JP2012099451A - チャンバ装置及びチャンバ装置におけるドロップレットの移動制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに絶縁体を介して設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、を備えてもよい。
【選択図】図1
Description
Ultraviolet Lithography:極端紫外線(EUV)露光)と呼ばれる。
Produced Plasma)式の装置が知られている。LPP式装置では、ターゲット物質のドロップレットにレーザ光を照射してプラズマを生成し、そのプラズマから放射されるEUV光を利用する。
図1、図2A及び図2Bを参照に、第1実施形態を説明する。図1は、本開示の一実施形態に係るチャンバ装置2が適用されるEUV露光システム1の全体を示す。EUV露光システム1は、例えば、チャンバ装置2と、ドライバレーザ装置3と、EUV露光装置4とを含むことができる。
図3を参照して第2実施形態を説明する。本実施形態を含めて以下に述べる実施形態は、第1実施形態の変形例に相当し得る。従って、第1実施形態との相違点を中心に説明する。図3は、チャンバ装置2の一部を拡大して示す説明図である。
図4A及び図4Bを参照して第3実施形態を説明する。本実施形態では、第2電極40の電位Valは、グランド電位よりも低いマイナスの電位に設定されてもよい。
図5及び図6を参照して第4実施形態を説明する。本実施形態の電位制御装置120は、ノズル部22の電位Vnz、第1電極23の電位Vpl、第2電極40の電位Val、チャンバ10の電位Vch、回収部本体51の電位Vcd、第3電極52の電位Vel、及びコレクタミラー30の電位Vmrをそれぞれ個別に制御してもよい。図5に示す構成の場合、電位制御領域110内には、電位Vnz、Vpl、Val、Vch、Vcd、Vel、Vmrが含まれてもよい。
図7、図8A及び図8Bを参照して第5実施形態を説明する。本実施形態を含む以下の幾つかの実施形態では、ノズル部22の電位Vnzをグランド電位に設定してもよい。図7は、本実施形態によるチャンバ装置2の構成の一例を示す。
図9A及び図9Bを参照して第6実施形態を説明する。本実施形態では、第2電極40に印加される電位を経時的に変化させてもよい。図9Aには、ノズル部22並びに第1及び第2電極23,40の配置が示されている。図9Bには、一つのドロップレット201をノズル部22から引き出して加速させる場合における、第1電極23の電位Vplと第2電極40の電位Valの経時変化が示されている。
図10A及び図10Bを参照して第7実施形態を説明する。本実施形態では、第2電極を2つの電極401,402から構成してもよい。図10Aは電極等の配置関係を示し、図10Bは各電極に印加される電位の経時変化を示す。
図11を参照して第8実施形態を説明する。本実施形態では、加速されたドロップレット201の速度が低下するのを抑制するための導体管310が設けられてもよい。導体管310は、ドライバレーザ光LBの光路を遮らないよう構成され位置決めされてもよい。
図12を参照して第9実施形態を説明する。本実施形態では、導体管310の電位を一定値に保持するために、フィードバック制御を行ってもよい。
図13を参照して第10実施形態を説明する。本実施形態では、導体管310を、高抵抗410を介して、グランドまたは電源に接続してもよい。導体管310の内部を、荷電粒子(ドロップレット201)が通過すると、導体管310の電位が変化し得る。そこで、本実施形態では、導体管310を高抵抗410を介して、グランド等に接続することにより、導体管310の電位が変動するのを抑制してもよい。なお、導体管310の表面に高抵抗の皮膜を形成することにより、高抵抗410を実現してもよい。
図14を参照して第11実施形態を説明する。本実施形態では、導体管310の外側を絶縁部材330で覆ってもよい。絶縁部材330は、高抵抗410を介して、グランドまたは電源に接続されてもよい。荷電粒子であるドロップレット201の通過により絶縁部材330が帯電しても、絶縁部材330に蓄積された電荷は、高抵抗410を介してグランドに逃がされ得る。所定の時間で電荷をグランドに逃がすことのできる特性を有する電子部品を、高抵抗410として用いてもよい。または、導体管310を覆う絶縁部材330に、高抵抗の皮膜が形成される構成でもよい。
図15を参照して第12実施形態を説明する。本実施形態では、導体管310の形状等を説明する。図15Aは、導体管310の軸に垂直な断面を示す。導体管310は、例えば、円、または、多角形のように閉じた形状に形成されてもよい。
図16を参照して第13実施形態を説明する。本実施形態では、ドロップレット201の移動経路203のうち、プラズマ生成領域までの上流側経路には、導体管(上流側導体管)310を設け、プラズマ生成領域を通過した後の下流側経路には、他の導体管(下流側導体管)320を設けてもよい。
図17を参照して第14実施形態を説明する。本実施形態では、導体管310,320の出入口をできるだけ小さくしてもよい。上流側導体管310の入口311及び出口312、並びに下流側導体管320の入口321及び出口322とは、ドロップレット201の移動に干渉しない程度に、できるだけ小さく設定されてもよい。
図18を参照して第15実施形態を説明する。本実施形態では、下流側導体管320と回収部50とが一体化されてもよい。回収部50の筒状の回収部本体51は、導体管320として構成されてもよい。これにより、部品点数を低減できる。
