JP2012119530A

JP2012119530A - ソレノイド駆動回路

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Publication number: JP2012119530A
Application number: JP2010268704A
Authority: JP
Inventors: Sakuichi Akabori; 作一赤堀
Original assignee: Toyooki Kogyo Co Ltd
Current assignee: Toyooki Kogyo Co Ltd
Priority date: 2010-12-01
Filing date: 2010-12-01
Publication date: 2012-06-21
Anticipated expiration: 2030-12-01
Also published as: JP5681464B2

Abstract

【課題】電磁弁の弁体を駆動する２個のソレノイドを、共通のスイッチング回路で制御し、部品点数を低減して構成を簡素化し、各ソレノイドへの電流遮断時に各ソレノイドのオフ作動の遅れを短縮し得るソレノイド駆動回路を提供する。
【解決手段】第２回路６には、作動信号の付与で閉作動してソレノイド２もしくは３と直流電源１との間を電気接続すると共に、作動信号の解除で開作動してソレノイド２もしくは３と直流電源１との間の電気接続を遮断する電界効果トランジスタ１１を配設する。サージ電流を吸収するバリスタ１４を電界効果トランジスタ１１と並列に電気接続してスイッチング回路を構成する。バリスタ１４から流れるサージ電流により閉作動するトランジスタ１３を第４回路１５に配設し、トランジスタ１３は閉作動により電界効果トランジスタ１１へ付与する作動信号を解除するよう電界効果トランジスタ１１に電気接続する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電磁弁の弁体を駆動するソレノイドに対する直流の駆動電流の遮断時に発生するサージエネルギーの迅速な吸収が可能とされるソレノイド駆動回路に関するものである。

この種のソレノイド駆動回路は、電磁弁の弁体を駆動するソレノイドにスイッチング回路を直列に接続し、スイッチング回路はエミッタ・コレクタ間に抵抗を接続したトランジスタから構成し、ソレノイドおよびスイッチング回路にダイオードを並列に接続し、直流の駆動電流の遮断時に、ソレノイドに発生するサージエネルギーがスイッチング回路の抵抗およびダイオードによって吸収し、オフ作動の遅れを短縮するようにしている。

実開平７−３９２４９号公報

ところが、かかる従来のソレノイド駆動回路では、電磁弁の弁体を駆動するソレノイドを２個備えると、各ソレノイドにそれぞれスイッチング回路を必要とするため、部品点数が増加し、構成が複雑になる問題点があった。

本発明の課題は、電磁弁の弁体を駆動する２個のソレノイドを、共通のスイッチング回路で制御し、部品点数を低減して構成を簡素化し、各ソレノイドへの電流遮断時に各ソレノイドのオフ作動の遅れを短縮し得るソレノイド駆動回路を提供するものである。

かかる課題を達成すべく、本発明は次の手段をとった。即ち、
直流電源に対し電磁弁の弁体を駆動する第１ソレノイドと第２ソレノイドとを並列に電気接続し、直流電源と第１ソレノイドとは第１回路と第２回路とで電気接続すると共に、直流電源と第２ソレノイドとは直流電源と第１ソレノイドとを電気接続する第１回路と格別の第３回路と直流電源と第１ソレノイドとを電気接続する共通の第２回路で電気接続し、第１回路には第２回路側から第１ソレノイド側へ電流が流れることを阻止するよう第１ソレノイドと直列に第１ダイオードを配設し、第３回路には第２回路側から第２ソレノイド側へ電流が流れることを阻止するよう第２ソレノイドと直列に第２ダイオードを配設し、第２回路には作動信号の付与で閉作動して第１ソレノイドもしくは第２ソレノイドと直流電源との間を電気接続すると共に、作動信号の解除で開作動して第１ソレノイドもしくは第２ソレノイドと直流電源との間の電気接続を遮断するスイッチング素子を配設し、直流電源から第１ソレノイドもしくは第２ソレノイドへ流れる電流の遮断により誘起されるサージ電流を吸収するサージ吸収手段をスイッチング素子と並列に電気接続してスイッチング回路を構成し、サージ電流をスイッチング回路のサージ吸収手段で吸収するようサージ電流を循環する整流素子を第２回路に分岐接続する第４回路に配設し、第４回路を第１回路へ第５回路で電気接続すると共に、第４回路を第３回路へ第６回路で電気接続し、第５回路には第１回路側から第４回路側へ電流が流れることを阻止するよう第３ダイオードを配設し、第６回路には第３回路側から第４回路側へ電流が流れることを阻止するよう第４ダイオードを配設し、各ソレノイドへの通電に応じてスイッチング素子を閉作動するよう作動信号をスイッチング素子に付与する作動回路を直流電源とスイッチング素子との間を電気接続して設け、直流電源から各ソレノイドへ流れる電流を遮断したときにサージ吸収手段から流れるサージ電流により閉作動する第２スイッチング素子を整流素子と直列に第４回路に配設し、第２スイッチング素子は閉作動によりスイッチング素子へ付与する作動信号を解除するようスイッチング素子に電気接続したことを特徴とするソレノイド駆動回路がそれである。

