JP2008283147A - Cvd装置、半導体装置、及び光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ本体21は、底部本体21A、第一筒体21B、第二筒体21C、及び蓋体21Dを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体21は、その空間Sに、基板Bを載置するステージ22と、基板Bに対向する複数の触媒体Wと、各触媒体Wに接続される複数の接続端子32とを有し、また、その蓋体21Dに、各接続端子32に対応する複数の押圧端子Tを有する。そして、蓋体21Dは、第二筒体21Cに積重ねられる状態で、対応する接続端子32を押圧する。
【選択図】図2
Description
体内の空間に配置されて前記各触媒体に接続される複数の接続端子と、前記蓋体に取付けられて前記蓋体の積重によって前記各接続端子をそれぞれ押圧し、前記蓋体の離脱によって前記各接続端子から離間する複数の押圧端子と、前記各押圧端子に接続されて前記各押圧端子にそれぞれ所定の電源を供給する複数の電源配線と、を備えたことを要旨とする。
ひいては、CVD装置のメンテナンス性を、さらに向上させることができる。
請求項6に記載のCVD装置は、請求項1〜5のいずれか1つに記載のCVD装置であ
って、前記触媒体の純度が99.999%であることを要旨とする。
上記目的を達成するために、請求項7に記載の半導体装置は、シリコンを含む層を備えた半導体装置であって、前記シリコンを含む層が請求項1〜6のいずれか1つに記載のCVD装置を用いて形成されることを要旨とする。
(CVD装置10)
図1において、CVD装置10は、クラスタ形式のシステムであって、ロードロックチャンバ11(以下単に、LLチャンバ11という。)と、LLチャンバ11に連結される搬送チャンバ12と、搬送チャンバ12に連結される複数の触媒CVDチャンバ13を有する。
終了するとき、搬送ロボット14を駆動して、触媒CVDチャンバ13の基板Bを搬送チャンバ12に搬出し、搬送チャンバ12の基板BをLLチャンバ11に搬送する。
次に、触媒CVDチャンバ13について以下に説明する。図2は、触媒CVDチャンバ13の構成を模式的に示す側断面図である。
気動作を開始するとき、第一調整バルブVc1の駆動量に応じて減圧されて、所定の圧力に維持される。
シャワープレート24は、第一室S1と第二室S2との間を連通する複数の連通孔Hを有し、各連通孔Hには、それぞれ触媒体ユニット30が嵌合される。各触媒体ユニット30は、それぞれ連通孔Hに嵌合する接続端子ホルダ31と、接続端子ホルダ31に保持されて第二室S2に配置される一対の接続端子32と、一対の接続端子32の間に連結されて第二室S2から第一室S1に延出される触媒体Wとを有する。
次に、上記触媒体ユニット30について以下に詳述する。図3は、触媒CVDチャンバ13を上側から見た図であって、図2のA−A線断面図である。図4は、触媒体ユニット30を示す側断面図である。
心位置を4回回転中心とする点対称の位置に配置されている。これによって、各連通孔Hは、それぞれ基板Bの中心から見て、略等方的に触媒体ユニット30を配置させられる。
図4において、接続端子ホルダ31は、耐熱性の高いセラミック材料(例えば、石英)によって直方体状に形成されている。接続端子ホルダ31の下部外周には、その配線方向の両側に、それぞれ切欠部31aが形成されている。切欠部31aは、接続端子ホルダ31が連通孔Hに嵌合するとき、連通孔Hの内壁から離間して、接続端子ホルダ31と第一プレート24aとの間に導入口Nを形成する。接続端子ホルダ31は、マスフローコントローラMFCが原料ガスを供給するとき、図4の矢印で示すように、シャワープレート24によって分散される原料ガスを、各導入口Nから第一室S1の内部に導入する。
は、案内孔33aから十分に離間して、その周囲を解放し続ける。このため、低温の触媒体Wは、流入する原料ガスとの衝突頻度を十分に低くさせることができる。
図7において、触媒CVDチャンバ13は、蓋体21Dを上動させて、蓋体21Dを第二筒体21Cから離間させる。この際、触媒CVDチャンバ13は、電源配線と押圧端子Tとの間の結線状態や接地配線と押圧端子Tとの間の結線状態を維持させて、全ての押圧端子Tを、対応する接続端子32から同時に離間させる。
次に、CVD装置10を用いて製造する半導体装置40について以下に説明する。図8は、半導体装置40を示す要部断面図である。
