points of each set are arranged at equal intervals in the X-axis direction. .

なお、以下、プローブピン２０１ａ１乃至２０１ｋ２を個々に区別する必要がない場合、単にプローブピン２０１と称し、測定点Ｍａ１乃至Ｍｋ２を個々に区別する必要がない場合、単に測定点Ｍと称する。   Hereinafter, when the probe pins 201a1 to 201k2 do not need to be individually distinguished, they are simply referred to as probe pins 201, and when the measurement points Ma1 to Mk2 do not need to be individually distinguished, they are simply referred to as measurement points M.

また、プローブカード１３３には、リレー回路１５７との間の配線用のコネクタ２０３、配線用の開口部２０４ａ，２０４ｂ、および、取手２０５が設けられている。   Further, the probe card 133 is provided with a connector 203 for wiring with the relay circuit 157, wiring openings 204a and 204b, and a handle 205.

図１および図２に戻り、加工光学系１３４の上面に設置されている抵抗測定器１３４は、リレー回路１５７を介して、リレー回路１５７により選択されたプローブカード１３３の２本のプローブピン２０１に電圧または電流を印加し、その２本のプローブピン２０１の測定点Ｍの間の抵抗値を測定する。そして、抵抗測定器１３４は、測定結果をメインＰＣ３２１（図８）に通知する。   Returning to FIGS. 1 and 2, the resistance measuring device 134 installed on the upper surface of the processing optical system 134 is connected to the two probe pins 201 of the probe card 133 selected by the relay circuit 157 via the relay circuit 157. A voltage or current is applied, and a resistance value between the measurement points M of the two probe pins 201 is measured. Then, the resistance measuring instrument 134 notifies the main PC 321 (FIG. 8) of the measurement result.

また、抵抗測定器１３４を加工光学系１３４の上面に設置し、抵抗測定器１３４とプローブカード１３３との間の距離を短くすることにより、ノイズ等の影響を軽減することができ、測定精度を向上させることができる。   Moreover, by installing the resistance measuring instrument 134 on the upper surface of the processing optical system 134 and shortening the distance between the resistance measuring instrument 134 and the probe card 133, the influence of noise and the like can be reduced, and the measurement accuracy can be improved. Can be improved.

［加工位置と測定位置の関係］
図５は、レーザ加工装置１０１を上から見た図であり、加工光学系１３１による加工位置Ｐａとプローブカード１３３による測定位置Ｐｂの関係を示している。なお、図を分かりやすくするために、抵抗測定器１３４、上下機構１５２、パルスモータ１５３、パルスモータドライバ１５４、カメラ１５５、および、リレー回路１５７の図示を省略している。 [Relationship between machining position and measurement position]
FIG. 5 is a view of the laser processing apparatus 101 as viewed from above, and shows the relationship between the processing position Pa by the processing optical system 131 and the measurement position Pb by the probe card 133. In order to make the drawing easy to understand, the resistance measuring instrument 134, the vertical mechanism 152, the pulse motor 153, the pulse motor driver 154, the camera 155, and the relay circuit 157 are not shown.

加工位置Ｐａと測定位置Ｐｂは、抵抗測定ユニット１３２を閉じた状態で、Ｙ軸方向にほぼ一直線に並ぶように配置されている。従って、加工光学系１３１により基板１０２の加工を行った後、ガントリ１１２ＢをＹ軸方向にシフトするだけで、基板１０２の加工された位置がプローブカード１３３の窓２０２の範囲内、すなわち、カメラ１５５の撮影範囲内に入り、迅速に加工が行われた位置の抵抗値を測定することが可能になる。   The processing position Pa and the measurement position Pb are arranged so as to be substantially aligned in the Y-axis direction with the resistance measurement unit 132 closed. Therefore, after the substrate 102 is processed by the processing optical system 131, the processed position of the substrate 102 is within the range of the window 202 of the probe card 133, that is, the camera 155 by simply shifting the gantry 112B in the Y-axis direction. Thus, it is possible to measure the resistance value at the position where the processing is performed quickly.

［抵抗測定ユニットの開閉機構］
図６は、抵抗測定ユニット１３２を閉じた状態の加工光学系１３１および抵抗測定ユニット１３２周辺を示し、図７は、抵抗測定ユニット１３２を開いた状態の加工光学系１３１および抵抗測定ユニット１３２周辺を示している。なお、図６および図７の上の図は、加工光学系１３１および抵抗測定ユニット１３２周辺を上から見た図であり、図６および図７の下の図は、加工光学系１３１および抵抗測定ユニット１３２周辺を正面から見た図である。なお、図を分かりやすくするために、抵抗測定器１３４の図示を省略している。 [Opening / closing mechanism of resistance measurement unit]
6 shows the periphery of the processing optical system 131 and the resistance measurement unit 132 with the resistance measurement unit 132 closed. FIG. 7 shows the periphery of the processing optical system 131 and the resistance measurement unit 132 with the resistance measurement unit 132 open. Show. 6 and 7 are views of the processing optical system 131 and the resistance measurement unit 132 and their surroundings as viewed from above, and the lower diagrams of FIGS. 6 and 7 are the processing optical system 131 and the resistance measurement. It is the figure which looked at the unit 132 periphery from the front. Note that the resistance measuring instrument 134 is not shown for easy understanding of the drawing.

