JP2012119540A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接着剤層のソルダーレジスト層からの剥離を防止する。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に所定パターンで形成される導体層と、前記絶縁性基板上の前記導体層のうち被覆保護が必要とされる導体層を被覆保護するソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層上に半導体チップを接着固定する接着剤層と、前記接着剤層上に接着固定される半導体チップと、を備えた半導体装置において、前記接着剤層は、前記ソルダーレジスト層の形成領域の周縁部において前記絶縁性基板に対して接着する領域を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、ソルダーレジスト層上に接着剤層を介して半導体チップを搭載する構造の半導体装置およびその製造方法に関する。

近年、コンピュータ、情報機器端末の性能アップや小型化に伴って、半導体装置には、小型化、薄型化、多端子化が求められるようになり、ＢＧＡ（Ball Grid Array）構造や
ＬＧＡ（Land Grid Array）構造に代表される面配置型半導体装置が開発されている（例
えば、特許文献１、２参照）。

図５に、そのような従来のＢＧＡ構造の半導体装置を示す。従来のＢＧＡ構造の半導体装置は、絶縁性基板１０１上面に、所定パターンを有する導体層１０２が形成されており、導体層１０２を被覆保護するためのソルダーレジスト層１０３が絶縁性基板１０１の上に形成される。また、ソルダーレジスト層１０３上に接着剤層１０４を介して半導体チップ１０５が接着固定されている。半導体チップ１０５は、ワイヤ１０６を介して、ボンディングパッド１２２に接続される。さらに、半導体チップ１０５の保護のために、絶縁性基板１０１上がモールド樹脂１０８で被覆されている。そして、絶縁性基板１０１の下に、半田ボール１０９が導体１１０を介して導体層１０２と接続されている。このような構成をしたＢＧＡ構造の面実装方式の半導体装置によれば、絶縁性基板１０１の下面に外部接続端子としての半田ボール１０９を多く設けることができるため、小型化、高密度化が図れる。

特開２０００−２２３６１３号公報 特開平１０−４１５１号公報

しかしながら、図６に示すように、ソルダーレジスト層１０３と接着剤層１０４との界面において接着剤層１０４が剥離２００するという問題があった。この問題は、ソルダーレジスト層１０３の形成領域上で、接着剤層１０４の形成領域を最大としても、解決できなかった。剥離２００の要因としては、第一に、ソルダーレジスト層１０３の表面平滑性が要求されるようになり、接着剤層１０４とソルダーレジスト層１０３との密着力が低下するためである。第二に、半導体装置の小型化に伴いソルダーレジスト層１０３の面積も縮小されるので、ソルダーレジスト層１０３上に形成される接着剤層１０４の形成領域も制限され、接着剤層１０４の密着力を向上させることが困難なためである。

したがって、本発明の目的は、接着剤層のソルダーレジスト層からの剥離を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一の実施の態様によれば、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に所定パターンで形成される導体層と、前記絶縁性基板上の前記導体層のうち被覆保護が必要とされる導体層を被覆保護するソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層上に半導体チップを接着固定する接着剤層と、前記接着剤層上に接着固定される半導体チップと、を備えた半導体装置において、前記接着剤層は、前記ソルダーレジスト層の形成領域の周縁部において
前記絶縁性基板に対して接着する領域を有する半導体装置が提供される。

この場合、前記接着剤層の形成領域の面積は、前記絶縁性基板上における前記ソルダーレジスト層の形成領域の面積よりも大きいことが好ましい。

また、絶縁性基板の表面が粗化面であることが好ましい。

本発明の他の実施の態様によれば、絶縁性基板上に所定パターンで形成された導体層のうち被覆保護が必要とされる導体層をソルダーレジスト層により被覆保護する被覆工程と、前記ソルダーレジスト層上に接着剤層を介して半導体チップを接着固定する接着工程と、を含む半導体装置の製造方法において、前記接着工程は、前記ソルダーレジスト層が形成された領域の周縁部において前記絶縁性基板に対して接着させるようにした半導体装置の製造方法が提供される。

