JP2012119481A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012119481A5
JP2012119481A5 JP2010267660A JP2010267660A JP2012119481A5 JP 2012119481 A5 JP2012119481 A5 JP 2012119481A5 JP 2010267660 A JP2010267660 A JP 2010267660A JP 2010267660 A JP2010267660 A JP 2010267660A JP 2012119481 A5 JP2012119481 A5 JP 2012119481A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
degrees
main surface
semiconductor light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010267660A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2012119481A (ja
JP5671982B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010267660A priority Critical patent/JP5671982B2/ja
Priority claimed from JP2010267660A external-priority patent/JP5671982B2/ja
Publication of JP2012119481A publication Critical patent/JP2012119481A/ja
Publication of JP2012119481A5 publication Critical patent/JP2012119481A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5671982B2 publication Critical patent/JP5671982B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010267660A 2010-11-30 2010-11-30 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 Expired - Fee Related JP5671982B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010267660A JP5671982B2 (ja) 2010-11-30 2010-11-30 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010267660A JP5671982B2 (ja) 2010-11-30 2010-11-30 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012119481A JP2012119481A (ja) 2012-06-21
JP2012119481A5 true JP2012119481A5 (enExample) 2014-01-23
JP5671982B2 JP5671982B2 (ja) 2015-02-18

Family

ID=46502003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010267660A Expired - Fee Related JP5671982B2 (ja) 2010-11-30 2010-11-30 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5671982B2 (enExample)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5995563B2 (ja) * 2012-07-11 2016-09-21 株式会社ディスコ 光デバイスの加工方法
JP7068771B2 (ja) * 2013-07-08 2022-05-17 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 波長変換式半導体発光デバイス
KR101991278B1 (ko) * 2013-07-15 2019-09-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN105393372B (zh) * 2013-07-26 2018-06-15 亮锐控股有限公司 具有内部高折射率柱的led圆顶
JP6398611B2 (ja) 2013-11-07 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2015185744A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 旭化成株式会社 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
JP6323176B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6444754B2 (ja) * 2015-02-05 2018-12-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102335452B1 (ko) * 2015-06-16 2021-12-07 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
JP6402809B2 (ja) * 2017-07-05 2018-10-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102136579B1 (ko) * 2018-07-27 2020-07-22 서울대학교산학협력단 표시 장치
JP7054005B2 (ja) * 2018-09-28 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7284043B2 (ja) * 2019-08-30 2023-05-30 日機装株式会社 半導体発光素子
CN114730818B (zh) * 2019-11-26 2025-07-15 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元件
KR102506449B1 (ko) * 2020-04-23 2023-03-07 삼성전자주식회사 표시 장치
JPWO2024047995A1 (enExample) * 2022-09-01 2024-03-07
JP7450081B1 (ja) 2023-02-28 2024-03-14 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3001A (en) * 1843-03-10 Method of coupling straps as a substitute for a buckle
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3705791B2 (ja) * 2002-03-14 2005-10-12 株式会社東芝 半導体発光素子および半導体発光装置
JP2004103672A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Toshiba Corp 半導体発光素子および半導体発光装置
JP2007012740A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の加工方法
JP2007019262A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Toshiba Discrete Technology Kk 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2007173551A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法
JP5168890B2 (ja) * 2006-11-24 2013-03-27 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP4276684B2 (ja) * 2007-03-27 2009-06-10 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009135192A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Kyocera Corp 発光素子
JP5211996B2 (ja) * 2008-09-30 2013-06-12 豊田合成株式会社 発光装置
JP2010186808A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Showa Denko Kk 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
JP2010238824A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Kyocera Corp 発光ダイオード

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012119481A5 (enExample)
CN103650176B (zh) 发光元件及其制造方法
JP2014068042A5 (enExample)
CN103996772B (zh) 发光二极管芯片及其制作方法
US9054259B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2005039264A5 (enExample)
WO2020095840A1 (ja) 半導体発光素子
JP2010050255A5 (enExample)
CN104124321B (zh) 半导体发光元件及其制造方法
USRE47398E1 (en) Light-emitting device having patterned substrate and method of manufacturing thereof
CN103066177A (zh) 发光二极管晶粒
Kim et al. Enhancement of light extraction efficiency of ultraviolet light emitting diodes by patterning of SiO2 nanosphere arrays
TWI456794B (zh) 發光二極體
CN103187495B (zh) 发光二极管芯片及其制造方法
JP2012080104A5 (enExample)
US10312409B2 (en) Patterned sapphire substrate, light emitting diode and fabrication method thereof
CN104409646A (zh) 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN102544279A (zh) 发光二极管及其形成方法
JP2008181910A (ja) ＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法
CN103078022B (zh) 一种led芯片及其制作方法
TWI464910B (zh) 半導體發光結構
CN103107257B (zh) Led磊晶结构及制程
JP2009238843A5 (enExample)
KR20130128745A (ko) 기판 내에 보이드를 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법
CN203085629U (zh) 一种led以及侧壁图形化的led芯片