この場合、前記スイッチング素子を電界効果トランジスタとし、前記第２スイッチング素子をＮＰＮ型のトランジスタとし、電界効果トランジスタのゲートをトランジスタのコレクタに電気接続しても良い。また、前記作動回路は前記電界効果トランジスタのゲートを前記第１回路へ第７回路で電気接続すると共に、前記第３回路へ第８回路で電気接続し、第７回路には前記第３回路側から前記第１回路側へ電流が流れることを阻止する第５ダイオードと前記第１ソレノイドへの通電により発光する第１発光素子とを直列に配設し、第８回路には前記第１回路側から前記第３回路側へ電流が流れることを阻止する第６ダイオードと前記第２ソレノイドへの通電により発光する第２発光素子とを直列に配設しても良い。

以上詳述したように、請求項１に記載の発明は、第１ソレノイドの通電状態では、電流が直流電源より第１回路、第１ソレノイド、第１ダイオード、スイッチング素子、第２回路を流れる。そして、直流電源から第１ソレノイドへ流れる電流を遮断すると、第２スイッチング素子が閉作動し、スイッチング素子に付与する作動信号が、閉作動した第２スイッチング素子より第５回路、第３ダイオードを介して第１回路側へ流れて、スイッチング素子へ付与していた作動信号を解除し、スイッチング素子が開作動する。そして、直流電源から第１ソレノイドへ流れる電流の遮断により誘起されるサージ電流を整流素子で循環してスイッチング回路のサージ吸収手段で吸収し、第１ソレノイドのオフ作動の遅れを短縮するようにしている。また、第２ソレノイドの通電状態では、電流が直流電源より第３回路、第２ソレノイド、第２ダイオード、スイッチング素子、第２回路を流れる。そして、直流電源から第２ソレノイドへ流れる電流を遮断すると、第２スイッチング素子が閉作動し、スイッチング素子に付与する作動信号が、閉作動した第２スイッチング素子より第６回路、第４ダイオードを介して第３回路側へ流れて、スイッチング素子へ付与していた作動信号を解除し、スイッチング素子が開作動する。そして、直流電源から第２ソレノイドへ流れる電流の遮断により誘起されるサージ電流を整流素子で循環してスイッチング回路のサージ吸収手段で吸収し、第２ソレノイドのオフ作動の遅れを短縮するようにしている。このため、第１ソレノイドおよび第２ソレノイドを共通のスイッチング素子、サージ吸収手段、整流素子、第２スイッチング素子で制御できるから、電磁弁の弁体を駆動する２個のソレノイドを、共通のスイッチング回路で制御でき、部品点数を低減して構成を簡素化できて、各ソレノイドへの電流遮断時に各ソレノイドのオフ作動の遅れを短縮することができる。

また、請求項１に記載の発明は、各ソレノイドへの電流を遮断したときにサージ吸収手段から流れるサージ電流により閉作動する第２スイッチング素子を整流素子と直列に第４回路に配設している。このため、サージ電流を循環する整流素子を配設する第４回路を利用して第２スイッチング素子を配設できるから、第２スイッチング素子を配設するための格別な回路を不要にできて構成の一層の簡素化を図ることができる。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明の効果に加え、スイッチング素子を電界効果トランジスタとし、第２スイッチング素子をＮＰＮ型のトランジスタとし、電界効果トランジスタのゲートをトランジスタのコレクタに電気接続した。このため、スイッチング素子としての電解効果トランジスタへ付与する作動信号を解除する第２スイッチング素子は、小容量で安価なトランジスタでよく、廉価に製作することができる。