次に、CVD装置10を用いて製造する光電変換装置50について以下に説明する。図9は、光電変換装置50を示す要部断面図である。
(1)上記実施形態において、チャンバ本体21は、底部本体21A、第一筒体21B、第二筒体21C、及び蓋体21Dを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体21は、その空間Sに、基板Bを載置するステージ22と、基板Bに対向する複数の触媒体Wと、各触媒体Wに接続される複数の接続端子32とを有し、また、その蓋体21Dには、各接続端子32に対応する複数の押圧端子Tを有する。そして、蓋体21Dは、第二筒体21Cに積重ねられる状態で、対応する接続端子32を押圧する。
や各触媒体Wの端部を露出させることができ、かつ、ステージ22や各触媒体Wの中央部の露出を抑えることができる。この結果、CVD装置10は、各接続端子32の交換作業に要する時間を、大幅に短縮させることができ、かつ、成膜空間と大気との接触を抑制させることができる。この結果、接続端子32の交換作業時において、第一室S1の真空度を、より短時間で回復させることができ、CVD装置10のメンテナンス性を、さらに向上させることができる。
・上記実施形態においては、CVD装置を、クラスタ形式のシステムに具体化する。これに限らず、例えば、CVD装置を、1つの触媒CVDチャンバ13に具体化してもよい。すなわち、本発明のCVD装置は、LLチャンバ11や搬送チャンバ12など、基板を搬送するための各種の装置によって限定されるものではない。
Claims (8)
- 有底筒状の筐体と、
前記筐体に取外し可能に積重ねられる蓋体と、
前記筐体内の空間に配置されて基板を載置するステージと、
前記筐体内の空間に配置されて前記基板と対向する複数の触媒体と、
前記筐体内の空間に配置されて前記各触媒体に接続される複数の接続端子と、
前記蓋体に取付けられて、前記蓋体の積重によって前記各接続端子をそれぞれ押圧し、前記蓋体の離脱によって前記各接続端子から離間する複数の押圧端子と、
前記各押圧端子に接続されて前記各押圧端子にそれぞれ所定の電源を供給する複数の電源配線と、
を備えたことを特徴とするCVD装置。 - 請求項1に記載のCVD装置であって、
前記筐体は、
有底筒状の第一筐体と、
前記第一筐体に取外し可能に積重ねられる筒状の第二筐体と、
前記第一筐体と前記第二筐体との間に配設されて、前記筐体内の空間を、前記第一筐体内の空間と前記第二筐体内の空間とに区画する板状の隔壁と、を備え、
前記第一筐体内の空間は、前記ステージと前記各触媒体とを収容し、
前記隔壁は、前記第一筐体内の空間と前記第二筐体内の空間とを連通する複数の連通孔を有して、前記各触媒体の端部をそれぞれ前記第二筐体内の空間に導出し、
前記第二筐体内の空間は、前記各接続端子と、前記各接続端子に接続される前記各触媒体の端部とを収容すること、
を特徴とするCVD装置。 - 請求項2に記載のCVD装置であって、
前記各接続端子を支持する複数の接続端子ホルダを備え、
前記各接続端子ホルダは、
それぞれ対応する前記連通孔に取外し可能に嵌合して、前記各連通孔の領域で前記第一筐体内の空間と前記第二筐体内の空間とを区画し、前記各連通孔の領域に、それぞれ前記触媒体を前記第一筐体内の空間から前記第二筐体内の空間に案内する複数の案内孔を有すること、
を特徴とするCVD装置。 - 請求項2又は3に記載のCVD装置であって、
前記隔壁は、
前記第一筐体内の空間に原料ガスを分散して放出するシャワープレートであること、
を特徴とするCVD装置。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載のCVD装置であって、前記触媒体の純度が99.99%以上であることを特徴とするCVD装置。
- 請求項1〜5のいずれか1つに記載のCVD装置であって、前記触媒体の純度が99.
999%以上であることを特徴とするCVD装置。 - シリコンを含む層を備えた半導体装置であって、
前記シリコンを含む層は請求項1〜6のいずれか1つに記載のCVD装置を用いて形成したことを特徴とする半導体装置。 - シリコンを含む層を備えた光電変換装置であって、
前記シリコンを含む層は請求項1〜6のいずれか1つに記載のCVD装置を用いて形成したことを特徴とする光電変換装置。
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