この場合、前記導体層は、圧延金属箔を所定パターンでエッチングすることにより形成され、前記接着剤層が接着する前記絶縁性基板の表面は、粗化面である前記圧延金属箔を貼り付けて転写することにより粗化面とすることが好ましい。

本発明によれば、接着剤層のソルダーレジスト層からの剥離を防止することができる。

本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図１におけるソルダーレジスト層の要部拡大図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の正面及び平面の概略図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法における工程図である。 従来の半導体装置を示す断面図である。 図５におけるソルダーレジスト層の要部拡大図である。

以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図面を参照して説明する。

これまで、接着剤層は、半導体チップをソルダーレジスト層に単に接着固定するだけのものであるから、半導体チップとソルダーレジスト層との間に設けられていれば十分であると考えられていた。しかし、本発明者は、接着剤層がソルダーレジスト層上を越えて絶縁性基板に接着すれば、接着剤層とソルダーレジストとの密着力に寄与することを見出し、本発明を創作するに至った。

［半導体装置］

図１は、本発明の一実施形態である半導体装置を示す断面図である。
半導体装置は、絶縁性基板１と、絶縁性基板１上に形成され、所定パターンを有する導体層２と、絶縁性基板１上の導体層２のうち被覆保護が必要とされる導体層を被覆保護するソルダーレジスト層３と、ソルダーレジスト層３上に形成され半導体チップ５を接着固定する接着剤層４と、接着剤層４上に接着固定される半導体チップ５とを、備えている。半導体装置はさらに出力端子を備えるが、その出力端子は半田ボールを備えたＢＧＡ（Ball
Grid Array）であることもある。

本実施の形態は、そのようなＢＧＡ構造を有した半導体装置である。この半導体装置は
、前記導体層２に接続される格子状に配列された複数の半田ボール９を備えたＢＧＡ構造をしたものであり、導体層２を介して接続されるボンディングパッド２２を有し、このボンディングパッド２２が半導体チップ５にワイヤボンディングされるＦＢＧＡ（Fine pitch Ball Grid Array）構造をしたものである。

導体層２は、絶縁性基板１の上面に形成されており、所定の配線パターンを有している。所定の配線パターンは、半田ボール９と接続されるランド２１、半導体チップ５と接続されるボンディングパッド２２、及びランド２１とボンディングパッド２２とを接続する配線２３（図３参照）から構成される。半導体装置の小型化のために、複数のランド２１は、半導体チップ５が搭載される絶縁性基板１の上面のチップ搭載部に集約配置されている。ボンディングパッド２２は、半導体チップ５とのボンディングを確保するために、チップ搭載部の外周部に配置されている。

そして、ランド２１は絶縁性基板１上面の外周部に配置されたボンディングパッド７と配線２３で電気的に接続されている。また、ランド２１は、絶縁性基板１の下面において、絶縁性基板１に形成されるビアホール１３に充填された導体１０を介して半田ボール９と電気的に接続される。なお、導体層２の材料には例えば金属が用いられ、実施の形態では銅が用いられる。

ソルダーレジスト層３は、導体層２の被覆保護を目的として形成され、絶縁性基板１の上面に形成された導体層２を被覆保護している。これらの導体層２のうちソルダーレジスト層３によって被覆保護が必要とされる導体層は、ランド２１と配線２３であり、ソルダーレジスト層３により被覆保護しない導体層はボンディングパッド２２である。ランド２１及び配線２３には、半導体チップ５のダイボンディングによる衝撃等から保護するためにソルダーレジスト層３が必要である。これに対してボンディングパッド２２はワイヤボンディングを行うためにソルダーレジスト層３の被覆保護ができないため、ソルダーレジスト層３による被覆保護を行っていない。なお、ソルダーレジスト層３は、例えば感光性ソルダーレジスト等が用いられる。ソルダーレジスト層３は、スピンコート法やスクリーン印刷法等により薄く形成されるため、表面平滑性を有している。