また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明の効果に加え、作動回路は電界効果トランジスタのゲートを第１回路へ第７回路で電気接続すると共に、第３回路へ第８回路で電気接続し、第７回路には第３回路側から第１回路側へ電流が流れることを阻止する第５ダイオードと第１ソレノイドへの通電により発光する第１発光素子とを直列に配設し、第８回路には第１回路側から第３回路側へ電流が流れることを阻止する第６ダイオードと第２ソレノイドへの通電により発光する第２発光素子とを直列に配設した。このため、作動回路に各ソレノイドへの通電を発光で表示する発光素子を配設できるから、発光素子を配設するための格別な回路を不要にできて構成のより一層の簡素化を図ることができる。

本発明の一実施形態を示したソレノイド駆動回路の電気回路図である。

以下、本発明の一実施形態を図面に基づき説明する。
図１において、１は直流電源で、図示しない電磁弁の弁体を一方向に駆動する第１ソレノイド２と弁体を一方向と反対側の他方向に駆動する第２ソレノイド３とを並列に電気接続している。４は直流電源１と第１ソレノイド２との間を電気接続する第１回路、５は直流電源１と第２ソレノイド３との間を電気接続する第３回路、６は直流電源１と第１ソレノイド２との間および直流電源１と第２ソレノイド３との間を共通に電気接続する第２回路である。第１回路４には常時開の第１の接点７と第１ソレノイド２と第１ダイオード８とを直流電源１の陽極側から陰極側に向かって直列に配設している。第３回路５には常時開の第２の接点９と第２ソレノイド３と第２ダイオード１０とを直流電源１の陽極側から陰極側に向かって直列に配設している。第１ダイオード８は第２回路６側から第１ソレノイド２側へ電流が流れることを阻止するよう配設し、第２ダイオード１０は第２回路６側から第２ソレノイド３側へ電流が流れることを阻止するよう配設している。

第２回路６には、作動信号の付与で閉作動して第１ソレノイド２もしくは第２ソレノイド３と直流電源１との間を電気接続すると共に、作動信号の解除で開作動して第１ソレノイド２もしくは第２ソレノイド３と直流電源１との間の電気接続を遮断するスイッチング素子１１を配設している。スイッチング素子１１は、電界効果トランジスタでチャンネル反転層がｎ形のＭＯＳＦＥＴ（ＪＩＳＣ５６１０−１９９６）であり、ドレンを両ソレノイド２、３側に、ソースを直流電源の陰極側に、ゲートを後述詳記する作動回路１２と第２スイッチング素子１３にそれぞれ電気接続している。１４はスイッチング素子１１と並列に電気接続してスイッチング回路を構成したサージ吸収手段としてのバリスタで、第１の接点７もしくは第２の接点９の閉状態からの開操作で直流電源１から第１ソレノイド２もしくは第２ソレノイド３へ流れる電流の遮断により誘起されるサージ電流を吸収する。１５は第２回路６に分岐接続する第４回路で、サージ電流を循環する整流素子としてのダイオード１６と第２スイッチング素子１３とを直列に配設している。第４回路１５は第５回路１７を介して第１回路４へ電気接続すると共に、第６回路１８を介して第３回路５へ電気接続する。第５回路１７には第１回路４側から第４回路１５側へ電流が流れることを阻止するよう第３ダイオード１９を配設し、第６回路１８には第３回路５側から第４回路１５側へ電流が流れることを阻止するよう第４ダイオード２０を配設している。

作動回路１２は、電界効果トランジスタ１１のゲートを第１回路４へ電気接続する第７回路２１と、前記ゲートを第３回路５へ電気接続する第８回路２２とを備え、第１ソレノイド２もしくは第２ソレノイド３への通電に応じて、この通電する電流の一部を作動信号として第１回路４より第７回路２１もしくは第３回路５より第８回路２２を介して電界効果トランジスタ１１のゲートに付与し、電界効果トランジスタ１１を閉作動する。第７回路２１には電界効果トランジスタ１１のゲート側から第１回路４側へ電流が流れることを阻止する第５ダイオード２３と第１ソレノイド２への通電により発光する第１発光素子としての第１発光ダイオード２４とを直列に配設している。第８回路２２には電界効果トランジスタ１１のゲート側から第３回路５側へ電流が流れることを阻止する第６ダイオード２５と第２ソレノイド３への通電により発光する第２発光素子としての第２発光ダイオード２６とを直列に配設している。

第２スイッチング素子１３は、ＮＰＮ型のトランジスタで、コレクタを電界効果トランジスタ１１のゲートと第４回路１５のダイオード１６側に、エミッタを第４回路１５の第５回路１７、第６回路１８への接続側に、ベースを第２回路６側にそれぞれ電気接続している。そして、第２スイッチング素子１３は、直流電源１から第１ソレノイド２もしくは第２ソレノイド３へ電流を流しているときにはベースに電圧が印加されないため開作動すると共に、直流電源１から第１ソレノイド２もしくは第２ソレノイド３へ流れる電流を遮断したときにバリスタ１４から第２回路６を流れるサージ電流に起因してベースに電圧が印加されて閉作動し、作動回路１２より電界効果トランジスタ１１のゲートに付与していた作動信号をコレクタよりエミッタを通して第５回路１７より第１回路４側もしくは第６回路１８より第３回路５側へ流して作動信号を解除し、電界効果トランジスタ１１を開作動する。２７は電界効果トランジスタ１１のゲートと作動回路１２との間に配設した抵抗、２８は電界効果トランジスタ１１のゲートと第２回路６との間に配設した抵抗である。抵抗２７、２８は電界効果トランジスタ１１のゲートに付与する作動信号を所定の電圧にすると共に、第１発光ダイオード２４、第２発光ダイオード２６に流れる電流を制限する。２９はコンデンサで、抵抗２８と並列に電界効果トランジスタ１１のゲートと第２回路６との間に配設し、電界効果トランジスタ１１のゲートに付与する作動信号のノイズを除去して電位を安定させる。

次に、かかる構成の作動を説明する。
図１に示す状態は、第１の接点７と第２の接点９がともに開状態で、第１ソレノイド２と第２ソレノイド３はともに非通電となっており、図示しない弁体は中立位置に位置している。

この状態で、第１の接点７を閉操作すると、直流電源１の陽極側からの電流が、閉じた第１の接点７を介して第１回路４から作動回路１２の第７回路２１、第１発光ダイオード２４、第５ダイオード２３を流れ、電界効果トランジスタ１１のゲートに付与され電界効果トランジスタ１１を閉作動すると共に、抵抗２８、第２回路６より直流電源１の陰極側に流れて第１発光ダイオード２４を発光する。そして、直流電源１の陽極側から閉じた第１の接点７を介して第１回路４に流れた電流は、第１ソレノイド２、第１ダイオード８、閉作動した電界効果トランジスタ１１、第２回路６を通り、直流電源１の陰極側に流れ、第１ソレノイド２が通電されて弁体を一方向に移動させる。このとき、第２の接点９は開状態で、第１回路４から第２回路６を流れる電流は第２ダイオード１０で第３回路５側へ流れることを阻止されるため、第２ソレノイド３は通電されない。また、第２スイッイング素子１３は、第２回路６からベースに電圧が印加されず開状態である。

この状態で、第１の接点７を開操作すると、第１ソレノイド２を非通電にし、一方向に移動した弁体をばね力等で中立位置に復帰する。このとき、直流電源１から第１ソレノイド２へ流れる電流の遮断により第１ソレノイド２に逆起電圧が発生し、第２スイッチング素子１３はベースに電圧が印加されて閉作動し、電界効果トランジスタ１１はゲートに付与されていた作動信号が閉作動した第２スイッチング素子１３より第３ダイオード１９、第５回路１７を通って第１回路４側へ流れ、作動信号が解除されて開作動する。第１回路４より第１ソレノイド２に流れる電流は、第１ダイオード８、開作動した電界効果トランジスタ１１と並列に電気接続したバリスタ１４、第２回路６、ダイオード１６、第４回路１５、閉作動した第２スイッチング素子１３、第３ダイオード１９、第５回路１７を通って第１回路４に循環し、バリスタ１４でサージ電流を吸収して第１ソレノイド２を非通電にするオフ作動の遅れを短縮する。そして、逆起電圧がなくなると第２スイッチング素子１３はベースに電圧が印加されなくなり開作動する。

