JP2012129498A - 半導体ウェーハ処理用の高効率静電チャック組立体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一方の誘電層は、標準度又は高純度の熱可塑性フィルムである。可撓性積層体112は、静電チャックの表面に改善された温度分布を与える利点を備えるように、第1誘電層124の基板支持表面132を艶消し仕上げとすることができる。可撓性積層体の基板非支持面側、すなわち、ペデスタル受け側は、プラズマ処理されて、所望の表面仕上げにすることが可能であり、アクリル又はエポキシの接着剤でペデスタルに接合されて、従来のポリマー型静電チャックに較べて、優れた接合強度を生じる結果となる。電極122は、剥離ライナーに形成したシート電極とすることができ、これにより製造を簡単にすることができる。
【選択図】図1A
Description
108 接着層
110 基板支持ペデスタル
112 可撓性積層体
114 第2誘電層
120 誘電部材
122 電極
124 第1誘電層
132 基板支持表面
200 処理室
205 移送室
206 負荷固定室
210 電圧供給源
220 排出システム
225 基板
230 熱伝達ガス源
235 側壁
245 天井
250 底
283 処理ガス源
285 ノズル
290 電源供給アンテナ
295 インダクターアンテナ
300 クラスターツール
Claims (17)
- ポリアリールエーテルケトンを含み、基板支持表面を有する第1誘電層と、
接合表面を有し、前記第1誘電層が接合された第2誘電層と、
予め形成され、前記第1誘電層と第2誘電層との間に配置されたシート電極と、
を有する可撓性積層体を含む、
ことを特徴とする静電チャック組立体。 - 前記電極は、約5μmから約40μmの間の厚みを有する銅シートである、ことを特徴とする請求項1に記載の静電チャック組立体。
- ポリアリールエーテルケトンを含み、基板支持表面を有する第1誘電層と、
接合表面を有し、前記第1誘電層が接合された第2誘電層と、
前記第1誘電層と第2誘電層との間に電着された電極と、
を有する可撓性積層体を含む、
ことを特徴とする静電チャック組立体。 - 前記第2誘電層の前記接合表面に接合されたペデスタルを有し、
前記接合表面と該ペデスタルとの間の剥離強度が、約2ポンド(約0.91キログラム)/インチ長から約14ポンド(約6.35キログラム)/インチ長の間である、
ことを更に特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の静電チャック組立体。 - 前記第2誘電層の前記接合表面に接合されたペデスタルを有し、
前記接合表面と該ペデスタルとの間の剥離強度が、約2ポンド(約0.91キログラム)/インチ長から約14ポンド(約6.35キログラム)/インチ長の間にあり、
約0.5ミルから約1ミルの間の厚みであり、前記第2誘電層の前記接合表面にペデスタルを接合する、アクリル又はエポキシ接着剤を含む接着層と、
を更に含むことを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1に記載の静電チャック組立体。 - 基板支持ペデスタルと、
前記基板支持ペデスタルに、約2ポンド(約0.91キログラム)/インチ長から約14ポンド(約6.35キログラム)/インチ長までの範囲の剥離強度を有する接着層により接合された第1誘電層と、
第2誘電層と、更に、
前記第1誘電層と第2誘電層との間に配置されたシート電極と、
を含み、
前記第1誘電層と前記第2誘電層が互いに接合されている、
ことを特徴とする静電チャック組立体。 - 前記電極は前記第2誘電層に溶着されている、ことを特徴とする請求項1から2まで、及び請求項6のうちのいずれか1に記載の静電チャック組立体。
- 第1誘電層は、ポリアリールエーテルケトンにより製造され、第1表面と該第1表面に対向する第2表面とを有し、
前記第1表面は艶消し仕上げ面を有し、前記第2表面は、前記第2誘電層に接合された、ことを特徴とする、
請求項1から3まで、及び請求項6のうちのいずれか1に記載の静電チャック組立体。 - 前記シート電極は、約4μmから約40μmの範囲の厚みを有し、厚みの均一性が約10%未満の銅シートである、ことを特徴とする請求項1から2まで及び請求項6のうちのいずれか1に記載の静電チャック組立体。
- 前記第1誘電層を前記第2誘電層に接合する光学的に透明な接着剤を更に有する、ことを特徴とする請求項1から3まで及び請求項6のうちのいずれか1に記載の静電チャック組立体。
- 前記第2誘電層はポリイミドを含み、前記第1誘電層は、標準グレード又は高純度グレードのポリアリールエーテルケトンを含む、ことを特徴とする請求項10に記載の静電チャック組立体。
- 前記ポリアリールエーテルケトンは、アルミニウム、アンチモン、ヒ素、バリウム、ベリリウム、ビスマス、ホウ素、カドミウム、カルシウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、ゲルマニウム、ハフニウム、インジウム、鉄、鉛、リチウム、水銀、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニッケル、ニオビウム、リン、カリウム、ルビジウム、スカンジウム、セレン、ケイ素、銀、ナトリウム、ストロンチウム、硫黄、タンタル、テルル、タリウム、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、イットリウム、亜鉛、ジルコニウムの金属のいずれかの含有量が、1ppmより大きくない、高純度のポリアリールエーテルケトンを含む、
ことを特徴とする請求項1から3まで又は請求項6のうちのいずれか1に記載の静電チャック組立体。 - 前記第1誘電層の基板支持表面は艶消し又は光沢仕上げを有することを特徴とする請求項1から3まで、又は請求項6のうちのいずれか1に記載の静電チャック組立体。
- 前記第2誘電層は、ポリイミドから製造されることを特徴とする請求項1から3まで、又は請求項6の、いずれか1に記載の静電チャック組立体。
- 前記第1誘電層はスプレイ蒸着処理したポリアリールエーテルケトンから製造されることを特徴とする請求項1から3まで、又は請求項6のうちの、いずれか1に記載の静電チャック組立体。
- 前記第1誘電層は、熱可塑性により前記第2誘電層に接合されている、ことを特徴とする請求項1から3まで、又は請求項6のうちのいずれか1に記載の静電チャック組立体。
- ポリアリールエーテルケトン層と他の誘電層との間に、予め形成されたシート電極を配置すること、
前記ポリアリールエーテルケトン層と前記他の誘電層とを互いに接合して、可撓性積層体を形成すること、
前記誘電層の表面をプラズマ処理すること、
前記誘電層を基板支持ペデスタルに、約2ポンド(約0.91キログラム)/インチ長から約14ポンド(約6.35キログラム)/インチ長までの剥離強度で、接合すること、
を含む、静電チャック組立体の製造方法。
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