実施の形態では、絶縁性基板１上におけるソルダーレジスト層３の形成領域は、ランド２１及び配線２３が集約配置された絶縁性基板１の中央領域を含む領域である。絶縁性基板１上の外周領域に配置されたボンディングパッド２２と、ソルダーレジスト層３によって被覆保護されている複数のランド２１のうち、中央領域の最外周に配置されたランド２１との間には、導体層２が形成されていない絶縁性基板１の露出面であって、後述する接着剤層４と絶縁性基板１とが直接接着する領域（以後、直接接着面１ａとよぶ）が確保されている。この場合、ソルダーレジスト層の形成領域を縮小することなく、この直接接着面１ａがもともと確保される場合は問題ないが、直接接着面１ａを確保できない場合は、半導体装置の寸法を大きくするか、ソルダーレジスト層の形成領域を縮小するかして、直接接着面１ａを確保する必要が生じる。

例えば、図６に示すように、従来は、ソルダーレジスト層１０３と絶縁性基板１０１との密着力を向上させて、ソルダーレジスト層１０３と絶縁性基板１０１との界面における剥離を防止するために、ソルダーレジスト層１０３の形成領域は、ランド１２１及び配線（図示略）が集約配置された絶縁性基板１０１の中央領域を超えて、絶縁性基板１０１の外周領域に配置されたボンディングパッド１２２の一部にまでかかるように拡大されていた。このため、上述した直接接着面１ａを確保するために、ソルダーレジスト層１０３の形成領域を縮小する必要が生じる。

既述したように前記直接接着面１ａの確保のために、ソルダーレジスト層３の形成領域
を可能な範囲で縮小しても、接着剤層４がソルダーレジスト層３上を越えて絶縁性基板１に接着すれば、接着剤層４とソルダーレジスト層３との密着力に寄与して、ソルダーレジスト層３の形成領域が縮小したことによる密着力の低下を補完できる。

また、特に、実施の形態では、ソルダーレジストによって被覆保護するランド２１及び配線２３が絶縁性基板１の中央部に集約配置され、被覆保護しないボンディングパッド２２が絶縁性基板１の外周部に配置されているＦＢＧＡ構造が採用されているため、半導体装置の寸法を大きくすることなく、ボンディングパッド２２とランド２１及び配線２３との間の絶縁性基板１上に直接接着面１ａを確保するスペースを設けることは容易である。

したがって、本実施の形態では、半導体装置の寸法を大きくすることなく、ソルダーレジスト層３の形成領域を縮小することによって、直接接着面１ａを確保することができる。

実施の形態において、上記絶縁性基板と、導体層と、ソルダーレジスト層とを備えて構成されるものは、絶縁フィルム上に配線パターンが形成された構造となっているテープキャリアであることもある。

前記接着剤層４は、ソルダーレジスト層３と半導体チップ５の間に介在し、半導体チップ５を接着固定する。そして、図１及び図３に示すように、接着剤層４はソルダーレジスト層３の周縁部において絶縁性基板１とも接着している。すなわち、接着剤層４は、ソルダーレジスト層３の上面３ａに加えて、絶縁性基板１と接着剤層４との直接接着面１ａ及びソルダーレジスト層３の側面３ｂのそれぞれに対して接着している。このように接着剤層４を設けることによって、接着剤層４の絶縁性基板１への密着力が、低下するおそれのあるソルダーレジスト層３の絶縁性基板１への密着力を補完するため、ソルダーレジスト層３の絶縁性基板１への密着力を低減することなく、接着剤層４のソルダーレジスト層３への密着力を向上させることができる。そして、接着剤層４のソルダーレジスト層３からの剥離を防止することができる。

また、接着剤層４の形成領域の面積は、絶縁性基板１上におけるソルダーレジスト層３の形成領域の面積よりも大きいことが好ましい。ここで、ソルダーレジスト層３、接着剤層４それぞれの形成領域の面積とは、図３に示すように、平面視において、ソルダーレジスト層３、接着剤層４のそれぞれの領域が占める面積を示している。そして、接着剤層４の形成領域面積は、ソルダーレジスト層３の形成領域面積と比較して、図３における斜線部（直接接着面１ａ）の面積の分だけ大きくなっている。したがって、上記構成によれば、接着剤層４は、ソルダーレジスト層３の全体を覆って、ソルダーレジスト層３を抱き込む形で、絶縁性基板１に接着することができる。すなわち、接着剤層４のソルダーレジスト層３への密着力をさらに向上させ、接着剤層４のソルダーレジスト層３からの剥離を防止することができる。