上述したように、抵抗測定ユニット１３２のベース部材１５１は、ヒンジ機構１３５を介して、加工光学系１３１の前面に開閉自在に取付けられている。従って、図６および図７に示されるように、ヒンジ機構１３５により、抵抗測定ユニット１３２を加工光学系１３１の前面に対して扉のように開閉することができる。また、抵抗測定ユニット１３２の開閉に伴い、抵抗測定ユニット１３２の上下機構１５２に取付けられているプローブカード１３３も移動する。   As described above, the base member 151 of the resistance measurement unit 132 is attached to the front surface of the processing optical system 131 via the hinge mechanism 135 so as to be freely opened and closed. Accordingly, as shown in FIGS. 6 and 7, the resistance measuring unit 132 can be opened and closed like a door with respect to the front surface of the processing optical system 131 by the hinge mechanism 135. As the resistance measurement unit 132 is opened and closed, the probe card 133 attached to the vertical mechanism 152 of the resistance measurement unit 132 also moves.

また、図７の下の図に示されるように、加工光学系１３１の前面には、ユニット２５１、対物レンズ２５２ａ乃至２５２ｄ、および、水平移動機構２５３が設けられている。   Further, as shown in the lower diagram of FIG. 7, a unit 251, objective lenses 252 a to 252 d, and a horizontal movement mechanism 253 are provided on the front surface of the processing optical system 131.

ユニット２５１は、スリットユニット、加工観察用のカメラ、オートフォーカスユニット、調整ミラーなどを含むように構成される。   The unit 251 is configured to include a slit unit, a processing observation camera, an autofocus unit, an adjustment mirror, and the like.

対物レンズ２５２ａ乃至２５２ｄは、ユニット２５１を通過したレーザ光Ｌを、基板１０２の加工面において結像させるためのレンズである。また、対物レンズ２５２ａ乃至２５２ｄは、ユニット２５１内のカメラにより加工位置を撮影する際の観察用レンズも兼ねている。さらに、対物レンズ２５２ａ乃至２５２ｄは、水平移動機構２５３により水平方向にシフトさせることができ、使用する対物レンズを切替えることができる。   The objective lenses 252 a to 252 d are lenses for forming an image of the laser light L that has passed through the unit 251 on the processed surface of the substrate 102. The objective lenses 252a to 252d also serve as observation lenses when the processing position is photographed by the camera in the unit 251. Furthermore, the objective lenses 252a to 252d can be shifted in the horizontal direction by the horizontal movement mechanism 253, and the objective lens to be used can be switched.

そして、抵抗測定ユニット１３２を開けることにより、ユニット２５１、対物レンズ２５２ａ乃至２５２ｄ、および、水平移動機構２５３が現れ、オペレータが簡単にアクセスできるようになる。その結果、調整や保守などのメインテナンス性が向上する。また、抵抗測定ユニット１３２を閉じることにより、ユニット２５１、対物レンズ２５２ａ乃至２５２ｄ、および、水平移動機構２５３が抵抗測定ユニット１３２の裏に隠れ、オペレータが容易にアクセスできなくなる。その結果、耐久性や安全性が向上する。   Then, by opening the resistance measurement unit 132, the unit 251, the objective lenses 252a to 252d, and the horizontal movement mechanism 253 appear, and the operator can easily access them. As a result, maintenance such as adjustment and maintenance is improved. Further, by closing the resistance measurement unit 132, the unit 251, the objective lenses 252a to 252d, and the horizontal movement mechanism 253 are hidden behind the resistance measurement unit 132, and the operator cannot easily access them. As a result, durability and safety are improved.

［測定系ユニットと制御ユニットの構成例］
図８は、抵抗測定ユニット１３２、プローブカード１３３、および、抵抗測定器１３４により構成される測定系ユニット３０１と、測定系ユニット３０１をはじめレーザ加工装置１０１全体の制御を行う制御ユニット３０２の構成例を示すブロック図である。 [Configuration example of measurement system unit and control unit]
FIG. 8 shows a configuration example of a measurement system unit 301 including a resistance measurement unit 132, a probe card 133, and a resistance measurement device 134, and a control unit 302 that controls the entire laser processing apparatus 101 including the measurement system unit 301. FIG.

図８の測定系ユニット３０１には、上述した構成に加えて、照明電源３１１および原点センサ３１２が新たに図示されている。また、制御ユニット３０２は、メインＰＣ３２１、増設ユニット３２２、増設ユニット３２３、Programmable Logic Controller（ＰＬＣ）３２４、および、増設ユニット３２５を含むように構成される。   In addition to the above-described configuration, the illumination power source 311 and the origin sensor 312 are newly shown in the measurement system unit 301 of FIG. The control unit 302 is configured to include a main PC 321, an extension unit 322, an extension unit 323, a programmable logic controller (PLC) 324, and an extension unit 325.

