JP2012074733A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置10は、順に積層された、天井電極板25、冷却板26及び上部電極支持体27を有する円板状のシャワーヘッド24を備え、上部電極支持体27は上部高周波電源30に接続され、冷却板26は中央バッファ室34と周縁バッファ室35とを内部に有し、上部電極支持体27には2つのクランプ38が中央バッファ室34に対応する位置に配置され、且つ2つのクランプ40が周縁バッファ室35に対応する位置に配置され、各クランプ38,40はそれぞれガス供給系39,41に接続され、2つのクランプ38は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において180°±3°毎に配置され、2つのクランプ40も、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において180°±3°毎に配置されている。
【選択図】図2
Description
いる。ESC14は、例えば、アルミニウムからなり、ESC14の上面にはアルミナ等のセラミック等が溶射されて溶射皮膜(図示しない)が形成される。該溶射皮膜内には、直流電源15が電気的に接続されている静電電極板16が配される。
比較的低い周波数の高周波電力をサセプタ13に供給する。これにより、サセプタ13は、後述するシャワーヘッド24及び該サセプタ13の間の空間である処理空間Sに高周波電力を供給する下部電極として機能する。また、下部整合器20は、下部高周波電源19の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとを整合させる。
られる。この冷媒室21には、チラーユニット(図示しない)から冷媒用配管22を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン(登録商標)が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ支持台12はESC14を介してウエハWを冷却する。
スは、例えば、アルゴンガスが該当する。
まず、基板処理装置10においてウエハWにエッチング処理を施した際、ウエハWにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、アーキングの発生は確認されなかった。また、ウエハWの表面における電荷分布を観測したところ、電荷分布は同心円分布となり、円周方向に関して電荷の偏在の発生は確認されなかった。
まず、図7の電極構造体70を備える基板処理装置(以下、「従来の基板処理装置」という。)においてウエハWにエッチング処理を施した際、ウエハWにおけるアーキングの発生の有無を観測したところ、接続部74a,74bが配置される位置とシャワーヘッド71の中心に関して対称の位置においてアーキングの発生を確認した。また、ウエハWの表面における電荷分布を観測したところ、接続部74a,74bが配置される位置とシャワーヘッド71の中心に関して対称の位置において電荷の偏在の発生を確認した。
W ウエハ
10 基板処理装置
11 チャンバ
13 サセプタ
14 ESC
19 下部高周波電源
24 シャワーヘッド
34 中央バッファ室
35 周縁バッファ室
38,40 クランプ
39 中央ガス供給系
41 周縁ガス供給系
また、請求項6記載の基板処理装置は、請求項5記載の基板処理装置において、前記第1のパイプ乃至第nのパイプにおける前記接地導電性部材の内部に存在する部分は樹脂からなることを特徴とする。
また、請求項7記載の基板処理装置は、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記2つ以上の環状バッファ室は、2つであり、前記第nのパイプは、第3のパイプであることを特徴とする。
Claims (5)
- 円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、高周波電源と、処理ガスを供給するガス供給装置と、前記高周波電源と接続され且つ少なくとも1つのガス供給系を介して前記ガス供給装置と接続される円板状の電極構造体とを備える基板処理装置において、
前記電極構造体は、前記載置台と対向して配置され、内部に少なくとも1つのバッファ室を有し、且つ前記ガス供給系と接続される複数の接続部を有し、
各前記バッファ室は、多数のガス穴を介して前記収容室内と連通すると共に、前記複数の接続部を介して前記ガス供給系と連通し、
各前記バッファ室に関し、前記複数の接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする円周上において均等間隔に配置されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記電極構造体は内部に複数の前記バッファ室を有し、
全前記バッファ室に対応する前記接続部の合計数をnとした場合、各前記接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする回転角度で360°/n±3°毎に配置されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記電極構造体は、前記収容室側から順に積層された天井電極板、冷却板及び上部電極体によって構成され、該天井電極板、前記冷却板及び前記上部電極体は導電性材料からなり、
前記複数の接続部は前記上部電極体に配置され、該上部電極体は前記高周波電源と接続されることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理装置。 - 前記ガス供給系は少なくとも前記接続部に接続される部分が絶縁性材料からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 円板状の基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、高周波電源と、処理ガスを供給するガス供給装置とを備える基板処理装置が有する電極構造体において、
円板状を呈すると共に、前記高周波電源と接続され且つ少なくとも1つのガス供給系を介して前記ガス供給装置と接続され、
前記載置台と対向して配置され、内部に少なくとも1つのバッファ室を有し、且つ前記ガス供給系と接続される複数の接続部を有し、
各前記バッファ室は、多数のガス穴を介して前記収容室内と連通すると共に、前記複数の接続部を介して前記ガス供給系と連通し、
各前記バッファ室に関し、前記複数の接続部は、前記電極構造体の中心を中心とする円周上において均等間隔に配置されることを特徴とする電極構造体。
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