JP2012098420A - マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 - Google Patents
マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012098420A JP2012098420A JP2010244697A JP2010244697A JP2012098420A JP 2012098420 A JP2012098420 A JP 2012098420A JP 2010244697 A JP2010244697 A JP 2010244697A JP 2010244697 A JP2010244697 A JP 2010244697A JP 2012098420 A JP2012098420 A JP 2012098420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- microlens
- substrate
- microlens array
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
【解決手段】マイクロレンズアレイ2は4枚の単位マイクロレンズアレイ2−1等の積層体であり、一部の単位マイクロレンズアレイの光軸を他の単位マイクロレンズアレイの光軸から偏倚させることができる。スキャン露光装置は、複数個のマイクロレンズアレイ2により、マスクの露光パターンが基板1上に投影される。このとき、基板1上の画像をラインCCDカメラにより検出し、基板上の第1層パターンを基準パターンとして、マスク3の露光パターンがこの基準パターンと一致しているか否かを検出する。不一致の場合に、マイクロレンズ2aの光軸を偏倚させてマイクロレンズアレイによる投影パターンの倍率を調整する。
【選択図】図10
Description
前記露光装置は、更に、
前記基板の画像を検出する画像検出部と、この画像の検出信号を基に画像処理して基板上に形成されている基準パターンを得る画像処理部と、この基準パターンと露光しようとする前記マスクの露光パターンとの間のずれを演算して前記基準パターンと前記露光パターンとのずれを解消するように前記移動部材を介して各前記マイクロレンズアレイのマイクロレンズの光軸の位置を調整する制御部と、を有し、前記複数個のマイクロレンズアレイによる基板上の露光位置を調整して、露光パターンを前記基準パターンに一致させるように構成することもできる。
2:マイクロレンズアレイ
2a:マイクロレンズ
2−1〜2−4:単位マイクロレンズアレイ
3:マスク
3a:透明基板
3b:Cr膜
4:露光光源
5:スキャン方向
6:支持基板
11:開口絞り
12:6角視野絞り
12a:矩形部分
12b、12c:三角形部分
17:検出領域
20:アクチュエータ
21:光学系
22:ダイクロイックミラー
23:ラインCCDカメラ
24:画像処理部
25:制御部
Claims (4)
- 露光すべき基板の上方に配置され、夫々複数個のマイクロレンズが2次元的に配置されて構成された複数枚の単位マイクロレンズアレイが相互に積層配置されたマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され所定の露光パターンが形成されたマスクと、このマスクに対して露光光を照射する露光光源と、前記単位マイクロレンズアレイの少なくとも一部を他の単位マイクロレンズアレイに対してその構成マイクロレンズの光軸が偏倚するように移動させる移動部材と、を有し、前記単位マイクロレンズアレイ間の光軸を偏倚させることにより、マイクロレンズアレイによる基板上の露光位置を調整することを特徴とするマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
- 前記マイクロレンズアレイは、4枚の単位マイクロレンズアレイから構成され、第1層及び第2層の単位マイクロレンズアレイと、第3層及び第4層の単位マイクロレンズアレイとの間のマイクロレンズの光軸が偏倚するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
- 前記マイクロレンズアレイは、複数枚の単位マイクロレンズアレイから構成され、積層された単位マイクロレンズアレイ間の特定の反転結像位置にて、マイクロレンズの光軸が夫々偏倚するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
- 前記マイクロレンズアレイは、前記基板の表面に沿って複数個配置されており、
前記露光装置は、更に、
前記基板の画像を検出する画像検出部と、この画像の検出信号を基に画像処理して基板上に形成されている基準パターンを得る画像処理部と、この基準パターンと露光しようとする前記マスクの露光パターンとの間のずれを演算して前記基準パターンと前記露光パターンとのずれを解消するように前記移動部材を介して各前記マイクロレンズアレイのマイクロレンズの光軸の位置を調整する制御部と、を有し、前記複数個のマイクロレンズアレイによる基板上の露光位置を調整して、露光パターンを前記基準パターンに一致させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010244697A JP5515120B2 (ja) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
CN201180052569.7A CN103189798B (zh) | 2010-10-29 | 2011-09-12 | 使用微透镜阵列的扫描曝光装置 |
US13/880,352 US9152057B2 (en) | 2010-10-29 | 2011-09-12 | Scanning exposure apparatus using microlens array |
KR1020137013697A KR101777442B1 (ko) | 2010-10-29 | 2011-09-12 | 마이크로 렌즈 어레이를 사용한 스캔 노광 장치 |
PCT/JP2011/070737 WO2012056817A1 (ja) | 2010-10-29 | 2011-09-12 | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
TW100136276A TWI546631B (zh) | 2010-10-29 | 2011-10-06 | 使用微透鏡陣列之掃描曝光裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010244697A JP5515120B2 (ja) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012098420A true JP2012098420A (ja) | 2012-05-24 |
JP5515120B2 JP5515120B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=45993547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010244697A Active JP5515120B2 (ja) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9152057B2 (ja) |
JP (1) | JP5515120B2 (ja) |
KR (1) | KR101777442B1 (ja) |
CN (1) | CN103189798B (ja) |
TW (1) | TWI546631B (ja) |
WO (1) | WO2012056817A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101727773B1 (ko) | 2009-12-03 | 2017-04-17 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치 |
KR101787155B1 (ko) | 2010-06-28 | 2017-10-18 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5760250B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2015-08-05 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイ及びそれを使用したスキャン露光装置 |
US8773573B1 (en) | 2013-01-15 | 2014-07-08 | Google Inc. | Adjustable lens array with variable optical power |
US9057826B2 (en) | 2013-01-31 | 2015-06-16 | Google Inc. | See-through near-to-eye display with eye prescription |