メインＰＣ３２１は、増設ユニット３２２を介して、カメラ１５５を制御するともに、カメラ１５５により撮影された画像を取得し、取得した画像を図示せぬモニタに表示する。また、メインＰＣ３２１は、増設ユニット３２３を介して抵抗測定器１３４から抵抗値の測定結果を取得し、基板１０２の加工品質の合否判定を行う。そして、メインＰＣ３２１は、合否判定の結果を、例えば、モニタに表示したり、所定のサーバや基板１０２の後工程を制御する制御装置等に通知したりする。   The main PC 321 controls the camera 155 via the expansion unit 322, acquires an image photographed by the camera 155, and displays the acquired image on a monitor (not shown). In addition, the main PC 321 acquires the measurement result of the resistance value from the resistance measuring device 134 via the extension unit 323, and determines whether the processing quality of the substrate 102 is acceptable. Then, the main PC 321 displays the result of the pass / fail determination on, for example, a monitor, or notifies a predetermined server, a control device that controls a subsequent process of the substrate 102, or the like.

ＰＬＣ３２４は、照明電源３１１を制御することにより、照明１５６のオン、オフ、および、明るさ等を制御する。また、ＰＬＣ３２４は、リレー回路１５７の設定を行うことにより、測定に用いるプローブカード１３３のプローブピン２０１を選択する。さらに、ＰＬＣ３２４は、増設ユニット３２５を介して、原点センサ３１２の測定結果、すなわち、所定の原点に対する上下機構１５２のＺ軸方向の位置の測定結果を取得する。そして、ＰＬＣ３２４は、取得した測定結果に基づいて、パルスモータドライバ１５４を制御し、上下機構１５２のＺ軸方向の位置を調整することにより、プローブカード１３３のＺ軸方向の位置を調整する。また、ＰＬＣ３２４は、ＸＹガントリステージ１１２、および、加工光学系１３１の図示せぬ駆動系を制御して、加工光学系１３１のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸方向の位置を調整する。   The PLC 324 controls on / off of the illumination 156, brightness, and the like by controlling the illumination power source 311. Further, the PLC 324 selects the probe pin 201 of the probe card 133 used for measurement by setting the relay circuit 157. Furthermore, the PLC 324 acquires the measurement result of the origin sensor 312, that is, the measurement result of the position of the vertical mechanism 152 in the Z-axis direction with respect to a predetermined origin via the extension unit 325. Then, the PLC 324 adjusts the position of the probe card 133 in the Z-axis direction by controlling the pulse motor driver 154 based on the obtained measurement result and adjusting the position of the vertical mechanism 152 in the Z-axis direction. The PLC 324 controls the XY gantry stage 112 and a driving system (not shown) of the processing optical system 131 to adjust the positions of the processing optical system 131 in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions.

［レーザ加工検査処理］
次に、図９のフローチャートを参照して、レーザ加工装置１０１により実行されるレーザ加工検査処理について説明する。この処理は、例えば、ホルダ１１３に基板１０２が設置され、ホルダ１１３が所定の加工位置に設置されたとき開始される。 [Laser processing inspection process]
Next, a laser processing inspection process executed by the laser processing apparatus 101 will be described with reference to the flowchart of FIG. This process is started, for example, when the substrate 102 is installed on the holder 113 and the holder 113 is installed at a predetermined processing position.

ステップＳ１において、制御ユニット３０２は、各種の設定を行う。例えば、ＰＬＣ３２４は、オペレータにより入力される情報に基づいて、基板１０２の製品として使用する部分（以下、製品部分と称する）の加工位置、加工方法（ＣＶＤ加工またはＺＡＰ加工）、加工条件、基板１０２上の各ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１の位置、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１とプローブカード１３３の位置関係などを設定する。   In step S1, the control unit 302 performs various settings. For example, the PLC 324 determines the processing position, processing method (CVD processing or ZAP processing), processing conditions, substrate 102 of a portion (hereinafter referred to as a product portion) used as a product of the substrate 102 based on information input by an operator. The position of each TEG-PAD 181 and the positional relationship between the TEG-PAD 181 and the probe card 133 are set.

また、例えば、メインＰＣ３２１およびＰＬＣ３２４は、オペレータにより入力される情報に基づいて、検査対象とするＴＥＧ−ＰＡＤ１８１の番号、抵抗値を測定するＴＥＧ−ＰＡＤ１８１のＰＡＤの組み合わせ、加工方法（ＣＶＤ加工またはＺＡＰ加工）等を設定する。さらに、例えば、メインＰＣ３２１は、オペレータにより入力される情報に基づいて、検査対象のＴＥＧ−ＰＡＤ１８１のＰＡＤ間の抵抗値の合否判定基準値および許容値を設定する。   In addition, for example, the main PC 321 and the PLC 324 determine the number of the TEG-PAD 181 to be inspected based on information input by the operator, the combination of the PAD of the TEG-PAD 181 for measuring the resistance value, the processing method (CVD processing or ZAP). Process) and so on. Further, for example, the main PC 321 sets a pass / fail judgment reference value and an allowable value of the resistance value between the PADs of the TEG-PAD 181 to be inspected based on information input by the operator.

ここで、図１０および図１１を参照して、図３のＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａおよびＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ｂが検査対象に設定された場合について説明する。   Here, a case where the TEG-PAD 181a and the TEG-PAD 181b in FIG. 3 are set as inspection targets will be described with reference to FIGS.

