また、特許文献２および特許文献３には、平坦な基板上に発光素子を実装した発光装置が提案されている。特許文献２に記載される発光装置９１０を図１３に示す。発光装置９１０は、発光素子９１２の上面に発光素子９１２からの光を波長変換する蛍光体を含む光透過性部材９１３を有し、発光素子９１２および光透過性部材９１３の側面が光反射性材料９１４によって被覆されている。
Patent Documents 2 and 3 propose light emitting devices in which light emitting elements are mounted on a flat substrate. A light-emitting device 910 described in Patent Document 2 is shown in FIG. The light emitting device 910 has a light transmitting member 913 including a phosphor that converts the wavelength of the light from the light emitting element 912 on the upper surface of the light emitting element 912, a side light reflective material of the light emitting element 912 and the light transmitting member 913 914 is covered.
図１は、実施の形態１に係る発光装置を示す模式斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing the light emitting device according to Embodiment 1. FIG.
図２は、実施の形態１に係る発光装置を示す模式平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing the light emitting device according to the first embodiment.
図３は、図２のＡ−Ａ線における模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line AA in FIG.
図４は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1.
図５は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light-emitting device according to Embodiment 1.
図６は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1.
図７は、実施の形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to Embodiment 1.
図８は、実施の形態２に係る発光装置を示す模式断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the light emitting device according to the second embodiment.
図９は、実施の形態３に係る発光装置を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing the light emitting device according to Embodiment 3. FIG .
図１０は、実施の形態４に係る発光装置を示す模式断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the light emitting device according to the fourth embodiment.
図１１は、実施の形態４に係る発光装置を示す模式平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view showing a light emitting device according to Embodiment 4. FIG.
図１２は、従来の発光装置を示す模式断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a conventional light emitting device.
図１３は、従来の発光装置を示す模式断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a conventional light emitting device.
（導電パターン２ａ、２ｂ）
正負一対の導電パターン２ａ、２ｂは、基材１上に、光反射性樹脂５（樹脂）に被覆された樹脂被覆部から基材１の外縁に向かって延出された形状で形成される。導電パターン２ａ、２ｂは、幅広とすることで、外部電源からの電流を発光素子３へと効率的に流すことができ、好ましくは発光素子３の幅より広い幅とする。導電パターン２ａ、２ｂの材料としては、基材１表面に形成可能であり、発光装置の正極および負極として用いることのできる材料を選択する。例えば、バンプと同じＡｕを用いる。導電パターン２ａ、２ｂは、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成できる。また、本実施形態の導電パターン２ａ、２ｂは、光反射樹脂５によって被覆された樹脂被覆部から基材１の外縁へ向かって延伸し、基材１の外縁にほぼ到達した位置で、さらに基材１の外縁に沿って連続して延伸している。これによって、外部電源と接続される外部接続部を大面積とでき、外部電源と接続し易い発光装置とできる。また、導電パターン２ａ、２ｂに用いられる金属材料は、外来光を反射し易いため、図２に示すように、光反射性樹脂５から露出した導電パターン２ａ、２ｂの図２中における下端の位置は、発光面４ａの図２中における下端の位置と略同一とすることが好ましい。これによって、図２中における発光面４ａの下端よりも下側において、外来光からの照り返しを抑制でき、所望の照射パターンを得ることができる。
(Conductive pattern 2a, 2b)
The pair of positive and negative conductive patterns 2 a and 2 b are formed on the base material 1 in a shape extending from the resin coating portion covered with the light-reflective resin 5 (resin) toward the outer edge of the base material 1. By making the conductive patterns 2 a and 2 b wide, a current from an external power source can be efficiently passed to the light emitting element 3, and preferably a width wider than the width of the light emitting element 3. As a material for the conductive patterns 2a and 2b, a material that can be formed on the surface of the substrate 1 and can be used as the positive electrode and the negative electrode of the light emitting device is selected. For example, the same Au as the bump is used. The conductive patterns 2a and 2b can be formed by electrolytic plating, electroless plating, vapor deposition, sputtering, or the like. In addition, the conductive patterns 2a and 2b of the present embodiment extend from the resin coating portion coated with the light reflecting resin 5 toward the outer edge of the base material 1, and further at the position where the outer edge of the base material 1 is substantially reached. It extends continuously along the outer edge of the material 1. As a result, the external connection portion connected to the external power source can have a large area, and the light emitting device can be easily connected to the external power source. The metal material is used for the conductive pattern 2 a, 2 b, liable to reflect external light, as shown in FIG. 2, the conductive pattern 2 a, 2 b in FIG. 2 exposed from the light reflective resin 5 The position of the lower end of is preferably substantially the same as the position of the lower end of the light emitting surface 4a in FIG. Thereby, the reflection from the external light can be suppressed below the lower end of the light emitting surface 4a in FIG. 2, and a desired irradiation pattern can be obtained.