CN104865801B (zh) * | 2015-06-01 | 2017-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光装置 |
KR101593963B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2016-02-15 | 조남직 | 노광용 광원모듈 유닛 및 그 광원모듈 유닛이 구비된 노광장치 |
US10429646B2 (en) | 2015-10-28 | 2019-10-01 | Google Llc | Free space optical combiner with prescription integration |
US20220011470A1 (en) * | 2021-09-23 | 2022-01-13 | Anders Grunnet-Jepsen | Optic pieces having integrated lens arrays |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2663560B2 (ja) * | 1988-10-12 | 1997-10-15 | 日本電気株式会社 | レーザ加工装置 |
US6016185A (en) | 1997-10-23 | 2000-01-18 | Hugle Lithography | Lens array photolithography |
EP1446703A2 (en) | 2001-11-07 | 2004-08-18 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
JP2004335640A (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 投影露光装置 |
US7081947B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6967711B2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7116404B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7230677B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids |
US7274029B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007003829A (ja) | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 画像露光装置 |
JP2007052214A (ja) | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Nikon Corp | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007101730A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 画像露光装置 |
JP2007279113A (ja) | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 走査型露光装置及びデバイスの製造方法 |
US7932993B2 (en) * | 2006-09-16 | 2011-04-26 | Wenhui Mei | Divided sub-image array scanning and exposing system |
CN100547489C (zh) * | 2006-10-18 | 2009-10-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于微光刻的照明光学系统 |
CN101126897B (zh) * | 2007-08-31 | 2011-06-29 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于微透镜阵列的连续面形微结构成形方法 |
JP5354803B2 (ja) | 2010-06-28 | 2013-11-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
JP5817976B2 (ja) | 2011-08-01 | 2015-11-18 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
-
2010
- 2010-10-29 JP JP2010244697A patent/JP5515120B2/ja active Active
-
2011
- 2011-09-12 WO PCT/JP2011/070737 patent/WO2012056817A1/ja active Application Filing
- 2011-09-12 US US13/880,352 patent/US9152057B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-12 KR KR1020137013697A patent/KR101777442B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-12 CN CN201180052569.7A patent/CN103189798B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-06 TW TW100136276A patent/TWI546631B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101727773B1 (ko) | 2009-12-03 | 2017-04-17 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치 |
KR101787155B1 (ko) | 2010-06-28 | 2017-10-18 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130208255A1 (en) | 2013-08-15 |
TWI546631B (zh) | 2016-08-21 |
KR20140061286A (ko) | 2014-05-21 |
CN103189798A (zh) | 2013-07-03 |
CN103189798B (zh) | 2015-07-01 |
JP5515120B2 (ja) | 2014-06-11 |
WO2012056817A1 (ja) | 2012-05-03 |
TW201222169A (en) | 2012-06-01 |
KR101777442B1 (ko) | 2017-09-11 |
US9152057B2 (en) | 2015-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5515120B2 (ja) | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 | |
JP5515119B2 (ja) | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 | |
KR101941323B1 (ko) | 노광 장치용 얼라인먼트 장치 및 얼라인먼트 마크 | |
KR101761976B1 (ko) | 마이크로 렌즈 어레이를 사용한 스캔 노광 장치 | |
JP6023952B2 (ja) | マイクロレンズアレイ及びそれを使用したスキャン露光装置 | |
TWI544290B (zh) | 微透鏡陣列及使用該微透鏡陣列之掃描曝光裝置 | |
JP5853343B2 (ja) | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 | |
JP2012128193A (ja) | マイクロレンズアレイ及びそれを使用したスキャン露光装置 | |
JP5874900B2 (ja) | 露光装置用のアライメント装置 | |
JP5874966B2 (ja) | マイクロレンズアレイ及びその貼り合わせ方法 | |
JP5953037B2 (ja) | マイクロレンズアレイの貼り合わせ装置 | |
JP5953038B2 (ja) | マイクロレンズアレイの焦点距離測定装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5515120 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |