JP2010011598A - 誘導性負荷駆動回路 - Google Patents

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【課題】通常時における電力消費を低減させるとともに、バッテリ逆接時の大電流の発生を好適に防止できる誘導性負荷駆動回路を提供すること。
【解決手段】誘導性負荷駆動回路10は、バッテリと誘導性負荷との間に設けられるスイッチ回路12と、スイッチ回路12の切替え動作を制御する制御回路11と、スイッチ回路12と直列接続され、誘導性負荷が並列接続される保護回路13とを備える。スイッチ回路12は、バッテリが正常に接続されている場合には誘導性負荷への通電及び非通電を切替えるとともに、バッテリが逆接された場合にはバッテリの正常接続時とは逆方向の通電を可能とする。保護回路13は、バッテリの正常接続時においては、スイッチ回路12による通電から非通電への切替えに伴って発生する誘導性負荷の逆起電圧によって導通し、バッテリの逆接時においては導通しない。
【選択図】図1

Description

本発明は、誘導性負荷駆動回路に関し、詳しくは、バッテリの逆接続に対する保護機能を有する誘導性負荷駆動回路に関する。
従来、誘導性負荷を駆動する場合、サージ電圧保護回路としてダイオードを用いた還流回路が用いられている。また、誘導性負荷の電流値が大きい場合の駆動装置としては、MOSFETが一般的に使用されている。しかしながら、車両用の誘導負荷の場合、その電源であるバッテリが逆接続されることが考えられる。バッテリが逆接続された場合には、還流ダイオードとMOSFETのボディダイオード(寄生ダイオード)とを通じて大電流が流れ、還流ダイオード、MOSFETおよび配線が損傷する虞がある。
そこで、そのようなバッテリ逆接続時の不具合を解消するために、従来、バッテリ供給ラインにMOSFETを挿入する例が、例えば、特許文献1に開示されている。また、従来、バッテリ供給ラインに、ダイオードあるいはメカニカルリレーを挿入する技術が知られている。
特開平2−179223号公報
しかしながら、上記バッテリ供給ラインにMOSFET等を挿入してバッテリ逆接続時の大電流を防止する方法においては、通常時においても、挿入されたMOSFETに所定の電流が流れるため、それによって余計に電力が消費されるという不都合があった。また、メカニカルリレーを用いる場合には、部品サイズが大きくなるという不具合があった。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、通常時における電力消費を低減させるとともに、バッテリ逆接時の大電流の発生を好適に防止できる誘導性負荷駆動回路を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するための手段として、第1の発明に係る誘導性負荷駆動回路は、バッテリと誘導性負荷との間に設けられるスイッチ回路であって、前記バッテリが正常に接続されている場合には前記誘導性負荷への通電及び非通電を切替えるとともに、前記バッテリが逆接された場合には前記バッテリの正常接続時とは逆方向の通電を可能とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路の切替え動作を制御する制御回路と、前記スイッチ回路と直列接続され、前記誘導性負荷が並列接続される保護回路であって、前記バッテリの正常接続時においては、前記スイッチ回路による通電から非通電への切替えに伴って発生する前記誘導性負荷の逆起電圧によって導通し、前記バッテリの逆接時においては導通しない保護回路とを備える。
本構成によれば、バッテリの正常接続時において、誘導性負荷によるサージ電流を還流させることができ、また、誘導性負荷への通電が行われている場合に保護回路をほぼ非導通状態として、電力消費を低減させることができる。また、バッテリの逆接時において、保護回路は導通せず、電流は並列接続される誘導性負荷およびスイッチ回路を介して所定の逆接電流が流れることとなる。そのため、バッテリ逆接時に、ショート等による大電流の発生を好適に防止できる。