貫通孔６ａ、６ｂは、好ましくは導電パターン２ａ、２ｂの延出方向と略平行な方向に長い形状とし、さらに好ましくは、図７（ａ）に示すように、導電パターン２ａ、２ｂの延出方向を長手方向とする略長方形状とする。また、図５（ｄ）に示すように、貫通孔６ａ、６ｂは、枠状の第１の光反射性樹脂５ａの延伸方向に対して垂直方向に長い形状とすることが好ましい。貫通孔６ａ、６ｂの短手方向の幅は、少なくとも、貫通孔６ａ、６ｂ内で基材１と光反射性樹脂５とが接触可能な程度あればよく、導電パターン２ａ、２ｂにおける電流の流れを阻害し難いように幅狭とすることが好ましい。貫通孔６ａ、６ｂの短手方向の幅は、発光素子３の幅よりも小さくでき、また、第１の光反射性樹脂５ａの幅よりも小さくできる。また、貫通孔６ａ、６ｂの短手方向の幅は、貫通孔６ａ、６ｂが配置された部分における導電パターン２ａ、２ｂの幅の５％〜２０％程度とすることが好ましく、複数配置する場合は、複数の貫通孔６ａの幅の合計を導電パターン２ａの半分以下、さらには２０％〜４０％程度とすることが好ましい。このような貫通孔６ａ、６ｂは、複数設けることで、電流の流れを阻害しないように、基材１と光反射性樹脂５との接着面積を大きくでき、基材１と光反射性樹脂５との密着力を向上できる。複数の貫通孔６ａ、６ｂは略同一の間隔で配置することが好ましく、正負一対の導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ同一の数を同様に配置することが好ましい。例えば、本実施形態では、図６（ａ）に示すように、正負一対の導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ４個ずつの貫通孔６ａ、６ｂを設けている。
The through holes 6a and 6b are preferably long in a direction substantially parallel to the extending direction of the conductive patterns 2a and 2b, and more preferably, as shown in FIG. 7A , the extending of the conductive patterns 2a and 2b. A substantially rectangular shape whose direction is the longitudinal direction is used. Moreover, as shown in FIG.5 (d), it is preferable that the through-holes 6a and 6b are long in the orthogonal | vertical direction with respect to the extending | stretching direction of the frame-shaped 1st light reflective resin 5a. The width of the through-holes 6a and 6b in the short direction may be at least as long as the base material 1 and the light-reflective resin 5 can be in contact with each other in the through-holes 6a and 6b. It is preferable to make it narrow so that it is difficult to inhibit. The width in the short direction of the through holes 6a and 6b can be made smaller than the width of the light emitting element 3, and can be made smaller than the width of the first light reflective resin 5a. The width in the short direction of the through holes 6a, 6b is preferably about 5% to 20% of the width of the conductive patterns 2a, 2b in the portion where the through holes 6a, 6b are arranged. The total width of the plurality of through holes 6a is preferably less than half of the conductive pattern 2a, more preferably about 20% to 40%. By providing a plurality of such through-holes 6a and 6b, the bonding area between the base material 1 and the light-reflecting resin 5 can be increased so as not to inhibit the flow of current. Can improve adhesion. The plurality of through-holes 6a and 6b are preferably arranged at substantially the same interval, and it is preferable that the same number is similarly arranged in the pair of positive and negative conductive patterns 2a and 2b. For example, in the present embodiment, as shown in FIG. 6A, four through holes 6a and 6b are provided in each of the pair of positive and negative conductive patterns 2a and 2b.
まず、表面に導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃが形成された基材１を準備する。本実施例では、基材１として平板状の窒化アルミニウム基板を用いる。基材１は、熱電導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ程度の窒化アルミニウム板材を焼成して形成し、その上にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを順に蒸着で施して、発光素子３との電気的接続をとるための導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃを形成している。正負一対の導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ貫通孔６ａ、６ｂが設けられている。基材１のサイズは、図２における縦横の長さがそれぞれ約６．５ｍｍ、約１２ｍｍであり、厚みが約１ｍｍである。導電パターン２ａ、２ｂ、２ｃは、その厚みが約０．９μｍであり、図６（ａ）における貫通孔６ａ、６ｂが配置された部分の幅が約２．２ｍｍである。貫通孔６ａ、６ｂは、その幅が約０．１５ｍｍ、その長さが約１ｍｍであり、貫通孔６ａ、６ｂの幅は導電パターン２ａ、２ｂの幅の約６．８％である。貫通孔６ａ、６ｂは、導電パターン２ａ、２ｂにそれぞれ同一サイズのものが等間隔に４個ずつ、合計８個配置されており、４個の貫通孔６ａの幅の合計は導電パターン２ａの幅の約２７％である。
First, the base material 1 having the conductive patterns 2a, 2b, and 2c formed on the surface is prepared. In this embodiment, a flat aluminum nitride substrate is used as the base material 1. The base material 1 is formed by baking an aluminum nitride plate material having a thermal conductivity of about 170 W / m · K, and Ti, Pt, and Au are sequentially deposited thereon to make electrical connection with the light emitting element 3. Conductive patterns 2a, 2b, and 2c for taking are formed. Through holes 6a and 6b are provided in the pair of positive and negative conductive patterns 2a and 2b, respectively. As for the size of the substrate 1, the length and width in FIG. 2 are about 6.5 mm and about 12 mm, respectively, and the thickness is about 1 mm. The conductive patterns 2a, 2b, and 2c have a thickness of about 0.9 μm, and the width of the portion where the through holes 6a and 6b are arranged in FIG. 6A is about 2.2 mm . The through holes 6a and 6b have a width of about 0.15 mm and a length of about 1 mm, and the width of the through holes 6a and 6b is about 6.8% of the width of the conductive patterns 2a and 2b. Eight through holes 6a and 6b are arranged in the conductive patterns 2a and 2b, each having the same size, four equally spaced, and the total width of the four through holes 6a is the width of the conductive pattern 2a. About 27%.