弁体が中立位置にある図１の状態で、第２の接点９を閉操作すると、直流電源１の陽極側からの電流が、閉じた第２の接点９を介して第３回路５から作動回路１２の第８回路２２、第２発光ダイオード２６、第５ダイオード２５を流れ、電界効果トランジスタ１１を閉作動すると共に、抵抗２８、第２回路６より直流電源１の陰極側に流れて第２発光ダイオード２６を発光する。そして、第３回路５に流れた電流は、第２ソレノイド３、第２ダイオード１０、閉作動した電界効果トランジスタ１１、第２回路６を通って直流電源１の陰極側に流れ、第２ソレノイド３を通電して弁体を一方向と反対側の他方向に移動させる。このとき、第３回路５から第２回路６を流れる電流は第１ダイオード８で第１回路４側へ流れることを阻止され、第１ソレノイド２は通電されない。

この状態で、第２の接点９を開操作すると、第２ソレノイド３を非通電にし、他方向に移動した弁体をばね力等で中立位置に復帰する。このとき、直流電源１から第２ソレノイド３へ流れる電流の遮断により第２ソレノイド３に逆起電圧が発生し、第２スイッチング素子１３はベースに電圧が印加されて閉作動し、電界効果トランジスタ１１はゲートに付与されていた作動信号が第２スイッチング素子１３より第４ダイオード２０、第６回路１８を通って第３回路５側へ流れ、作動信号が解除されて開作動する。第３回路５より第２ソレノイド３に流れる電流は、第２ダイオード１０、バリスタ１４、第２回路６、ダイオード１６、第４回路１５、第２スイッチング素子１３、第４ダイオード２０、第６回路１８を通って第３回路５に循環し、バリスタ１４でサージ電流を吸収して第２ソレノイド３を非通電にするオフ作動の遅れを短縮する。そして、逆起電圧がなくなると第２スイッチング素子１３は前述と同様に開作動する。

かかる作動において、第１の接点７の開操作で、直流電源１から第１ソレノイド２へ流れる電流を遮断すると、第２スイッチング素子１３が閉作動し、電界効果トランジスタ１１に付与する作動信号が、第２スイッチング素子１３より第５回路１７、第３ダイオード１９を介して第１回路４側へ流れて、電界効果トランジスタ１１へ付与していた作動信号を解除し、電界効果トランジスタ１１が開作動し、直流電源１から第１ソレノイド２へ流れる電流の遮断により誘起されるサージ電流をダイオ−ド１６で循環してバリスタ１４で吸収し、第１ソレノイド２のオフ作動の遅れを短縮するようにしている。また、第２の接点９の開操作で、直流電源１から第２ソレノイド３へ流れる電流を遮断すると、第２スイッチング素子１３が閉作動し、電界効果トランジスタ１１に付与する作動信号が、第２スイッチング素子１３より第６回路１８、第４ダイオード２０を介して第３回路５側へ流れて、電界効果トランジスタ１１が開作動し、サージ電流をダイオ−ド１６で循環してバリスタ１４で吸収し、第２ソレノイド３のオフ作動の遅れを短縮するようにしている。このため、第１ソレノイド２および第２ソレノイド３を共通の電界効果トランジスタ１１、バリスタ１４、ダイオード１６、第２スイッチング素子１３で制御できるから、電磁弁の弁体を駆動する２個のソレノイド２、３を、共通のスイッチング回路で制御でき、部品点数を低減して構成を簡素化できて、各ソレノイド２、３への電流遮断時に各ソレノイド２、３のオフ作動の遅れを短縮することができる。

また、各ソレノイド２、３への電流を遮断したときにバリスタ１４から流れるサージ電流により閉作動する第２スイッチング素子１３をダイオード１６と直列に第４回路１５に配設しているため、サージ電流を循環するダイオード１６を配設する第４回路１５を利用して第２スイッチング素子１３を配設できるから、第２スイッチング素子１３を配設するための格別な回路を不要にできて構成の一層の簡素化を図ることができる。

また、スイッチング素子を電界効果トランジスタ１１とし、第２スイッチング素子をＮＰＮ型のトランジスタ１３とし、電界効果トランジスタ１１のゲートをトランジスタ１３のコレクタに電気接続したため、電解効果トランジスタ１１へ付与する作動信号を解除する第２スイッチング素子１３は、小容量で安価なトランジスタでよく、廉価に製作することができる。