図３の実施の形態では、接着剤層４がソルダーレジスト層３の形成領域の周縁部全てにおいて接着していることを示しているが、接着剤層４がソルダーレジスト層３の形成領域の周縁部の少なくとも一部において接着していれば良い。これは、接着剤層４とソルダーレジスト層３が一体的となって、絶縁性基板１に対して接着して形成されれば良いからである。なお、接着剤層４の外縁部はボンディングパッド２２近傍まで延在するものの、ボンディングパッド２２とは接しないことが好ましい。それは通電によりボンディングパッド２２が発熱し、接着剤層の密着力を低下させるためである。また、接着剤層４は、例えばエポキシ樹脂系等の化合物が用いられる。

前記半導体チップ５は、例えばシリコンＩＣチップが用いられる。そして、半導体チッ
プ５は、上述した接着剤層４上にダイボンディングにより接着固定されている。また、半導体チップ５は、ワイヤ６によりボンディングパッド２２に電気的に接続される。さらに、半導体チップ５及びワイヤ６はモールド樹脂８によって封止されている。
このようにして図１乃至図２に示す本発明の一実施の形態に係る半導体装置が構成されている。

本発明の一実施形態に係る半導体装置によれば、絶縁性基板上における接着剤層がソルダーレジスト層の形成領域の周縁部において絶縁性基板に対しても接着されている。この構成とすることによって、接着剤層が絶縁性基板表面に対しても接着することができるので、ソルダーレジスト層の表面平滑性や装置小型化にともなう接着剤層形成領域の制限にかかわらず、接着剤層のソルダーレジスト層への密着力を向上させることが可能となり、接着剤層とソルダーレジスト層との界面における剥離を防止することができる。そして、界面剥離による組み立て不良を低減でき、半導体装置の歩留まりを向上することができる。

絶縁性基板上における接着剤層の形成領域を、絶縁性基板上におけるソルダーレジスト層の形成領域を縮小することなく確保できる場合は問題ないが、絶縁性基板上におけるソルダーレジスト層の形成領域を縮小して確保する場合は、ソルダーレジスト層の絶縁性基板への密着力が低下するおそれがある。しかし、接着剤層の絶縁性基板への密着力が、低下するおそれのあるソルダーレジスト層の絶縁性基板への密着力を補完するため、ソルダーレジスト層の絶縁性基板への密着力を低減することなく、接着剤層のソルダーレジスト層への密着力を向上させることができる。

また、半導体チップを半導体チップ外周に配置されるボンディングパッドにワイヤボンディングする実施の形態のＦＢＧＡ構造にあっては、ボンディングパッドをソルダーレジスト層で被覆保護することはできない。このため、ボンディングパッドが配置されたポリイミド基板の外周部には、もともとソルダーレジスト層を形成せず、ポリイミド基板表面が露出している領域が存在している。したがって、上記のＦＢＧＡ構造にあっては、ポリイミド基板表面を露出させて、接着剤層のポリイミド基板への接着領域を確保するのは容易であり、本発明の適用が一層容易である。

上述した半導体装置において、接着剤層の形成領域の面積は、絶縁性基板上におけるソルダーレジスト層の形成領域の面積よりも大きいことが好ましい。これは、ソルダーレジスト層の形成領域の面積よりも小さいと、接着剤層のソルダーレジスト層への密着力を十分に得られないためである。

上述したソルダーレジスト層の形成領域の周縁部において絶縁性基板に対しても接着している接着剤層の形成領域の面積は、絶縁性基板上におけるソルダーレジスト層の形成する領域面積の２５％以下の範囲内の数値とするのがよい。これは、２５％よりも大きいと、接着剤層の密着力を十分に得られるものの、直接接着面の面積が大きくなるために、半導体装置の小型化及び低コスト化の妨げとなるためである。

