JP2012089611A - 面発光型半導体素子の製造方法 - Google Patents
面発光型半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012089611A JP2012089611A JP2010233690A JP2010233690A JP2012089611A JP 2012089611 A JP2012089611 A JP 2012089611A JP 2010233690 A JP2010233690 A JP 2010233690A JP 2010233690 A JP2010233690 A JP 2010233690A JP 2012089611 A JP2012089611 A JP 2012089611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- semiconductor
- dbr
- semiconductor layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 73
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
- H01L33/105—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
- H01S5/18313—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation by oxidizing at least one of the DBR layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/2086—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques lateral etch control, e.g. mask induced
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】放熱特性の低下を抑えつつ、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる面発光型半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、活性層18と、アルミニウムを含み活性層18上に設けられた半導体層30と、アルミニウムを含み半導体層30上に設けられたDBR部24とを含む半導体積層構造32のDBR部24及び半導体層30に対してエッチングを行うことによりメサ部34を形成する工程と、電流狭窄のための環状の酸化領域22bを半導体層30の内部に形成するために、メサ部34の側面から内部に向けてアルミニウムを酸化させる工程と、この工程によりDBR部24に形成された酸化領域24cに対して選択的なウェットエッチングを行う第1のエッチング工程と、DBR部24の周縁部をエッチングにより除去する第2のエッチング工程とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】この製造方法は、活性層18と、アルミニウムを含み活性層18上に設けられた半導体層30と、アルミニウムを含み半導体層30上に設けられたDBR部24とを含む半導体積層構造32のDBR部24及び半導体層30に対してエッチングを行うことによりメサ部34を形成する工程と、電流狭窄のための環状の酸化領域22bを半導体層30の内部に形成するために、メサ部34の側面から内部に向けてアルミニウムを酸化させる工程と、この工程によりDBR部24に形成された酸化領域24cに対して選択的なウェットエッチングを行う第1のエッチング工程と、DBR部24の周縁部をエッチングにより除去する第2のエッチング工程とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、面発光型半導体素子の製造方法に関する。
面発光型の半導体発光素子として、活性層とDBR部との間に電流狭窄層を備えるものがある。電流狭窄層においては、光軸を含む領域を囲むように高抵抗領域が形成され、この高抵抗領域によって、光軸を含む領域に電流が狭窄される。例えば、GaAs系半導体からなる面発光型半導体素子では、90%以上といった高いAl組成を有するAlGaAs層が電流狭窄層として設けられる。そして、この電流狭窄層を含むメサ構造が形成されることで電流狭窄層の側面が形成され、該側面から電流狭窄層の内部へ向けて電流狭窄層のAlが酸化されることによって、酸化アルミニウムを含む環状の酸化領域(高抵抗領域)が形成される。
図12〜図15は、このようなGaAs系の面発光型半導体素子を製造する際の各工程における断面図である。まず、図12に示されるように、n型GaAs基板101の上に、n型DBR部102、活性層(多重量子井戸構造)103、スペーサ層110、電流狭窄層104、及びp型DBR部105を順に成長させる。n型DBR部102は、Al0.9GaAsから成る低屈折率層102aとAl0.1GaAsから成る高屈折率層102bとが交互に積層されて成る。同様に、p型DBR部105は、Al0.9GaAsから成る低屈折率層105aとAl0.1GaAsから成る高屈折率層105bとが交互に積層されて成る。電流狭窄層104は、例えばAl0.96GaAsから成る。
次に、p型DBR部105及び電流狭窄層104に対してドライエッチングを行うことにより、図13に示されるようなメサ部106を形成する。そして、図14に示されるように、メサ部106の側面から内部へ向けてメサ部106のAlを酸化させることにより、酸化アルミニウムを含む環状の酸化領域(高抵抗領域)104aを電流狭窄層104に形成する。なお、このとき、p型DBR部105には、酸化アルミニウムを含む酸化領域105cが形成される。その後、図15に示されるように、保護膜107及び電極108,109を形成することによって、面発光型半導体素子100が完成する。