第2の発明は、第1の発明の誘導性負荷駆動回路において、前記保護回路は、ツェナーダイオードと前記ツェナーダイオードに直列接続されたダイオードとを含み、前記ツェナーダイオードのアノードは前記スイッチ回路に接続され、前記ツェナーダイオードのカソードは前記ダイオードのカソードに接続され、前記ダイオードのアノードは、バッテリの正常接続時、前記バッテリの低電圧側に接続され、前記ツェナーダイオードの降伏電圧は、前記バッテリの電圧よりも大きく、前記誘導性負荷の逆起電圧よりも小さい。
本構成によれば、ツェナーダイオードの降伏電圧がバッテリの電圧よりも大きいため、バッテリの逆接時においてツェナーダイオードを介して逆接電流は流れない。また、バッテリの正常接続時、ダイオードによって通電電流は阻止される。さらに、ツェナーダイオードの降伏電圧が誘導性負荷の逆起電圧よりも小さいため、誘導性負荷の逆起電圧によって、ツェナーダイオードが導通するため、サージ電流が流れる。すなわち、バッテリの正常接続時においては、スイッチ回路による通電から非通電への切替えに伴って発生する誘導性負荷の逆起電圧によってのみ導通し、バッテリの逆接時においては導通しない保護回路を簡易な構成によって実現できる。
第3の発明は、第1の発明の誘導性負荷駆動回路において、前記保護回路は、トランジスタと、第1抵抗と、第2抵抗とを含み、前記トランジスタのエミッタは前記スイッチ回路に接続され、前記トランジスタのコレクタは、バッテリの正常接続時、前記バッテリの低電圧側に接続され、前記第1抵抗は前記トランジスタのベース−エミッタ間に接続され、前記第2抵抗は前記トランジスタのベース−コレクタ間に接続され、バッテリの正常接続時、前記誘導性負荷の逆起電圧によって前記トランジスタがオンし、かつ、バッテリの逆接時、前記バッテリの電圧によって前記トランジスタがオンしないように、第1抵抗および第2抵抗によって、前記トランジスタのオン閾値設定がなされている。
本構成によれば、バッテリの正常接続時、トランジスタはオンしないため通電電流は阻止される。また、誘導性負荷の逆起電圧によってトランジスタがオンするため、サージ電流が還流される。バッテリの逆接時においては、バッテリの電圧によってトランジスタがオンしないため、トランジスタを介して逆接電流は流れない。すなわち、本構成によっても、バッテリの正常接続時においては、スイッチ回路による通電から非通電への切替えに伴って発生する誘導性負荷の逆起電圧によってのみ導通し、バッテリの逆接時においては導通しない保護回路を簡易な構成によって実現できる。
第4の発明は、第1〜3の発明のいずれか一つの誘導性負荷駆動回路において、前記スイッチ回路は電界効果トランジスタを含み、前記制御回路は前記電界効果トランジスタをPMW信号によってオン・オフ制御する。
本構成によれば、通常、電界効果トランジスタは寄生ダイオードを含むため、バッテリが逆接された場合には、その寄生ダイオ−ドを介してバッテリの正常接続時とは逆方向の通電を可能とする。また、PMW信号のパルス幅制御によって誘導性負荷を適宜、通電制御することができる。
本発明の誘導性負荷駆動回路によれば、通常時における電力消費を低減させるとともに、バッテリ逆接時の大電流の発生を好適に防止できる。
<実施形態1>
本発明の実施形態1について図1〜図4を参照しつつ説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る誘導性負荷駆動回路10のバッテリ正常接続時の概略的なブロック図であり、図2は、バッテリ正常接続時に係るタイムチャートである。また、図3は、バッテリ逆接続時の誘導性負荷駆動回路10に係る概略的なブロック図であり、図4は、バッテリ逆接続時に係るタイムチャートである。
誘導性負荷駆動回路10は、制御回路11、スイッチ回路12、および保護回路13を含む。誘導性負荷駆動回路10は、ここでは自動車に搭載され、バッテリBaと、誘電性負荷M、例えば、ワイパー駆動用モータとの間に接続され、誘電性負荷Mを駆動制御する。
制御回路11は、例えばCPUを含み、スイッチ回路12の切替え(オン・オフ)動作を、PMW(パルス幅変調)信号によって制御する。その際、制御回路10は、誘電性負荷Mに応じてPMW信号のデューティ比(パルス幅)を適宜変化する。
スイッチ回路12はバッテリBaと誘導性負荷Mとの間に設けられ、例えば、図1に示されるように、寄生ダイオード12Aを含むNチャネルMOSFETによって構成される。スイッチ回路12は、バッテリBaが正常に接続されている場合には誘導性負荷Mへの通電及び非通電を、ゲートGに供給されるPMW信号に応じて切替えるとともに、バッテリBaが逆接された場合にはバッテリBaの正常接続時とは逆方向の通電を、寄生ダイオード12Aを介して可能とする。
保護回路13は、図1に示されるように、スイッチ回路12と直列接続され、ツェナーダイオードZD1とツェナーダイオードZD1に直列接続された還流ダイオード(本発明のダイオードに相当する)D1とを含む。保護回路13には、誘導性負荷(例えば、ワイパー駆動用モータ)Mが並列接続される。
ツェナーダイオードZD1のアノードはスイッチ回路12に接続され、詳しくは、NチャネルMOSFETのソースSに接続され、ツェナーダイオードZD1のカソードは還流ダイオードD1のカソードに接続される。また還流ダイオードD1のアノードは、バッテリBaの正常接続時、バッテリの低電圧側、すなわちグランドに接続されている。
ここで、ツェナーダイオードZD1の降伏電圧Vzは、バッテリ電圧Vbよりも大きく、スイッチ回路12による通電から非通電への切替えに伴って発生する誘導性負荷Mの逆起電圧(サージ電圧)よりも小さい。より詳しくは、ツェナーダイオードZD1の降伏電圧Vzは、バッテリ電圧Vbから還流ダイオードD1の順方向電圧降下VFを減算した値よりも大きく、誘導性負荷Mの逆起電圧から還流ダイオードD1の順方向電圧降下VFを減算した値よりも小さい。バッテリ電圧Vbが12Vの場合、降伏電圧Vzの値は、例えば、13Vである。
そのため、保護回路13は、バッテリBaの正常接続時においては、誘導性負荷Mの逆起電圧によってのみ導通する。すなわち、バッテリBaの正常接続時においては、図2のタイムチャートに示されるように、図2の時刻t1おいてFET12がオンされると、スイッチ回路12と保護回路13との接続点の電圧V1は、ほぼバッテリ電圧Vbまで上昇し、負荷電流Iaも供給される。そして、図2の時刻t2おいてFET12がオフされると負荷電流Iaの減少に伴って誘導性負荷Mに逆起電圧が発生する。逆起電圧は還流ダイオードD1の順方向電圧降下VFとツェナーダイオードZD1の降伏電圧Vzとによってクランプされ、クランプされた電圧によって保護回路電流(サージ電流)Ibが瞬間的に保護回路13を流れ、逆起電圧が吸収される。
一方、保護回路13は、バッテリBaの逆接続時においては、導通しない。すなわち、図4のタイムチャートに示されるように、図4の時刻t3おいてバッテリBaが逆接続されると、還流ダイオードD1のアノード電圧V2はバッテリ電圧Vbまで上昇する。また、バッテリ正常接続時と逆方向の負荷電流Ia(図3参照)が誘導性負荷Mおよび寄生ダイオード12Aを介して流れる。しかしながら、ツェナーダイオードZD1の降伏電圧Vzがバッテリ電圧Vbよりも大きいため、ツェナーダイオードZD1は導通(降伏)せず、保護回路電流Ibは流れない。すなわち、バッテリBaが逆接続された場合であっても、誘導性負荷Mの抵抗値に依存する所定の負荷電流Iaが流れ、ショート電流のような大電流が発生することはない。そのため、バッテリ逆接続時における、スイッチ回路(FET素子)12および配線等の損傷が防止される。
<実施形態1の効果>
上記したように、実施形態1において、保護回路13は、バッテリ正常接続時においては、誘導性負荷Mの逆起電圧によってのみ導通し、バッテリ逆接時においては導通しない。すなわち、バッテリBaによって誘導性負荷Mを駆動する際に、通常時(バッテリ正常接続時)において、電力消費を低減させるとともに、サージ電流を還流させて誘導性負荷Mの逆起電圧(サージ電圧)を好適に吸収することができる。さらに、バッテリ逆接時の大電流の発生を好適に防止できる。
また、保護回路13は、単に、直列接続されたツェナーダイオードZD1および還流ダイオードD1のみによって構成されるため、簡易な構成によって上記効果を得ることができる。
<実施形態2>
