JP6260640B2

JP6260640B2 - Light emitting element

Info

Publication number: JP6260640B2
Application number: JP2016075007A
Authority: JP
Inventors: 弘明 ▲蔭▼山
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2015-05-22
Filing date: 2016-04-04
Publication date: 2018-01-17
Anticipated expiration: 2036-04-04
Also published as: JP2016219787A

Description

本発明は、発光素子に関する。 The present invention relates to a light emitting element.

従来、フリップチップ実装の発光素子において、ｎ型半導体層の上に設けられたｐ型半導体層上に、このｐ型半導体層を被覆し開口を有する絶縁膜を設け、この絶縁膜上に設けたｎ側電極を、絶縁層の開口内に延在させてｎ型半導体層に接触させることで導通させる発光素子が提案されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a flip-chip mounted light emitting device, an insulating film covering the p-type semiconductor layer and having an opening is provided on the p-type semiconductor layer provided on the n-type semiconductor layer, and the insulating film is provided on the insulating film. There has been proposed a light emitting element in which an n-side electrode is made conductive by extending into an opening of an insulating layer and contacting an n-type semiconductor layer.

特開２０１１−０７１３３９号公報JP 2011-071339 A

本発明に係る実施形態は、発光素子の面内における発光強度分布を改善することができる発光素子を提供することを課題とする。 An object of an embodiment of the present invention is to provide a light emitting device capable of improving the light emission intensity distribution in the plane of the light emitting device.

前記した課題を解決するため、本発明の実施形態に係る発光素子は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上で前記ｎ型半導体層の一部を除く領域に設けられたｐ型半導体層と、を有する平面視で多角形状の半導体積層体と、前記半導体積層体上で、前記ｐ型半導体層上に設けられた少なくとも１つのｐ側開口と、前記ｎ型半導体層上に設けられた複数のｎ側開口と、を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ｎ側開口を通じて前記ｎ型半導体層と導通した第１のｎコンタクト部を有するｎ側電極と、前記ｐ側開口を通じて前記ｐ型半導体層と導通したｐ側電極と、を備えている。そして、平面視で、前記半導体積層体の一方の辺側には、前記第１のｎコンタクト部と、前記ｐ側電極上に設けられたｐ側ポスト電極が設けられ、前記一方の辺側とは反対側である他方の辺側には、前記第１のｎコンタクト部と、前記ｎ側電極上に設けられたｎ側ポスト電極と、が設けられ、前記他方の辺側に設けられた前記第１のｎコンタクト部の総面積は、前記一方の辺側に設けられた前記第１のｎコンタクト部の総面積よりも小さいことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a light-emitting device according to an embodiment of the present invention includes an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor provided in a region excluding a part of the n-type semiconductor layer on the n-type semiconductor layer. A planar semiconductor stack having a layer, at least one p-side opening provided on the p-type semiconductor layer on the semiconductor stack, and provided on the n-type semiconductor layer. An n-side electrode having a plurality of n-side openings, a first n-contact electrode provided on the insulating film and electrically connected to the n-type semiconductor layer through the n-side openings, and the p-side A p-side electrode electrically connected to the p-type semiconductor layer through the opening. Then, in plan view, on one side of the semiconductor stacked body, the first n contact portion and a p-side post electrode provided on the p-side electrode are provided, and the one side is The other side that is the opposite side is provided with the first n-contact portion and the n-side post electrode provided on the n-side electrode, and provided on the other side. The total area of the first n contact portion is smaller than the total area of the first n contact portion provided on the one side.

本発明の実施形態に係る発光素子によれば、発光素子の面内における発光強度分布を改善することができる。 According to the light emitting device according to the embodiment of the present invention, the emission intensity distribution in the plane of the light emitting device can be improved.

本発明の第１実施形態に係る発光素子の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the light emitting element which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。It is sectional drawing in the II-II line of FIG. 図１の発光素子における全面電極の配置領域を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the arrangement | positioning area | region of the whole surface electrode in the light emitting element of FIG. 図１の発光素子におけるカバー電極の配置領域を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the arrangement | positioning area | region of the cover electrode in the light emitting element of FIG. 図１の発光素子における絶縁膜の配置領域を模式的に示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an arrangement region of an insulating film in the light emitting element of FIG. 1. 図１の発光素子におけるｎ側電極及びｐ側電極の配置領域を模式的に示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an arrangement region of an n-side electrode and a p-side electrode in the light emitting element of FIG. 図１の発光素子におけるｎ側電極の配置領域を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the arrangement | positioning area | region of the n side electrode in the light emitting element of FIG. 本発明の第２実施形態に係る発光素子の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the light emitting element which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

以下、本発明に係る発光素子の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。 Hereinafter, embodiments of the light emitting device according to the present invention will be described.
Note that the drawings referred to in the following description schematically show the present invention, and therefore the scale, spacing, positional relationship, etc. of each member are exaggerated, or some of the members are not shown. There is a case. In addition, the scale and interval of each member may not match between the plan view and the cross-sectional view. Moreover, in the following description, the same name and the code | symbol are showing the same or the same member in principle, and shall abbreviate | omit detailed description suitably.

また、本発明の各実施形態に係る発光素子において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。 In the light emitting device according to each embodiment of the present invention, “upper”, “lower”, “left”, “right”, and the like are interchanged depending on the situation. In the present specification, “upper”, “lower” and the like indicate relative positions between components in the drawings referred to for explanation, and indicate absolute positions unless otherwise specified. Not intended.

（第１実施形態）
［発光素子の構成］
まず、図１〜図７を参照して、本発明の第１実施形態に係る発光素子の構成について説明する。なお、図２に示す断面図は、図１に示す平面図のＩＩ−ＩＩ線における断面を模式的に示したものである。図１に示したＩＩ−ＩＩ線上の位置Ａ１〜Ａ６と、図２に矢印で示した位置Ａ１〜Ａ６とが、対応しているが、断面構造を分かりやすく示すために、図２の断面図における距離間隔は、図１の平面図における距離間隔（部材の長さ）を適宜に伸長又は短縮して示しているため、両図面における距離間隔は一致していない。また、後記する他の断面図についても、特に断らない限り図２と同様に、図１に示す平面図のＩＩ−ＩＩ線に相当する断面を示すものである。また、図３〜図７は、本実施形態に係る発光素子１００の積層構造を説明するために、層ごとに平面視での配置領域をハッチングで示すものである。 (First embodiment)
[Configuration of Light Emitting Element]
First, with reference to FIGS. 1-7, the structure of the light emitting element which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated. The cross-sectional view shown in FIG. 2 schematically shows a cross section taken along the line II-II of the plan view shown in FIG. The positions A1 to A6 on the line II-II shown in FIG. 1 correspond to the positions A1 to A6 indicated by arrows in FIG. 2, but the sectional view of FIG. The distance interval in FIG. 1 is shown by appropriately extending or shortening the distance interval (the length of the member) in the plan view of FIG. Further, other cross-sectional views to be described later also show a cross-section corresponding to the II-II line of the plan view shown in FIG. 1, as in FIG. 2, unless otherwise specified. Moreover, FIGS. 3-7 shows the arrangement | positioning area | region by planar view for every layer in order to demonstrate the laminated structure of the light emitting element 100 which concerns on this embodiment.

発光素子１００の各部の構成について図１〜図７を参照しながら順次に説明する。 The configuration of each part of the light emitting element 100 will be described sequentially with reference to FIGS.

発光素子１００は、基板１１と、半導体積層体１２と、全面電極１４と、カバー電極１５と、絶縁膜１６と、ｎ側電極１３と、ｐ側電極１７と、ｎ側ポスト電極３ｎと、ｐ側ポスト電極３ｐと、を備えている。発光素子１００では、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの上面が、外部と電気的に接続するための実装面となっている。また、発光素子１００の下面側が、主に光が取り出される光取り出し面である。なお、詳細は後記するが、発光素子１００は、ウエハレベルで作製される。 The light emitting element 100 includes a substrate 11, a semiconductor laminate 12, a full-surface electrode 14, a cover electrode 15, an insulating film 16, an n-side electrode 13, a p-side electrode 17, an n-side post electrode 3n, and a p Side post electrode 3p. In the light emitting element 100, the upper surfaces of the n-side post electrode 3n and the p-side post electrode 3p are mounting surfaces for electrical connection to the outside. Further, the lower surface side of the light emitting element 100 is a light extraction surface from which light is mainly extracted. Although details will be described later, the light emitting element 100 is manufactured at a wafer level.