また、作動回路１２は電界効果トランジスタ１１のゲートを第１回路４へ第７回路２１で電気接続すると共に、第３回路５へ第８回路２２で電気接続し、第７回路２１には第３回路５側から第１回路４側へ電流が流れることを阻止する第５ダイオード２３と第１ソレノイド２への通電により発光する第１発光ダイオード２４とを直列に配設し、第８回路２２には第１回路４側から第３回路５側へ電流が流れることを阻止する第６ダイオード２５と第２ソレノイド３への通電により発光する第２発光ダイオード２６とを直列に配設した。このため、作動回路１２に各ソレノイド２、３への通電を発光で表示する発光ダイオード２４、２６を配設できるから、発光ダイオード２４、２６を配設するための格別な回路を不要にできて構成のより一層の簡素化を図ることができる。

なお、一実施形態では、第１ソレノイド２もしくは第２ソレノイド３への電流の遮断により誘起されるサージ電流を吸収するサージ吸収手段としてバリスタ１４を適用したが、抵抗であっても良い。また、発光素子を発光ダイオード２４、２６としたが、ランプであっても良いことは勿論である。

１：直流電源
２：第１ソレノイド
３：第２ソレノイド
４：第１回路
５：第３回路
６：第２回路
８：第１ダイオード
１０：第２ダイオード
１１：電界効果トランジスタ（スイッチング素子）
１２：作動回路
１３：トランジスタ（第２スイッチング素子）
１４：バリスタ（サージ吸収手段）
１５：第４回路
１６：ダイオード（整流素子）
１７：第５回路
１８：第６回路
１９：第３ダイオード
２０：第４ダイオード

Claims

直流電源に対し電磁弁の弁体を駆動する第１ソレノイドと第２ソレノイドとを並列に電気接続し、直流電源と第１ソレノイドとは第１回路と第２回路とで電気接続すると共に、直流電源と第２ソレノイドとは直流電源と第１ソレノイドとを電気接続する第１回路と格別の第３回路と直流電源と第１ソレノイドとを電気接続する共通の第２回路で電気接続し、第１回路には第２回路側から第１ソレノイド側へ電流が流れることを阻止するよう第１ソレノイドと直列に第１ダイオードを配設し、第３回路には第２回路側から第２ソレノイド側へ電流が流れることを阻止するよう第２ソレノイドと直列に第２ダイオードを配設し、第２回路には作動信号の付与で閉作動して第１ソレノイドもしくは第２ソレノイドと直流電源との間を電気接続すると共に、作動信号の解除で開作動して第１ソレノイドもしくは第２ソレノイドと直流電源との間の電気接続を遮断するスイッチング素子を配設し、直流電源から第１ソレノイドもしくは第２ソレノイドへ流れる電流の遮断により誘起されるサージ電流を吸収するサージ吸収手段をスイッチング素子と並列に電気接続してスイッチング回路を構成し、サージ電流をスイッチング回路のサージ吸収手段で吸収するようサージ電流を循環する整流素子を第２回路に分岐接続する第４回路に配設し、第４回路を第１回路へ第５回路で電気接続すると共に、第４回路を第３回路へ第６回路で電気接続し、第５回路には第１回路側から第４回路側へ電流が流れることを阻止するよう第３ダイオードを配設し、第６回路には第３回路側から第４回路側へ電流が流れることを阻止するよう第４ダイオードを配設し、各ソレノイドへの通電に応じてスイッチング素子を閉作動するよう作動信号をスイッチング素子に付与する作動回路を直流電源とスイッチング素子との間を電気接続して設け、直流電源から各ソレノイドへ流れる電流を遮断したときにサージ吸収手段から流れるサージ電流により閉作動する第２スイッチング素子を整流素子と直列に第４回路に配設し、第２スイッチング素子は閉作動によりスイッチング素子へ付与する作動信号を解除するようスイッチング素子に電気接続したことを特徴とするソレノイド駆動回路。
前記スイッチング素子を電界効果トランジスタとし、前記第２スイッチング素子をＮＰＮ型のトランジスタとし、電界効果トランジスタのゲートをトランジスタのコレクタに電気接続したことを特徴とする請求項１に記載のソレノイド駆動回路。
前記作動回路は前記電界効果トランジスタのゲートを前記第１回路へ第７回路で電気接続すると共に、前記第３回路へ第８回路で電気接続し、第７回路には前記第３回路側から前記第１回路側へ電流が流れることを阻止する第５ダイオードと前記第１ソレノイドへの通電により発光する第１発光素子とを直列に配設し、第８回路には前記第１回路側から前記第３回路側へ電流が流れることを阻止する第６ダイオードと前記第２ソレノイドへの通電により発光する第２発光素子とを直列に配設したことを特徴とする請求項２に記載のソレノイド駆動回路。