図１０は、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａの構成の一例を示している。ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａは、ＰＡＤ３６１ａ１乃至３６１ｆ２の１２のＰＡＤを有している。そのうち、ＰＡＤ３６１ａ１とＰＡＤ３６１ａ２の間、ＰＡＤ３６１ｂ１とＰＡＤ３６１ｂ２の間、ＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間、ＰＡＤ３６１ｄ１とＰＡＤ３６１ｄ２の間、および、ＰＡＤ３６１ｅ１とＰＡＤ３６１ｅ２の間が、それぞれパターン３６２ａ乃至３６２ｅにより接続されている。また、ＰＡＤ３６１ｆ１とＰＡＤ３６１ｆ２の間のパターン３６２ｆは、途中で切断されている。   FIG. 10 shows an example of the configuration of the TEG-PAD 181a. The TEG-PAD 181a has 12 PADs PAD361a1 to 361f2. Among these, patterns 362a to 362e are connected between PAD361a1 and PAD361a2, between PAD361b1 and PAD361b2, between PAD361c1 and PAD361c2, between PAD361d1 and PAD361d2, and between PAD361e1 and PAD361e2, respectively. Further, the pattern 362f between the PAD 361f1 and the PAD 361f2 is cut halfway.

例えば、ＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間のパターン３６２ｃをＺＡＰ加工により切断し、ＺＡＰ加工の品質を検査する場合、パターン３６２ｃをＺＡＰ加工した後、ＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間の抵抗値を測定するための設定が行われる。また、ＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間の抵抗値の合否判定基準値および許容値が設定される。   For example, when the pattern 362c between the PAD 361c1 and the PAD 361c2 is cut by ZAP processing and the quality of the ZAP processing is inspected, the setting for measuring the resistance value between the PAD 361c1 and the PAD 361c2 is performed after the pattern 362c is ZAP processed. Is called. In addition, a pass / fail judgment reference value and an allowable value of the resistance value between the PAD 361c1 and the PAD 361c2 are set.

図１１は、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ｂの構成の一例を示している。ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ｂは、ＰＡＤ３８１ａ１乃至３８１ｆ２の１２のＰＡＤを有している。そのうち、ＰＡＤ３８１ｆ１とＰＡＤ３８１ｆ２の間が、パターン３８２ｆにより接続されている。また、ＰＡＤ３８１ａ１とＰＡＤ３８１ａ２の間、ＰＡＤ３８１ｂ１とＰＡＤ３８１ｂ２の間、ＰＡＤ３８１ｃ１とＰＡＤ３８１ｃ２の間、ＰＡＤ３８１ｄ１とＰＡＤ３８１ｄ２の間、および、ＰＡＤ３８１ｅ１とＰＡＤ３８１ｅ２の間のパターン３８２ａ乃至３８２ｅが途中で切断されている。   FIG. 11 shows an example of the configuration of the TEG-PAD 181b. The TEG-PAD 181b has 12 PADs PAD381a1 to 381f2. Among these, PAD381f1 and PAD381f2 are connected by a pattern 382f. Further, patterns 382a to 382e between PAD381a1 and PAD381a2, between PAD381b1 and PAD381b2, between PAD381c1 and PAD381c2, between PAD381d1 and PAD381d2, and between PAD381e1 and PAD381e2 are cut in the middle.

例えば、ＰＡＤ３８１ｃ１とＰＡＤ３８１ｃ２の間のパターン３８２ｃをＣＶＤ加工により接続し、ＣＶＤ加工の品質を検査する場合、パターン３８２ｃをＣＶＤ加工した後、ＰＡＤ３８１ｃ１とＰＡＤ３８１ｃ２の間の抵抗値を測定するための設定が行われる。また、ＰＡＤ３８１ｃ１とＰＡＤ３８１ｃ２の間の抵抗値の合否判定基準値および許容値が設定される。   For example, when a pattern 382c between PAD381c1 and PAD381c2 is connected by CVD processing and the quality of the CVD processing is inspected, after the pattern 382c is CVD processed, a setting for measuring the resistance value between PAD381c1 and PAD381c2 is performed. Is called. Also, a pass / fail judgment reference value and an allowable value for the resistance value between PAD381c1 and PAD381c2 are set.

なお、以下、ＰＡＤ３６１ａ１乃至３６１ｆ２を個々に区別する必要がない場合、単にＰＡＤ３６１と称し、ＰＡＤ３８１ａ１乃至３８１ｆ２を個々に区別する必要がない場合、単にＰＡＤ３８１と称する。   Hereinafter, PADs 361a1 to 361f2 are simply referred to as PAD361 when it is not necessary to distinguish them individually, and PAD381a1 to 381f2 are simply referred to as PAD381 when it is not necessary to distinguish them individually.

ステップＳ２において、レーザ加工装置１０１は、基板１０２の製品部分に対してＣＶＤ加工またはＺＡＰ加工を行う。すなわち、レーザ加工装置１０１は、ＰＬＣ３２４の制御の基に、ＸＹガントリステージ１１２および加工光学系１３１を制御して、基板１０２の製品部分の設定された位置に対して、ＣＶＤ加工またはＺＡＰ加工を行う。   In step S <b> 2, the laser processing apparatus 101 performs CVD processing or ZAP processing on the product portion of the substrate 102. That is, the laser processing apparatus 101 controls the XY gantry stage 112 and the processing optical system 131 under the control of the PLC 324 to perform CVD processing or ZAP processing on the set position of the product portion of the substrate 102. .

