JP2012109567A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、少なくとも１つの導電性構造を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする電気絶縁性および断熱性の材料から構築される少なくとも１つの絶縁層とを備え、前記少なくとも１つの導電性構造はフォノン信号波長よりも小さい幅を有するように構成される、磁性積層体。
2. 前記導電性構造は、フォノン伝送をブロックしつつ電気的導通を許すように寸法決めされる、請求項１に記載の磁性積層体。
3. 前記導電性構造は、電気信号波長がフォノン波長よりも小さいことによりフォノンをブロックする、請求項１または２に記載の磁性積層体。
4. 前記電気的伝導はプログラミング電流である、請求項１から３のいずれか１項に記載の磁性積層体。
5. 前記電気的伝導は読出電流であり、前記フリー層は磁界でプログラムされる、請求項１から３のいずれか１項に記載の磁性積層体。
6. 前記絶縁層はＮｉＯである、請求項１から５のいずれか１項に記載の磁性積層体。
7. 前記絶縁層はフォノンブロック電子伝導（ＰＢＥＴ）材料である、請求項１から５のいずれか１項に記載の磁性積層体。
8. 前記導電性構造はフォノンブロック電子伝導（ＰＢＥＴ）材料で充填される、請求項１から５のいずれか１項に記載の磁性積層体。
9. 前記絶縁層は前記ピンド層に接するように隣接し、
   前記導電性構造は前記ピンド層と前記絶縁層との境界から前記絶縁層を通って延在する、請求項１から８のいずれか１項に記載の磁性積層体。
10. 複数の導電性構造は、選択された長さおよび幅を有する予め定められたパターンで絶縁層内に配置される、請求項１から９のいずれか１項に記載の磁性積層体。
11. 前記少なくとも１つの絶縁層は、
    導電性構造および第１の密度を有する第１の絶縁層と、導電性構造を有しておらず前記第１の密度よりも高い第２の密度を有する第２の絶縁層とを有し、前記第１の絶縁層は前記第２の絶縁層に接するように隣接し、前記第２の絶縁層は前記ピンド層に接するように隣接する、請求項１から８のいずれか１項に記載の磁性積層体。
12. 前記第１および第２の絶縁層は同じ材料から構築される、請求項１１に記載の磁性積層体。
13. 前記少なくとも１つの絶縁層は、
    前記ピンド層に接するように隣接する第１の絶縁層と、前記フリー層に接するように隣接する第２の絶縁層とを含む、請求項１２に記載の磁性積層体。
14. トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、少なくとも１つの導電性構造を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする電気絶縁性および断熱性の材料から構築される少なくとも１つの絶縁層とを設けるステップを備え、
    前記導電性構造は、予め定められた電流を導電材料に通して前記材料を予め定められた幅を有する前記絶縁性の材料に注入することによって形成され、
    前記導電性構造は、フォノン信号波長よりも小さい幅を有する、方法。
15. トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、少なくとも１つの導電性構造を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする電気絶縁性および断熱性の材料から構築される少なくとも１つの絶縁層とを設けるステップを備え、
    前記導電性構造は、予め定められた幅を有する前記絶縁層の部分を除去し、除去された前記部分をフォノンブロック電子伝導（ＰＢＥＴ）材料で充填することによって形成され、
    前記導電性構造は、フォノン信号波長よりも小さい幅を有する、方法。
16. メモリセルであって、
    トンネル接合と、前記トンネル接合によって分離される強磁性フリー層およびピンド層と、
    電気絶縁性および断熱性の材料から各々が構築される第１および第２の絶縁層とを備え、前記第１の絶縁層は、前記第１の絶縁層を通した電気的伝導を許しつつフォノンをブロックする少なくとも１つの導電性構造を有し、前記第２の絶縁層は、導電性構造を全く有しておらず前記第１の絶縁層よりも密度が高く、
    前記第１の絶縁層は前記第２の絶縁層に接するように隣接し、前記第２の絶縁層は前記ピンド層に接するように隣接し、
    前記少なくとも１つの導電性構造は、フォノン信号波長よりも小さい幅を有する、メモリセル。