また、絶縁性基板の表面を粗化面とする構成によって、接着剤層が絶縁性基板上の粗化面の凹凸へ侵入し、アンカー効果が得られるため、接着剤層の密着力をさらに向上することができる。同様にして、ソルダーレジスト層の絶縁性基板への密着力も向上することができる。

［半導体装置の製造方法］
次に、本発明に係る一実施形態である半導体装置の製造方法について、図４を参照して説明する。

まず、金属箔用接着剤１２を絶縁性基板１としてのポリイミド基板の上面に貼り付ける。そのポリイミド基板に対して、例えば、パンチング加工を施し、グリッド状に半田ボール搭載用のビアホール１３を形成する。そして、絶縁性基板１の上面に対して、ローラ１４により金属箔用接着剤１２を介して金属箔１１としての圧延銅箔をラミネートする（図４（ａ））。この際、圧延銅箔の粗化面がポリイミド基板のラミネート面に転写される。

続いて、貼り付けられた金属箔１１としての圧延銅箔の表面上にマスキングを施し（図示せず）、メッキ法を行うことにより、ビアホール１３にメッキを充填した導体１０を形成する（図４（ｂ））。

続いて、金属箔１１としての圧延銅箔にフォトリソグラフィ法によるパターンエッチングで、所定パターンを有する導体層２を形成する。この導体層２は、ランド２１、ボンディングパッド２２、及びこれらを接続する配線からなる。なお、圧延銅箔の一部が除去されるパターンエッチングの際に、前記転写されたポリイミド基板の粗化面がポリイミド基板の一部に露出する（図４（ｃ））。

続いて、塗布が必要な導体層２にソルダーレジスト層３を塗布して、ランド２１及び配線（図示略）の形成されたポリイミド基板上の中央部に、ソルダーレジスト層３で覆われた領域を形成する。このとき、ボンディングパッド２２の形成されたポリイミド基板上の周辺、すなわち、ソルダーレジスト層３が形成する領域の周縁部には、直接接着面１ａを確保するためにソルダーレジスト層３を塗布せず、ボンディングパッド２２及びその周辺のポリイミド基板の上面は露出したままとする。ソルダーレジスト層３が形成する領域を縮小して直接接着面１ａを確保する場合であっても、塗布領域を変更するだけで済むので、工程数の増加はない。なお、ボンディングパッド２２及び導体１０に対して表面メッキ層１６を設ける（図４（ｄ））。

続いて、ソルダーレジスト層３の形成された領域のみならず、当該領域を超えて接着剤層４を塗布する。この際、ポリイミド基板上における接着剤層４の形成する領域面積を、ポリイミド基板上におけるソルダーレジスト層３の形成する領域面積よりも大きく形成し、ソルダーレジスト層３が形成する領域の周縁部において接着剤層４がポリイミド基板上の直接接着面１ａに対しても接着するようにする。このように接着剤層４をソルダーレジスト層３の形成領域を超えて形成することにより、ソルダーレジスト層３はその上面３ａ及び側面３ｂを含めて接着剤層４に抱き込まれた形でポリイミド基板上に接着されるため、絶縁性基板１に対して、ソルダーレジスト層３と接着剤層４とを一体的に接着することができる。また、接着剤層４は、パターンエッチングする際に露出したポリイミド基板の粗化面に対して接着されるので、接着剤層４のポリイミド基板への密着力が一層向上する（図４（ｅ））。

続いて、接着剤層４を介して半導体チップ５をソルダーレジスト層３上に接着固定し、半導体チップ５とボンディングパッド２２とをワイヤ６により電気的に接続する。その後、半導体チップ５およびワイヤ６を保護するための封止樹脂としてのモールド樹脂８を絶縁性基板１上に形成する（図４（ｆ））。

続いて、ポリイミド基板の下面に半田ボール９をマウントし、リフローすることによって導体１０を介して半田ボール９と導体層２とを電気的に接続し、図１に示す本実施の形態の半導体装置を得る（図４（ｇ））。

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、工程数を増加させることなく、半導体装置における接着剤層の密着力を向上できるので、接着剤層とソルダーレジス
ト層との界面剥離による半導体装置の組み立て不良を低減し、半導体の歩留まりを向上することができる。

