JP2012117109A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Sに薄膜を形成する第1の成膜処理装置13及び第2の成膜処理装置15と、反応室141内に供給される水素ガスを触媒体に接触させてラジカルを発生させ、当該ラジカルを基板Sに供給して当該基板Sの表面処理を行う表面処理装置14とを備え、表面処理装置14は、第1の成膜処理装置13の後であり、かつ第2の成膜処理装置15の前で基板Sの表面処理をするように設置されている。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態のインライン式の成膜装置の構成を示す模式図である。
本発明の成膜装置はクラスタ式にも適用しても実施形態1に係る成膜装置と同様の作用効果を奏する。
本発明の成膜装置はインターバック式にも適用しても実施形態1に係る成膜装置と同様の作用効果を奏する。
実施形態1〜実施形態3では、基板上に成膜された薄膜に対して表面処理を行ったが、これに限らず、最初に表面処理装置、次いで成膜処理装置で基板の処理を行うような構成としてもよい。すなわち、表面処理装置で基板に表面処理を施して凹凸を形成し、当該基板上に、薄膜を形成してもよい。この場合においても、基板との密着性が向上した薄膜を当該基板上に成膜することができる。
13、51 第1の成膜処理装置
14、52 表面処理装置
15、53 第2の成膜処理装置
30 反応性ガス供給部
40 触媒体
50 ロードロック室
54 搬送室
62 真空チャンバ
66 水素ガス導入手段
70 触媒体
141 反応室
142 封止扉
143 表面処理空間
146 反射防止構造
Claims (8)
- 基板に薄膜を形成する成膜処理装置と、
反応室内に供給される反応ガスを触媒体に接触させてラジカルを発生させ、当該ラジカルを基板に供給して当該基板の表面処理を行う表面処理装置とを備え、
前記表面処理装置は、前記成膜処理装置の前又は後で基板の表面処理をするように設置されたことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載する成膜装置において、
前記表面処理装置は、
前記反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、
前記反応室内に設置された基板に対向配置されて通電により加熱される触媒体とを備え、
加熱された前記触媒体に前記反応ガスを接触させることによりラジカルを発生させ、当該ラジカルを、前記基板に供給することにより当該基板の表面処理を行う
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1又は請求項2に記載する成膜装置において、
前記ガス導入手段は、前記反応ガスから生じたラジカルを前記反応室内に配置された基板の表面に均一に供給するように構成されている
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜請求項3の何れか一項に記載する成膜装置において、
前記表面処理装置は、一方面に設けられた開口部を封止する扉が着脱可能に設けられ、
前記扉に触媒体が設けられている
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項4に記載する成膜装置において、
前記触媒体は、直線状に形成され、両端が前記扉の上部と下部にそれぞれ固定されている
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項4又は請求項5に記載する成膜装置において、
前記扉の反応室内部側には、前記触媒体から放出される輻射の反射を防止する反射防止構造が設けられている
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜請求項6の何れか一項に記載する成膜装置において、
前記表面処理装置と前記成膜処理装置とを接続し、基板に表面処理及び成膜処理を連続的に行う
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜請求項6の何れか一項に記載する成膜装置において、
前記表面処理装置と前記成膜処理装置とを搬送手段を介して接続し、基板に表面処理及び成膜処理を行う
ことを特徴とする成膜装置。
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