［基板１１］
基板１１は、半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。本実施形態においては、発光素子１００の光取り出し効率を向上させる観点から透光性を有するサファイア基板を用いることが好ましい。 [Substrate 11]
The substrate 11 may be any substrate material that can epitaxially grow a semiconductor, and the size and thickness are not particularly limited. As such a substrate material, an insulating substrate such as sapphire or spinel (MgAl ₂ O ₄ ) whose main surface is any of the C-plane, R-plane, and A-plane, silicon carbide (SiC), silicon, ZnS ZnO, Si, GaAs, diamond, and oxide substrates such as lithium niobate and neodymium gallate that are lattice-bonded to a semiconductor. In the present embodiment, it is preferable to use a light-transmitting sapphire substrate from the viewpoint of improving the light extraction efficiency of the light emitting device 100.

［半導体積層体１２］
半導体積層体１２は、基板１１の上に積層された積層体であって、基板１１の側から、ｎ型半導体層１２ｎと、活性層１２ａと、ｐ型半導体層１２ｐと、をこの順に備えている。ｐ型半導体層１２ｐは、ｎ型半導体層１２ｎの一部を除く領域に設けられている。ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐは、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。 [Semiconductor laminate 12]
The semiconductor stacked body 12 is a stacked body stacked on the substrate 11, and includes an n-type semiconductor layer 12n, an active layer 12a, and a p-type semiconductor layer 12p in this order from the substrate 11 side. Yes. The p-type semiconductor layer 12p is provided in a region excluding a part of the n-type semiconductor layer 12n. n-type semiconductor layer 12n, the active layer 12a and the p-type semiconductor layer 12p _{_{_{is, In X Al Y Ga 1-}}} XY N (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) semiconductor, such as is preferably used. In addition, each of these semiconductor layers may have a single layer structure, but may have a laminated structure of layers having different compositions and film thicknesses, a superlattice structure, or the like. In particular, the active layer 12a preferably has a single quantum well or multiple quantum well structure in which thin films that produce quantum effects are stacked.

半導体積層体１２は、平面視で多角形状に形成され、例えば、矩形状、六角形状などに形成されることが好ましい。本実施形態においては、半導体積層体１２は、略矩形状に形成されている。半導体積層体１２のサイズは特に限定されないが、平面視で略正方形に形成した場合、その一辺のサイズは例えば３００〜３０００μｍ、好ましくは５００〜１５００μｍとすることができる。 The semiconductor stacked body 12 is formed in a polygonal shape in plan view, and is preferably formed in, for example, a rectangular shape or a hexagonal shape. In the present embodiment, the semiconductor stacked body 12 is formed in a substantially rectangular shape. The size of the semiconductor stacked body 12 is not particularly limited, but when formed in a substantially square shape in plan view, the size of one side thereof can be set to, for example, 300 to 3000 μm, preferably 500 to 1500 μm.

半導体積層体１２は、図２に示すように、穴部１２ｂを有している。また、半導体積層体１２は、周縁部１２ｃを有していても良い。半導体積層体１２の穴部１２ｂは、周縁部１２ｃよりも内側の領域に設けられている。発光素子１００には、複数の穴部１２ｂ（図５及び図６参照）が設けられている。 As shown in FIG. 2, the semiconductor stacked body 12 has a hole 12b. In addition, the semiconductor stacked body 12 may have a peripheral edge portion 12c. The hole 12b of the semiconductor stacked body 12 is provided in a region inside the peripheral edge 12c. The light emitting element 100 is provided with a plurality of holes 12b (see FIGS. 5 and 6).

半導体積層体１２の穴部１２ｂでは、ｎ型半導体層１２ｎの上から、ｐ型半導体層１２ｐと、活性層１２ａと、一部のｎ型半導体層１２ｎとが除去されている。穴部１２ｂの底面は、ｎ型半導体層１２ｎの露出面である。穴部１２ｂの側面は、絶縁膜１６によって被覆されている。また、穴部１２ｂの底面は、その一部が絶縁膜１６によって円環状に被覆されており、その円環内部にｎ側電極１３が設けられている。つまり、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとは、穴部１２ｂの底面の一部に設けられた絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎにて接触し、電気的に接続されている。なお、穴部１２ｂの形状は、上面視で例えば円形状や楕円形状となるように形成されていてもよい。 In the hole 12b of the semiconductor stacked body 12, the p-type semiconductor layer 12p, the active layer 12a, and a part of the n-type semiconductor layer 12n are removed from the n-type semiconductor layer 12n. The bottom surface of the hole 12b is an exposed surface of the n-type semiconductor layer 12n. The side surface of the hole 12 b is covered with an insulating film 16. Further, a part of the bottom surface of the hole 12b is covered with an insulating film 16 in an annular shape, and an n-side electrode 13 is provided inside the annular ring. That is, the n-side electrode 13 and the n-type semiconductor layer 12n are in contact with and electrically connected through the n-side opening 16n of the insulating film 16 provided in a part of the bottom surface of the hole 12b. The shape of the hole 12b may be formed to be, for example, a circular shape or an elliptical shape when viewed from above.

半導体積層体１２の周縁部１２ｃは、ウエハ状態の発光素子１００の境界線に沿った領域に設けられ、ウエハ状態の発光素子１００を個片化する際の切り代となる領域の残りである。この周縁部１２ｃは、ｐ型半導体層１２ｐと、活性層１２ａと、が設けられておらずｎ型半導体層１２ｎが露出している。このため、以下では、半導体積層体１２の周縁部１２ｃのことを、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃともいう。なお、発光素子１００において、半導体積層体１２の周縁部１２ｃを設けることで露出したｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａの側面は、絶縁膜１６によって被覆されている。また、半導体積層体１２の周縁部１２ｃは、ｎ側電極１３や絶縁膜１６によって被覆されるが、一部は露出している。 The peripheral edge portion 12c of the semiconductor stacked body 12 is provided in a region along the boundary line of the light emitting device 100 in the wafer state, and is the remaining region that becomes a cutting allowance when the light emitting device 100 in the wafer state is separated. The peripheral portion 12c is not provided with the p-type semiconductor layer 12p and the active layer 12a, and the n-type semiconductor layer 12n is exposed. Therefore, hereinafter, the peripheral portion 12c of the semiconductor stacked body 12 is also referred to as a peripheral portion 12c of the n-type semiconductor layer 12n. In the light emitting element 100, the side surfaces of the p-type semiconductor layer 12 p and the active layer 12 a exposed by providing the peripheral edge portion 12 c of the semiconductor stacked body 12 are covered with the insulating film 16. Further, the peripheral edge portion 12c of the semiconductor stacked body 12 is covered with the n-side electrode 13 and the insulating film 16, but a part thereof is exposed.

図２に示すように、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界は、ｎ側電極１３及び絶縁膜１６によって被覆され、且つカバー電極１５には被覆されていない。このことは、図１の平面図では、矩形の半導体積層体１２の各辺の近傍において、カバー電極１５の周縁を示す線と、絶縁膜１６の周縁を示す線と、の間に、周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在することを意味するが、図１では、該当箇所の他の線を見易くするため省略している。また、他の平面図についても、カバー電極１５の周縁を示す線と、絶縁膜１６の周縁を示す線と、の間に、周縁部１２ｃとｐ型半導体層１２ｐとの境界線が存在するが、図示を省略している。 As shown in FIG. 2, the boundary between the peripheral portion 12 c of the n-type semiconductor layer 12 n and the p-type semiconductor layer 12 p is covered with the n-side electrode 13 and the insulating film 16 and is not covered with the cover electrode 15. This is because, in the plan view of FIG. 1, in the vicinity of each side of the rectangular semiconductor stacked body 12, there is a peripheral portion between the line indicating the peripheral edge of the cover electrode 15 and the line indicating the peripheral edge of the insulating film 16. This means that there is a boundary line between 12c and the p-type semiconductor layer 12p, but it is omitted in FIG. In other plan views, a boundary line between the peripheral edge portion 12 c and the p-type semiconductor layer 12 p exists between a line indicating the peripheral edge of the cover electrode 15 and a line indicating the peripheral edge of the insulating film 16. The illustration is omitted.

