JP2012114140A - 露光方法および露光装置 - Google Patents
露光方法および露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012114140A JP2012114140A JP2010259894A JP2010259894A JP2012114140A JP 2012114140 A JP2012114140 A JP 2012114140A JP 2010259894 A JP2010259894 A JP 2010259894A JP 2010259894 A JP2010259894 A JP 2010259894A JP 2012114140 A JP2012114140 A JP 2012114140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- mask
- euv
- energy
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Abstract
【解決手段】EUV露光装置10Aのチャンバ25内に設置されたウエハステージ24の近傍にエネルギー線発生源41を配置し、ウエハ23の表面に塗布されたレジストから発生する放出ガスをエネルギー線42で分解することにより、照明光学系13を構成する照明ミラー14〜16、投影系光学系37を構成する投影ミラー31〜36、マスク21などをコンタミネーションによる汚染から保護する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態の走査型EUV露光装置を示す概略構成図である。EUV露光装置10Aは、EUV露光光束12を発生するEUV光源11、照明ミラー14、15、16からなる照明光学系13、投影ミラー31、32、33、34、35、36からなる投影光学系37、折り返しミラー17、反射型のマスク21を装着するマスクステージ22、被露光体であるウエハ23を搭載するウエハステージ24、これらを収納する空間であるチャンバ25、チャンバ25内を排気する複数のポンプ26A、26B、26C、26Dなどで構成されている。
図9は、本実施の形態の走査型EUV露光装置10Bを示す概略構成図である。本実施の形態のEUV露光装置10Bの特徴は、投影光学系37を収納する空間とウエハステージ24との間に、EUV露光光束12を通過させる開口44を備えたアパーチャー43を配置すると共に、EUV光源11とエネルギー線発生源41との間に、両者の動作を連動させるシステム45を設けたことにある。
図14は、本実施の形態の走査型EUV露光装置10Cを示す概略構成図、図15は、EUV露光装置10Cにおける被露光体(ウエハ23)の露光領域近傍を示す拡大図である。
図16は、本実施の形態の走査型EUV露光装置10Dを示す概略構成図、図17(a)、(b)は、EUV露光装置10Dにおける被露光体(ウエハ23)の露光領域近傍を示す拡大図である。
11 EUV光源
12 EUV露光光束
13 照明光学系
14、15、16 照明ミラー
17 折り返しミラー
21 マスク
22 マスクステージ
23 ウエハ
24 ウエハステージ
25 チャンバ
26A、26B、26C、26D、26E ポンプ
31、32、33、34、35、36 投影ミラー
37 投影光学系
41 エネルギー線発生源
42 エネルギー線
43 アパーチャー
44 開口
45 システム
46 シャッター
Claims (11)
- EUVを露光光源とし、表面にレジストが塗布された被露光体および所定のパターンが形成されたマスクの走査と前記被露光体の移動とを交互に繰り返す走査型露光方式によって、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する露光方法であって、前記露光光源、前記被露光体および前記マスクを含む光路空間にエネルギー線を照射することによって、前記レジストからの放出ガスを分解する工程を有することを特徴とする露光方法。
- 前記エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟X線、電子またイオンからなる荷電粒子、中性分子からなるビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記エネルギー線は、前記放出ガス成分のうち、主として分子量が100〜300の炭素化合物を分解することを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記エネルギー線を前記被露光体の近傍に照射することを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- EUVを発する露光光源と、所定のパターンが形成されたマスクを載置するマスクステージと、前記EUVで前記マスクを照明する照明光学系と、表面にレジストが塗布された被露光体を載置する被露光体ステージと、前記マスクに形成された前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系とが収納されたチャンバを備え、
前記チャンバ内には、前記レジストからの放出ガスを分解するためのエネルギー線を発生するエネルギー線発生源と、前記チャンバ内のガスを排出するための排気系とが設けられていることを特徴とする露光装置。 - 前記エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、深紫外線、極短紫外線、真空紫外線、軟X線、電子またイオンからなる荷電粒子、中性分子からなるビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記エネルギー線は、前記放出ガス成分のうち、主として分子量が100〜300の炭素化合物を分解することを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記エネルギー線発生源は、水銀ランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、エキシマレーザ、半導体レーザ、レーザ励起プラズマ光源、放電励起プラズマ光源、電子ビーム源、イオンビーム源、プロトンビームのうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記エネルギー線発生源は、前記被露光体ステージの近傍に配置されることを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記露光光源の動作と前記エネルギー線発生源の動作とを連動させるシステムをさらに備え、前記EUVを前記被露光体に照射するタイミングと、前記エネルギー線を照射するタイミングを前記システムによって制御可能としたことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 前記EUVを通過させる開口を備えた少なくとも一つのアパーチャーを前記被露光体ステージの近傍に配置し、前記チャンバ内への前記放出ガスの拡散を抑制可能としたことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010259894A JP2012114140A (ja) | 2010-11-22 | 2010-11-22 | 露光方法および露光装置 |
US13/290,204 US9291919B2 (en) | 2010-11-22 | 2011-11-07 | Light exposure method, and light exposure apparatus |
US15/051,093 US20160170309A1 (en) | 2010-11-22 | 2016-02-23 | Light exposure method, and light exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010259894A JP2012114140A (ja) | 2010-11-22 | 2010-11-22 | 露光方法および露光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015076535A Division JP2015127837A (ja) | 2015-04-03 | 2015-04-03 | 露光方法および露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012114140A true JP2012114140A (ja) | 2012-06-14 |
Family
ID=46064103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010259894A Pending JP2012114140A (ja) | 2010-11-22 | 2010-11-22 | 露光方法および露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9291919B2 (ja) |
JP (1) | JP2012114140A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10088761B1 (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography device and apparatus and method for lithography device |
KR102374206B1 (ko) | 2017-12-05 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
CN111736432A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-10-02 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种阻隔光阻放气污染的装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111585A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Canon Inc | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
JP2002134403A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-05-10 | Jsr Corp | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
JP2004172272A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Nikon Corp | Euv露光装置及びeuv露光方法 |