また、接着剤層がソルダーレジスト層を抱き込んでポリイミド基板に接着するので、アンカー効果が発揮されてソルダーレジスト層とポリイミド基板との密着力も向上する。その結果、ソルダーレジスト層の形成する領域面積が従来例より縮小して、ソルダーレジスト層のポリイミド基板への接着力が低減するおそれがあるが、その低減量を有効に補完できるので、ソルダーレジスト層のポリイミド基板への接着力の低減の問題は生じない。

また、導体層として圧延金属箔を用いているので、電解金属箔等と比較して、圧延金属箔がその表面に適度な凹凸を有するため、絶縁性基板に対して貼り合わされる工程において、その表面の凹凸を絶縁性基板の表面に転写して、絶縁性基板表面を粗面化できる。このように絶縁性基板表面を粗面化できるので、接着剤層と絶縁性基板との密着力を向上できる。しかも、導体層として圧延金属箔を貼り合わせることによって、絶縁性基板表面を粗面化できるので、密着力向上のための粗面化処理工程を別途設ける必要がない。

以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。

例えば、インナーリードボンディング用の開口が設けられたＴＡＢテープ上に、ソルダーレジスト層（エラストマ層）および接着剤層を介して半導体チップが接着固定され、半導体チップと導体層とをインナーリードボンディングにより電気的に接続するＣＳＰ（Chip Size Package）であるμＢＧＡ（登録商標）構造の半導体装置にも適用可能である。
この場合、ソルダーレジストの被覆保護が必要とされる導体層はランド、及びランドとインナーリードとを接続する配線であり、ソルダーレジストにより被覆保護しない導体層はインナーリードである。このμＢＧＡにおいては、接着剤層は、ソルダーレジスト層の形成領域の周縁部またはインナーリードボンディングの開口縁部において直接接着面を確保することによって、ＴＡＢテープに対しても接着させるようにする。

また、外部接続端子として半田ボールの高さが０．１ｍｍ以下であるもの又は平らな電極パッドを用いるＬＧＡ構造の半導体装置にも適用可能である。

１，１０１ 絶縁性基板
１ａ 直接接着面
２，１０２ 導体層
３，１０３ ソルダーレジスト層
３ａ ソルダーレジスト層上面
３ｂ ソルダーレジスト層側面
４，１０４ 接着剤層
５，１０５ 半導体チップ
６，１０６ ワイヤ
８，１０８ モールド樹脂
９，１０９ 半田ボール
１０，１１０ 導体
１１ 金属箔
１２ 金属箔用接着剤
１３ ビアホール
１４ ローラ
１６ 表面メッキ層
２１、１２１ ランド
２２、１２２ ボンディングパッド
２３ 配線
２００ 剥離

Claims (5)

1. 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に所定パターンで形成される導体層と、前記絶縁性基板上の前記導体層のうち被覆保護が必要とされる導体層を被覆保護するソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層上に半導体チップを接着固定する接着剤層と、前記接着剤層上に接着固定される半導体チップと、を備えた半導体装置において、
   前記接着剤層は、前記ソルダーレジスト層の形成領域の周縁部において前記絶縁性基板に対して接着する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、前記接着剤層の形成領域の面積は、前記絶縁性基板上における前記ソルダーレジスト層の形成領域の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２に記載の半導体装置において、前記絶縁性基板の表面が粗化面であることを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁性基板上に所定パターンで形成された導体層のうち被覆保護が必要とされる導体層をソルダーレジスト層により被覆保護する被覆工程と、前記ソルダーレジスト層上に接着剤層を介して半導体チップを接着固定する接着工程と、を含む半導体装置の製造方法において、
   前記接着工程は、前記ソルダーレジスト層が形成された領域の周縁部において前記絶縁性基板に対して接着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、前記導体層は、圧延金属箔を所定パターンでエッチングすることにより形成され、前記接着剤層が接着する前記絶縁性基板の表面は、粗化面である前記圧延金属箔を貼り付けて転写することにより粗化面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
   

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