半導体積層体１２の穴部１２ｂの上面視での形状が例えば円形の場合、穴部１２ｂの直径は、半導体積層体１２のサイズに合わせて適宜設定することができる。穴部１２ｂの直径を小さくすれば、活性層１２ａ等を部分的に除去する領域を低減できるため、発光素子１００の発光領域を増加させることができる。穴部１２ｂの直径を大きくすれば、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積を増加させることができるので順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。穴部１２ｂの直径の下限はエッチングにより穴部１２ｂを精度よく製造できる程度で設定することができる。また、穴部１２ｂの直径の上限は、穴部１２ｂを設けるために活性層１２ａ等を部分的に除去しても製品として所望の発光を維持できる程度で設定することができる。このような直径の一例を挙げれば、例えば５〜１５０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍとすることができる。また、半導体積層体１２の周縁部１２ｃにおいて、ｎ側電極１３から露出する領域の幅は、ウエハから各発光素子を個片化するときのダイシングストリートの幅の半値に相当し、半導体積層体１２のサイズに合わせて適宜設定することができる。半導体積層体１２の周縁部１２ｃにおいて、ｎ側電極１３から露出する領域の幅は、例えば１０〜１５０μｍ、好ましくは２０〜１００μｍとすることができる。 When the shape of the hole 12b of the semiconductor stacked body 12 in a top view is, for example, circular, the diameter of the hole 12b can be appropriately set according to the size of the semiconductor stacked body 12. If the diameter of the hole 12b is reduced, the region where the active layer 12a and the like are partially removed can be reduced, so that the light emitting region of the light emitting element 100 can be increased. If the diameter of the hole 12b is increased, the contact area between the n-side electrode 13 and the n-type semiconductor layer 12n can be increased, so that an increase in the forward voltage Vf can be suppressed. The lower limit of the diameter of the hole 12b can be set to such an extent that the hole 12b can be accurately manufactured by etching. Further, the upper limit of the diameter of the hole 12b can be set to such an extent that desired light emission can be maintained as a product even if the active layer 12a and the like are partially removed to provide the hole 12b. If an example of such a diameter is given, it will be 5-150 micrometers, for example, Preferably it is 20-100 micrometers. The width of the region exposed from the n-side electrode 13 in the peripheral portion 12c of the semiconductor stacked body 12 corresponds to half the width of the dicing street when each light emitting element is separated from the wafer. It can be set appropriately according to the size. In the peripheral portion 12c of the semiconductor stacked body 12, the width of the region exposed from the n-side electrode 13 can be, for example, 10 to 150 μm, preferably 20 to 100 μm.

［全面電極１４］
全面電極１４は、図２及び図３に示すように、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。なお、ｐ型半導体層の上面の略全面とは、ｐ型半導体層１２ｐの上面全てに設けられている形態やｐ型半導体層１２ｐの発光素子の特性が低下しない程度に隙間を有する形態などを含む。図３において、ハッチングを施した領域は、最終的に全面電極１４が設けられた領域である。全面電極１４は、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂとなる領域に対応した位置に合計８個の開口２１を有している。 [Full-surface electrode 14]
As shown in FIGS. 2 and 3, the full-surface electrode 14 is provided so as to cover substantially the entire upper surface of the p-type semiconductor layer 12p. Note that the substantially entire surface of the upper surface of the p-type semiconductor layer refers to a form provided on the entire upper surface of the p-type semiconductor layer 12p or a form having a gap to the extent that the characteristics of the light-emitting element of the p-type semiconductor layer 12p are not deteriorated. Including. In FIG. 3, the hatched area is the area where the entire surface electrode 14 is finally provided. The entire surface electrode 14 has a total of eight openings 21 at positions corresponding to the regions to be the holes 12b of the n-type semiconductor layer 12n.

全面電極１４は、ｐ側電極１７を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に拡散するための層である。また、全面電極１４は、高い光反射性を有し、発光素子１００が発する光を、光取り出し面である下方向に反射する層としても機能する。 The full surface electrode 14 is a layer for diffusing the current supplied through the p-side electrode 17 over the entire surface of the p-type semiconductor layer 12p. Further, the entire surface electrode 14 has high light reflectivity, and also functions as a layer that reflects light emitted from the light emitting element 100 downward, which is a light extraction surface.

全面電極１４は、良好な導電性と光反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ又はこれらの金属を主成分とする合金を用いることができる。また、全面電極１４は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。 The whole surface electrode 14 can be made of a metal material having good conductivity and light reflectivity. In particular, as a metal material having good reflectivity in the visible light region, Ag, Al, Ni, Ti, Pt, or an alloy containing these metals as a main component can be used. Further, the entire surface electrode 14 may be a single layer or a laminate of these metal materials.

［カバー電極１５］
カバー電極１５は、図２及び図４に示すように、全面電極１４の上面の一部及び側面を被覆するように設けられている。図４において、ハッチングを施した領域は、最終的にカバー電極１５が設けられた領域である。カバー電極１５は、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂとなる領域に対応した位置に形成された合計８個の開口２２ａと、ｐ側電極１７が設けられる領域に対応した位置に形成された開口２２ｂと、を有している。ｐ側電極１７は、カバー電極１５に設けられた開口２２ｂと絶縁膜１６に設けられたｐ側開口１６ｐの内部に設けられ、全面電極１４と接触することで電気的に接続されている。 [Cover electrode 15]
As shown in FIGS. 2 and 4, the cover electrode 15 is provided so as to cover a part of the upper surface and the side surface of the full-surface electrode 14. In FIG. 4, the hatched area is the area where the cover electrode 15 is finally provided. The cover electrode 15 has a total of eight openings 22a formed at positions corresponding to the regions serving as the holes 12b of the n-type semiconductor layer 12n, and openings formed at positions corresponding to the regions where the p-side electrode 17 is provided. 22b. The p-side electrode 17 is provided inside the opening 22 b provided in the cover electrode 15 and the p-side opening 16 p provided in the insulating film 16, and is electrically connected by being in contact with the entire surface electrode 14.

また、図４において、便宜的にカバー電極１５の端部と、ｐ型半導体層１２ｐの端部（すなわち、穴部１２ｂの端部及び周縁部１２ｃの端部）と、が一致するように記載しているが、ｐ型半導体層１２ｐは、カバー電極１５の配置領域よりも広い範囲まで残されても良い。 In FIG. 4, for convenience, the end of the cover electrode 15 and the end of the p-type semiconductor layer 12p (that is, the end of the hole 12b and the end of the peripheral edge 12c) are described so as to coincide with each other. However, the p-type semiconductor layer 12p may be left up to a range wider than the area where the cover electrode 15 is disposed.

カバー電極１５は、全面電極１４を構成する金属材料のマイグレーションを防止するために形成される。カバー電極１５としては、バリア性を有する金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を用いることができる。また、カバー電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。カバー電極１５はｐ型半導体層１２ｐよりも僅かに内側に設けられる。本実施形態においては、カバー電極１５に絶縁性を備えたＳｉＮを用いている。 The cover electrode 15 is formed in order to prevent migration of the metal material constituting the entire surface electrode 14. As the cover electrode 15, a metal oxide or metal nitride having a barrier property can be used. For example, at least one oxide or nitride selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, and Al. Can be used. The cover electrode 15 may be a single layer or a laminate of these metal materials. The cover electrode 15 is provided slightly inside the p-type semiconductor layer 12p. In the present embodiment, SiN having insulation is used for the cover electrode 15.

［絶縁膜１６］
絶縁膜１６は、半導体積層体１２上に設けられ、発光素子１００の保護膜及び帯電防止膜として機能する層間絶縁膜である。絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を用いることができる。また、絶縁膜１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。 [Insulating film 16]
The insulating film 16 is an interlayer insulating film that is provided on the semiconductor stacked body 12 and functions as a protective film and an antistatic film for the light emitting element 100. As the insulating film 16, a metal oxide or a metal nitride can be used. For example, at least one oxide or nitride selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, and Al is used. Can do. Alternatively, the insulating film 16 may be laminated by using two or more kinds of light-transmitting dielectrics having different refractive indexes to form a DBR (Distributed Bragg Reflector) film.

絶縁膜１６は、図２及び図５に示すように、カバー電極１５の上面の一部及び側面と、半導体積層体１２の上面及び側面とに、設けられている。すなわち、図５においてハッチングを施した領域は、最終的に絶縁膜１６が設けられた領域である。 As shown in FIGS. 2 and 5, the insulating film 16 is provided on a part of the upper surface and the side surface of the cover electrode 15 and on the upper surface and the side surface of the semiconductor stacked body 12. That is, the hatched area in FIG. 5 is an area where the insulating film 16 is finally provided.