JP2005142488A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2005519333A (ja) * | 2002-03-07 | 2005-06-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学要素上の汚染を防止し、クリーニングするためのデバイス、euvリソグラフィーデバイスおよび方法 |
JP2005244016A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 |
JP2007163610A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Canon Inc | 多層膜ミラー、多層膜ミラーを備えた光学系 |
JP2007250686A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Canon Inc | 露光装置及びその圧力制御方法並びにデバイス製造方法 |
JP2008078642A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-04-03 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | リソグラフ要素の汚染測定方法およびシステム |
JP2010186995A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及びクリーニング方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6198792B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-06 | Euv Llc | Wafer chamber having a gas curtain for extreme-UV lithography |
DE60118669T2 (de) * | 2000-08-25 | 2007-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Projektionsapparat |
JP2004356410A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2005101537A (ja) | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP5080009B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-11-21 | 日立ビアメカニクス株式会社 | 露光方法 |
JP2006269942A (ja) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1895365B1 (en) | 2006-08-28 | 2009-05-13 | Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) | Method and system for measuring contamination of a lithographical element |
JP2008263173A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-30 | Canon Inc | 露光装置 |
-
2010
- 2010-11-22 JP JP2010259894A patent/JP2012114140A/ja active Pending
-
2011
- 2011-11-07 US US13/290,204 patent/US9291919B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-23 US US15/051,093 patent/US20160170309A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111585A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Canon Inc | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
JP2002134403A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-05-10 | Jsr Corp | 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
JP2005519333A (ja) * | 2002-03-07 | 2005-06-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学要素上の汚染を防止し、クリーニングするためのデバイス、euvリソグラフィーデバイスおよび方法 |
JP2004172272A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Nikon Corp | Euv露光装置及びeuv露光方法 |
JP2005142488A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2005244016A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 |
JP2007163610A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Canon Inc | 多層膜ミラー、多層膜ミラーを備えた光学系 |
JP2007250686A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Canon Inc | 露光装置及びその圧力制御方法並びにデバイス製造方法 |
JP2008078642A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-04-03 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | リソグラフ要素の汚染測定方法およびシステム |
JP2010186995A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及びクリーニング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120127446A1 (en) | 2012-05-24 |
US20160170309A1 (en) | 2016-06-16 |
US9291919B2 (en) | 2016-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3696163B2 (ja) | リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子 | |
KR100748447B1 (ko) | 리소그래피 투영장치 및 상기 장치에 사용하기 위한파티클 배리어 | |
JP5055310B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
JP3972207B2 (ja) | デブリ抑制手段を備えたリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US8018578B2 (en) | Pellicle, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
EP1223468B1 (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method | |
TWI465857B (zh) | Lighting optics, exposure devices and parts manufacturing methods | |
JP2004214656A (ja) | 伸張可能な薄膜を備える汚染バリヤ | |
KR20090033221A (ko) | 리소그래피 장치용 세정 장치 및 게터 | |
KR100589233B1 (ko) | 리소그래피 투영장치 및 상기 장치에 사용하기 위한리플렉터 조립체 | |
KR20130079449A (ko) | 다중층 거울 | |
JP2007517396A (ja) | リソグラフィ装置、及びデブリ軽減システムを備える放射源、並びにリソグラフィ装置におけるデブリ粒子を軽減する方法 | |
US6906788B2 (en) | Lithographic projection apparatus with multiple suppression meshes | |
TW200928612A (en) | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and method for producing device | |
JP2012114140A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
JP4319642B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
KR101625934B1 (ko) | 다층 미러 및 리소그래피 장치 | |
EP1434095A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP6262891B2 (ja) | 露光方法 | |
JP4384082B2 (ja) | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのeuv反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス | |
JP2011512688A (ja) | 磁石を含むリソグラフィ装置、リソグラフィ装置における磁石を保護する方法およびデバイス製造方法 | |
JP2015127837A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
JP2007329288A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007027258A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140609 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150106 |