次に、本発明の実施形態2について図5〜図8を参照しつつ説明する。図5は、本発明の実施形態2に係る誘導性負荷駆動回路10のバッテリ正常接続時の概略的なブロック図であり、図6は、バッテリ正常接続時に係るタイムチャートである。また、図7は、実施形態2におけるバッテリ逆接続時の誘導性負荷駆動回路10に係る概略的なブロック図であり、図8は、バッテリ逆接続時に係るタイムチャートである。なお、実施形態1と同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。また、実施形態1と実施形態2との誘導性負荷駆動回路10の構成においては、保護回路の構成のみが異なるため、保護回路の相違点についてのみ説明する。
実施形態2の誘導性負荷駆動回路10の保護回路13Aは、図5に示されるように、トランジスタ(バイポーラNPNトランジスタ)Tr、第1抵抗R1、および第2抵抗R2を含む。トランジスタTrのエミッタはスイッチ回路12に接続され、詳しくは、NチャネルMOSFETのソースSに接続され、トランジスタTrのコレクタは、バッテリBaの正常接続時、バッテリBaの低電圧側、すなわちグランドに接続されている。また、第1抵抗R1はトランジスタTrのベース−エミッタ間に接続され、第2抵抗R2はトランジスタTrのベース−コレクタ間に接続されている。
ここで、バッテリの正常接続時、誘導性負荷Mの逆起電圧によってトランジスタTrがオンし、かつ、バッテリの逆接時、バッテリ電圧VbによってトランジスタTrがオンしないように、第1抵抗R1および第2抵抗R2によって、トランジスタTrのオン閾値設定がなされている。言い換えれば、第1抵抗R1および第2抵抗R2は、バッテリの正常接続時、誘導性負荷Mの逆起電圧によってトランジスタTrがオンし、かつ、バッテリBaの逆接時、バッテリ電圧VbによってトランジスタTrがオンしないベース電圧を生成するような抵抗値をそれぞれ有する。バッテリ電圧Vbが12Vの場合、第1抵抗R1の値は、例えば1kΩであり、第2抵抗R2の値は、例えば30kΩである。
そのため、保護回路13Aは、バッテリBaの正常接続時においては、誘導性負荷Mの逆起電圧によってのみ導通する。すなわち、バッテリBaの正常接続時においては、図6のタイムチャートに示されるように、図6の時刻t2おいてFET12がオフされると、発生する逆起電圧はトランジスタTrのオン電圧によってクランプされ、クランプされた電圧によって保護回路電流(サージ電流)Icが瞬間的に保護回路13Aを流れ、逆起電圧が吸収される。
一方、保護回路13Aは、バッテリBaの逆接続時においては、導通しない。すなわち、図8のタイムチャートに示されるように、図8の時刻t3おいてバッテリBaが逆接続されると、トランジスタTrのコレクタ電圧V3はバッテリ電圧Vbまで上昇する。また、バッテリ正常接続時と逆方向の負荷電流Ia(図7参照)が誘導性負荷Mおよび寄生ダイオード12Aを介して流れる。
しかしながら、バッテリ逆接続時に、バッテリ電圧VbによってトランジスタTrがオンしないように、第1抵抗および第2抵抗によるトランジスタTrのオン閾値設定がなされているため、トランジスタTrはオンせず、保護回路電流(コレクタ電流)Icは流れない。すなわち、実施形態1と同様に、バッテリBaが逆接続された場合であっても、誘導性負荷Mの抵抗値に依存する所定の負荷電流Iaが流れ、ショート電流のような大電流が発生することはない。そのため、バッテリ逆接続時における、スイッチ回路(FET素子)12および配線等の損傷が防止される。
<実施形態2の効果>
上記したように、実施形態2においても、保護回路13Aは、バッテリ正常接続時においては、誘導性負荷Mの逆起電圧によって導通し、バッテリ逆接時においては導通しない。すなわち、バッテリBaによって誘導性負荷Mを駆動する際に、通常時において、電力消費を低減させるとともに、誘導性負荷Mの逆起電圧を好適に吸収することができ、さらに、バッテリ逆接時の大電流の発生を好適に防止できる。
また、保護回路13Aは単に、トランジスタTr、第1抵抗R1、および第2抵抗R2のみによって構成されるため、簡易な構成によって上記効果を得ることができる。