絶縁膜１６は、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃの一部に設けられている。半導体積層体１２が周縁部１２ｃを備えている場合、ｎ側電極１３は、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃに設けられた絶縁膜１６よりも外側でｎ型半導体層１２ｎと接触し電気的に接続されている。また、絶縁膜１６は、ｐ型半導体層１２ｐ上にｐ側開口１６ｐを有している。ｐ側開口１６ｐは、ｐ側電極１７が設けられる領域に櫛状に設けられている。一例として、ｐ側開口１６ｐは、平面視でカバー電極１５に設けられた開口２２ｂ（図４参照）に一致することとした。さらに、絶縁膜１６は、ｎ型半導体層１２ｎ上の穴部１２ｂの底面にｎ側開口１６ｎを有している。ｎ側開口１６ｎは、８箇所に設けられた各穴部１２ｂの底面において、例えば円形状に形成されている。 The insulating film 16 is provided on a part of the peripheral edge portion 12c of the n-type semiconductor layer 12n. When the semiconductor stacked body 12 includes the peripheral portion 12c, the n-side electrode 13 is in contact with the n-type semiconductor layer 12n outside the insulating film 16 provided on the peripheral portion 12c of the n-type semiconductor layer 12n. It is connected to the. The insulating film 16 has a p-side opening 16p on the p-type semiconductor layer 12p. The p-side opening 16p is provided in a comb shape in a region where the p-side electrode 17 is provided. As an example, the p-side opening 16p coincides with the opening 22b (see FIG. 4) provided in the cover electrode 15 in plan view. Furthermore, the insulating film 16 has an n-side opening 16n on the bottom surface of the hole 12b on the n-type semiconductor layer 12n. The n-side opening 16n is formed, for example, in a circular shape on the bottom surface of each hole 12b provided at eight locations.

ｎ側開口１６ｎが、円形の場合、その直径φは、ｎ型半導体層１２ｎ上の穴部１２ｂの直径よりも小さい範囲で、穴部１２ｂの直径に合わせて適宜設定することができる。ｎ側開口１６ｎの直径φは、例えば３〜１５０μｍ、好ましくは１５μｍ以上１００μｍ以下とすると、活性層１２ａ等が除去される領域を低減し、且つｐ側ポスト電極３ｐの領域を広く確保して実装性を向上させることができるので好ましい。 When the n-side opening 16n is circular, the diameter φ can be appropriately set in accordance with the diameter of the hole 12b within a range smaller than the diameter of the hole 12b on the n-type semiconductor layer 12n. When the diameter φ of the n-side opening 16n is, for example, 3 to 150 μm, preferably 15 μm or more and 100 μm or less, the area from which the active layer 12a and the like are removed is reduced, and a wide area for the p-side post electrode 3p is secured. It is preferable because the property can be improved.

［ｎ側電極１３，ｐ側電極１７］
図６において、右上がりの斜線のハッチングを施した領域は、ｎ側電極１３が設けられた領域であり、右下がりの斜線のハッチングを施した領域は、ｐ側電極１７が設けられた領域である。 [N-side electrode 13, p-side electrode 17]
In FIG. 6, the hatched area with the upward-sloping diagonal line is the area where the n-side electrode 13 is provided, and the hatched area with the downward-sloping diagonal line is the area where the p-side electrode 17 is provided. is there.

ｎ側電極１３は、発光素子１００のｎ側のパッド電極である。ｎ側電極１３は、図２及び図６に示すように、絶縁膜１６上からｎ型半導体層１２ｎの複数の穴部１２ｂまで延在して設けられている。また、穴部１２ｂを通じてｎ型半導体層１２ｎと接触し導通した第１のｎコンタクト部１３ａを有している。半導体積層体１２が周縁部１２ｃを備えている場合、ｎ側電極１３は、絶縁膜１６上から延在して周縁部１２ｃで導通した第２のｎコンタクト部１３ｂを有していることが好ましい。 The n-side electrode 13 is an n-side pad electrode of the light emitting element 100. As shown in FIGS. 2 and 6, the n-side electrode 13 is provided to extend from the insulating film 16 to the plurality of holes 12b of the n-type semiconductor layer 12n. In addition, the first n contact portion 13a is brought into contact with and in conduction with the n-type semiconductor layer 12n through the hole portion 12b. When the semiconductor stacked body 12 includes the peripheral portion 12c, the n-side electrode 13 preferably includes a second n contact portion 13b that extends from the insulating film 16 and is conductive at the peripheral portion 12c. .

第１のｎコンタクト部１３ａは、本実施形態において、８箇所設けられ、絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎを通じてｎ型半導体層１２ｎと導通している。具体的には、第１のｎコンタクト部１３ａは、穴部１２ｂの底面における絶縁膜１６のｎ側開口１６ｎの位置で、ｎ型半導体層１２ｎとそれぞれ電気的に接続されている。 In the present embodiment, eight first n contact portions 13a are provided and are electrically connected to the n-type semiconductor layer 12n through the n-side opening 16n of the insulating film 16. Specifically, the first n contact portion 13a is electrically connected to the n-type semiconductor layer 12n at the position of the n-side opening 16n of the insulating film 16 on the bottom surface of the hole portion 12b.

第１のｎコンタクト部１３ａは、平面視で、一方の辺６１側と、一方の辺６１側とは反対側である他方の辺６２側に設けられており、他方の辺６２側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積が、一方の辺６１側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積よりも小さくなっている。ここで、一方の辺６１側にｐ側ポスト電極３ｐ、他方の辺６２側にｎ側ポスト電極３ｎがそれぞれ設けられている発光素子１００に電流を流した場合、ｐ側ポスト電極３ｐ周辺がｎ側ポスト電極３ｎ周辺に比較して発光が弱くなる傾向があり、発光素子１００の面内における発光強度分布に偏りが生じる虞がある。本実施形態では、ｎ側ポスト電極３ｎ周辺に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積をｐ側ポスト電極３ｐ周辺に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積よりも少なくすることで、ｐ側ポスト電極３ｐ周辺に形成された第１のｎコンタクト部１３ａへ供給される電流をｎ側ポスト電極３ｎよりも増加させることができる。その結果、発光素子１００の一方の辺６１側と他方の辺６２側とにおける発光強度分布の偏りを軽減し発光素子１００の面内における発光強度分布を改善することができる。 The first n contact portion 13a is provided on one side 61 side and the other side 62 side opposite to the one side 61 side in plan view, and is provided on the other side 62 side. In addition, the total area of the first n contact portion 13a is smaller than the total area of the first n contact portion 13a provided on one side 61 side. Here, when a current is supplied to the light emitting element 100 in which the p-side post electrode 3p is provided on one side 61 side and the n-side post electrode 3n is provided on the other side 62 side, the periphery of the p-side post electrode 3p is n The light emission tends to be weaker than that around the side post electrode 3n, and the light emission intensity distribution in the surface of the light emitting element 100 may be biased. In the present embodiment, the total area of the first n contact portion 13a provided around the n-side post electrode 3n is made smaller than the total area of the first n contact portion 13a provided around the p-side post electrode 3p. Thus, the current supplied to the first n contact portion 13a formed around the p-side post electrode 3p can be increased more than that of the n-side post electrode 3n. As a result, the unevenness of the emission intensity distribution on the one side 61 side and the other side 62 side of the light emitting element 100 can be reduced, and the emission intensity distribution in the plane of the light emitting element 100 can be improved.

第１のｎコンタクト部１３ａの個数は、一方の辺６１側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａよりも、他方の辺６２側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａが少ないことが好ましく、他方の辺６２側の第１のｎコンタクト部１３ａの総面積を、一方の辺６１側の第１のｎコンタクト部１３ａの総面積よりも少なくすることができる。本実施形態において、第１のｎコンタクト部１３ａは、一方の辺６１側に３箇所、他方の辺６２側に２箇所設けられている。ここで、一方の辺６１の側又は他方の辺６２側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの個数とは、一方の辺６１に対して平行な半導体積層体１２の中心線を境界として、一方の辺６１の側又は他方の辺６２の側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの個数を指す。なお、半導体積層体１２の中心線上に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａについては数えない。 The number of the first n contact portions 13a is such that the number of the first n contact portions 13a provided on the other side 62 side is smaller than that of the first n contact portions 13a provided on the one side 61 side. Preferably, the total area of the first n contact portion 13a on the other side 62 side can be made smaller than the total area of the first n contact portion 13a on the one side 61 side. In the present embodiment, the first n contact portion 13a is provided at three places on one side 61 side and at two places on the other side 62 side. Here, the number of first n contact portions 13 a provided on one side 61 side or the other side 62 side is defined by using the center line of the semiconductor stacked body 12 parallel to one side 61 as a boundary. The number of the first n contact portions 13a provided on one side 61 side or the other side 62 side. Note that the first n contact portion 13 a provided on the center line of the semiconductor stacked body 12 is not counted.