なお、特許文献1には、上述した構造を備える面発光型半導体素子が記載されている。
上述した製造方法では、図14に示されたように、メサ部106の側面から内部へ向けてメサ部106のAlを酸化させることにより、酸化アルミニウムを含む環状の酸化領域(高抵抗領域)104aを電流狭窄層104に形成している。しかしながら、同図に示されるように、p型DBR部105には、酸化アルミニウムを含む酸化領域105cが形成される。酸化アルミニウムの格子定数は、他の半導体(GaAsやAlGaAsなど)と比較して大きく異なるので、このような酸化領域105cと他の半導体層との界面には大きな応力が生じる。しかも、p型DBR部105が良好なDBRを構成するためには、低屈折率層105a及び高屈折率層105bが各20層以上設けられることが好ましく、酸化領域105cによる上述した応力は更に増大することとなる。このような応力によってメサ部106の全体に大きな応力が加わり、メサ部106にクラックが生じ易くなるといった信頼性の低下を引き起こしてしまう。
そこで、本発明者は、このような課題を解決するために、次のような方法を考えた。すなわち、図12〜図14に示された工程を経たのち、メサ部106の径よりやや小さい径を有するエッチングマスクをメサ部106上に形成し、このエッチングマスクを用いて、酸化領域105cを含むメサ部106の周辺部をドライエッチングにより除去する。この方法により、図16に示されるようにp型DBR部105の酸化領域105cが除去される。そして、図17に示されるように、保護膜107及び電極108,109を形成する。このような製造方法によれば、p型DBR部105の酸化領域105cを除去することができ、メサ部106における応力の発生を抑えることが可能となる。
しかしながら、本発明者は、このような製造方法における次の課題を見出した。すなわち、酸化アルミニウムを含む酸化領域105cのドライエッチングにおけるエッチング速度は、AlGaAsといった非酸化半導体のエッチング速度より遅い。したがって、酸化領域105cを十分に除去しようとすると、他の半導体領域のエッチングが過度に進んでしまう。その結果、例えば図16に示されたように活性層103やDBR部102に対するエッチングが速く進んでn型GaAs基板101に到達してしまう。このため、活性層103において発生した熱の放熱経路が長くなり、放熱特性が低下してしまう。
本発明は、このような課題を鑑みてなされたものであり、放熱特性の低下を抑えつつ、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる面発光型半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明による面発光型半導体素子の製造方法は、面発光型の半導体素子を製造する方法であって、活性層と、アルミニウムを含み活性層上に設けられた第1の半導体層と、アルミニウムを含み第1の半導体層上に設けられたDBR部とを含む半導体積層構造のDBR部及び第1の半導体層に対してエッチングを行うことによりメサ部を形成するメサ形成工程と、電流狭窄のための環状の酸化領域を第1の半導体層の内部に形成するために、メサ部の側面から内部に向けてアルミニウムを酸化させる酸化工程と、酸化工程によりDBR部に形成された酸化領域に対して選択的なウェットエッチングを行う第1のエッチング工程と、DBR部の周縁部をエッチングにより除去する第2のエッチング工程とを含むことを特徴とする。
この製造方法においては、先ず、DBR部に形成された酸化領域に対して選択的なウェットエッチングを行う。この第1のエッチング工程によって、非酸化半導体に対するエッチングを抑制しつつ酸化領域を除去することができる。その後、第2のエッチング工程において、DBR部の周縁部をエッチングにより除去することによって、非酸化半導体を過度にエッチングすることなくメサ部の形状を整えることができる。このように、上述した製造方法によれば、酸化領域と非酸化半導体とをそれぞれ適切な度合いでエッチングすることができるので、エッチングが基板に到達することを防ぎ、放熱特性の低下を抑えることが可能になる。また、酸化領域を効果的に除去することができるので、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる。
また、面発光型半導体素子の製造方法は、DBR部が、屈折率が互いに異なり交互に積層された第2及び第3の半導体層を含み、第2及び第3の半導体層のアルミニウム組成が互いに異なることを特徴としてもよい。このような場合、アルミニウム組成が高い半導体層の酸化領域は、アルミニウム組成が低い半導体層の酸化領域と比較してDBR部のより内部へと拡がる。DBR部がこのような構成を有する場合、上述した面発光型半導体素子の製造方法によれば、第1のエッチング工程によって第2及び第3の半導体層の酸化領域の双方を効果的に除去するとともに、この除去によって生じたDBR部の側面の凹凸を、第2のエッチング工程によって効果的に解消することができる。
また、面発光型半導体素子の製造方法は、第2のエッチング工程の際に、DBR部の周縁部をドライエッチングにより除去することを特徴としてもよい。或いは、面発光型半導体素子の製造方法は、第2のエッチング工程の際に、DBR部の周縁部をウェットエッチングにより除去することを特徴としてもよい。
