JP2012084901A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上にGaN系半導体層20を形成する工程と、前記GaN系半導体層に開口部28を形成する工程と、前記開口部の側面に電子走行層22および電子供給層26を形成する工程と、前記電子供給層の前記開口部側の側面にゲート電極32を形成する工程と、前記GaN系半導体層上にソース電極30を形成する工程と、前記GaN系半導体層の前記ソース電極と相対する面に接続するドレイン電極34を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。
【選択図】 図3
Description
12 AlGaNバッファ層
14 GaNドリフト層
16 バリア層
18 AlGaNキャップ層
20 GaN系半導体層
22、22a 電子走行層
24、24a 中間層
26、26a 電子供給層
27、27a 再成長層
28、28a 開口部
30 ソース電極
32 ゲート電極
34 ドレイン電極
Claims (5)
- 基板上にGaN系半導体層を形成する工程と、
前記GaN系半導体層に開口部を形成する工程と、
前記開口部の側面に電子走行層および電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層の前記開口部側の側面にゲート電極を形成する工程と、
前記GaN系半導体層上にソース電極を形成する工程と、
前記GaN系半導体層の前記ソース電極と相対する面に接続するドレイン電極を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記GaN系半導体層を形成する工程は、P型GaN系半導体層を形成する工程を含み、
前記開口部を形成する工程は、少なくとも前記P型GaN系半導体層を除去する工程である請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記GaN系半導体層を形成する工程は、前記P型GaN系半導体層を形成する工程の前後に、第1のN型GaN系半導体層を形成する工程と、第2のN型半導体層を形成する工程を含む請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記GaN系半導体層を形成する工程は、MOCVD法またはMBE法で成膜する請求項1から3記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上にGaN系半導体層を形成する工程と、
前記GaN系半導体層に開口部を形成する工程と、
前記開口部の側面、底面および前記開口部外側の前記GaN系半導体層上全面に電子走行層および電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層の前記開口部側の側面にゲート電極を形成する工程と、
前記GaN系半導体層上にソース電極を形成する工程と、
前記GaN系半導体層の前記ソース電極と相対する面に接続するドレイン電極を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。
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