第１のｎコンタクト部１３ａの直径は、前記一方の辺６１側に設けられた前記第１のｎコンタクト部１３ａの直径よりも小さいことが好ましく、一方の辺６１側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積を、他方の辺６２側の第１のｎコンタクト部１３ａの総面積よりも少なくすることができる。これにより、発光素子１００の発光強度分布を改善することができるとともに、発光素子１００の発光面積を増加させることができる。 The diameter of the first n contact portion 13a is preferably smaller than the diameter of the first n contact portion 13a provided on the one side 61 side, and the first n contact portion 13a provided on the one side 61 side. The total area of the n contact part 13a can be made smaller than the total area of the first n contact part 13a on the other side 62 side. Thereby, the light emission intensity distribution of the light emitting element 100 can be improved and the light emitting area of the light emitting element 100 can be increased.

第１のｎコンタクト部１３ａの個数または直径は、ｎ側ポスト電極３ｎ下に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａについて変更することが好ましい。言い換えれば、一方の辺６１側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積よりも、ｎ側ポスト電極３ｎ下に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの個数または直径を変更して他方の辺６２側の第１のｎコンタクト部１３ａの総面積が小さくなるようにすることが好ましい。ここで、一方の辺６１側にｐ側ポスト電極３ｐ、他方の辺６２側にｎ側ポスト電極３ｎがそれぞれ設けられている発光素子１００に電流を流した場合、ｐ側ポスト電極３ｐ周辺がｎ側ポスト電極３ｎ周辺に比較して発光が弱くなる傾向がある。そのため、ｎ側ポスト電極３ｎ下の第１のｎコンタクト部１３ａの総面積を減らすことにより、一方の辺６１側と他方の辺６２側との発光強度分布の偏りを軽減し発光素子１００の面内における発光強度分布を改善することができる。 The number or diameter of the first n contact portions 13a is preferably changed for the first n contact portion 13a provided under the n-side post electrode 3n. In other words, the number or diameter of the first n contact portions 13a provided under the n-side post electrode 3n is changed from the total area of the first n contact portions 13a provided on one side 61 side. It is preferable to reduce the total area of the first n contact portion 13a on the other side 62 side. Here, when a current is supplied to the light emitting element 100 in which the p-side post electrode 3p is provided on one side 61 side and the n-side post electrode 3n is provided on the other side 62 side, the periphery of the p-side post electrode 3p is n The light emission tends to be weaker than that around the side post electrode 3n. Therefore, by reducing the total area of the first n contact portion 13a under the n-side post electrode 3n, the unevenness of the emission intensity distribution between the one side 61 side and the other side 62 side is reduced, and the surface of the light emitting element 100 The light emission intensity distribution in the inside can be improved.

図６に示すように、本実施形態における発光素子１００には、平面視で第１のｎコンタクト部１３ａが、他方の辺６２側に２箇所、発光素子１００の一方の辺６１と平行な方向における中心線上に３箇所、一方の辺６１側に３箇所設けられている。このとき、他方の辺６２側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａから中心線上に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａまでの最短距離Ｍ１は、中心線上に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａから一方の辺６１側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａまでの最短距離Ｍ２よりも長いことが好ましい。ここで、第１のｎコンタクト部１３ａ間の最短距離Ｍ１，Ｍ２とは、２つの第１のｎコンタクト部１３ａの中心間の距離を意味する。このように第１のｎコンタクト部１３ａを配置することで、ｎ側ポスト電極３ｎ周辺よりもｐ側ポスト電極３ｐ周辺に電流が供給されやすくなるため、一方の辺６１側と他方の辺６２側との発光強度分布の偏りを軽減し発光素子１００の面内における発光強度分布を改善することができる。 As shown in FIG. 6, in the light emitting element 100 according to the present embodiment, the first n contact portion 13 a has two locations on the other side 62 side in a plan view, and is parallel to one side 61 of the light emitting element 100. Are provided at three places on the center line and three places on one side 61 side. At this time, the shortest distance M1 from the first n contact portion 13a provided on the other side 62 side to the first n contact portion 13a provided on the center line is a first n provided on the center line. It is preferably longer than the shortest distance M2 from the contact portion 13a to the first n contact portion 13a provided on one side 61 side. Here, the shortest distances M1 and M2 between the first n contact portions 13a mean the distance between the centers of the two first n contact portions 13a. By arranging the first n contact portion 13a in this way, current is more easily supplied to the periphery of the p-side post electrode 3p than to the periphery of the n-side post electrode 3n. Therefore, one side 61 side and the other side 62 side And the emission intensity distribution in the plane of the light emitting element 100 can be improved.

本実施形態では、ｎ側電極１３は、図６に示すように、ｎ側櫛状部７０ｎと、周壁部７３ｎと、を有している。ｎ側櫛状部７０ｎは、第１のｎコンタクト部１３ａを含み半導体積層体１２の他方の辺６２の側から一方の辺６１の側に向かって櫛状に設けられている。周壁部７３ｎは、第２のｎコンタクト部１３ｂを含んでおり、ｎ側櫛状部７０ｎから連続して設けられている。また、周壁部７３ｎは、半導体積層体１２の一方の辺６１に沿って形成されている。具体的には、図７に示すように、右上がりの斜線のハッチングを施した領域及び網掛けのハッチングを施した領域がｎ側櫛状部７０ｎであり、右下がりの斜線のハッチングを施した領域が周壁部７３ｎである。ここで、第２のｎコンタクト部１３ｂは、平面視で略矩形状の半導体積層体１２の周縁部１２ｃに接触して環状に配置されている。そのため、ｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積が増加し、第１のｎコンタクト部１３ａの個数や直径を少なくしたとしてもＶｆの上昇を抑制することができる。ここで、第１のｎコンタクト部１３ａの総面積を単純に減らすとｎ側電極１３とｎ型半導体層１２ｎとの接触面積が減少し、順方向電圧Ｖｆが上昇してしまう。また、電流が偏って供給されやすくなるため、発光素子１００の面内における発光強度分布が悪化する虞がある。しかしながら、本実施形態においては、第２のｎコンタクト部１３ｂが設けられていることで、Ｖｆの上昇を抑制しながら発光素子１００の面内における発光強度分布を改善することができる。なお、本実施形態において、第２のｎコンタクト部１３ｂは半導体積層体１２の全周に設けられているが、Ｖｆ低減の効果を低下させない程度にｎ型半導体層１２ｎと一部接触していない領域があってもよい。 In the present embodiment, the n-side electrode 13 has an n-side comb-like portion 70n and a peripheral wall portion 73n, as shown in FIG. The n-side comb-shaped portion 70 n is provided in a comb shape from the other side 62 side of the semiconductor stacked body 12 toward the one side 61 side including the first n contact portion 13 a. The peripheral wall portion 73n includes the second n contact portion 13b and is provided continuously from the n-side comb-like portion 70n. Further, the peripheral wall portion 73 n is formed along one side 61 of the semiconductor stacked body 12. Specifically, as shown in FIG. 7, the hatched area with the right-upward hatching and the hatched area are the n-side comb-shaped portion 70 n, and the hatched with the right-downward hatching is applied. The region is the peripheral wall portion 73n. Here, the second n contact portion 13b is arranged in an annular shape in contact with the peripheral edge portion 12c of the substantially rectangular semiconductor stacked body 12 in plan view. For this reason, the contact area between the n-side electrode 13 and the n-type semiconductor layer 12n increases, and the increase in Vf can be suppressed even if the number and diameter of the first n-contact portions 13a are reduced. Here, if the total area of the first n-contact portion 13a is simply reduced, the contact area between the n-side electrode 13 and the n-type semiconductor layer 12n decreases, and the forward voltage Vf increases. In addition, since the current is easily biased and supplied, there is a possibility that the emission intensity distribution in the surface of the light emitting element 100 is deteriorated. However, in the present embodiment, the second n contact portion 13b is provided, so that the emission intensity distribution in the surface of the light emitting element 100 can be improved while suppressing the increase in Vf. In the present embodiment, the second n contact portion 13b is provided on the entire circumference of the semiconductor stacked body 12, but is not partially in contact with the n-type semiconductor layer 12n to the extent that the effect of reducing Vf is not reduced. There may be areas.