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)保護回路の構成は、実施形態1の保護回路13および実施形態2の保護回路13Aの構成に限られない。保護回路は、要は、スイッチ回路と直列接続され、誘導性負荷が並列接続される保護回路であって、バッテリの正常接続時においては、スイッチ回路による通電から非通電への切替えに伴って発生する誘導性負荷の逆起電圧によって導通し、バッテリの逆接時においては導通しない構成であればよい。
(2)上記各実施形態では、誘導性負荷駆動回路10は、自動車に搭載され、誘電性負荷Mとしてワイパー駆動用モータを駆動する例を示したが、本発明による誘導性負荷駆動回路は、バッテリBaと誘電性負荷Mとの間に配置されるあらゆる場合に適応できる。
本発明の実施形態1に係る誘導性負荷駆動回路のバッテリ正常接続時の概略的なブロック図 実施形態1におけるバッテリ正常接続時に係るタイムチャート 実施形態1に係る誘導性負荷駆動回路のバッテリ逆接続時の概略的なブロック図 実施形態1におけるバッテリ逆接続時に係るタイムチャート 本発明の実施形態2に係る誘導性負荷駆動回路のバッテリ正常接続時の概略的なブロック図 実施形態2におけるバッテリ正常接続時に係るタイムチャート 実施形態2に係る誘導性負荷駆動回路のバッテリ逆接続時の概略的なブロック図 実施形態2におけるバッテリ逆接続時に係るタイムチャート
符号の説明
10…誘導性負荷駆動回路
11…制御回路
12…NチャネルMOSFET(電界効果トランジスタ)
12A…寄生ダイオード
13、13A…保護回路
D1…還流ダイオード
R1…第1抵抗
R2…第2抵抗
Tr…トランジスタ
ZD1…ツェナーダイオード
Ba…バッテリ
M…誘導性負荷

Claims (4)

  1. バッテリと誘導性負荷との間に設けられるスイッチ回路であって、前記バッテリが正常に接続されている場合には前記誘導性負荷への通電及び非通電を切替えるとともに、前記バッテリが逆接された場合には前記バッテリの正常接続時とは逆方向の通電を可能とするスイッチ回路と、
    前記スイッチ回路の切替え動作を制御する制御回路と、
    前記スイッチ回路と直列接続され、前記誘導性負荷が並列接続される保護回路であって、前記バッテリの正常接続時においては、前記スイッチ回路による通電から非通電への切替えに伴って発生する前記誘導性負荷の逆起電圧によって導通し、前記バッテリの逆接時においては導通しない保護回路と、
    を備えた誘導性負荷駆動回路。
  2. 前記保護回路は、ツェナーダイオードと前記ツェナーダイオードに直列接続されたダイオードとを含み、
    前記ツェナーダイオードのアノードは前記スイッチ回路に接続され、前記ツェナーダイオードのカソードは前記ダイオードのカソードに接続され、
    前記ダイオードのアノードは、バッテリの正常接続時、前記バッテリの低電圧側に接続され、
    前記ツェナーダイオードの降伏電圧は、前記バッテリの電圧よりも大きく、前記誘導性負荷の逆起電圧よりも小さい、請求項1に記載の誘導性負荷駆動回路。
  3. 前記保護回路は、トランジスタと、第1抵抗と、第2抵抗とを含み、
    前記トランジスタのエミッタは前記スイッチ回路に接続され、前記トランジスタのコレクタは、バッテリの正常接続時、前記バッテリの低電圧側に接続され、
    前記第1抵抗は前記トランジスタのベース−エミッタ間に接続され、
    前記第2抵抗は前記トランジスタのベース−コレクタ間に接続され、
    バッテリの正常接続時、前記誘導性負荷の逆起電圧によって前記トランジスタがオンし、かつ、バッテリの逆接時、前記バッテリの電圧によって前記トランジスタがオンしないように、第1抵抗および第2抵抗によって、前記トランジスタのオン閾値設定がなされている、請求項1に記載の誘導性負荷駆動回路。
  4. 前記スイッチ回路は、電界効果トランジスタを含み、
    前記制御回路は前記電界効果トランジスタをPMW信号によってオン・オフ制御する、請求項1〜請求項3のうちのいずれか一項に記載の誘導性負荷駆動回路。
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