本発明による面発光型半導体素子の製造方法によれば、放熱特性の低下を抑えつつ、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明による面発光型半導体素子の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明に係る製造方法により製造される面発光型半導体素子の一実施形態として、面発光レーザ10の構成を示す側断面図である。図1に示される面発光レーザ10は、例えば垂直共振器面発光レーザ(VCSEL;Vertical Cavity Surface Emitting LASER)である。本実施形態では、面発光レーザ10から出射される光Lの出射方向は、半導体基板12の主面12aに垂直な方向である。
面発光レーザ10は、第1導電型の半導体基板12と、半導体基板12の主面12a上に設けられた第1導電型の第1のDBR部14と、第1のDBR部14上に設けられた活性層18と、活性層18上に設けられた第2導電型の電流狭窄層22と、電流狭窄層22上に設けられた第2導電型の第2のDBR部24とを備える。半導体基板12は、第1導電型の半導体、例えばn型のGaAsからなる。DBR部14及び24は、主面12aに対して垂直な方向に光共振器を構成する。DBR部14、活性層18、電流狭窄層22及びDBR部24は、主面12aに対して垂直な方向に配列されている。
DBR部14及び24は、多層反射膜を構成する。すなわち、DBR部14は、主面12aに対して垂直な方向に沿って交互に配列された複数の半導体層14a及び14bを含む。同様に、DBR部24は、主面12aに対して垂直な方向に沿って交互に配列された複数の半導体層24a及び24bを含む。
半導体層14a及び14bは、例えばn型AlGaAsからなる。半導体層14aの屈折率と半導体層14bの屈折率とは互いに異なっており、このような屈折率の相違は、例えばこれらのAl組成が互いに異なることによって好適に実現される。一実施例としては、半導体層14aはn型Al0.9GaAsからなり、半導体層14bはn型Al0.1GaAsからなる。この場合、半導体層14aのAl組成が半導体層14bのAl組成よりも大きいので、半導体層14aの屈折率は半導体層14bの屈折率よりも小さくなる。
また、半導体層24a及び24bは、例えばp型AlGaAsからなる。半導体層24aの屈折率と半導体層24bの屈折率とは互いに異なっており、このような屈折率の相違は、例えばこれらのAl組成が互いに異なることによって好適に実現される。一実施例としては、半導体層24aはp型Al0.9GaAsからなり、半導体層24bはp型Al0.1GaAsからなる。この場合、半導体層24aのAl組成が半導体層24bのAl組成よりも大きいので、半導体層24aの屈折率は半導体層24bの屈折率よりも小さくなる。
活性層18は、例えばInGaAs、GaInNAs、GaInNAsSb、AlGaInAs、GaInAsP等の半導体材料からなる。活性層18は、バルク結晶からなってもよいし、量子井戸構造(QW)を有してもよい。或いは、活性層18は、主面12aに対して垂直な方向に交互に配列された複数の井戸層及び複数の障壁層を含んでもよい。この場合、活性層18は多重量子井戸構造(MQW)を有する。井戸層は、例えばInGaAs等からなる。障壁層は、例えばGaAsからなる。
電流狭窄層22は、活性層18とDBR部24との間に設けられ、活性層18に注入される電流を狭窄する。電流狭窄層22は、開口22aが形成された酸化領域(高抵抗領域)22bと、開口22aを埋め込む半導体領域22cとを有する。開口22aは光Lの光軸の一部を含んでおり、開口22aの形状は、光Lの光軸に対して対称であることが好ましい。より好ましくは、光Lの光軸に直交する面における開口22aの形状は、円形又は正方形である。酸化領域22bは、アルミニウムを含む半導体層が酸化されることによって形成されたものであり、アルミニウム酸化物(AlOx)を含む。酸化領域22bは、例えばp型AlGaAsまたはp型AlAsに含まれるアルミニウムが酸化されることによって好適に形成される。この場合、半導体領域22cは未酸化のアルミニウムを含む半導体層であり、例えばp型AlGaAsまたはp型AlAsからなる。酸化される前の電流狭窄層22のアルミニウム組成は90%以上であることが好ましく、一実施例では96%である。
DBR部14と活性層18との間には、例えば、クラッドとして機能するスペーサ層16が設けられている。スペーサ層16は、例えばn型GaAsからなる。活性層18と電流狭窄層22との間には、例えば、クラッドとして機能するスペーサ層20が設けられている。スペーサ層20は、例えばp型GaAsからなる。
DBR部24上には、アノード電極28が設けられている。アノード電極28には、光Lを通過させるための開口28aが形成されている。また、半導体基板12の主面12aとは反対側の面すなわち裏面12b上には、カソード電極29が設けられている。
このような構成を備える面発光レーザ10において、アノード電極28とカソード電極29との間に駆動電圧を印加すると、電流狭窄層22の開口22aを通って活性層18に電流が供給される。そして、活性層18において発生した光によってDBR部14とDBR部24との間でレーザ発振を生じ、レーザ光Lが面発光レーザ10の外部へ出射される。
次に、上述した構成を備える本実施形態の面発光レーザ10を製造する方法について、以下に説明する。なお、以下の説明において、n型のドーパントとしては例えばSiが好適に用いられ、p型のドーパントとしては例えば炭素(C)が好適に用いられる。
まず、図2に示されるように、第1導電型の半導体基板12(例えばn型GaAs基板)の主面12a上に、DBR部14の複数の半導体層14a(例えばn型Al0.9GaAs)及び複数の半導体層14b(例えばn型Al0.1GaAs)を交互に成長させ、その上に、スペーサ層16(例えばn型Al0.2GaAs)、活性層18、及びスペーサ層20(例えばp型Al0.2GaAs)を順に成長させる。なお、一実施例では、半導体層14a及び14bの層数はそれぞれ30層である。
そして、スペーサ層20上に、電流狭窄層22となる半導体層30を成長させる。この半導体層30は、本実施形態における第1の半導体層であり、アルミニウムを含む半導体、例えばp型AlGaAsまたはp型AlAsからなる。半導体層30のアルミニウム組成は90%以上が好ましく、一実施例では、半導体層30のアルミニウム組成は96%である。
続いて、半導体層30上にDBR部24の複数の半導体層24a及び複数の半導体層24bを交互に成長させる。前述したように、複数の半導体層24a及び複数の半導体層24bは屈折率が互いに異なり、その屈折率の相違はアルミニウム組成が互いに異なることによって実現されている。一実施例では、半導体層24aのアルミニウム組成は90%であり、半導体層24bのアルミニウム組成は10%である。また、半導体層14a及び14bの層数は例えばそれぞれ23層である。なお、半導体層24aは本実施形態における第2の半導体層であり、半導体層24bは本実施形態における第3の半導体層である。以上の工程により、図2に示されるように、活性層18、半導体層30及びDBR部24を含む半導体積層構造32が形成される。
続いて、SiNといったシリコン化合物からなる膜をウェハ全体に成膜し、フォトリソグラフィー技術を利用してこの膜をエッチングすることにより、図3に示されるエッチングマスクM1を形成する。このエッチングマスクM1の平面形状は、例えば直径50μmの円形状である。その後、このエッチングマスクM1を用いて、半導体積層構造32のDBR部24及び半導体層30に対してエッチングを行うことによって、図4に示されるように、側面34aを有するメサ部34を形成する(メサ形成工程)。側面34aには、半導体層30が露出する。本実施形態では、上記エッチングのエッチング深さがスペーサ層16に達することによって、メサ部34が、活性層18、半導体層30、及びDBR部24を含む。なお、本工程のエッチングとしては、例えばエッチャントとして塩素系ガスを用いたドライエッチングが好適である。或いは、ブロム系のエッチャントを用いたウェットエッチングを行っても良い。一実施例では、メサ部34の高さ(すなわちエッチング深さ)は4μmである。
続いて、メサ部34の側面34aから内部に向けて、メサ部34に含まれるアルミニウムを酸化させる(酸化工程)。この工程では、図5に示されるように、電流狭窄のための開口22aを有する環状の酸化領域22bが半導体層30に形成される。また、半導体層30の中央部付近の未酸化領域は、半導体領域22cとなる。こうして、半導体領域22c及び酸化領域22bを有する電流狭窄層22が形成される。また、この工程においては、同時に、DBR部24にも酸化領域24cが形成される。この酸化領域24cは、アルミニウム組成が比較的大きい複数の半導体層24aの側面34a付近に主に形成される。
一実施例としては、メサ部34を有するウェハを酸化装置に投入し、水蒸気酸化によって酸化領域22bを形成する。このとき、ウェハの周囲温度を例えば350℃とし、酸化時間を例えば40分とするとよい。なお、この酸化時間は、図14に示された従来の工程における酸化時間(約25分)より長い時間である。この条件によれば、メサ部34の側面34aから酸化領域22bの内端(開口22a)までの幅、すなわち側面34aからの酸化領域22bの酸化深さは19μm(従来は9μm)となる。また、メサ部34の側面34aから酸化領域24cの内端までの幅、すなわち側面34aからの酸化領域24cの酸化深さは5μm(従来は2μm)となる。なお、酸化の進行速度はアルミニウム組成が大きいほど速くなる傾向があり、アルミニウム組成が大きい半導体層ほど、酸化領域の幅が大きくなる。従って、本実施形態では、アルミニウム組成が最も大きい電流狭窄層22(半導体層30)の酸化領域22bの幅が最も大きくなり、メサ部34の中心に近い位置まで形成される。
続いて、酸化領域22b及び24cに対して選択的なウェットエッチングを行う(第1のエッチング工程)。この工程は、DBR部24に形成された酸化領域24cを除去するために行われる。具体的には、メサ部34に対しウェットエッチングを行う。このときのエッチャントとしては、例えばBHFが好適である。これにより、図6に示されるように、DBR部24の酸化領域24cが除去される。なお、酸化領域22bについては、エッチング時間を調整することによりその一部が残される。
この工程では、非酸化領域(一例ではAlGaAs)がほとんどエッチングされず、AlOxを含む領域が選択的にエッチングされる。したがって、アルミニウム組成が小さいため酸化領域が小さい半導体層24bは殆どエッチングされずに残るので、図6に示されるように、DBR部24の側面では、半導体層24a及び24bが凹凸を構成することとなる。
続いて、メサ部34に対して再度のエッチングを行うことにより、DBR部24の周縁部を除去する(第2のエッチング工程)。まず、図7に示されるように、エッチングマスクM1(図3参照)より小さいエッチングマスクM2(例えば直径30μmの円形状)をメサ部34上に形成する。このエッチングマスクM2は、前述したエッチングマスクM1と同様の方法・材料により形成されることができる。そして、このエッチングマスクM2を用い、メサ部34に対してドライエッチングを行うことにより、メサ部34の周縁部を除去し、メサ部34の直径を例えば50μmから30μmに小さくする。この工程によって、図8に示されるように、メサ部34の側面が平坦になり、また全ての酸化領域24c(図5参照)が完全に除去される。なお、この工程ではメサ部34が設けられた領域以外のウェハ上の領域も同時にエッチングされるので、DBR部14がメサ状にエッチングされて側面14cが形成される。
最後に、図9に示されるようにメサ部34の上面、側面およびDBR部14の側面14cに絶縁性の保護膜36を形成し、メサ部34の上面に保護膜36の開口を形成して該開口にアノード電極28を形成し、半導体基板12の裏面12b上にカソード電極29を形成することにより、本実施形態の面発光レーザ10が完成する。
本実施形態による面発光レーザ10の製造方法により得られる効果について説明する。本実施形態の製造方法においては、先ず、DBR部24に形成された酸化領域24cに対して選択的なウェットエッチングを行う(第1のエッチング工程)。この工程によって、非酸化半導体に対するエッチングを抑制しつつ、酸化領域24cを除去することができる。その後、第2のエッチング工程において、DBR部24の周縁部をエッチングにより除去することによって、非酸化半導体を過度にエッチングすることなくメサ部34の形状を整えることができ、且つ、DBR部24の酸化領域24cを完全に除去することができる。このとき、メサ部34の周縁部はほぼ非酸化半導体(AlGaAs)によって構成されているので、例えば図16に示されたエッチング工程と比較してエッチングレートが速くなり、エッチング時間を例えば半分程度まで短くすることができる。したがって、DBR部14に対するエッチング深さを、図16に示された方法におけるエッチング深さの半分程度まで浅くすることができる。
このように、本実施形態の製造方法によれば、酸化領域24cと非酸化半導体とをそれぞれ適切な度合いでエッチングすることができるので、エッチングが半導体基板12に到達することを防ぎ、放熱特性の低下を抑えることが可能になる。また、酸化領域24cを効果的に除去することができるので、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる。なお、本実施形態により製造された面発光レーザ10の熱抵抗を測定したところ、3000K/Wであり、図16及び図17に示された方法により製造された面発光レーザの熱抵抗(3500K/W)と比較して良好な放熱特性が得られた。
また、本実施形態では、DBR部24が、屈折率が互いに異なり交互に積層された半導体層24a及び24bを含み、半導体層24a及び24bのアルミニウム組成が互いに異なる。このような場合、アルミニウム組成が高い半導体層24aの酸化領域24cは、アルミニウム組成が低い半導体層24bの酸化領域と比較してDBR部24のより内部へと拡がる。DBR部24がこのような構成を有する場合、本実施形態による面発光レーザ10の製造方法によれば、第1のエッチング工程によって半導体層24a及び24bの酸化領域の双方を効果的に除去するとともに、この除去によって生じたDBR部24の側面の凹凸を、第2のエッチング工程によって効果的に解消することができる。
(変形例)
続いて、上記実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法の変形例について説明する。本変形例における製造方法のうち、第1のエッチング工程までの各工程については上記実施形態と同様なので、説明を省略する。
続いて、上記実施形態に係る面発光型半導体素子の製造方法の変形例について説明する。本変形例における製造方法のうち、第1のエッチング工程までの各工程については上記実施形態と同様なので、説明を省略する。
第1のエッチング工程(図6を参照)ののち、メサ部34に対して更にエッチングを行うことにより、図10に示されるようにDBR部24の周縁部を除去する(第2のエッチング工程)。まず、上記実施形態と同様にしてエッチングマスクM2(図7参照)をメサ部34上に形成する。そして、このエッチングマスクM2を用い、メサ部34に対してウェットエッチングを行うことにより、メサ部34の周縁部を除去する。この工程によって、メサ部34の側面が平坦になり、また全ての酸化領域24c(図5参照)が完全に除去される。続いて、図11に示されるように、メサ部34の上面及び側面に絶縁性の保護膜36を形成し、メサ部34の上面に保護膜36の開口を形成して該開口にアノード電極28を形成し、半導体基板12の裏面12b上にカソード電極29を形成することにより、本変形例に係る面発光レーザ40が完成する。
本変形例においては、第2のエッチング工程において使用されるエッチャントとして例えばクエン酸を用い、DBR部24のうち特にアルミニウム組成が小さい半導体層24bの側面付近をエッチングする。半導体層24bの側面付近はその上下面および側面の三方が露出した状態なので、エッチャントが効率良く回り込んでその半導体材料(AlGaAs)を溶かすことができる。しかも、アルミニウム組成が小さい半導体層24bを選択的にエッチングすることができるので、アルミニウム組成が大きい半導体層(DBR部14の半導体層14aなど)がエッチング停止層として機能する。したがって、第2のエッチング工程においてドライエッチングを行う上記実施形態とは異なり、DBR部14に対するエッチング量を極めて少なくすることができるので、放熱特性を更に高めることができる。なお、本変形例により製造された面発光レーザ40の熱抵抗を測定したところ、2600K/Wであり、上記実施形態により製造された面発光レーザの熱抵抗(3000K/W)と比較して更に良好な放熱特性が得られた。
また、本変形例の製造方法によれば、上記実施形態と同様に、酸化領域24cを効果的に除去することができるので、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる。
10…面発光レーザ、12…半導体基板、14,24…DBR部、14a,14b…半導体層、16,20…スペーサ層、18…活性層、22…電流狭窄層、22a…開口、22b…酸化領域、22c…半導体領域、24…DBR部、24a…第2の半導体層、24b…第3の半導体層、24c…酸化領域、28…アノード電極、29…カソード電極、30…半導体層、32…半導体積層構造、34…メサ部、36…保護膜、40…面発光レーザ。
Claims (4)
- 面発光型の半導体素子を製造する方法であって、
活性層と、アルミニウムを含み前記活性層上に設けられた第1の半導体層と、アルミニウムを含み前記第1の半導体層上に設けられたDBR部とを含む半導体積層構造の前記DBR部及び前記第1の半導体層に対してエッチングを行うことによりメサ部を形成するメサ形成工程と、
電流狭窄のための環状の酸化領域を前記第1の半導体層の内部に形成するために、前記メサ部の側面から内部に向けてアルミニウムを酸化させる酸化工程と、
前記酸化工程により前記DBR部に形成された酸化領域に対して選択的なウェットエッチングを行う第1のエッチング工程と、
前記DBR部の周縁部をエッチングにより除去する第2のエッチング工程と
を含むことを特徴とする、面発光型半導体素子の製造方法。 - 前記DBR部が、屈折率が互いに異なり交互に積層された第2及び第3の半導体層を含み、
前記第2及び第3の半導体層のアルミニウム組成が互いに異なることを特徴とする、請求項1に記載の面発光型半導体素子の製造方法。 - 前記第2のエッチング工程の際に、前記DBR部の前記周縁部をドライエッチングにより除去することを特徴とする、請求項1または2に記載の面発光型半導体素子の製造方法。
- 前記第2のエッチング工程の際に、前記DBR部の前記周縁部をウェットエッチングにより除去することを特徴とする、請求項1または2に記載の面発光型半導体素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010233690A JP2012089611A (ja) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 面発光型半導体素子の製造方法 |
US13/267,104 US8389308B2 (en) | 2010-10-18 | 2011-10-06 | Method for producing surface emitting semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010233690A JP2012089611A (ja) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 面発光型半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012089611A true JP2012089611A (ja) | 2012-05-10 |
Family
ID=45934482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010233690A Pending JP2012089611A (ja) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 面発光型半導体素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8389308B2 (ja) |
JP (1) | JP2012089611A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018088455A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子を作製する方法 |
JP2019040953A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 垂直共振型面発光レーザ、垂直共振型面発光レーザを作製する方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105742433B (zh) * | 2016-04-29 | 2018-03-02 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种AlGaInP发光二极管 |
CN108879326B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-01-26 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种水平结构vcsel芯片及其制作方法和激光装置 |
DE102019116862B4 (de) | 2018-08-29 | 2021-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Techniken zur oxidation von oberflächenemittierenden lasern mit vertikalem hohlraum |
JP2021009895A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 住友電気工業株式会社 | 面発光レーザ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6696308B1 (en) * | 2000-10-27 | 2004-02-24 | Chan-Long Shieh | Electrically pumped long-wavelength VCSEL with air gap DBR and methods of fabrication |
US6570905B1 (en) | 2000-11-02 | 2003-05-27 | U-L-M Photonics Gmbh | Vertical cavity surface emitting laser with reduced parasitic capacitance |
JP4066654B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2008-03-26 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
WO2003063310A1 (de) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Infineon Technologies Ag | Laserdiode mit vertikalresonator und verfahren zu siener herstellung |
JP3885677B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-02-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法ならびにその製造装置 |
JP3876895B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2007-02-07 | ソニー株式会社 | 面発光半導体レーザ |
-
2010
- 2010-10-18 JP JP2010233690A patent/JP2012089611A/ja active Pending
-
2011
- 2011-10-06 US US13/267,104 patent/US8389308B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018088455A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子を作製する方法 |
JP2019040953A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 垂直共振型面発光レーザ、垂直共振型面発光レーザを作製する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8389308B2 (en) | 2013-03-05 |
US20120094408A1 (en) | 2012-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4184769B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP5027010B2 (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP2012089611A (ja) | 面発光型半導体素子の製造方法 | |
JP2003133640A (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
JP2008028120A (ja) | 面発光型半導体素子 | |
US8228964B2 (en) | Surface emitting laser, surface emitting laser array, and image formation apparatus | |
JP3800856B2 (ja) | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ | |
JP2009170508A (ja) | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP5005937B2 (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP2009038310A (ja) | 面発光型半導体光デバイス | |
JP5023595B2 (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP2009188238A (ja) | 面発光レーザ及びその製造方法 | |
JP2001332812A (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
JP6004063B1 (ja) | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP5006242B2 (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
JP2007235030A (ja) | 面発光レーザ素子及びその製造方法 | |
JP4731167B2 (ja) | 面発光レーザー素子 | |
JP2009246252A (ja) | 面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイ | |
JP5137658B2 (ja) | 長波長帯域面発光レーザ素子 | |
JP5322800B2 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ | |
JP2003158340A (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
JP2007081295A (ja) | 面発光レーザ素子 | |
WO2022097513A1 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ素子及び垂直共振器型面発光レーザ素子の製造方法 | |
JP2009238832A (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 | |
JP2009231603A (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 |