ｎ側櫛状部７０ｎは、基部７１ｎと、複数の延出部７２ｎと、を有している。基部７１ｎは、他方の辺６２の側に設けられている。この基部７１ｎは、ｐ側ポスト電極３ｐが配置されていない領域に配置されている。本実施形態では、平面視で、基部７１ｎは、縦長の略矩形状で設けられ、複数の延出部７２ｎは、基部７１ｎの一方の辺６１側に位置する辺から一方の辺６１側に延出して設けられている。周壁部７３ｎは、基部７１ｎの一方の辺６１側に位置する辺の両端部から延出し、ｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃに沿って設けられ、さらに、一方の辺６１に沿って配置されたｎ側電極１３と繋がっており、ｐ側ポスト電極３ｐを囲って設けられている。また、周壁部７３ｎは、延出部７２ｎの幅Ｗよりもの狭い幅で設けられている。具体的には、図７に示すように、右上がりの斜線のハッチングを施した領域が基部７１ｎであり、網掛けのハッチングを施した領域が複数の延出部７２ｎである。 The n-side comb-like portion 70n has a base portion 71n and a plurality of extending portions 72n. The base 71n is provided on the other side 62 side. The base 71n is disposed in a region where the p-side post electrode 3p is not disposed. In the present embodiment, the base 71n is provided in a vertically long and substantially rectangular shape in plan view, and the plurality of extending portions 72n extend from one side 61 side of the base 71n to one side 61 side. It is provided. The peripheral wall portion 73n extends from both ends of the side located on the one side 61 side of the base portion 71n, is provided along the peripheral edge portion 12c of the n-type semiconductor layer 12n, and is further disposed along the one side 61. The n-side electrode 13 is connected to surround the p-side post electrode 3p. Further, the peripheral wall portion 73n is provided with a width narrower than the width W of the extending portion 72n. Specifically, as shown in FIG. 7, a region that is hatched with a diagonal line rising to the right is a base 71 n, and a region that is hatched is a plurality of extending portions 72 n.

延出部７２ｎは、基部７１ｎから一方の辺６１の側に延出して一方の辺６１の側の第１のｎコンタクト部１３ａを通じてｎ型半導体層１２ｎと導通している。この延出部７２ｎは、平面視で、ｐ側ポスト電極３ｐに重ならないように配置され、延出部７２ｎの先端側に第１のｎコンタクト部１３ａが配置されている。 The extending portion 72n extends from the base portion 71n to the one side 61 side and is electrically connected to the n-type semiconductor layer 12n through the first n contact portion 13a on the one side 61 side. The extended portion 72n is disposed so as not to overlap the p-side post electrode 3p in plan view, and the first n contact portion 13a is disposed on the distal end side of the extended portion 72n.

延出部７２ｎにおいて、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向における長さ（以下、幅）は、適宜設定することができる。図６に示すように、延出部７２ｎにおいて先端側の幅と基端側の幅とが均一な幅Ｗを有している場合、上記した基端側の幅が狭い形状に比べて、延出部７２ｎの狭い箇所で生じる電流の集中を抑制し延出部７２ｎの先端側に配置された第１のｎコンタクト部１３ａに効率良く電流を供給することができる。そのため、発光素子１００の面内の発光強度分布を良好にするには、複数の延出部７２ｎの幅Ｗは基端側から先端側に亘って略均一であることが好ましい。一方、延出部７２ｎにおいて、第１のｎコンタクト部１３ａが配置された先端側の幅よりも基端側の幅が狭くなっている形状だと、ｐ側ポスト電極３ｐの配置領域を容易に広げることができるため、発光素子１００の実装性を高めることができる。 In the extending portion 72n, the length (hereinafter referred to as width) in the direction parallel to the one side 61 of the semiconductor stacked body 12 can be set as appropriate. As shown in FIG. 6, when the extension portion 72n has a uniform width W on the distal end side and the width on the proximal end side, the extension portion 72n extends as compared with the shape in which the width on the proximal end side is narrow. It is possible to efficiently supply current to the first n contact portion 13a disposed on the distal end side of the extending portion 72n by suppressing the concentration of current generated in a narrow portion of the protruding portion 72n. Therefore, in order to improve the emission intensity distribution in the surface of the light emitting element 100, the width W of the plurality of extending portions 72n is preferably substantially uniform from the base end side to the tip end side. On the other hand, if the extension portion 72n has a shape in which the width on the proximal end side is narrower than the width on the distal end side where the first n contact portion 13a is arranged, the arrangement region of the p-side post electrode 3p can be easily formed. Since it can be expanded, the mountability of the light emitting element 100 can be improved.

このように複数の延出部７２ｎの幅Ｗを基端側から先端側に亘って略均一に形成する場合、延出部７２ｎの幅Ｗは、半導体積層体１２の一方の辺６１に対して平行な方向における長さＬに対して１／１００〜１／３、好ましくは１／５０〜１／５とすると、発光素子１００の面内の発光強度分布を良好にしながらｐ側ポスト電極３ｐの領域を広く確保して実装性を向上させることができるので好ましい。 In this way, when the width W of the plurality of extending portions 72n is formed substantially uniformly from the base end side to the distal end side, the width W of the extending portion 72n is relative to one side 61 of the semiconductor stacked body 12. When the length L in the parallel direction is 1/100 to 1/3, preferably 1/50 to 1/5, the light emission intensity distribution in the surface of the light emitting element 100 is improved and the p-side post electrode 3p is formed. This is preferable because a wide area can be secured and the mountability can be improved.

平面視で、複数の延出部７２ｎは、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向において等間隔に設けられていることが好ましい。つまり、複数の延出部７２ｎの間隔Ｄの距離は、等しいことが好ましい。ここで、延出部７２ｎの間隔Ｄとは、隣接する２つの延出部７２ｎの中心間の距離を意味する。各延出部７２ｎは、それぞれ第１のｎコンタクト部１３ａを通じてｎ型半導体層１２ｎと導通しているので、このように配置することで、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向において、ｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光素子１００の面内の発光強度分布を改善させることができる。 The plurality of extending portions 72n are preferably provided at equal intervals in a direction parallel to one side 61 of the semiconductor stacked body 12 in plan view. That is, it is preferable that the distances D between the plurality of extending portions 72n are equal. Here, the interval D between the extending portions 72n means the distance between the centers of two adjacent extending portions 72n. Since each extending portion 72n is electrically connected to the n-type semiconductor layer 12n through the first n-contact portion 13a, the arrangement allows the current supplied through the n-side electrode 13 to be supplied to the semiconductor. In the direction parallel to one side 61 of the stacked body 12, the light can be evenly diffused into the n-type semiconductor layer 12 n, so that the in-plane emission intensity distribution of the light emitting element 100 can be improved.

図６に示すように、平面視で、複数の延出部７２ｎは、それぞれ同一形状であることが好ましい。このような構成とすることで、半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向において、ｎ側電極１３を介して供給される電流をｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光素子１００の面内における発光強度分布を改善させることができる。さらに、複数の延出部７２ｎの幅Ｗが基端側から先端側に亘って略均一で、それぞれの延出部７２ｎが同一形状であることが好ましく、発光素子の全面に電流を拡散し発光強度分布を改善することができる。 As shown in FIG. 6, it is preferable that the plurality of extending portions 72n have the same shape in plan view. With such a configuration, the current supplied through the n-side electrode 13 can be evenly diffused into the n-type semiconductor layer 12n in the direction parallel to the one side 61 of the semiconductor stacked body 12, so that the light emitting element The light emission intensity distribution in the 100 plane can be improved. Furthermore, it is preferable that the width W of the plurality of extending portions 72n is substantially uniform from the proximal end side to the distal end side, and each extending portion 72n has the same shape, and diffuses current over the entire surface of the light emitting element to emit light. The intensity distribution can be improved.

ｐ側電極１７は、発光素子１００のｐ側のパッド電極である。ｐ側電極１７は、図２及び図６に示すように、図６における右側の領域のｐ側開口１６ｐ及びカバー電極１５の開口２２ｂに延在するように形成されている。また、ｐ側電極１７は、ｐ側開口１６ｐ及びカバー電極１５の開口２２ｂを通じて全面電極１４と電気的に接続され、全面電極１４を介してｐ型半導体層１２ｐと導通している。平面視で、ｐ側電極１７はｐ側開口１６ｐと同様の櫛状に、ｐ側開口１６ｐ又はカバー電極１５の開口２２ｂよりも一回り大きく形成されている。 The p-side electrode 17 is a p-side pad electrode of the light emitting element 100. As shown in FIGS. 2 and 6, the p-side electrode 17 is formed to extend to the p-side opening 16 p in the right region in FIG. 6 and the opening 22 b of the cover electrode 15. The p-side electrode 17 is electrically connected to the entire surface electrode 14 through the p-side opening 16p and the opening 22b of the cover electrode 15, and is electrically connected to the p-type semiconductor layer 12p through the entire surface electrode 14. In plan view, the p-side electrode 17 is formed in a comb shape similar to the p-side opening 16p and is slightly larger than the p-side opening 16p or the opening 22b of the cover electrode 15.