ステップＳ３において、レーザ加工装置１０１は、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１に対してＣＶＤ加工またはＺＡＰ加工を行う。   In step S <b> 3, the laser processing apparatus 101 performs CVD processing or ZAP processing on the TEG-PAD 181.

ステップＳ４において、レーザ加工装置１０１は、ステップＳ３において加工された部分の抵抗値を測定する。   In step S4, the laser processing apparatus 101 measures the resistance value of the part processed in step S3.

ステップＳ５において、メインＰＣ３２１は、抵抗値の測定結果に基づいて、合否判定を行う。   In step S5, the main PC 321 makes a pass / fail determination based on the measurement result of the resistance value.

ステップＳ６において、制御ユニット３０２は、設定された全ての位置を検査したか否かを判定する。設定された全ての位置の検査が終了していないと判定された場合、処理はステップＳ３に戻り、ステップＳ６において、設定された全ての位置を検査したと判定されるまで、ステップＳ３乃至Ｓ６の処理が繰り返し実行される。   In step S6, the control unit 302 determines whether all the set positions have been inspected. When it is determined that the inspection of all the set positions has not been completed, the process returns to step S3, and in step S6, the processes of steps S3 to S6 are performed until it is determined that all the set positions have been inspected. The process is executed repeatedly.

一方、ステップＳ６において、設定された全ての位置を検査したと判定された場合、処理はステップＳ７に進む。   On the other hand, if it is determined in step S6 that all the set positions have been inspected, the process proceeds to step S7.

ここで、再び図１０および図１１を参照して、ステップＳ３乃至Ｓ６の処理の具体例について説明する。   Here, with reference to FIGS. 10 and 11 again, a specific example of the processing of steps S3 to S6 will be described.

例えば、ステップＳ３において、レーザ加工装置１０１は、ＰＬＣ３２４の制御の基に、ＸＹガントリステージ１１２および加工光学系１３１を制御して、図１０の下の図に示されるように、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａのＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間のパターン３６２ｃをＺＡＰ加工により切断する。   For example, in step S3, the laser processing apparatus 101 controls the XY gantry stage 112 and the processing optical system 131 based on the control of the PLC 324, and as shown in the lower diagram of FIG. 10, the PAD 361c1 of the TEG-PAD 181a. And a pattern 362c between the PAD 361c2 and the PAD 361c2 are cut by ZAP processing.

次に、ステップＳ４において、レーザ加工装置１０１は、ＰＬＣ３２４の制御の基に、ＸＹガントリステージ１１２および測定系ユニット３０１を制御して、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａのＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間の抵抗を測定する。   Next, in step S4, the laser processing apparatus 101 controls the XY gantry stage 112 and the measurement system unit 301 under the control of the PLC 324, and measures the resistance between the PAD 361c1 and the PAD 361c2 of the TEG-PAD 181a.

例えば、ＰＬＣ３２４は、原点センサ３１２からの信号に基づいて、上下機構１５２のＺ軸方向の位置が所定の原点に設定されているか否かを判定し、原点に設定されていない場合、パルスモータドライバ１５４を制御して、上下機構１５２のＺ軸方向の位置を原点に設定する。   For example, the PLC 324 determines whether the position of the vertical mechanism 152 in the Z-axis direction is set to a predetermined origin based on a signal from the origin sensor 312, and if it is not set to the origin, the pulse motor driver 154 is controlled to set the position of the vertical mechanism 152 in the Z-axis direction as the origin.

次に、ＰＬＣ３２４は、プローブカード１３３のプローブピン２０１の測定位置ＰｂがＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａの位置に合うように、ガントリ１１２Ｂおよび加工光学系１３１を移動させる。このとき、図５を参照して上述したように、加工位置Ｐａと測定位置ＰｂがＹ軸方向にほぼ一直線に並ぶように配置されているため、ガントリ１１２ＢをＹ軸方向に移動させるだけで、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａがカメラ１５５の撮影範囲内に入る。そして、後は、加工光学系１３１のＸ軸方向の位置を微調整するだけで、測定位置ＰｂをＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａの位置に合わせることができる。   Next, the PLC 324 moves the gantry 112B and the processing optical system 131 so that the measurement position Pb of the probe pin 201 of the probe card 133 matches the position of the TEG-PAD 181a. At this time, as described above with reference to FIG. 5, since the processing position Pa and the measurement position Pb are arranged so as to be substantially aligned in the Y-axis direction, only by moving the gantry 112B in the Y-axis direction, The TEG-PAD 181a falls within the shooting range of the camera 155. Then, the measurement position Pb can be adjusted to the position of the TEG-PAD 181a only by finely adjusting the position of the processing optical system 131 in the X-axis direction.

次に、ＰＬＣ３２４は、パルスモータドライバ１５４を制御して、上下機構１５２を下げ、プローブカード１３３の各プローブピン２０１をＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａの各ＰＡＤ３６１に接触させる。   Next, the PLC 324 controls the pulse motor driver 154 to lower the vertical mechanism 152 and bring each probe pin 201 of the probe card 133 into contact with each PAD 361 of the TEG-PAD 181a.

次に、メインＰＣ３２１およびＰＬＣ３２４は、抵抗測定器１３４およびリレー回路１５７を制御して、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａのＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間に所定の電圧を印加する。抵抗測定器１３４は、ＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間に流れる電流値を測定し、その結果に基づいて、ＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間の抵抗値を算出する。抵抗測定器１３４は、算出した抵抗値をメインＰＣ３２１に通知する。   Next, the main PC 321 and the PLC 324 control the resistance measuring device 134 and the relay circuit 157 to apply a predetermined voltage between the PAD 361c1 and the PAD 361c2 of the TEG-PAD 181a. The resistance measuring instrument 134 measures the value of the current flowing between the PAD 361c1 and the PAD 361c2, and calculates the resistance value between the PAD 361c1 and the PAD 361c2 based on the result. The resistance measuring device 134 notifies the main PC 321 of the calculated resistance value.

次に、ステップＳ５において、メインＰＣ３２１は、ＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間の抵抗値と、所定の合否判定基準値と比較し、その差が所定の許容値の範囲内である場合、パターン３６２ｃに対する加工品質が合格であると判定し、その差が許容値の範囲を超えている場合、パターン３６２ｃに対する加工品質が不合格であると判定する。   Next, in step S5, the main PC 321 compares the resistance value between the PAD 361c1 and the PAD 361c2 with a predetermined pass / fail criterion value, and if the difference is within a predetermined allowable value range, the processing quality for the pattern 362c is determined. Is determined to be acceptable, and if the difference exceeds the allowable value range, it is determined that the processing quality for the pattern 362c is unacceptable.

そして、ステップＳ６において、設定された全ての位置の検査が終了していないと判定され、処理はステップＳ３に戻る。   In step S6, it is determined that the inspection of all the set positions has not been completed, and the process returns to step S3.

ステップＳ３において、レーザ加工装置１０１は、ＰＬＣ３２４の制御の基に、ＸＹガントリステージ１１２および加工光学系１３１を制御して、図１１の下の図に示されるように、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ｂのＰＡＤ３８１ｃ１とＰＡＤ３８１ｃ２の間のパターン３８２ｃをＣＶＤ加工により接続する。   In step S3, the laser processing apparatus 101 controls the XY gantry stage 112 and the processing optical system 131 under the control of the PLC 324, and as shown in the lower diagram of FIG. 11, PAD381c1 and PAD381c2 of the TEG-PAD181b The pattern 382c between them is connected by CVD processing.

次に、ステップＳ４およびＳ５において、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ａのＰＡＤ３６１ｃ１とＰＡＤ３６１ｃ２の間の抵抗値の測定および合否判定を行った場合と同様に、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１ｂのＰＡＤ３８１ｃ１とＰＡＤ３８１ｃ２の間の抵抗値の測定および合否判定が行われる。   Next, in the steps S4 and S5, the resistance value between the PAD381c1 and the PAD381c2 of the TEG-PAD181b is measured and the pass / fail status is the same as the measurement of the resistance value between the PAD361c1 and the PAD361c2 of the TEG-PAD181a. A determination is made.

そして、ステップＳ６において、設定された全ての位置を検査したと判定され、処理はステップＳ７に進む。   In step S6, it is determined that all the set positions have been inspected, and the process proceeds to step S7.

図９に戻り、ステップＳ７において、メインＰＣ３２１は、判定結果を通知する。例えば、メインＰＣ３２１は、ステップＳ６の合否判定の結果をモニタに表示したり、所定のサーバや基板１０２の後工程の制御装置等に通知したりする。   Returning to FIG. 9, in step S7, the main PC 321 notifies the determination result. For example, the main PC 321 displays the result of the pass / fail determination in step S6 on a monitor or notifies a predetermined server, a control device in a subsequent process of the substrate 102, or the like.

ステップＳ８において、レーザ加工装置１０１は、基板１０２を搬出する。例えば、ＰＬＣ３２４は、基板１０２を搬出できる位置までホルダ１１３をＹ軸方向に移動させる。そして、基板１０２がレーザ加工装置１０１から搬出される。   In step S <b> 8, the laser processing apparatus 101 carries out the substrate 102. For example, the PLC 324 moves the holder 113 in the Y-axis direction to a position where the substrate 102 can be carried out. Then, the substrate 102 is unloaded from the laser processing apparatus 101.

その後、レーザ加工検査処理は終了する。   Thereafter, the laser processing inspection process ends.

以上のように、基板１０２の製品部分の加工後に、基板１０２の搬出、搬入、位置決め等を行うことなく、すぐに品質検査を行うことができる。従って、後工程に不良品を流すのを防止することができる。また、加工不良の原因究明および対策を、その場で迅速に行うことができ、復旧作業の所要時間を短縮することができる。さらに、加工から検査までの工程を自動制御により実行させることができ、生産性が向上し、所要時間を短縮やオペレータの作業の軽減を実現することができる。   As described above, after processing the product portion of the substrate 102, the quality inspection can be performed immediately without carrying out, carrying in, positioning, or the like of the substrate 102. Therefore, it is possible to prevent a defective product from flowing in the subsequent process. In addition, the cause of machining defects and countermeasures can be promptly performed on the spot, and the time required for recovery work can be shortened. Furthermore, processes from processing to inspection can be executed by automatic control, productivity can be improved, and the required time can be shortened and the work of the operator can be reduced.

また、加工位置Ｐａと測定位置Ｐｂが近接し、かつ、Ｙ軸方向にほぼ一直線に並ぶように配置されているため、測定位置Ｐｂの位置決めの時間を短縮することができる。その結果、検査工程の所要時間を短縮することができ、その結果、基板１０２の全体的な製造時間を短縮することができる。   Further, since the processing position Pa and the measurement position Pb are close to each other and are arranged so as to be substantially aligned in the Y-axis direction, the time required for positioning the measurement position Pb can be shortened. As a result, the time required for the inspection process can be shortened, and as a result, the overall manufacturing time of the substrate 102 can be shortened.

＜２．変形例＞
次に、本発明の実施の形態の変形例について説明する。 <2. Modification>
Next, a modification of the embodiment of the present invention will be described.

［変形例１］
例えば、検査結果が不合格であると判定された場合、合格するまで、加工条件の調整、基板１０２の製品部分の加工、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１の加工および検査の工程（図９のステップＳ３乃至Ｓ５の処理）を繰り返すようにしてもよい。この場合、加工条件の調整を、レーザ加工装置１０１が検査結果に基づいて自動で行うようにしてもよいし、レーザ加工装置１０１を操作するオペレータが手動で行うようにしてもよい。 [Modification 1]
For example, if it is determined that the inspection result is unacceptable, the process conditions are adjusted, the product portion of the substrate 102 is processed, the TEG-PAD 181 is processed and inspected (until steps S3 to S5 in FIG. 9). Processing) may be repeated. In this case, adjustment of the processing conditions may be performed automatically by the laser processing apparatus 101 based on the inspection result, or may be performed manually by an operator who operates the laser processing apparatus 101.

［変形例２］
また、例えば、先に加工条件の調整、並びに、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１の加工および検査の工程を検査に合格するまで繰り返し、合格した加工条件で基板１０２の製品部分の加工を行うようにしてもよい。 [Modification 2]
Further, for example, the adjustment of the processing conditions and the processing and inspection processes of the TEG-PAD 181 may be repeated until the inspection is passed, and the product portion of the substrate 102 may be processed under the accepted processing conditions.

［変形例３］
さらに、検査対象に設定するＴＥＧ−ＰＡＤ１８１の数は、上述した例に限定されるものではない。また、１つのＴＥＧ−ＰＡＤ１８１について、複数の組のＰＡＤ間の加工や抵抗値の測定を行うようにしてもよい。 [Modification 3]
Furthermore, the number of TEG-PADs 181 set as inspection targets is not limited to the above-described example. Further, for one TEG-PAD 181, processing between a plurality of sets of PADs and measurement of a resistance value may be performed.

［変形例４］
また、以上の説明では、ＴＥＧ−ＰＡＤ１８１を１ヶ所加工する毎に検査を行う例を示したが、所定の単位の加工を行う毎に検査を行うようにしてもよい。例えば、先に全ての加工を行ってから検査を行うようにしてもよいし、１つのＴＥＧ−ＰＡＤ１８１の加工（１つのＴＥＧ−ＰＡＤ１８１に複数の加工部分がある場合、その全ての加工）を行う度に検査を行うようにしてもよい。あるいは、例えば、まずＺＡＰ加工のみ（または、ＣＶＤ加工のみ）全て行った後、検査を行い、次に、ＣＶＤ加工のみ（または、ＺＡＰ加工のみ）全て行った後、検査を行うようにしてもよい。 [Modification 4]
In the above description, the example in which the inspection is performed every time the TEG-PAD 181 is processed is shown. However, the inspection may be performed every time a predetermined unit of processing is performed. For example, the inspection may be performed after all the processing is performed first, or processing of one TEG-PAD 181 (when one TEG-PAD 181 includes a plurality of processing portions, all processing thereof) is performed. You may make it test | inspect every time. Alternatively, for example, the inspection may be performed after performing only the ZAP processing (or only the CVD processing) first, and then performing the inspection after performing only the CVD processing (or only the ZAP processing). .

［変形例５］
さらに、以上の説明では、加工光学系１３１の加工位置Ｐａとプローブカード１３３の測定位置ＰｂとがＹ軸方向にほぼ一直線に並ぶように配置する例を示したが、Ｘ軸方向にほぼ一直線に並ぶように配置するようにしてもよい。 [Modification 5]
Further, in the above description, an example in which the processing position Pa of the processing optical system 131 and the measurement position Pb of the probe card 133 are arranged so as to be aligned substantially in the Y-axis direction has been described. You may make it arrange | position so that it may rank.

［変形例６］
また、以上の説明では、基板１０２の加工および検査を行うために、加工検査ユニット１１４を動かす例を示したが、基板１０２を動かしたり、両方を動かしたりするようにしてもよい。 [Modification 6]
In the above description, an example in which the processing / inspection unit 114 is moved in order to process and inspect the substrate 102 has been described. However, the substrate 102 may be moved, or both may be moved.

［変形例７］
さらに、メインＰＣ３２１とＰＬＣ３２４の機能分担は上述した例に限定されるものではなく、任意に設定することが可能である。 [Modification 7]
Furthermore, the division of functions between the main PC 321 and the PLC 324 is not limited to the example described above, and can be arbitrarily set.

［変形例８］
また、本発明は、ＣＶＤ加工およびＺＡＰ加工以外の方法により基板を加工するレーザ加工装置に適用することが可能である。 [Modification 8]
In addition, the present invention can be applied to a laser processing apparatus that processes a substrate by a method other than CVD processing and ZAP processing.

さらに、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。   Furthermore, the embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

１０１ レーザ加工装置
１０２ 基板
１１１ 定盤
１１２ ＸＹガントリステージ
１１２Ａ１，１１２Ａ２ ガイド
１１２Ｂ ガントリ
１１３ ホルダ
１１４ 加工検査ユニット
１３１ 加工光学系
１３２ 抵抗測定ユニット
１３３ プローブカード
１３４ 抵抗測定器
１３５ ヒンジ機構
１３６ ストッパ
１５１ ベース部材
１５２ 上下機構
１５３ パルスモータ
１５４ パルスモータドライバ
１５５ カメラ
１５６ 照明
１５７ リレー回路
１８１ａ乃至１８１ｆ ＴＥＧ−ＰＡＤ
２０１ａ１乃至２０１ｋ２ プローブピン
２０２ 窓
３０１ 測定系ユニット
３０２ 制御ユニット
３１２ 原点センサ
３２１ メインＰＣ
３２４ ＰＬＣ
３６１ａ１乃至３６１ｆ１ ＰＡＤ
３６２ａ乃至３６２ｆ パターン
３８１ａ１乃至３８１ｆ１ ＰＡＤ
３８２ａ乃至３８２ｆ パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Laser processing apparatus 102 Substrate 111 Surface plate 112 XY gantry stage 112A1, 112A2 Guide 112B Gantry 113 Holder 114 Processing inspection unit 131 Processing optical system 132 Resistance measuring unit 133 Probe card 134 Resistance measuring device 135 Hinge mechanism 136 Stopper 151 Base member 152 Up and down Mechanism 153 Pulse motor 154 Pulse motor driver 155 Camera 156 Illumination 157 Relay circuit 181a to 181f TEG-PAD
201a1 to 201k2 Probe pin 202 Window 301 Measurement system unit 302 Control unit 312 Origin sensor 321 Main PC
324 PLC
361a1 to 361f1 PAD
362a to 362f patterns 381a1 to 381f1 PAD
382a to 382f patterns

Claims (4)

レーザ光を用いて基板を加工するレーザ加工装置において、
前記レーザ光を出射する加工手段と、
前記加工手段に取付けられ、前記加工手段による前記基板の加工部分の抵抗値を測定するとともに、測定位置付近を撮影する測定手段と
を備え、
前記加工手段は、前記基板を設置する台に対して水平な第１の方向、および、前記台に対して水平かつ前記第１の方向に直交する第２の方向に移動可能であり、
前記測定手段は、前記加工手段の加工位置と前記測定手段の撮影範囲が前記第２の方向に並ぶように前記加工手段に取付けられている
ことを特徴とするレーザ加工装置。 In a laser processing apparatus that processes a substrate using laser light,
Processing means for emitting the laser beam;
A measuring means attached to the processing means, measuring a resistance value of a processed portion of the substrate by the processing means, and photographing the vicinity of the measurement position;
The processing means is movable in a first direction horizontal to a table on which the substrate is installed, and in a second direction that is horizontal to the table and perpendicular to the first direction,
The laser processing apparatus, wherein the measuring unit is attached to the processing unit such that a processing position of the processing unit and an imaging range of the measuring unit are aligned in the second direction. 梁が前記第１の方向に延伸し、前記台の上を前記第２の方向に移動可能なガントリを
さらに備え、
前記加工手段は、前記ガントリの梁に前記第１の方向に移動可能に支持されている
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。 A beam gantry extending in the first direction, further comprising a gantry movable on the table in the second direction;
The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit is supported by the beam of the gantry so as to be movable in the first direction. 前記測定手段は、前記台および前記第２の方向に対して垂直な前記加工手段の面に対して、前記台に垂直な軸回りに開閉自在に前記加工手段に支持されている
ことを特徴とする請求項２に記載のレーザ加工装置。 The measuring means is supported by the processing means so as to be openable and closable about an axis perpendicular to the base with respect to the surface of the processing means perpendicular to the base and the second direction. The laser processing apparatus according to claim 2. 前記測定手段は、前記加工手段の加工位置と前記測定手段の測定位置が前記第２の方向にほぼ一直線に並ぶように前記加工手段に取付けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。 2. The measurement unit according to claim 1, wherein the measurement unit is attached to the processing unit such that a processing position of the processing unit and a measurement position of the measurement unit are substantially aligned in the second direction. Laser processing equipment.
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