図19を参照して第16実施形態を説明する。本実施形態では、上流側導体管310と第2電極40とが一体化されてもよい。第2電極40の下流側の面には、導体管310が一体的に設けられてもよい。さらに、第15実施形態で述べたように、下流側導体管320と回収部50とが一体化されてもよい。これにより、部品点数をさらに低減できる。
図20を参照して第17実施形態を説明する。本実施形態では、第16実施形態において、導体管310,320の内径をできるだけ小さくしてもよい。ここで、できるだけ小さくするとは、ドロップレット201の移動に干渉しない程度にできるだけ小さくすることを意味する。
図21を参照して第18実施形態を説明する。本実施形態では、導体管310,320の取付方法の一例を説明する。導体管310,320は、例えば、ステー340及び絶縁部材82を介して、チャンバ10の壁部11に取り付けられてもよい。チャンバ10の壁部11に代えて、ドロップレットジェネレータ20にステー340が取り付けられてもよい。
図22を参照して第19実施形態を説明する。本実施形態では、長い支持部材341内に、ノズル部22の少なくとも一部、第1電極23、第2電極40、及び導体管310,320を配置してもよい。筒状の支持部材341は、ステー342及び絶縁部材82を介して、チャンバ10の壁部11またはドロップレットジェネレータ20に取り付けられてもよい。
図23を参照して第20実施形態を説明する。本実施形態では、回収部50の電位を、移動経路203上に存在する電位のうち、最も高い値に設定する。第3電極52の電位Velと回収部本体51の電位Vcdとは同一に設定されてもよい(Vpl<Val<Vcd、Vcd=Vel)。
図24を参照して第21実施形態を説明する。本実施形態では、ドロップレットジェネレータ20を絶縁体80を介してチャンバ10に取り付ける場合において、導体管310,320及び回収部50の電位を制御する例を示す。
図25を参照して第22実施形態を説明する。本実施形態では、調整用電極501,502を用いて電気力線を発生させることで電位分布を変更し、ドロップレット201の移動経路203をコレクタミラー30周辺において非直線状の移動経路503としてもよい。
Claims (17)
- レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに絶縁体を介して設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、
を備えるチャンバ装置。
- 前記チャンバは接地されており、
前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第1電極を含み、
前記電位制御部は、前記出力口および前記第1電極の電位を制御する、
請求項1記載のチャンバ装置。
- 前記電位制御部は、前記出力口の電位が前記第1電極の電位より高くなるように制御する、請求項2記載のチャンバ装置。
- 前記ターゲット供給部は、前記第1電極から離間して設けられる第2電極をさらに含み、
前記電位制御部は、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位以下になるように制御する、
請求項2記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、前記ターゲット物質を回収するための回収部を含み、
前記前記電位制御部は、前記回収部の電位が前記第1電極の電位より低くなるように制御する、
請求項3記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、内部に配置されるコレクタミラーを含み、
前記電位制御部は、前記コレクタミラーの電位を前記出力口の電位より低く、かつ前記第1電極の電位より高くなるように制御する、
請求項3記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、前記ターゲット物質の移動経路上に配置される少なくとも1つの電位維持部を含む、請求項1記載のチャンバ装置。
- 前記電位維持部は中空である請求項7記載のチャンバ装置。
- 前記電位維持部は導電性を有する請求項7記載のチャンバ装置。
- レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、
を備えるチャンバ装置。
- 前記チャンバおよび前記ターゲット供給部は接地されており、
前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第1電極を含み、
前記電位制御部は、前記第1電極の電位を制御する、
請求項10記載のチャンバ装置。
- 前記電位制御部は、前記第1電極の電位が前記出力口の電位より高くなるように制御する、請求項11記載のチャンバ装置。
- 前記ターゲット供給部は、前記第1電極から離間して設けられる第2電極をさらに含み、
前記電位制御部は、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位以上になるように制御する、
請求項11記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、前記ターゲット物質を回収するための回収部を含み、
前記前記電位制御部は、前記回収部の電位が前記第2電極の電位より高くなるように制御する、
請求項12記載のチャンバ装置。
- 前記チャンバは、前記ターゲット物質の移動経路上に配置される少なくとも1つの電位維持部を含む、請求項10記載のチャンバ装置。
- 前記電位維持部は中空である請求項15記載のチャンバ装置。
- 前記電位維持部は導電性を有する請求項15記載のチャンバ装置。
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