ｎ側電極１３及びｐ側電極１７としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１７は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。 As the n-side electrode 13 and the p-side electrode 17, a metal material can be used. For example, a single metal such as Ag, Al, Ni, Rh, Au, Cu, Ti, Pt, Pd, Mo, Cr, W or the like An alloy containing these metals as a main component can be used. In addition, when using an alloy, you may contain nonmetallic elements, such as Si, as a composition element like an AlSiCu alloy, for example. Further, the n-side electrode 13 and the p-side electrode 17 may be a single layer or a laminate of these metal materials.

［ｎ側ポスト電極３ｎ，ｐ側ポスト電極３ｐ］
ｎ側ポスト電極３ｎは、図１及び図２に示すように、ｎ側電極１３上に設けられｎ側電極１３と導通している。ｐ側ポスト電極３ｐは、図１及び図２に示すように、ｐ側電極１７上に設けられｐ側電極１７と導通している。また、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、発光素子１００が発した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。 [N-side post electrode 3n, p-side post electrode 3p]
As shown in FIGS. 1 and 2, the n-side post electrode 3 n is provided on the n-side electrode 13 and is electrically connected to the n-side electrode 13. As shown in FIGS. 1 and 2, the p-side post electrode 3 p is provided on the p-side electrode 17 and is electrically connected to the p-side electrode 17. Further, the n-side post electrode 3n and the p-side post electrode 3p also function as a heat transfer path for radiating heat generated by the light emitting element 100.

ｎ側ポスト電極３ｎは、第１のｎコンタクト部１３ａを被覆して形成されることが好ましい。具体的には、他方の辺６２側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａがｎ側ポスト電極３ｎに被覆され、平面視で、第１のｎコンタクト部１３ａがｎ側ポスト電極３ｎ下に設けられていることが好ましい。これにより、ｎ側ポスト電極３ｎに供給された電子を第１のｎコンタクト部１３ａに効率良く供給することができる。 The n-side post electrode 3n is preferably formed so as to cover the first n-contact portion 13a. Specifically, the first n contact portion 13a provided on the other side 62 side is covered with the n side post electrode 3n, and the first n contact portion 13a is below the n side post electrode 3n in plan view. It is preferable to be provided. Thereby, the electrons supplied to the n-side post electrode 3n can be efficiently supplied to the first n contact portion 13a.

ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属を用いることができる。ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐは、電解メッキ法により形成することができる。 As materials for the n-side post electrode 3n and the p-side post electrode 3p, metals such as Cu, Au, and Ni can be used. The n-side post electrode 3n and the p-side post electrode 3p can be formed by an electrolytic plating method.

実装時に、ｎ側ポスト電極３ｎと外部の配線パターンとの間、及び、ｐ側ポスト電極３ｐと外部の配線パターンとの間に、接着部材を設け、接着部材が溶融した後、冷却されることにより、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐと外部の配線パターンとが強固に接合される。ここで、接着部材としてＳｎ−Ａｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｇ−Ｃｕなどの半田を用いることもできる。その場合は、ｎ側ポスト電極３ｎ及びｐ側ポスト電極３ｐの最上層を、用いる接着部材と良好な密着性が得られる材料で構成することが好ましい。 At the time of mounting, an adhesive member is provided between the n-side post electrode 3n and the external wiring pattern, and between the p-side post electrode 3p and the external wiring pattern, and the adhesive member is melted and then cooled. Thus, the n-side post electrode 3n and the p-side post electrode 3p are firmly bonded to the external wiring pattern. Here, solder such as Sn—Au, Sn—Cu, Sn—Sg—Cu can be used as the adhesive member. In that case, it is preferable that the uppermost layers of the n-side post electrode 3n and the p-side post electrode 3p are made of a material that can provide good adhesion to the adhesive member to be used.

以上説明したように、本実施形態に係る発光素子１００は、ｎ側電極１３に、ｎ型半導体層１２ｎの穴部１２ｂの底面に接触するように配置された複数の第１のｎコンタクト部１３ａを備えている。また、発光素子１００は、一方の辺６１側にｐ側ポスト電極３ｐと、他方の辺６２側にｎ側ポスト電極３ｎと、を備えており、他方の辺６２側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積が一方の辺６１側に設けられた第１のｎコンタクト部１３ａの総面積よりも小さくなっている。このように第１のｎコンタクト部１３ａを設けたことで、一方の辺６１側と他方の辺６２側における発光強度分布の偏りを軽減し発光素子１００の発光強度分布を改善することができる。さらに、ｎ側電極１３が、平面視で略矩形状の半導体積層体１２の周縁部１２ｃに接触するように配置された第２のｎコンタクト部１３ｂを備えることで、発光素子１００の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制し、発光出力を向上させることができる。したがって、発光素子１００は、発光素子１００の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しながら発光素子１００の面内における発光強度分布を改善することができる。 As described above, the light emitting device 100 according to the present embodiment includes the plurality of first n contact portions 13a disposed on the n-side electrode 13 so as to be in contact with the bottom surface of the hole 12b of the n-type semiconductor layer 12n. It has. The light emitting element 100 includes a p-side post electrode 3p on one side 61 side and an n-side post electrode 3n on the other side 62 side, and a first side provided on the other side 62 side. The total area of the n contact portion 13a is smaller than the total area of the first n contact portion 13a provided on one side 61 side. By providing the first n contact portion 13a in this manner, the unevenness of the emission intensity distribution on the one side 61 side and the other side 62 side can be reduced, and the emission intensity distribution of the light emitting element 100 can be improved. Furthermore, the n-side electrode 13 includes a second n-contact portion 13b disposed so as to contact the peripheral portion 12c of the substantially rectangular semiconductor stacked body 12 in plan view, whereby the forward voltage of the light-emitting element 100 is increased. The increase in Vf can be suppressed and the light emission output can be improved. Therefore, the light emitting element 100 can improve the light emission intensity distribution in the plane of the light emitting element 100 while suppressing an increase in the forward voltage Vf of the light emitting element 100.

（第２実施形態）
図８に示すように、第２実施形態に係る発光素子２００では、ｎ側電極１３の配置及びｐ側電極１７の形状が第１実施形態に係る発光素子１００と相違している。以下では、図１に示す発光素子１００と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。 (Second Embodiment)
As shown in FIG. 8, in the light emitting device 200 according to the second embodiment, the arrangement of the n-side electrode 13 and the shape of the p-side electrode 17 are different from those of the light emitting device 100 according to the first embodiment. Hereinafter, the same components as those of the light emitting device 100 illustrated in FIG.

発光素子２００は、平面視で、半導体積層体１２の一方の辺６１側には、ｐ側ポスト電極３ｐを備え、一方の辺６１の側とは反対側である他方の辺６２の側には、ｎ側ポスト電極３ｎを備えている。そして、発光素子２００は、平面視で、複数の第１のｎコンタクト部１３ａが他方の辺６２の側に偏って配置されている。 The light emitting element 200 includes a p-side post electrode 3p on one side 61 side of the semiconductor multilayer body 12 in a plan view, and on the other side 62 side opposite to the one side 61 side. The n-side post electrode 3n is provided. In the light emitting element 200, the plurality of first n contact portions 13a are arranged so as to be biased toward the other side 62 in a plan view.

図８に示す例では、合計５個の第１のｎコンタクト部１３ａが半導体積層体１２の一方の辺６１と平行な方向に２列で配置されている。具体的には、第１列目として、図８の中心線よりも他方の辺６２の側に、２個の第１のｎコンタクト部１３ａが設けられている。ここでは、これらを内周Ｎコンタクト３１，３２と呼ぶ。また、第２列目として、図８の中心線の近傍且つ一方の辺６１の側に、３個の第１のｎコンタクト部１３ａが設けられている。ここでは、これらを内周Ｎコンタクト３３，３４，３５と呼ぶ。発光素子２００は、平面視で、内周Ｎコンタクト３１，３２から、半導体積層体１２の他方の辺６２までの距離をαとし、また、内周Ｎコンタクト３３，３４，３５から半導体積層体１２の一方の辺６１までの距離をβとしたとき、β＞αとなるように複数の第１のｎコンタクト部１３ａが偏って配置されている。第１のｎコンタクト部１３ａの個数は、一方の辺６１側に２個、他方の辺６２側に３個設けられており、一方の辺６１側の方が他方の辺６２側よりも少なくなっている。 In the example shown in FIG. 8, a total of five first n contact portions 13 a are arranged in two rows in a direction parallel to one side 61 of the semiconductor stacked body 12. Specifically, as the first row, two first n contact portions 13a are provided on the side of the other side 62 from the center line of FIG. Here, these are called inner circumferential N contacts 31 and 32. As the second row, three first n contact portions 13a are provided in the vicinity of the center line in FIG. 8 and on one side 61 side. Here, these are called inner circumferential N contacts 33, 34, and 35. In the light emitting element 200, the distance from the inner peripheral N contacts 31, 32 to the other side 62 of the semiconductor multilayer body 12 is α in plan view, and the inner peripheral N contacts 33, 34, 35 to the semiconductor multilayer body 12. When the distance to one side 61 is β, the plurality of first n contact portions 13a are arranged in a biased manner so that β> α. The number of the first n contact portions 13a is two on one side 61 side and three on the other side 62 side, and the one side 61 side is smaller than the other side 62 side. ing.

発光素子２００は、平面視で、すべての第１のｎコンタクト部１３ａのうち最も一方の辺６１側に配置された第１のｎコンタクト部１３ａと、一方の辺６１側に配置されたｎ型半導体層１２ｎの周縁部１２ｃと、の間に、ｐ側ポスト電極３ｐの全体が配置されている。図８に示す例では、内周Ｎコンタクト３３，３４，３５と、半導体積層体１２の一方の辺６１との間に、ｐ側ポスト電極３ｐの全体が配置されている。 The light emitting element 200 includes a first n contact portion 13a disposed on the side of one side 61 of all the first n contact portions 13a and an n type disposed on the side of one side 61 in plan view. The entire p-side post electrode 3p is disposed between the peripheral portion 12c of the semiconductor layer 12n. In the example illustrated in FIG. 8, the entire p-side post electrode 3 p is disposed between the inner peripheral N contacts 33, 34, and 35 and one side 61 of the semiconductor stacked body 12.

発光素子２００において、ｐ側ポスト電極３ｐは、平面視で略矩形状に形成されており、ｎ側電極１３は、ｐ側電極１７の周囲を取り囲んで設けられている。このうち、ｎ側電極１３は、ｎ側開口１６ｎを通じてｎ型半導体層１２ｎに接触するように配置された第１のｎコンタクト部１３ａと、略矩形状の半導体積層体１２の周縁部１２ｃに接触するように配置された第２のｎコンタクト部１３ｂと、を備えている。 In the light emitting element 200, the p-side post electrode 3 p is formed in a substantially rectangular shape in plan view, and the n-side electrode 13 is provided so as to surround the p-side electrode 17. Among these, the n-side electrode 13 is in contact with the first n-contact portion 13a disposed so as to be in contact with the n-type semiconductor layer 12n through the n-side opening 16n and the peripheral portion 12c of the substantially rectangular semiconductor stacked body 12. And a second n-contact portion 13b arranged to do so.

本実施形態に係る発光素子２００は、第１のｎコンタクト部１３ａの個数が一方の辺６１側よりも他方の辺６２側の方が少なくすることにより、ｎ側ポスト電極３ｎ周辺とｐ側ポスト電極３ｐ周辺との発光強度分布の偏りを軽減し発光強度分布を改善することができる。さらに、ｎ側電極１３が第２のｎコンタクト部１３ｂを備えることで、発光素子２００の順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。
したがって、発光素子２００は、順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制しながら発光素子２００の面内における発光強度分布を改善することができる。また、発光素子２００は、平面視で、複数の第１のｎコンタクト部１３ａがｎ側ポスト電極３ｎの側（図８において左）に偏って配置されていることにより、略矩形状のｐ側ポスト電極３ｐの面積を容易に確保することができるので、発光素子２００の面内における発光強度分布を維持しながら実装性を向上させることができる。 In the light emitting device 200 according to the present embodiment, the number of the first n contact portions 13a is smaller on the other side 62 side than on the one side 61 side, so that the periphery of the n side post electrode 3n and the p side post are arranged. The deviation of the emission intensity distribution around the electrode 3p can be reduced and the emission intensity distribution can be improved. Furthermore, since the n-side electrode 13 includes the second n contact portion 13b, an increase in the forward voltage Vf of the light emitting element 200 can be suppressed.
Therefore, the light emitting element 200 can improve the emission intensity distribution in the plane of the light emitting element 200 while suppressing the increase of the forward voltage Vf. Further, the light emitting element 200 has a substantially rectangular p-side when the plurality of first n-contact portions 13a are arranged to be biased toward the n-side post electrode 3n (left in FIG. 8) in plan view. Since the area of the post electrode 3p can be easily secured, the mountability can be improved while maintaining the emission intensity distribution in the plane of the light emitting element 200.

以上、本発明に係る発光素子について、発明を実施するための形態によって具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。 The light-emitting element according to the present invention has been specifically described above by the embodiments for carrying out the invention. However, the gist of the present invention is not limited to these descriptions, and is based on the description of the claims. It must be interpreted widely. Needless to say, various changes and modifications based on these descriptions are also included in the spirit of the present invention.

３ｎｎ側ポスト電極
３ｐｐ側ポスト電極
１１基板
１２半導体積層体
１２ｎｎ型半導体層
１２ａ活性層
１２ｐｐ型半導体層
１２ｃ周縁部
１２ｂ穴部
１３ｎ側電極
１３ａ第１のｎコンタクト部
１３ｂ第２のｎコンタクト部
１４全面電極
１５カバー電極
１６絶縁膜
１６ｎｎ側開口
１６ｐｐ側開口
１７ｐ側電極
２１，２２ａ，２２ｂ，２３開口
３１〜３５内周Ｎコンタクト（第１のｎコンタクト部）
６１，６２辺
７０ｎｎ側櫛状部
７１ｎ基部
７２ｎ延出部
７３ｎ周壁部
１００，２００発光素子 3n n-side post electrode 3p p-side post electrode 11 substrate 12 semiconductor laminate 12n n-type semiconductor layer 12a active layer 12p p-type semiconductor layer 12c peripheral edge portion 12b hole portion 13 n-side electrode 13a first n-contact portion 13b second n contact part 14 full surface electrode 15 cover electrode 16 insulating film 16n n side opening 16p p side opening 17 p side electrode 21, 22a, 22b, 23 opening 31-35 inner circumference N contact (first n contact part)
61,62 side 70n n side comb-like part 71n base part 72n extension part 73n peripheral wall part 100,200 light emitting element

Claims

The n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer provided in a region excluding a peripheral portion of the n-type semiconductor layer and a part inside the peripheral portion on the n-type semiconductor layer in a plan view. Shaped semiconductor stack,
A full-surface electrode provided so as to cover substantially the entire upper surface of the p-type semiconductor layer;
On the semiconductor stacked body, at least one p-side opening provided on the p-type semiconductor layer, and a plurality of n-side openings provided on a part of the n-type semiconductor layer inside the peripheral portion. And an insulating film having
A first n-contact portion provided on the insulating film and electrically connected to the n-type semiconductor layer through the n-side opening ; and extending from the insulating film and provided at the peripheral portion of the n-type semiconductor An n-side electrode having a second n-contact portion in conduction with the layer ;
A p-side electrode connected to the full-surface electrode through the p-side opening and electrically connected to the p-type semiconductor layer through the full-surface electrode ,
In a plan view, on one side of the semiconductor stacked body, the first n contact portion and a p-side post electrode provided on the p-side electrode are provided,
The other side is the opposite side to the one side, the a first n-contact portion, and the n-side post electrode provided on the n-side electrode, is provided,
The other is the total area of the first n-contact portion provided on the side, a small light emitting element than the total area of the provided on one of sides of the first n-contact portion.

The light emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor stacked body has a rectangular shape or a hexagonal shape in plan view.

3. The number of the first n contact portions provided under the n-side post electrode is smaller than the number of the first n contact portions provided on the one side. The light emitting element of description.

The diameter of the n-side the provided under the post electrode first n-contact portion, of claim 3 from a smaller claim 1 than the diameter of the first n-contact portion provided on the side of the one The light emitting element as described in any one.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 4 wherein the diameter of the first n-contact portion is 3μm or 150μm or less.

In plan view, the second contact portion, the light emitting device according to any one of claims 1 to 5 which are arranged annularly.

In plan view, the sides and the other side of the one light emitting device according to any one of claims 1 to 6 in which two or more of the first n-contact portion is provided.